1.

Objetivos
Identificar las terminales del transistor bipolar.
Comprobar el efecto transistor
Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de la
unin colector-base de un transistor bipolar de silicio de tecnologa
Planar.
Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en
configuracin de emisor comn. Observar su variacin con el voltaje
de colector-emisor.
Obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en
configuracin de emisor comn. Observar y reportar su variacin con
la temperatura. Identificar las regiones de operacin corte, saturacin
y activa directa.
Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar
los datos, grficas y mediciones llevadas a cabo durante la
realizacin de esta prctica.

Equipo proporcionad por el Material que debe traer el

laboratorio
Osciloscopio de doble trazo
Generador de seales
Multmetro analgico o digital
Fuente de voltaje regulada
alumno
Un transistor de Germanio NPN
AC127 o equivalente
Cuatro transistores de Silicio NPN
BC547 o Equivalente
Una pinza de punta, una pinza de
corte y un desarmador
Cables:6caiman-caiman, 6caiman-
banana, 8banana-banana, tablillas de
conexiones
4 cables coaxiales BNC

2. Desarrollo experimental

Para el buen desarrollo experimental de esta prctica y la obtencin de

los objetivos de la misma, ser requisito indispensable que el alumno
presente por escrito, en forma concisa y breve la teora bsica y su
interpretacin en lo que se refiere a:
Smbolos, construccin interna, diagrama tpico de uniones, modelo
matemtico, comportamiento grafico de entrada y salida, principales
parmetros y su definicin, circuitos equivalentes, parmetros h,
polarizacin tpica y bibliografa

Identificar las terminales del transistor

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales del
transistor y si este es NPN o PNP, sin embargo, se recomienda que
siempre se consulten las hojas de especificaciones que proporciona el
 fabricante y que nos indican como estn ubicadas las terminales de
emisor, base y colector.
En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es
correcta y que el dispositivo este en buen estado.
En el caso, en que no se cuente con la informacin suficiente, mediante
algunas mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las
terminales de los transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP
que se trate.
Usar el multmetro en su funcin hmetro y aplicar la prueba
conocida como prueba del amplificador e identificar las
terminales del transistor.

a) Use un multmetro analgico en su funcin de hmetro. Mida el

efecto rectificante entre las uniones emisor-base y colector-base
(para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca el positivo de la
fuente interna del hmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera
de otras dos terminales deber medirse baja resistencia, al invertir
esta polaridad, la resistencia medida deber ser alta (use la misma
escala del multmetro para la realizacin de estas pruebas). Entre las
terminales de colector-emisor se observar alta resistencia sin
importar como se coloque la polaridad en las terminales del hmetro.
Con estas mediciones se comprueba la existencia de las uniones
rectificantes del transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP.
Para distinguir la terminal de colector de la de emisor, ser necesario
aplicar la prueba del amplificador o alguna otra que se proponga.
b) Habiendo identificado la terminal de base de las otras dos terminales
y el tipo de transistor NPN o PNP, la prueba del amplificador consiste
en lo siguiente: para el caos del NPN, conectar el positivo del hmetro
a la terminal que supuestamente es el colector y el negativo al
emisor, la lectura que debe aparecer en el hmetro es de alta
resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre el colector y
la base (esto es equivalente a colocar entre estas terminales una
resistencia del orden M ohms) y observar la disminucin de la
resistencia medida entre colector-emisor, cuando la terminal que se
elige como colector es la correcta esta disminucin en el valor de la
resistencia es considerable, si la terminal elegida como colector no es
tal, sino la de emisor, al efectuar dicha prueba la disminucin de la
resistencia no ser tan importante. Para estar seguro de cual es cual
debern realizarse ambos casos y comparar las resistencias medidas.
c) Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo,
es mediante el uso de un multmetro digital que nos permita medir la
beta del transistor. Esto es; elegimos en el multmetro digital la
funcin de medicin de la beta, colocamos las terminales del
transistor como creamos que estn correctas y midamos las betas,
cuando el dispositivo est correctamente colocado, la beta medida
generalmente es grande (en la mayora de estos casos mayor a 50),
cuando no est bien colocado la beta que se mide es pequea (en la
 mayora de estos menos a 20 y en algunos multmetros en esta
situacin marca circuito abierto).

3. Comprobar el efecto transistor.

Armar el circuito de la siguiente figura y comprobar el efecto transistor,

en el cual se hace evidentemente la inyeccin de portadores de la regin
de emisor hasta la regin de colector, debiendo estar la unin base
emisor polarizada directa, independientemente de la polarizacin que
se presente en la unin colector-base. Comprobar que el valor de la
corriente medida en el colector, prcticamente es igual a la que se tiene
en el emisor.

IC = 0.9 [A]

4. Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.

Al igual que en los diodos (uniones rectificantes) se tuvo la presencia de
corriente de fuga (generadas por los portadores minoritarios), en los
transistores bipolares tambin se presentan, de tal forma que, si
polarizamos inversamente en cualquier par de terminales del transistor,
se podrn medir estas corrientes. Segn el par de terminales que se
elija, la corriente tendr valores diferentes, aunque del mismo orden de
magnitud, es importante recordar que estas corrientes son muy
 pequeas comparadas con las corrientes de operacin del dispositivo y
que adems para el caso de silicio son mucho menores que para el
germanio. En la expresin matemtica que se una para la corriente de
colector del transistor bipolar, se presenta el trmino ICBO=ICO,
conocido como corriente de saturacin inversa colector-base con el
emisor abierto.
En la figura se propone un circuito para medir esta corriente y observar
como vara con la temperatura. Para esta medicin se us el transistor
de germanio AC127.

ICBO=ICO= 0.001 A a temperatura ambiente

ICBIO=ICOI= 0.003 A a temperatura mayor que la ambiente
Para lograr que la temperatura fuera mayor a la del ambiente,
se acerc un encendedor al transistor bipolar por cinco
segundos.

5. Observar y medir el voltaje de ruptura en la unin base-emisor y de la

unin colector-base de un transistor bipolar de tecnologa plana
Se arm el circuito de la figura y se obtuvo la curva del diodo emisor-
base, posteriormente se desconect el emisor, se conect el colector y
se obtuvo la curva del diodo colector-base. Se us seal senoidal con
voltaje pico entre 10 y 12 V y frecuencia entre 60 y 1KHz.
 VEB= 9 volts

6. Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en

configuracin de emisor comn. Observar la variacin con el voltaje
colector-emisor.
Se arm el circuito propuesto en la figura, el cual permite obtener el
comportamiento de la unin emisor-base del transistor bipolar y se
observ su variacin con el voltaje de colector-emisor.
Valores medidos de corriente en la base para los diferentes voltajes
de base-emisor

Vbc(V) medido
Vbe(V) medido Vbe(V) medido
sobre la curva
sobre la curva sobre la curva
del diodo
del diodo del diodo
emisor-base
emisor-base emisor-base
cuando
cuando Vce=0V cuando Vce=5V
Vce=1.2V
3.578 V 4.056 V 0.364 V

7. Armar el circuito de la figura 6.7 y obtener una a una las curvas

caractersticas de salida del transistor bipolar en emisor-comn, para
diferentes corrientes en la base.
 Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de
voltaje colector-emisor solicitados en la tabla 6.2, elija los valores
adecuados para la corriente de base, tal que la IB1 haga que el
transistor bipolar trabaje en la regin de corte, los valores de IB2 y IB3 lo
hagan trabajar en la regin activa directa (de amplificacin) y la
corriente IB4 lo lleve a la regin de saturacin.

8. Usando el accesorio trazador de curvas para osciloscopio, tal como se

indica en la figura 6.9, obtenga la familia de curvas caractersticas de
salida del transistor bipolar, dibjelas en la figura 6.10.
Al ubicar el punto de referencia para nuestras curvas (0, 0), la primera curva
corresponder a la corriente de base cero, por lo que si elegimos incrementos
de corriente de base de 10 A, entonces la segunda curva que se observar
corresponder a una corriente de base de 10 A, la tercera a una corriente de
base de 20 A, la cuarta a una corriente de base 30 A y as sucesivamente.
Usted puede elegir la corriente de base que sea adecuada a su dispositivo y
que le permita observar las seis graficas que se pueden tener con el trazador
de curvas.
Forma en que se debe usar el accesorio trazador de curvas para el
osciloscopio, para obtener la curva caracterstica de salida
del transistor bipolar.

a) Ejemplo de una familia de curvas caractersticas de salida (VI) del

transistor bipolar.
b) Familia de curvas caractersticas del transistor bipolar
que se obtiene usando el trazador de curvas.

CUESTIONARIO:

Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual

la unin emisor base este polarizada directamente y la unin
colector base presente polarizacin cero.
 Determine el valor de para las lecturas que se realizaron en el
circuito de la figura 6.2. Indica la relacin entre las corrientes de
colector y emisor, su valor es algo inferior a la unidad

4610 mA
= =2.19 x 103
210 A

Escriba la expresin matemtica que se usa para determinar el

aumento de la corriente de fuga en una unin rectificante
cuando aumenta la temperatura, hgalo tanto para el caso del
silicio como para el germanio.

R=Los transistores presentan ciertas corrientes de fuga, debidas al

efecto de los portadores minoritarios. Una de las corrientes de fuga se
designa I CBO . (La letra I significa intensidad de corriente, CB

representa la unin colector-base, y O indica que el emisor est

abierto.) Esta corriente es la que atraviesa la unin colector-base en
condiciones de polaridad inversa y con el terminal del emisor abierto.
Otra corriente de fuga es I CEO . ( I significa intensidad de corriente,
CE representa la unin colector-emisor, y O indica que el emisor
est abierto.) Esta corriente de fuga es la ms intensa; es una forma
amplificada de I CBO :
I CEO = I CBO
 Con el terminal de base abierto, toda corriente que se infiltre a travs de
la unin colector-base polarizada inversamente producir sobre la unin
base-emisor el mismo efecto que una corriente base aplicada
externamente. Con el terminal de base abierto, la corriente de fuga no
puede seguir otro camino. Esta fuga la amplifica el transistor como
cualquier corriente de base:
I c = I B
En los transistores de silicio, las corrientes de fuga son muy dbiles. Los
transistores de germanio tienen unas corrientes de fuga mucho ms
intensas, lo que posiblemente se manifieste en una resistencia inversa
elevada, pero no infinita.

Defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las

terminales de un transistor bipolar e indique con que literales se
conocen.
R=
1) La tensin inversa colector-base con el emisor abierto (U CBO).
Suele ser elevada (de 20 a 300 voltios) y provoca una pequea corriente
de fugas (ICBO).

2) La tensin inversa colector-emisor con la base abierta (V CEO).

Tambin provoca una corriente de fugas (I CEO).

De qu orden es el voltaje de ruptura de voltaje colector en el

transistor de silicio BC547?
R=La VCES define la tensin mxima del colector, estando la base en
cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la regin de
transicin alcance el emisor perforando la regin de base.
Grficamente, en la figura 1.7 se muestra la definicin de ambas
tensiones. El transistor BC547 tiene VCES=50 V, y es una de las
tensiones mximas de alimentacin.

A partir de la tabla 6.2 obtenga las curvas caractersticas de

salida del transistor bipolar en emisor comn.
 Proponga el circuito equivalente de parmetros h para el
transistor bipolar en emisor comn y defina cada uno de los
parmetros.
R= El modelo hbrido o equivalente hbrido del transistor es un modelo
circuital que combina impedancias y admitancias para describir al
dispositivo, de all el nombre de hbrido.

La obtencin de los parmetros hbridos involucrados dentro del modelo se

hace en base a la teora de cuadripolos o redes de dos puertos. La sustitucin
del smbolo BJT por su modelo hbrido durante el anlisis en c.a. permite la
obtencin de ciertos valores de inters como son: La ganancia de voltaje,
ganancia de corriente, impedancia de entrada y la impedancia de salida.
Estos valores dependen de la frecuencia y el smbolo circuital por s solo no
considera este aspecto, de all la utilidad del modelo hbrido quien si lo
considera.

NOTA: Los parmetros h, se denominan parmetros hbridos y son

componentes de un circuito equivalente de un circuito equivalente de pequea
seal que se describir en breve. Los parmetros que relacionan las cuatro
variables de denominan parmetros h debido a la palabra hbrido. El
parmetro hbrido se seleccion debido a la mezcla de variables V e I en cada
ecuacin, ocasiona un conjunto hbrido de unidades de medicin para los
parmetros h
Una red de dos puertos en general, se describe por el siguiente juego de
ecuaciones:
Las variables involucradas dentro de la red son vi, ii, v0 e i0 y los parmetros
que relacionan estas variables son los parmetros hbridos, h.
 A partir de las curvas caractersticas que se obtienen en el
punto 6.7.7 obtenga los parmetros hoe, hfe para la grfica que
obtuvo con la corriente de Ib3 y un Vce=4V.

R=
iC
h fe=
iB V CE =0

iC
hoe =
V CE i =0 B

Para la familia de curvas que obtuvo con el trazador de curvas

determine el valor de la hfe en los puntos en que Vce=4v y
Vce=6v.

iC
h fe=
iB V CE =0

Cuando la corriente en la base es cero, cunto debe valer la

corriente de colector?

R= Cero, debido a que la corriente de colector es proporcional a la

corriente de base.

Usando los datos de la tabla 6.1, obtenga las curvas

caractersticas de entrada del transistor bipolar en emisor
comn.
 Determine los parmetros hbridos hie y hre usando las grficas
del punto 6.7.12, para una corriente de base de 40A.
R=
V BE V BE
hie = =
iB V =0
CE
40 10
6

V BE
h = comoib 0 no se puede determinar h
V ce i =0
B

Bibliografa
BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS. Electrnica: teora de
circuitos y Dispositivos electrnicos. PEARSON EDUCACION, Mxico,
2009.
FLOYD, THOMAS L. dispositivos electrnicos. PEARSON EDUCACION,
Mxico, 2008.
Conclusiones:
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales: emisor, colector y
base que
a
tendiendo a su fabricacin puede ser de tipos NPN y PNP. La forma de
distinguirlo es observando la flecha del terminal emisor, en un NPN esta flecha
apunta hacia fuera del transistor.
Y notamos que el emisor ha de ser una regin muy dopada, entre mayor
cantidad de portadores podr aportar mayor cantidad a la corriente.
Aprendimos tambin que las regiones de operacin de un transistor son: corte,
regin activa y saturacin.
 ESCUELA SUPERIOR DE
INGENIERIA MECANICA Y
ELECTRICA

ING. EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA

ACADEMIA DE ELECTRNICA

DISPOSITIVOS

PRCTICA DE
LABORATORIO NO. 4
TRANSISTOR BIPOLAR

NOMBRE DEL ALUMNO:

CESAR LEYVA GONZALEZ

GRUPO: 5CM4 FECHA: 9/MAYO/2017

PROFESOR

M.C. REYES AQUINO JOSE