CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR

a) Base Comn
La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base
es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base
es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra como se
muestra en la figura 11 con transistores pnp y npn.. Esta figura indica adems
los sentidos de la corriente convencional (Flujo de Huecos).

Figura #11 Configuracin de base comn.

De la figura #11, se puede observar que en cada caso IE = IC + IB. Tambin se

nota que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se
establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir,
comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y
la direccin de IC con la polaridad de VCC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los
parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El
conjunto de entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en
la figura 12, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada
(VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
Como se observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalente a
la zona directa de un diodo, especialmente cuando la salida est
polarizada muy inversamente, (VCB > 10V).
El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC ) con un voltaje
de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE). Esto es,
corresponde a la zona inversa del diodo y por tanto, corresponde a una
corriente bsicamente constante sin importar el valor del voltaje inverso. Esto
quiere decir, sern lneas rectas a lo largo del Eje que partir de un valor
aproximado a 0,6V. Para un transistor de Silicio.

Figura #12: Curva caracterstica de entrada

b) Configuracin de Emisor Comn

La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se
muestra en la figura #13 para los transistores pnp y npn. Se denomina
configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales
de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales
de la base y del colector).
 Figura #13

De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma

completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la
entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. Ambas se
muestran en la figura 14.

Figura 14
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de
comente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha
cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de corrientes desarrolladas
antes para la configuracin de base comn.
En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una
grfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un
rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las caractersticas de la
entrada son una grfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de
entrada (VBE) para un rango de valores del voltaje de salida (VCE). Obsrvese
que en las caractersticas de la figura14 la magnitud de IB es del orden de
microamperes comparada con los miliamperes de IC. Ntese tambin que las
curvas de IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la
configuracin de base comn, lo que indica que el voltaje de colector a emisor
afectar la magnitud de la corriente de colector.
La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del
cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la regin en la
que las curvas correspondientes a IB son casi lneas rectas y se encuentran
igualmente espaciadas. 14 a esta regin se localiza a la derecha de la lnea
sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero. La
regin a la izquierda de VCEsat se denomina regin de saturacin. En la regin
activa de un amplificador emisor comn la unin colector-base est polarizada
inversamente, en tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente.
Se recordar que stas fueron las mismas condiciones que existieron en la
regin activa de la configuracin de base comn. La regin activa de la
configuracin de emisor comn puede emplearse en la amplificacin de voltaje,
corriente o potencia.
La regin de corte en la configuracin de emisor comn no est tan bien
definida como en la configuracin de base comn. Ntese, en las caractersticas
de colector de la figura 14 que IC no es igual a cero cuando IB = 0. En la
configuracin de base comn, cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente
de colector fue slo igual a la corriente de saturacin inversa ICO, por lo que la
curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propsitos prcticos) uno.
La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse
mediante la manipulacin adecuada de las ecuaciones (1.2). Es decir, Ecuacin
(1.2): IC = IE + ICBO

Sustituyendo se tiene: IC = (IC + IB) + ICBO Reordenando obtenemos:

Si consideramos el caso discutido: anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos

un valor tpico de ? tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la
siguiente:

Si ICBO fuera de 1 A, la corriente de colector resultante con IB = 0 A seria: 250

(1pA) = 0.25mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 14. Para
referencia futura, a la corriente de colector definida por la condicin IB = 0 A se
le asignar la notacin indicada por la ecuacin

(1.9):
En la figura 13 las condiciones que envuelven a esta corriente
definida nuevamente se muestran con su direccin de referencia
asignada.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin) el corte para la
configuracin de emisor comn se determinar mediante IC = ICEO. En otras
palabras, la regin por debajo de IB = 0 A deber evitarse si se requiere una
seal de salida sin distorsin.
Cuando se emplea como interruptor en la circuitera lgica de una computadora,
un transistor tendr dos puntos de operacin de inters: uno en el corte y el otro
en la regin de saturacin. La condicin de corte, en el caso ideal, sera IC = O

A para el voltaje VCE elegido. Puesto que ICEO es por lo general de pequea
magnitud para los materiales de silicio, el corte existir para propsitos de
conmutacin cuando IB = O A o IC = ICEO nicamente en el caso de
transistores de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el corte
para propsitos de conmutacin se definir como aquellas condiciones que
existen cuando IC=ICBO. Esta condicin puede obtenerse normalmente en los
transistores de germanio polarizando inversamente la unin de base emisor, polarizada
por lo regular en forma directa a unos cuantos dcimos de volt.

Recurdese para la configuracin de base comn que el conjunto de

caractersticas de entrada se aproxim por una lnea recta equivalente que
result en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de IE mayor de O A. Para la
configuracin de emisor comn puede tomarse la misma aproximacin,
resultando en el equivalente aproximado. El resultado apoya nuestra anterior
conclusin de que para un transistor en la regin "activa" o de conduccin el
voltaje de base a emisor es 0.7V. En este caso el voltaje se ajusta para cualquier
nivel de la corriente de base.

c) Configuracin de Colector Comn

La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada
en la figura 15 con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de
voltaje.
La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para
propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia
de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las
configuraciones de base comn y de emisor comn.
 Figura 15 Notacin y smbolos en la configuracin de
colector comn.

La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 16 con la

resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a
tierra aun cuando el transistor est conectado de manera similar a la configuracin
de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es necesario elegir para
un conjunto de caractersticas de colector comn, los parmetros del circuito de la
figura 16. Pueden disearse empleando las caractersticas de emisor comn. Para
todos los propsitos prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de
colector comn son las mismas que las de la configuracin de emisor comn. En
la configuracin de colector comn las caractersticas de salida son una grfica de
IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de
entrada es la misma tanto para las caractersticas de emisor comn como para las
de colector comn. El eje de voltaje para la configuracin de colector comn se
obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a emisor de las
caractersticas de emisor comn. Por ltimo, hay un cambio casi imperceptible en
la escala vertical de IC de las caractersticas de emisor comn si IC se reemplaza
por IE en las caractersticas de colector comn (puesto que = 1). En el circuito de
entrada de la configuracin de colector comn, las caractersticas de la base de
emisor comn son suficientes para obtener la informacin que se requiera.

Figura 16 Configuracin de colector comn empleada para acoplamiento

de impedancia