Universidad politcnica Salesiana. De La Bastida. Descarga en slidos.

DESCARGA EN SOLIDOS
De La Bastida Carlos.
Universidad Politcnica Salesiana, Quito, Ecuador

Resumen El aislamiento slido forma parte integrante
de estructuras de alta tensin. Los materiales solidos
proporcionan el soporte mecnico para las piezas conductoras
y al aislar los conductores unos de otros. Aislamiento de uso
frecuente las estructuras consisten en combinaciones de
slidos con medios lquidos y / o gaseosos. Por lo tanto, el
conocimiento de los mecanismos de falla de dielctricos
slidos bajo el estrs elctrico es de gran importancia.
. emisin de campo.
aumentada a altas tensiones es generalmente se cree que es el
resultado de la inyeccin de portadores de un electrodo o a
partir de la multiplicacin de electrones en la masa del
material o ambos. En adicin, si estn presentes impurezas o
defectos estructurales, pueden causar niveles de energa
(trampas) en la banda prohibida, y los electrones pueden el
aislador saltando de una trampa a otra (efecto de salto). De los
electrodos se cree que los electrones son expulsados por
cualquiera el efecto de emisin de Schottky o el efecto de

ndice de Trminos Avalancha elctrica, descarga

intrnseca, descarga electromecnica, trmica, electroqumica
II. DESCARGA INTRNSECA

I.INTRODUCCIN Si el material sometido a ensayo es puro y homogneo, la

temperatura y las condiciones ambientales son
Los estudios de conduccin elctrica en slidos se
cuidadosamente controladas y la muestra est tan estresada
oscurecen por el hecho de que el transporte fenmeno adems
que no hay descargas externas. Con subtensiones aplicadas por
de los portadores electrnicos e inicos incluyen tambin
un cortocircuito en el tiempo, la fuerza elctrica aumenta hasta
corrientes debidas a los procesos de polarizacin ms lentos
un lmite superior que se llama la resistencia elctrica
tales como dipolos de movimiento lento (orientacin
intrnseca. La fuerza intrnseca es una propiedad del material y
polarizacin) y polarizacin interfacial. Elctrico los mtodos
temperatura solamente. Experimentalmente se alcanza
no son capaces de distinguir entre las corrientes de las
raramente la fuerza intrnseca, pero se han hecho numerosos
corrientes debidas a la polarizacin que tienen una constante
intentos para medirlo para diversos materiales para lograr la
de tiempo ms larga que la duracin de un experimento
resistencia ms alta, la muestra est diseada de manera que
particular. A bajas tensiones y temperaturas normales de
conduccin por electrones libres e iones en slidos es
excepcional. Ejemplos en los que se cree que la conduccin es
del tipo electroltico simple a temperatura ambiente Y encima
son gafas. En este caso la relacin conduccin-temperatura se
encuentra de la forma.

Ecuacion1.
Donde A y u son constantes empricas. La cermica tambin
desarrolla una
conductividad a temperaturas ms altas que pueden ser electrnicas o
inicas.

A medida que aumenta la tensin en los slidos y se

aproxima a la tensin de ruptura, la corriente se encuentra para
aumentar exponencialmente, pero no vara tan marcadamente
con tiempo para un voltaje constante 1 * Esta corriente
figura.1

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Mecanismos de fallo y variacin de la fuerza de ruptura en

Slidos con tiempo de estrs

Figura.3
Diagrama de nivel de energa esquemtico para un dielctrico
amorfo

A bajas temperaturas, los niveles de la trampa se llenarn en

su mayor parte con electrones atrapados all como el cristal se
enfri durante su fabricacin. Con la temperatura algunos de
los electrones atrapados sern excitados trmicamente en la
banda de conduccin, debido a la pequea brecha de energa
Figura.2 entre los niveles de y el nivel de conduccin. Un cristal
Disposicin de electrodos utilizada para medir la ruptura amorfo tendr por lo tanto algunos electrones de conduccin.
intrnseca Cuando un campo se aplica a un cristal, los electrones de
En slidos conduccin ganan energa de ella, y debido a las colisiones
entre ellos la energa es compartida por todos los electrones.
Para una condicin estable esta energa debe ser de alguna
Tensin en el centro del slido en ensayo y tensin
manera disipada. S hay son relativamente pocos electrones
demasiado baja en los bordes que provocan la descarga en el
como en cristales puros, la mayor parte de la energa es
medio el desglose intrnseco se realiza en tiempos del orden
transferida a la red por interaccin electrn-retculo. En estado
de 10 8 seg por lo que se ha postulado que es de naturaleza
estacionario la temperatura del electrn (Te) ser casi igual a
electrnica. Las tensiones necesarias para una avera intrnseca
la red temperatura (T). En los dielctricos amorfos
estn muy por encima de 106 V / cm. Generalmente se supone
predominan las interacciones electrnicas, el campo aumenta
que la fuerza intrnseca se alcanza cuando los electrones en el
la energa de los electrones ms rpidamente de lo que pueden
aislador ganan suficiente energa del campo aplicado para
transferir a la reticular, y la temperatura Te del electrn
cruzar el campo prohibido de la energa de la valencia a la
exceder la temperatura de rejilla T. El efecto de la
banda de conduccin. La condicin de criterio es resolviendo
temperatura electrnica aumentada ser un aumento en el
una ecuacin para el balance energtico entre la ganancia de
nmero de electrones atrapados que llegan a la banda de
energa por electrones de conduccin del campo aplicado y su
conduccin. Esto aumenta la conduccin y como la
prdida a la red. Se han propuesto varios modelos en un
temperatura del electrn sigue aumentando un la ruptura se
intento de predecir el valor crtico del campo que provoca una
alcanza eventual conocida como "descomposicin de alta
avera intrnseca, pero no completamente satisfactoria la
temperatura". Despreciando por el momento los detalles del
solucin que se ha obtenido. Los modelos utilizados por los
mecanismo de transferencia de energa y suponiendo
diferentes trabajadores difieren entre s en los mecanismos
conduccin electrnica en slidos, para un campo aplicado E
propuestos de transferencia de energa desde la conduccin
la velocidad de la energa obtenida por los electrones del
electrones a la red. En materiales dielctricos homogneos
campo ser una funcin del campo la fuerza E y la
puros las bandas de conduccin y de valencia estn separadas
temperatura de la retcula T. La velocidad a la que esta energa
por un gran espacio de energa, y a temperatura ambiente los
es transferida depender nicamente de T. Adems, ambas
electrones no pueden adquirir suficiente energa trmica para
dependen de los parmetros que describen los electrones de
hacer transiciones de valencia a banda de conduccin. La
conduccin. Si denotamos esto entonces para las condiciones
conductividad en los dielctricos perfectos deben ser cero. En
de estado estacionario la energa para electrones de
la prctica, sin embargo, todos los cristales contienen algunas
conduccin puede escribirse como
imperfecciones en sus estructuras debido a la falta de tomos,
y ms frecuentemente debido a la presencia de tomos
extraos (impurezas). Las impurezas en atomos pueden actuar
Ecuacion.2
como trampas para electrones libres en niveles de energa que Donde el l.h.s Representa la tasa de ganancia de energa por
se encuentran justo debajo la banda de conduccin electrones de la
Campo, y el r.h.s., la tasa de transferencia de energa de electrones a
celosa.
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La ecuacin puede satisfacer fsicamente para los valores de E Ecuacion.4

por debajo de un cierto valor crtico Ec, y este valor ha sido Esta relacin se traza esquemticamente en la figura siguiente en el
considerado por varios trabajadores como el campo crtico que la familia de
intrnseco. El valor de Ec se puede encontrar identificando Las curvas trazadas para varios valores de E representan las l.h.s. De
la ecuacin
correctamente los parmetros describiendo los electrones de
conduccin y resolviendo la ecuacin para la intensidad de
campo crtico Ec.

Ecuacion.3
Donde I es la energa de ionizacin correspondiente a la transicin de
un electrn
Desde una banda de valencia hasta una banda de conduccin.

Un electrn para permanecer acelerado y conducir as a la

inestabilidad en cualquier campo debe encontrarse con una
energa que lo traiga por encima de la curva B de modo que
gana energa ms rpidamente que pierde. La ecuacin (3) nos
permite determinar la intensidad de campo crtico Ec que se
requiere para causar colisin ionizacin desde la valencia
hasta la banda de conduccin. Para una intensidad de campo
Figura.5
que exceda, los electrones ganan energa ms rpidamente del Tasa de ganancia y prdida de energa para h.t. Modelo de
campo que pierden a la red y la avera resultar. El mecanismo desglose intrnseco
anterior se aplica a los slidos que el equilibrio es controlado
por colisiones entre electrones y Vibraciones de la red.
Frhlich y Paranjape 5 han extendido este modelo a materiales
amorfos en el que la concentracin de electrones de
III. RUPTURA ELECTROMECNICA
conduccin (o atrapados) es lo suficientemente alta
Las sustancias que pueden deformarse apreciablemente sin
fractura pueden colapsar cuando las fuerzas de compresin
electrosttica sobre la probeta exceden su capacidad mecnica
compresiva. Las fuerzas de compresin surgen de la corriente
electrosttica de atraccin entre cargas de superficie que
aparecen cuando se aplica la tensin. La presin ejercida
cuando el campo alcanza aproximadamente 106 V / cm puede
ser varias KN / m2. Siguiendo a Stark y Garton, 8 si d0 es el
espesor inicial de una muestra de material del mdulo de
Young Y, que disminuye hasta un espesor de D (m) bajo una
tensin aplicada V, entonces la compresin elctricamente
desarrollada. La tensin est en equilibrio con la resistencia
mecnica de compresin si

Figura.4
La tasa media de ganancia de energa A E, T, We de una aplicacin
Campo para varias intensidades de campo y la tasa media de prdida
de energa a la red
B WL, T

Ecuacion.4
Para hacer de las colisiones electrn-electrones el factor
Donde 0 y r son la permitividad del espacio libre y la
dominante. En este caso lo es necesaria para calcular la permitividad relativa
temperatura del electrnTe que ser mayor que La temperatura Del dielctrico
de la red T. La ecuacin (2) del balance energtico tomar
entonces la forma Diferenciando con respecto a d encontramos que la
expresin (6.4) tiene una mximo cuando d / d0 D exp [1/2] D
0.6. Por lo tanto, ningn valor real de V puede producir un
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valor estable de d / d0 menor que 0,6. Si la fuerza intrnseca
no se alcanza a este valor, un aumento adicional en V hace que
el grosor inestable y el espcimen se derrumba. La mayor
fuerza aparente es entonces dada por
Ecuacion.5
Este tratamiento ignora la posibilidad de que se produzca
inestabilidad en
Campo medio debido a la concentracin del esfuerzo en las
irregularidades, la dependencia
De Y en el tiempo y el estrs, y tambin en el flujo de plstico.
IV. RUPTURA POR DESCARGAS SUPERFICIALES
En los sistemas de aislamiento prcticos, el material slido
se destaca conjuntamente con uno o ms materiales. Si uno de
los materiales es, por ejemplo, un gas o un lquido, entonces el
voltaje de ruptura medido ser influenciado ms por el medio
dbil que por el slido. En la siguiente figura se muestra una
seccin transversal de un ejemplo simplificado. 6.6 que
representa la prueba de una losa dielctrica entre electrodos de
plano de esfera. Postergacin la distribucin de campo, es
decir, asumiendo un campo homogneo
Figura.5
Descomposicin del espcimen slido debido al borde de
descarga ambiental
efecto
Si consideramos un volumen cilndrico elemental del rea
final dA que abarca los electrodos en distancia x como se
muestra en siguiente figura, aplicando luego la tensin V entre
los electrodos, una fraccin V1 de la tensin aparece a travs
del ambiente dada por
Ecuacin.6
Aqu d1 y d2 representan el espesor de los medios 1 y 2, y 1
Y 2 son sus respectivas permitividades
4
Para el caso simple cuando un gas dielctrico est en serie
con un dielctrico slido estresado entre dos paralelos
electrodos de placa, la tensin en la parte gaseosa exceder la
del slido por la relacin de permitividades o E1D rE2. Para
el caso mostrado anteriormente. La tensin en la parte gaseosa
aumenta a medida que x disminuye y alcanza valores altos
como d1 se hace muy pequeo (punto B). En consecuencia, el
ambiente se descompone a una tensin aplicada relativamente
baja. La carga en la punta de la descarga perturbar an ms el
campo local aplicado y transformar a un sistema altamente no
uniforme. La concentracin de carga en l se ha estimado que
la punta de un canal de descarga es suficiente para campo del
orden de 10 MV / cm, que es superior al desglose intrnseco
campo. Un desglose local en las puntas de la descarga es
probable, por lo tanto, y el desglose completo es el resultado
de muchos de estos canales de descomposicin formados en el
slido y extendindose paso a paso a travs de todo el espesor.
El evento de ruptura en slidos en general no se logra a travs
de la formacin de un nico canal de descarga, pero asume
una estructura similar a un rbol Como se muestra en la
siguiente figura que puede demostrarse fcilmente en un
laboratorio aplicando una tensin de impulso entre los
electrodos del plano de puntos con el punto embebido en un
slido transparente, p. plexigls. El patrn de rbol mostrado
fue grabado por Cooper 9 con una tensin de impulso de 1/30
sec de la misma amplitud. Despus de la aplicacin de cada
impulso se observaron los canales con un microscopio y se
registraron nuevos canales. No todos los impulsos producir un
canal. El tiempo necesario para este tipo de avera en el voltaje
variar de unos pocos segundos a unos pocos minutos. La
descarga de patrn similar a un rbol no se limita
especficamente al efecto de borde, pero puede observarse en
otros mecanismos de fallo dielctrico en los que los
mecanismos no uniformes Predominan las tensiones de
campo.
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Figura.6
Canales de desglose en plexigls entre plano de puntos
Electrodos Radio del punto D 0,01 pulg; Espesor 0,19 pulg.
Nmero total de
Impulsos D 190. Nmero de canales producidos D 16; N punto
indica final
Del canal n. Radios de crculos aumentan en unidades de 10 2
pulgadas
V. RUPTURA TRMICA
Cuando se tensiona un aislamiento debido a las corrientes de
conduccin y al dielctrico prdidas debido a la polarizacin,
el calor se genera continuamente dentro del dielctrico. En
general, la conductividad aumenta con la temperatura, las
condiciones de inestabilidad se alcanzan cuando la velocidad
de calentamiento supera la velocidad de enfriamiento y el
espcimen puede sufrir descomposicin trmica. La situacin
se ilustra grficamente en la Fig.7 en la que el enfriamiento de
un espcimen est representado en lnea recta y la calefaccin
en varias intensidades de campo por curvas
Figura.7
Estabilidad trmica o inestabilidad bajo diferentes campos aplicados
El campo (1) est en equilibrio a la temperatura T1, el
campo (2) est en un estado del equilibrio inestable en T2 y en
el campo (3) no alcanza un estado de equilibrio en absoluto.
Para obtener la ecuacin bsica para el desglose trmico,
consideremos una cuba del rea de la cara A m2 dentro del
dielctrico. Supongamos que el flujo de calor X-direccin es
como se muestra en la Fig.8, entonces el
Ecuacion.7
K-conductividad trmica
Ecuacion.8
K-conductividad trmica
5
Figura.8
Entrada y salida de calor, muestra cbica
Ecuacion.9
La conservacin de la energa requiere que la entrada de calor en el
elemento sea
igual al calor llevado lejos, ms el calor usado para levantar la
temperatura
T del slido
Calor generado D calor absorbido C calor perdido al entorno
Ecuacion.10
Donde Cv es la capacidad trmica del dielctrico, es la conductividad
elctrica
En el caso de voltaje alterno el calor se genera
principalmente como un resultado de la relajacin dipolar y la
conductividad es reemplazado por 000 donde 0
representa la permitividad del espacio libre y 00 R el
componente imaginario de la complejidad relativa permitiva
del material.
El clculo de la situacin trmica crtica implica la solucin
de la ecuacin.10. Al resolverlo, se supone que surge una
condicin crtica y se pierden las propiedades de aislamiento,
cuando en algn punto del dielctrico la temperatura superior
a una temperatura crtica Tc. La solucin da el tiempo
necesario para alcanzar Tc para un campo dado y condicin de
contorno. La ecuacin no puede ser resuelto analticamente
para el caso general ya que Cv, K y pueden ser todas las
funciones de temperatura (T) y tambin pueden depender del
campo aplicado. Consideremos dos casos extremos para la
solucin de la ecuacin.10.
Caso1
Esto supone una rpida acumulacin de calor de modo que el
calor perdido en los alrededores Puede ser descuidado y todo
el calor generado se utiliza en el aumento de la temperatura
del slido. Obtenemos una expresin para 'ruptura trmica por
impulso' y ecuacin.10 se reduce a
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Ecuacion.10.1
Para obtener el campo crtico Ec, supongamos que aplicamos un
campo de funcin rampa.

Ecuacion.10.2
Se ve que alcanzar la condicin crtica requiere una combinacin de
Tiempo y campo crtico y que el campo crtico es independiente del
Temperatura crtica Tc debido al rpido aumento de la temperatura.

Figura.10
Caso2 Relacin tiempo-temperatura para tensiones trmicas lentas
Tensin trmica mnima, es decir, el voltaje ms bajo para Bajo varios voltajes aplicados
avera trmica. Para este caso asumimos una placa dielctrica
gruesa que es restringido a la temperatura ambiente en sus
superficies utilizando electrodos como se muestra en la
siguiente figura

Ecuacion.12
Esta ecuacin nos da la tensin crtica de ruptura trmica, donde Tc
es la tensin
Temperatura crtica a la cual el material se descompone y el clculo

Supone que Tc corresponde al centro de la losa. El voltaje es

Figura.9
Disposicin para probar un dielctrico para un mnimo trmico
Cortocircuito
Sobre la aplicacin de voltaje, despus de algn tiempo, una
distribucin del dielctrico se establecer con la temperatura
ms alta en el centro (T1), que en la superficie permanece a
temperatura ambiente. Aumentar a un nuevo valor ms alto, se
establecer un equilibrio a una mayor temperatura central
(T2). Si el proceso contina, se eventualmente resultan como
se muestra en la figura.10. Para calcular el voltaje trmico
mnimo, consideremos un punto dentro de la distancia
dielctrica x del centro, y dejar que el voltaje y la temperatura
en ese punto sea Vx y Tx respectivamente. Para este caso
suponemos que todo el calor generado en el dielctrico se
llevar a su entorno a travs de los electrodos. Despreciando el
trmino Cv dT / dt, la ecuacin.6 se convierte en
independiente del espesor de la muestra, pero para
especmenes delgados la temperatura la tensin de ruptura
depende del grosor y es proporcional a la raz cuadrada del
espesor tendiendo asintticamente a un valor constante para
Espesos. Bajo campos alternos las prdidas son mucho
mayores que bajo campos directos. Por consiguiente, la
resistencia a la rotura trmica es inferior para campos alternos,
y disminuye con el aumento de la frecuencia de la tensin de
alimentacin. La Tabla.1 muestra los valores de
descomposicin trmica dielctricos tpicos bajo voltajes
alternos y directos a 20 C. Estos resultados corresponden a
una plancha gruesa de material. el desglose trmico es un
mecanismo bien establecido, por lo que la magnitud del
producto tan que representa la prdida es un factor muy
esencial el parmetro para la aplicacin de material aislante.

Ecuacion.11
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Para el caso simple de un dielctrico en forma de disco en

slido mostrado en la Fig.11, la tensin de inicio de descarga
aplicada a travs del dielctrico puede expresarse en trminos
de la tensin de rotura de la cavidad. Suponiendo que la
cavidad llena de gas la tensin de ruptura es Ecb, entonces el
tratamiento de la cavidad como capacitancia en serie con el
La parte sana del dielctrico que podemos escribir

Ecuacion.13
El voltaje a travs de la cavidad

En la prctica, una cavidad en un material es a menudo casi

esfrica, y para tal caso la intensidad de campo interna es

Tabla.1
Tensin de ruptura trmica para algunos dielctricos tpicos 20 C
Ecuacion.14
donde E es el campo electrico del dielectrico

VI. RUPTURA POR EROSIN

Los sistemas de aislamiento prcticos a menudo contienen

cavidades y huecos dentro del material dielctrico o en los
lmites entre el slido y los electrodos. Estas cavidades se
rellenan generalmente con un medio (gas o lquido) de menor
resistencia a la rotura que el slido. Adems, la permitividad
del medio de llenado es frecuentemente inferior al del
aislamiento slido, lo que hace que la intensidad del campo
cavidad sea ms alta que en el dielctrico. Por consiguiente,
bajo condiciones normales de trabajo tensin del sistema de
aislamiento, la tensin a travs de la cavidad puede y puede
iniciar un desglose en el vaco. La figura 11 muestra una
seccin transversal de un dielctrico de espesor d que contiene Figura.12
una cavidad en forma de disco de espesor t, junto con un Secuencia de descarga en una cavidad bajo voltajes alternos
circuito analgico. En el circuito analgico la capacitancia Cc
corresponde a la cavidad, Cb corresponde a la capacitancia del
dielctrico que est en serie con Cc, y Ca es la capacitancia del VII. CONCLUSIONES
resto del dielctrico. Para t - d, que suele ser la caso, y
suponiendo que la cavidad est llena de gas, la intensidad de El estudio de rigidez dielctrica en materiales slidos es
Cc est dado por la expresin muy importante, a diferencia de lo que sucede con otros
aislamientos como el aire, los aislamientos solidos resultan
inutilizables tras una descarga disruptiva. Cuando un
Ecuacion.12 dielctrico slido est sometido a alta tensin durante un largo
Donde r es la permitividad relativa del dielctrico. periodo de tiempo la superficie de su aislamiento envejece,
pudiendo encontrarse dos tipos de defectos caractersticos:
Caminos conductores a lo largo de las superficies de los
aislamientos y absorbencias localizadas en las zonas de
adaptacin de un electrodo con aislamiento slido en
presencia del aire. Las corrientes superficiales pueden
producirse tambin con Baja tensin (por encima de 100V),
mientras la absorbencia slo se produce e presencia de Alta
tensin.

Figura.11
Descarga elctrica en cavidad y su circuito equivalente
Universidad politcnica Salesiana. De La Bastida. Descarga en slidos. 8

REFERENCIAS
[1] G. O. Young, Synthetic structure of industrial plastics
(Book style with paper title and editor), in
Plastics, 2nd ed. vol. 3, J. Peters, Ed. New York:
McGraw-Hill, 1964, pp. 1564.
[2] E Kuffel, W.S Zaegnl, J Kuffel High Voltage
Engineering (second edition) Newnes Second edition
2000, published by Butterworth-Heinemann E. Kuffel,
W.S. Zaengl and J. Kuffel 2000
[3] Universidad politcnica Salesiana sede Quito Campus
Kennedy, Ingeniera Elctrica, Material proporcionado
por Ing. Diego Arias MEng.
Autores
Carlos Eduardo De La Bastida
Universidad Politcnica Salesiana
Empleado contratista de la EEQ.
Intereses: Ingeniera Elctrica

eduardodelabastidacarlosedu@hotmail.com