TRABALHO:

DIODO TNEL

ALUNO(S): MARCELINO SOUZA DA SILVA

JUNIO DOMINGUES
CARLOS

DISCIPLINA: ENCIAS E ENGENHARIA DE MATERIAIS

CURSO: ENGENHARIA ELTRICA
PROFESSOR: CARLOS IGNCIO
 INDICE

1 - Introduo 03
2 - Definio 03
3 - Princpios de funcionamento 04
4 - Tipos de diodo tnel 04
4 .1 - Diodo de Efeito Tnel feito de silcio 04
4.2 - Diodo de efeito tnel de plstico 05
5 - Princpios de Cincias e Engenharia de Materiais 06
6 - Semicondutor 06
6 .1 - Semicondutor Tipo N 06
6.2 - Semicondutor Tipo P 07
7 - Juno PN 08
7.1 Juno PN com Polarizao Reversa 08
8.Volume de produo anual a nvel mundial e Brasil 09
9 Referncias bibliogrficas 10

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1 - Introduo

Em, 1929, este tipo de dispositivo,diodo tnel, j havia sido previsto por George Gamow - fsico
americano que iniciou estudos pra explicar a grande emisso de neutrinos vindas de exploses
termonucleares do interior solar - e, recebeu esta denominao devida seu principio operacional
estar relacionado com um conceito da mecnica quntica, cuja probabilidade do eltron afunilar-
se atravs de uma barreira de energia a qual no pode superar. O diodo de tnel surge em 1958
advindo das pesquisas do cientista japons Dr. Leo Esaki efetuadas nos laboratrios de
desenvolvimento da Sony Corporation, no Japo.

2 - Definio

Sua concepo consistia na formao de uma juno bastante abrupta entre as regies P e N de
uma matriz de Germnio com alto teor de impurezas, obtendo-se uma rea de depleo bem fina,
da ordem de centsimos de mcron.
De uma forma geral o comportamento deste tipo de diodo, correspondia ao efeito de resistncia
negativa, o que permitia o seu emprego em topologias de circuito para aplicaes em alta
freqncia, amplificao ou mesmo comutao. .
Devido a sua extrema velocidade de processamento de sinais, cerca de 100 pico segundo,
descortinou-se um grande futuro para o diodo de tnel.
Entretanto, este interesse logo se desvaneceu no somente pelo rpido desenvolvimento da
tecnologia de processo de fabricao de transistores, mas, tambm, pelo aparecimento do
circuito integrado que tornou o elemento fundamental para fabricao da memria dos
computadores, rea esta que fora originalmente o alvo do diodo inventado pelo Dr. Esaki.
Como visto, a necessidade de dispositivos semicondutores de repostas ultra-rpidas e, para operar
em freqncias elevadssimas, na faixa compreendida alm do espectro visvel, ganhava grande
impulso no incio da dcada de 1960. Assim muitos destes dispositivos foram oriundos de novos
materiais de tecnologia avanada, como o Arsenieto de Glio e, o Fosfto de ndio, os quais
foram as bases para o desenvolvimento do diodo de emisso de luz, ou L.E.D. (Light Emitting
Diode) .

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Fig 01: Juno PN em aberto mostrando as duas correntes (difuso e de deriva)

3 - Princpios de Funcionamento

Quando um bloco de silcio tipo N e um outro bloco de silcio tipo P so colocados em contato
ntimo (juno metalrgica) os portadores de carga (eltrons e lacunas) em excesso de lado N e
do Lado P se neutralizam atravs do processo de difuso. A corrente que se estabelece
conhecida como corrente de difuso. Com o processo de difuso as cargas fixas do silcio, que
estavam neutras, se tornam ons devido recombinao de pares eltrons-lacuna. Estes ons
criam um campo eltrico que por sua vez provoca uma corrente eltrica (conhecida como
corrente de deriva) de sentido contrrio corrente de difuso. Quanto maior for a corrente de
difuso maior ser a corrente de deriva em sentido oposto at que haja um equilbrio entre elas,
ou seja os portadores de carga no conseguem mais atravessar o campo eltrico por difuso.
Desta forma, estabelece-se regies distantes a regio neutra (onde a carga total zero) e a regio
de depleo onde a concentrao de portadores de carga zero. Quando aplicamos uma
polarizao direta (positivo no lado P e negativo no lado N) o campo eltrico externo criado na
regio de depleo de sentido contrrio ao campo interno fazendo com que a barreira de
potencial seja reduzida permitindo a passagem de corrente eltrica atravs da regio de depleo.

Figura.2 polarizao da juno PN

4 Tipos de Diodo Tnel:

4 .1 Diodo de Efeito Tnel Feito de Silcio

Este diodo capaz de transmitir mais eletricidade que qualquer outro componente do seu tipo e
que pode ser construdo diretamente sobre um chip normal de silcio.
Ao contrrio de outros diodos de sua classe, chamados de diodos de efeito tnel, o novo diodo

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compatvel com o silcio, a matria-prima bsica dos chips. Desta forma possvel constru-lo
diretamente nos circuitos eletrnicos. A possibilidade de incorporao dos diodos tnel
diretamente na matriz dos chips dever representar um elemento importante na diminuio dos
custos e na miniaturizao dos circuitos eletrnicos. Alm disso, os diodos tnel conseguem,
sozinhos, substituir uma quantidade significativa de elementos de um circuito, o que dever
contribuir tambm para a simplificao dos projetos dos chips, sem queda no seu desempenho.

4.3 Diodo de Efeito Tnel de Plstico

Pesquisadores da Universidade do Estado de Ohio, Estados Unidos, criaram um novo diodo tnel
de polmero orgnico um componente eletrnico que poder abrir caminho para memrias de
computadores e circuitos lgicos flexveis, feitos de plstico. Hoje, os todos os chips de
computadores so feitos de silcio, um material inorgnico.
O novo diodo transmite eletricidade a temperatura ambiente. Segundo o coordenador da pesquisa,
Paul Berger, seu design permite que ele seja facilmente fabricado. Na experincia, ele e seus
alunos uniram dois diodos em um rudimento de chip, chamado de porta lgica, que foi
alimentado por uma voltagem equivalente de uma bateria de relgio.
Como a grande maioria dos plsticos no conduz eletricidade, os pesquisadores vinham fazendo
suas experincias com componentes eletrnicos plsticos que tm a grande vantagem de serem
flexveis valendo-se dos efeitos da mecnica quntica. O problema que isso exige a
manipulao individual de molculas de plstico a temperaturas criognicas, o que torna os
experimentos difceis de serem repetidos.

Caractersticas principais:
Resistncia muito baixa em ambos os sentidos, dentro de uma certa faixa de tenso
polarizao.
Dentro de uma segunda faixa de tenso de polarizao ele exibe uma tenso negativa.
Na terceira faixa de tenso de polarizao ele funciona como um diodo convencional.

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 fig.3 caractersticas do diodo tnel

5 - Princpios de Cincias e Engenharia de Materiais

O diodo tnel um dispositivo semicondutor constitudo de dois tipos de materiais

semicondutores; semelhante ao diodo convencional; ou seja; os elementos semicondutores tipo P
e N (Semicondutores intrnsecos e extrnsecos).
Semicondutor intrnseco aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja a
concentrao de portadores de carga positiva igual concentrao de portadores de carga
negativa.Num semicondutor, a descontinuidade de energia tal que um certo nmero de eltrons
esto aptos a saltar da banda de Valencia para banda de conduo.
Semicondutores extrnsecos ou dopados so semicondutores intrnsecos onde introduzimos uma
impureza para controlarmos as caractersticas eltricas do semicondutor.
6 - Semicondutor Tipo N
O semicondutor tipo N obtido adicionando-se quantidades controladas de impurezas penta
valente ao material puro (semicondutor intrnseco). Por exemplo adicionando-se o fsforo (P) o
qual penta valente (5 eltrons na camada de valncia), o mesmo substituir um tomo de
semicondutor (Ge ou Si). Quatro dos seus eltrons sero compartilhados com quatro tomos
vizinhos de Si enquanto o quinto eltron poder se tornar livre em temperaturas muito baixas sem
que seja gerada lacuna. Desta forma inicialmente s teremos eltrons livres como portadores de
carga, por isso o material chamado de N e a impureza de doadora. Aumentando-se mais ainda a
temperatura ser atingida uma temperatura para a qual ser gerado o par eltron-lacuna. Os
eltrons livres so chamados de portadores majoritrios enquanto as lacunas so chamadas de
portadores minoritrios.
Fig 04: ( a ) tomo de fsforo ligado a quatro tomos de Si ( b ) quinto eltron livre, gera um on preso estrutura

cristalina

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(a) (b)

6.1 - semicondutor tipo P

O semicondutor tipo P obtido adicionando-se quantidades controladas de impurezas trivalente
ao material puro (semicondutor intrnseco). Um exemplo deste tipo de impureza o boro (B).
Como o boro trivalente os seus trs eltrons de Valencia sero compartilhados com quatro
tomos de Si, porm uma das ligaes no ser completada. Essa lacuna poder se comportar
como um portador de carga positivo em uma temperatura muito baixa quando um eltron de
valncia de um tomo vizinho se deslocar para ocupar aquela vaga.
Fig 05: ( a ) tomo de boro ligado a quatro tomos de Si ( b ) a vaga (lacuna) preenchida
por um eltron de valncia de um tomo prximo, gera um on negativo preso estrutura
cristalina

(a)
(b)

7 - Juno PN
com
Polarizao
Reversa
Quando
aplicarmos
uma
polarizao
reversa
(positivo no

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lado N e negativo no lado P) o campo eltrico interno criado na regio de depleo no mesmo
sentido ao campo interno fazendo com que a barreira de potencial aumente dificultando a
passagem de corrente eltrico atravs da regio de depleo.

Fig 06: Juno PN com polarizao reverso

7.1 Volume de produo anual a nvel mundial e Brasil

A produo de componentes eletrnicos, em especial de semicondutores, da mesma forma, tem
apresentado crescimento semelhante, em virtude basicamente da elevada difuso de
equipamentos eletrnicos, como informtica, telecomunicaes e, em menor grau, eletrnica de
consumo, automvel e automao. Esse crescimento se deu a despeito das elevadas oscilaes
decorrentes da forma de crescimento em saltos da oferta e da desacelerao do crescimento da
demanda.
A participao do Brasil nessa indstria praticamente nula. No existe atividade produtiva
relevante de semicondutores na economia brasileira, o que tem provocado elevados dficits na
balana comercial do setor. O dficit comercial do complexo eletrnico alcanou US$ 6,4 bilhes
em 2000, sendo a rubrica componentes responsveis por US$ 3 bilhes desse total. Esse elevado
saldo negativo um indicador da necessidade de internalizaro dessas atividades no Brasil.
As reduzidas atividades de produo de semicondutores no Brasil restringem-se nesse sentido aos
elos finais da cadeia que utilizam semicondutores, basicamente design fuzis e testes. Por mais que
se admita que a reverso do elevado dficit comercial seja uma inteno de prazo mais largo,
preciso intensificar os esforos de internalizao de atividades ligadas produo de
semicondutores. Dentre os elos da cadeia, os que apresentam maiores oportunidades so backend
e design houses.

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8 Referncias bibliogrficas:
<<http://www.poli.usp.br/pro/redecoop/ARTIGO%20FINAL%20BAH%20POLI%20JUN
%202002r.PDF>>acessado em 11/11/07.
<<http://www.prd.usp.br/redecoop/BAH-POLI%5B1%5D.USP%20Workshop.pdf>>acessado
em 11/11/07.
<<http://www.eletronica24h.com.br/cursoeletronica/cursoEN1/aulas/Aula002.htm>>acessado
em 09/11/07.
VAN VLACK, Lawrence Hall. Principio de cincia e tecnologia dos materiais. Rio de
Janeiro 1984.

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