INGENIERIA DE MATERIALES II

FUNDAMENTOS DE LA
INGENIERIA DE MATERIALES
LOS FUNDAMENTOS
PPT 1
Esta ppt esta basada en las ctedras y presentaciones de :
Dr Christopher Blanford
Dr Zhu Liu
Dr Enrique Jimenez-melero
Ademas de libros como:
Ciencia de Materiales para ingenieros, Shackelford.
Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales, Smith.
Shreirs Corrosion, Bob Cottis, et all

La informacin aqu contenida es CONFIDENCIAL, y no puede ser distribuida ni usada por terceros sin autorizacin
previa.

TESA
 Temario

Ciencia e ingeniera de materiales

Desarrollo histrico de los materiales y sus procesos de

manufactura

Caracterizacin de los materiales

Estructura atmica y sus enlaces.

Vectores de posicin, direcciones y planos reticulares

2
Ciencia e ingeniera de Materiales:

3
INTRODUCCION
Desarrollo histrico de materiales y procesos de manufactura

4
 INTRODUCCION
Los materiales son crticamente importantes para la manufactura de cualquier componente
de ingeniera. Muchos avances tecnolgicos son atribuidos al desarrollo y mejoramiento de
nuevos materiales, capaces de rendir bajo condiciones cada vez mas demandantes.

5
 Caracterizacin de materiales

Los materiales son comnmente divididos:

Cermicos Donde se encuentran los semiconductores?:
Metales
Polmeros
Compuestos
Vidrios
Semiconductores

La propiedades de los materiales

pueden ser agrupadas:
- Propiedades Mecnicas
- Propiedades funcionales (fsicas-
quimicas)
- Propiedades Superficiales ????

6
 Metales:
Porque y para que utilizamos los metales?

Un metal es brillante, maleable y conduce electricidad, excelentes

propiedades mecnicas, comportamiento magntico, conductores de
electricidad, alta conductividad trmica.
Los metales pueden ser puros (Cu,
Al, etc. o aleaciones que contienen
algunos elementos (acero (Fe-C),
brass (Cu-Zn), bronce (Cu-Sn)

Mayora de los metales son:

Dctiles
Alta tenacidad
Se funden a temperaturas
moderadas
Son muy reactivos con el medio
ambiente (Oxidacin).

7
Metales:

8
 Cermicos:
Porque y para que utilizamos los materiales cermicos?

Propiedades Mecnicas
(Compresin)
Resistencia abrasin
Baja conductividad trmica
Insolacin elctrica (no conduce
electricidad), Comportamiento
dielctrico,
Refractario.
Controlable la absorcin ptica y la
emisin de luz.
Propiedades superficiales que varan
con el medio ambiente.

9
Cermicos:

10
 Polmeros:
Porque y para que utilizamos los polmeros?

Un polmero es una larga cadena hecha por repeticin de unidades

(MER)

Mayora de los polmeros son:

Baja densidad
Tienen plasticidad o son quebradizos
(depende de la temperatura)
El modulo de elasticidad es bajo.
Buenas propiedades mecnicas
Conductividad trmica baja.
Emisin de luz.

11
Polmeros:

12
 Compuestos:
Un material compuesto es formado cuando un tipo de material es
incorporado dentro de otro material para crear un nuevo material.

Fibras de carbono
reforzados con plstico
(CFRP)

Cemento( (cermico
metales)
Acero reforzado con
caucho ( llantas )

Concreto reforzado con

acero.

La idea es incorporar materiales para:

Mejorar del rendimiento para compensar propiedades.
13
 Vidrios

El trmino general para denominar a los slidos no cristalinos con

composiciones comparables a las de los cermicos cristalinos es vidrio.
Los vidrios y los cermicos cristalinos tienen en comn la fragilidad.
La importancia de los vidrios en la ingeniera reside en otras
propiedades, como su capacidad para transmitir la luz visible (as como
la radiacin ultravioleta e infrarroja) y su inercia qumica.

14
 SEMICONDUCTORES

La tecnologa ha revolucionado claramente la sociedad, pero a su vez la

electrnica de estado slido est revolucionando la propia tecnologa Un
grupo relativamente pequeo de elementos y compuestos tiene una
importante propiedad elctrica, la semiconductividad, de manera que no son
ni buenos conductores elctricos ni buenos aislantes elctricos.

Los tres elementos semiconductores (Si, Ge y Sn) de la columna IVA

constituyen una especie de frontera entre los elementos metlicos y los no
metlicos.

El silicio (Si) y el germanio (Ge), usados con profusin como elementos

semiconductores, son excelentes ejemplos de este tipo de
materiales. El control preciso de su pureza qumica permite
controlar exactamente sus propiedades electrnicas.

A medida que se han ido desarrollando tcnicas para producir

variaciones en la pureza qumica en zonas muy pequeas, se han
podido obtener complicados circuitos electrnicos en superficies
excepcionalmente diminutas. Estos microcircuitos son la base de
la actual revolucin de la tecnologa. 15
SEMICONDUCTORES

16
 Estructura atmica y enlace
Para la ciencia de materiales, es suficiente considerar los
tomos como:
Esferas que contienen:
Un ncleo muy pequeo constituido de protones (carga
+) y neutrones (carga cero)
Orbitado por electrones (carga negativa= las cuales
llenan las orbitas.
Los tomos son elctricamente neutrales, as el numero de
protones y electrones son iguales.

17
 Coursework N.1

ESCRIBIR LA CONFIGURACION ELECTRONICA PARA EL ATOMO FE

HIERRO Y COBRE ADEMAS PARA LOS IONES DE Fe2+ y Cu+2
USANDO LA CONFIGURACION SPDF.
ESCRIBIR COFIGURCIONES ELECTRONICAS PARA ATOMOS DE
MATERIALES CERAMICOS (2), METALICOS (2) Y POLIMEROS (2)
USANDO LA CONFIGURACION SPDF

18
Desde tomos a las diferentes aplicaciones

Como entender las propiedades??

Arreglos de tomos dentro de las estructuras cristalinas.

Estructura cristalina forma microestructuras
La microestructura controla las propiedades
Deformaciones ocurren en una escala atmica
Los efectos del tratamiento trmico y manufactura.

19
DEFORMACIN ELSTICA A ESCALA ATMICA

Para mover los iones de su posicin de equilibrio es preciso aplicar una

energa al sistema (por ejemplo, una carga de traccin o de compresin).

20
DEFORMACIN ELSTICA A ESCALA ATMICA

el mecanismo fundamental asociado a la deformacin

elstica es la relajacin de los enlaces atmicos.
21
Desde tomos a las diferentes aplicaciones

22
 Estructura atmica
La mayora de cermicos y metales son policristalinos. (OLA)
Los polmeros pueden ser amorfos o cristalinos. (OBA)

23
ESTRUCTURA ATOMICA (perfectas/cristalinas)

Como entender las propiedades??

Los tomos dentro de cristales o granos son agrupados en

esquemas regulares y repetitivos.
Los arreglos son basados en retculos, los cuales llenan el
espacio (3D) y pueden tener diferentes formas.
La unidad estructural mas simple es la celda unitaria

24
 (PAUSA) Enlace Atmico

Como los tomos se enlazan determina la estructura y propiedades

de un material.
El tipo de enlace es determinado por la estructura electrnica de los
tomos envueltos en esta.
Hay tres principales tipos de enlaces primario entre tomos:
El enlace Inico
Enlace covalente
Enlace Metlico

25
 Enlace Atmico

El ENLACE IONICO
Formacin del enlace inico.
- La ganancia y perdida de electrones
para llenar la ultima capa orbital de uno de los
ltimos electrones.
- Los elementos se convierte en iones
cargados negativos o positivos.
- Iones de signo opuesto se atraen uno
al otro electrnicamente. Formando un fuerte
enlace.
Solidos inicos.
Generalmente tienen alta dureza
Alta temperatura de fusin
Puede ser soluble en lquidos polares tal como el
agua

26
 Enlace Atmico
Nmero de coordinacin de enlazamiento inico

27
 Enlace Atmico
ENLACE COVALENTE:
- Los tomos comparten
electrones para formar un fuerte
enlace.
- altamente direccional (ngulos
y longitudes preestablecidos)

Los solidos covalentes son tpicamente:

- Alta dureza (depende)
- alta temperatura de fusin
(depended)
- insoluble en casi todos los
solventes.

Ejemplo:
Diamante
Cloro molecular gas

28
 Enlace Atmico
ENLACE COVALENTE:

29
 Enlace Atmico
ENLACE COVALENTE:

30
 Enlace Atmico
ENLACE METLICO:
- Los electrones ubicados exteriormente forman un mar
de electrones deslocalizados.
- Adireccional. (no direccional)
LOS SOLIDOS METALICOS TIPICAMENTE SON:
- Dctiles
- Alta conductividad elctrica
- Alta conductividad trmica
Ejemplos:
Cobre

31
 Enlace Atmico

- Los enlaces puros inicos, metlicos, covalentes son muy raros y

escasos.

- El enlazamiento de tomos es regularmente una mezcla de

diferentes tipos de enlace.

- Silicio
Convencionalmente comparte electrones pero un poco de electrones
son capaces de dejar su locacin covalente y convertirse en
electrones deslocalizados.
Esto lidera a una semiconductividad exhibida por el silicio.

- En puntos elevados de fusion muchos metals ejemplo (W)

Enlaces covalentes sucede en adicin al enlace metalico

32
Enlace Atmico

33
ESTRUCTURA ATOMICA (perfectas/cristalinas)

DoITPoMS
34
ESTRUCTURA ATOMICA (perfectas/cristalinas)
SIETE SISTEMAS DE CRISTALES

DoITPoMS

LOS CATORCE RETICULOS DE CRISTAL (BRAVAIS)

35
ESTRUCTURA ATOMICA (perfectas/cristalinas)

Las siguientes imgenes muestran la naturaleza cristalina de los minerales

como a) celestita (SrSO4) de color azul celeste, b) pirita (FeS2), tambi
llamada el oro de los tontos por su color amarillo dorado, c) amatista (SiO2),
una variedad prpura del cuarzo y d) halita (NaCl), mejor conocida como sal
de roca.

36
 Coursework N.2 DoITPoMS

Dibujar la celda unitaria (3D) para los siguientes tems: Fe, Cu,
NaCl, ZnS.

DIBUJE LOS PUNTOS RETICULARES (BIDIMENSIONAL) PARA LOS

14 RETICULOS DE CRISTAL (BRAVAIS). Nota: Vista superior de los
siete sistema de cristales (sistema bidimensional, en la cristalografa
lo denominan Lattice o posiciones de red.

Considerando los dibujos anteriores, se puede realizar dibujos

similares para los siguientes tems : Fe, Cu, NaCl, ZnS.
Considerando los dibujos de los literales anteriores definir que es un
Lattice y su importancia en la cristalografa.

37
 Vectores de posicin, direcciones y planos
reticulares

Los sitios de los tomos, la direccin de los cristales y los planos son
definidas con referencia a los axis de la celda unitaria

Fcilmente todos los

tomos posicionados en los
puntos de la red o lattice.
Sus puntos de coordenadas
son [0,0,0] [0,0,1] [0,1,0]
[1,0,0] [1,1,0] [1,0,1]
[0,1,1] [1,1,1]

Los ejes son convencionalmente graficados siguiendo la regla de la

mano derecha.

38
 Posiciones, direcciones y planos reticulares

Direcciones (o desplazamientos) en un cristal:

- Estn dados por un vector
- Se encuentran expresados en trminos de sus componentes a lo
largo de los ejes.
Planos (tomos alienados)
- Definido por la interseccin de planos con los ejes.
- Son muy importantes porque ellos forman las caras de los cristales
y determinan su reactividad.

39
 Posiciones, direcciones y planos reticulares

DIRECCIONES
Como P es identificado
- desde el origen P va :
+1 unit cell in x
+1 unit cell in y
+1 unit cell in z
- La direccin es [1 1 1]

Smbolos
- una barra sobre el numero indica negativo
- [] significa direccin
- <>significa familia de direcciones.
Cual son las direcciones que hacen la familia <1 1 1> en una celda
cubica.

40
 Posiciones, direcciones y planos reticulares

Dibujar las siguientes direcciones en la celda cubica.?

41
 Posiciones, direcciones y planos reticulares

La numeracin es basado en la DoITPoMS

interseccin de los planos con los
ejes.
El plano corta:

Los ndices son basados en los

recprocos de los puntos de
interseccin.

As los ndices del plano son (1 2 0)

Para la familia de planos se usa { }

42
 Posiciones, direcciones y planos reticulares

Dibujar los siguiente planos en la celda cubica.?

43
 Posiciones, direcciones y planos reticulares

DoITPoMS
Dibujar los siguiente planos en la celda cubica.?

DoITPoMS

Que conclusin pueden sacar del dibujo de los dos ltimos planos?

44
Posiciones, direcciones y planos reticulares
Como el sistema hexagonal puede
representarse convenientemente mediante
cuatro ejes, puede definirse un conjunto de
cuatro dgitos, los ndices de Miller-Bravais
(h k i l ), como se ve en la Figura. Como
bastan tres ejes para definir la geometra
tridimensional de un cristal, uno de los
nmeros enteros del sistema de Miller-
Bravais es redundante. Una vez que un
plano intersecta a dos ejes cualesquiera
en el plano basal de la celda unidad (que
contiene a los ejes a1 a2 y a3 de la
Figura), la interseccin con el tercer eje del
plano basal est perfectamente
determinada. El resultado es que, en el
sistema hexagonal, puede demostrarse
que se cumple que h + k = i para
cualquier plano.

45
 Posiciones, direcciones y planos reticulares

Angulo entre direcciones (producto escalar entre dos vectores

Ejercicio
Cul es el ngulo entre las direcciones [110] y [111] en el sistema
cbico?

46
 Posiciones, direcciones y planos reticulares

Weiss Zone Law.

Es una importante ley cristalogrfica usado en la ciencia de
materiales.
- La cristalogrfica direccin [U V W] descansa sobre un plano
cristalogrfico (h k l) ??
- Si se cumple hU + KV + lW = 0

-Ejemplo:
-La direccin [ 1 1 0 ] esta sobre el
plano

47
 Posiciones, direcciones y planos reticulares

Utilice la ley Weiss zone para establecer si las siguiente direcciones

descansan sobre los correspondientes planos

48
 Posiciones, direcciones y planos reticulares
INTERSECCION DE PLANOS
La interseccin de dos planos cristalogrficos
definirn la direccin cristalogrfica.
En muchos problemas de ciencia de
materiales es importante determinar la
direccin definida por dos planos.
Para encontrar la direccin [U V W] el vector
producto cruz de (h1 k1 l1 ) y (h2 k2 l2 )

49
 Coursework N.3
Posiciones, direcciones y planos reticulares

Cual es la direccin definida por la interseccin de los siguientes

planos: (310) y (011)

Cual es la direccin definida por la interseccin de los siguientes

planos: (1 1 1) y (2 3 0)

50
 Coursework

EJERCICIOS
En la red cbica centrada en caras, los planos densos corresponden a la familia:
a) (1 0 0).
b) (1 1 0).
c) (1 1 1).
d) (2 1 1).

La direccin compacta en el sistema cbico centrado en el cuerpo es:

a) No hay direcciones compactas.
b) <100>.
c) <110>.
d) <111>.

51
 Coursework

EJERCICIOS

La estructura cristalina se determina mediante tcnicas de

a) Metalografa.
b) Difraccin.
c) Microdurezas.
d) Anlisis qumico.

La celda unitaria del cobre tiene un parmetro reticular a = 3,61 Amgstroms.

Calcule el
radio atmico.
a) 1,80 Amgstroms.
b) 1,20 Amgstroms.
c) 1,27 Amgstroms.
d) 1,56 Amgstroms.

52
 Coursework
EJERCICIOS.. Por favor, responder las preguntas de opcin mltiple
e indicar porque la seleccionaron (teora)
La distincin entre distintas fases se puede realizar por:
a) Observacin microscpica.
b) Microdureza Vickers.
c) Microdureza Knoop.
d) Todas son correctas.

La difraccin de rayos X es una tcnica aplicada para investigar:

a) Materiales metlicos.
b) Slidos con estructuras cristalinas.
c) Materiales polimericos.
d) Slidos amorfos.

La tcnica metalogrfica nos revela:

a) La organizacin espacial de las fases de un material metlico.
b) Las diferentes formas y tamaos que adoptan las fases en la estructura.
c) Las diferentes configuraciones entre las fases y compuestos.
d) Todas son correctas.

53
 Coursework

EJERCICIOS
La distincin entre distintas fases se puede realizar por:
a) Observacin microscpica.
b) Microdureza Vickers.
c) Microdureza Knoop.
d) Todas son correctas.

La difraccin de rayos X es una tcnica aplicada para investigar:

a) Materiales metlicos.
b) Slidos con estructuras cristalinas.
c) Materiales polimericos.
d) Slidos amorfos.

La tcnica metalogrfica nos revela:

a) La organizacin espacial de las fases de un material metlico.
b) Las diferentes formas y tamaos que adoptan las fases en la estructura.
c) Las diferentes configuraciones entre las fases y compuestos.
d) Todas son correctas.

54
 Coursework
EJERCICIOS

Decimos que una estructura es cristalina cuando presenta:

a) Una sucesin regular de planos cristalinos, necesariamente de mxima densidad.
b) Una sucesin regular de planos cristalinos, necesariamente de mnima densidad.
c) Una sucesin regular de planos cristalinos, no necesariamente de mxima
densidad.
d) Una sucesin regular especial de planos cristalinos, necesariamente de mxima
densidad.

En la celdilla cbica de caras centradas en el plano de mxima compactacin es

el:
a) (1,1,1).
b) (1,1,0).
c) (1,0,0).
d) (2,0,0).

55
 Coursework
EJERCICIOS

Decimos que una estructura es cristalina cuando presenta:

a) Una sucesin regular de planos cristalinos, necesariamente de mxima densidad.
b) Una sucesin regular de planos cristalinos, necesariamente de mnima densidad.
c) Una sucesin regular de planos cristalinos, no necesariamente de mxima
densidad.
d) Una sucesin regular especial de planos cristalinos, necesariamente de mxima
densidad.

En la celdilla cbica de caras centradas en el plano de mxima compactacin es

el:
a) (1,1,1).
b) (1,1,0).
c) (1,0,0).
d) (2,0,0).

56
 Coursework
De las siguientes relaciones entre el parmetro de red y radio atmico, seala la
incorrecta:
a) a = 4R/2
b) a = 2R/2
c) a = 4R/3
d) a = 2R
Cuales son los ndices de un plano que corta respectivamente a los ejes x,y,z en , 1/3, .
a) [2,3,4]
b) [3,2,1]
c) [1,2,3]
d) [4,3,2]
Los materiales cuyas propiedades son independientes de la direccin de la medida se
denominan:
a) Anisotrpicas.
b) Alotrpicas.
c) Isotrpicas.
d) Cuasitrpicas.
Mediante la metalografa podemos resolver:
a) La estructura cristalina del material.
b) Las diferentes formas y tamaos que adoptan en la estructura.
c) La composicin de las inclusiones.
57
d) Todas son correctas.
Difraccin de Rayos X

58
Difraccin de Rayos X

59
 Empleando la ley de Bragg, calclense los ngulos de difraccin
(2) para los tres primeros picos del espectro de difraccin de
polvos de aluminio de la Figura

60
 PPT 1

Fin de la presentacin
Preguntas?

TESA