2.

Receptorul optic

2.1. Aspecte generale unui receptor optic

n aplicaiile sistemelor optice pentru recepionarea semnalului optic se folosesc

fotodetectoare care sunt fotodiode realizate din jonciuni pn, fotodiode PIN sau cu avalan
controlat. Variantele pentru alegerea fotodetectorului sunt mult mai limitate comparativ cu
ferestrele de lungimi de und disponibile, aceasta datorit numrului foarte mare de structuri
laser i materiale. Cele mai utilizate materiale ce intr n compunerea fotodetectoarelor sunt
siliciu (Si) sau arseniura de galiu-indiu (InGaAs). Detectoarele se bazeaz pe tehnologii PIN sau
ADP. Siliciu este materialul utilizat n domeniul vizibil sau infrarou apropiat. Tehnologia
fotodetectoarelor bazat pe siliciu este matur i poate detecta nivele foarte sczute ale
semnalului. Fotodetectoarele bazate pe siliciu au un maxim de senzitivitate (rspuns spectral) n
jurul ferestrei de 850 nm. Fotodetectoarele pe siliciu lucreaz foarte bine n conjuncie cu laserii
VCSEL ce opereaz n fereastra de 850 nm. Siliciul pierde din senzitivitate pentru lungimi de
und peste 1000 nm, avnd o cdere abrupt la 1100 nm.
Fotodetectoarele pe siliciu opereaz la viteze foarte mari. S-au realizat comercial
dispozitive ce lucreaz la viteze de peste 10 Gb/s pentru sistemele 10 GbE. Un mod uzual de
realizare a fotodetectoarelor PIN pe siliciu este integrarea n aceeai capsul a unui amplificator
transimpedan (TIA). Valoarea tipic de senzitivitate pentru o diod PIN pe siliciu este n jurul a
~34 dBm la 155 Mb/s. Fotodiodele Si-APD sunt mult mai sensibile datorit proceselor de
amplificare intern (avalan). Din aceast cauz fotodetectoarele Si-APD sunt utile pentru
detectarea spoturilor optice de nivel foarte mic n sistemele optice. Valorile de senzitivitate
pentru rate de bit nalte sunt mai mici de -50 dBm la 10 Mbit/s, -45 dBm la 155 Mbit/s sau -38
dBm la 622 Mbit/s. Fotodetectoarele pe siliciu sunt mici ca dimensiuni (0,2 x 0,2) i totu i
opereaz la viteze ridicate. Aceast caracteristic minimizeaz pierderile cnd lumina este
focalizat pe detector utiliznd lentile de diametru mare, sau oglinzi parabolice reflective.
Pentru lungimi de und mari, materialul utilizat pentru detectoare este InGaAs.
Performanele fotodetectoarelor InGaAs au fost constant mbuntite pe msura ce au fost
dezvoltate tehnologii de fibr optic pe 1550 nm. Fotodetectoarele disponibile comercial sunt
optimizate pentru operarea n ferestrele 1310 nm i 1550 nm. Principala calitate a detectoarelor
InGaAs este capabilitatea de a funciona la rate de bit foarte nalte. Valorile tipice de senzitivitate
sunt similare celor bazate pe tehnologia Si-PIN.
Detectoarele InGaAs sunt bazate pe tehnologii PIN sau PIN-TIA. n tabelul 2.1. sunt date
cteva caracteristici de catalog ale unei fotodiode InGaAs i valorile tipice.
 Fotodiodele cu siliciu sunt construite pe un cristal de siliciu celui folosit n fabricarea
circuitelor integrate. Diferena principal este acea c siliciu folosit n fabricarea fotodiodelor
este de puritate mult mai mare. Puritatea siliciului este direct legat de rezistivitatea sa, o
rezistivitate mai mare indicnd un siliciu mai pur. De exemplu, se utilizeaz siliciu a crui
rezistivitate variaz ntre 10 -cm i 10000 -cm.

Tabelul 2.1. Caracteristici de catalog ale unei fotodiode InGaAs

Nr. Caracteristici Valori
crt.
1 Interval detecie lungimi de und (spectral) 900 1700 nm

2 Senzitivitatea maxim (interval) 1,3 1,6 m

3 Diametru senzor 4mm

4 Suprafaa activ Aprox. 10 mm2

5 Fotosenzitivitatea (V/Hz) la 1550 nm 0,12

6 Puterea echivalent la zgomot NEP (W/Hz) la 1550 nm 2,8 10-15

7 Timp de rspuns Tipic 2 nsec.

8 Temperatura operare -10C la + 60C

9 Curent de ntuneric 0,2 nA

n figura 2.1. este prezentat o seciune transversal printr-o fotodioda tipic.

Fig. 2.1. Seciune transversal printr-o fotodiod tipic

 Materialul de plecare este siliciu dopat N. Un strat subire de tip P este creat la suprafa a
stratului N, prin difuziune termic sau implantare ionic a unui material adecvat (de regul bor).
Interfaa dintre stratul P i cel de tip N este cunoscut ca jonciune pn. Contacte metalice sunt
aplicate pe suprafaa superioar a dispozitivului, precum i pe ntreaga suprafa posterioar.
Contactul posterior este catodul diodei, iar contactul anterior este anodul. Suprafaa activ a
diodei este acoperit cu monoxid sau bioxid de siliciu pentru protecie i pentru a forma un strat
antireflectorizant. Grosimea acestui strat este optimizat n funcie de lungimea de und a
radiaiei.
Jonciunile fotodiodelor au proprieti deosebite datorit grosimii mici a stratului P.
Grosimea acestuia este determinat de lungimea de und a radiaiei ce trebuie detectat. Lng
jonciunea PN siliciu devine srcit de purttori de sarcin liberi. Aceast regiune este cunoscut
sub numele de regiune srcit de purttori. Adncimea acestei regiuni poate fi modificat prin
aplicarea unei tensiuni inverse n lungul jonciunii. Cnd regiunea srcit ajunge la nivelul
contactului de catod, se spune c fotodioda este complet srcit de purttori. Aceast regiune
srcit este foarte important pentru funcionarea fotodiodei deoarece sensibilitatea la radia ii se
afl n aceast regiune.
De asemenea, capacitatea jonciunii PN depinde de grosimea acestui strat srcit.
Crescnd tensiunea de polarizare se mrete adncimea regiunii srcite i se mic oreaz
capacitatea jonciunii pn cnd se atinge situaia de srcire complet. Capacitatea jonciunii
depinde i de rezistivitatea siliciului i de aria activ a jonciunii.
Cnd lumina este absorbit n aria activ, se creeaz o pereche electron-gol. Aceast
pereche este separat de cmpul electric din regiunea srcit, electronii trecnd n regiunea N,
iar golurile n regiunea P. Aceast separare de sarcini este numit effect fotovoltaic, iar
curentul corespunztor este curentul generat de lumin.
Fotodiodele pe siliciu se comport ca o surs de curent, motiv pentru care n catalog se
indic curentul de scurtcircuit. Aceast este o funcie liniar de iluminare pe un interval foarte
larg de valori. Curentul generat de lumin este afectat puin de temperatur, variind cu mai pu in
de 0,2% pe grad C pentru lumina vizibil.
Trebuie notat c la aplicarea unei tensiuni inverse apare un curent prin fotodiod chiar i
n lipsa iluminrii. Acest curent de ntuneric este specificat pentru fiecare dispozitiv. n cazul n
care o tensiune de polarizare mic este aplicat, se specific i rezistena paralel, aceasta se
determin msurnd curentul de ntuneric pentru o polarizare de +/ - 0,01 V.
 2.2. Caracteristicile receptorului optic

1. Viteza de rspuns:
Msur a sensibilitii fotodiodei, viteza de rspuns este raportul dintre foto-curentul la
ieirea din diod i puterea luminoas incident la fotodiod. De notat c puterea incident este
exprimat, de obicei n W/cm2, iar fotocurentul n A/cm2.
2. Caracteristica spectral:
Siliciu devine transparent la lungimi de und peste 1100 nm, in timp ce ultraviolete sunt
absorbite n primii 100 nm de grosime. Stratul antireflectorizant mbuntete rspunsul la o
anumit lungime de und, dar l poate deteriora la alte lungimi de und datorit reflexiilor.
Fereastra diodei poate modifica rspunsul fotodiodei. Fereastra clasic din sticl absoarbe
lungimile de und sub 300 nm. Pentru detecia ultravioletelor este necesar folosirea unei
ferestre din siliciu sinterizat. Se folosesc i diverse filtre pentru a mbunti rspunsul spectral al
fotodiodei. Un asemenea filtru este cel ce modific rspunsul normal al siliciului pentru a
aproxima rspunsul spectral al ochiului uman.
3. Liniaritatea:
Ieirea unei fotodiode n cazul aplicrii unei polarizri inverse este liniar n raport cu
iluminarea jonciunii fotodiodei.

4. Eficiena cuantic:
Capacitatea intern a unei fotodiode de a converti energia luminoas n energie electric,
exprimat n procente, se numete eficiena cuantic (). Viteza de rspuns a fotodiodei este
legat de eficiena cuantic prin relaia (5):

1,24 105 R [ A /W ]
[ ]=
[nm]

(5)

Funcionnd n condiii ideale de reflectan, structur a cristalului i rezisten intern, o

fotodiod pe siliciu de calitate foarte bun poate atinge o eficien cuantic de 80%.
5. Influena temperaturii:
Crescnd temperatura de funcionare a fotodiodei, apar dou rezultate distincte asupra
caracteristicilor acesteia. Primul este o modificare a eficien ei cuantice datorit modificrilor de
absorbie a radiaiei n dispozitiv. Valorile eficienei cuantice se micoreaz n regiunea
ultraviolet i crete n regiunea infrarou.
 Al doilea rezultat este determinat de creterea exponenial a numrului de perechi
electron gol, ceea ce determin creterea curentului de ntuneric. Acest curent se dubleaz la
fiecare cretere a temperaturii cu 8-10 C.
6. Puterea echivalent de zgomot
n multe aplicaii sistemelor optice, administratorul sistemului are nevoie s controleze
puterea luminoas minim detectabil de ctre fotodiod. Puterea optic minim incident la
fotodioda care genereaz un curent foto egal cu curentul total de zgomot al fotodiodei este
denumit putere echivalent de zgomot (NEP=Noise Equivalent Power), conform ecuaiei (6):

i n [ A / Hz]
NEP=
R [ A /W ]

(6)

NEP este dependent de banda de frecven a sistemului de msur, pentru a elimina

aceast dependen, cifra care reprezint raportul se mparte la rdcina ptrat a benzii de

frecven, ceea ce d un NEP exprimat n W / Hz . Deoarece conversia puterii luminoase n

curent foto depinde de lungimea de und a radiaiei, NEP este evaluat la o anumit lungime de
und. NEP variaz neliniar cu lungimea de und, ca i viteza de rspuns

7. Timpul de comutaie:
Pentru fotodiodele care pot funciona ca i fotodetectori de semnale optice rapid variabile
i slabe, se definesc i alte caracteristici precum timpii de comutaie:
a) Timpul de ntrziere;
b) Timpul de cretere;
c) Timpul de stocare;
d) Timpul de cdere.
 3. Sistem de comunicaii optice neghidate

3.1. Schema bloc a unui sistem de comunicaii optic

Modelul general al unui sistem de comunicaii care utilizeaz lumina ca suport purttor
este:

Fig. 3.1. Sistemul de comunicaie optic

Informaia analogic sau digital furnizat de sursa de date este transpus pe purttoarea
optic n blocul modulator. Blocul de emisie optic prelucreaz semnalul modulat n vederea
transmiterii sale pe canalul optic (colimare, adaptare).
Canalul optic poate fi mediul deschis (spaiul liber) sau ghidul optic. n afara
comunicaiilor cosmice, de regul se utilizeaz transmisia ghidat pe fibre optice (deoarece
propagarea este independent de condiiile de mediu).
La recepie, dup prelucrarea optic n blocul de recepie optic (filtrare optic,
focalizare, filtrare spaial, colimare, mixare cu oscilatorul local) semnalul optic ajunge la
fotodetector, determinnd apariia unui semnal electric, care este prelucrat ulterior electronic
pentru extragerea informaiei utile.