UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE

CDIGO: SGC.DI.505
VERSIN: 1.0
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA FECHA ULTIMA
REVISIN: 26/10/16

CARRERA: MECATRNICA

GUA PARA LAS PRCTICAS DE LABORATORIO, TALLER O CAMPO

PERIODO ABRIL AGOSTO
ASIGNATURA: ELECTRNICA GENERAL NIVEL: V
LECTIVO: 2017
DOCENTE: ING. MAYRA ERAZO NRC: 1135 /1137 PRCTICA N: 1
LABORATORIO DONDE SE DESARROLLAR LA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS
PRCTICA:
TEMA DE LA
PRCTICA: CURVA DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO EN POLARIZACIN DIRECTA Y CIRCUITOS CON DIODOS.
INTRODUCCIN:
Diodo semiconductor:
Es un dispositivo no lineal de dos terminales llamados nodo y ctodo que est formado por la unin de dos capas de material
extrnseco una tipo N y otra tipo P idealmente, el diodo se comporta como un interruptor ON-OFF.

Para el anlisis del comportamiento del diodo y generacin de su curva de operacin, es necesario analizar tres casos:
a) Diodo sin polarizacin:
En esta situacin cuando el diodo no se encuentra polarizado, a temperatura ambiente, los portadores mayoritarios son
empujados desde el extremo a la unin y pasan a una capa opuesta, formando una zona denominada Banda de agotamiento
o barrera de Potencial y se representa de la siguiente manera.

b) Diodo en polarizacin directa:

Se establece al aplicar el potencial positivo al material tipo P y el material n al potencial negativo del material tipo N, una vez
que el potencial de la fuente supere el un voltaje llamado de umbral VF, se logra vencer la banda de agotamiento y el diodo
inicia su conduccin, en ese estado, el voltaje a travs del dispositivo es casi constante y la corriente crece en funcin de la
tensin suministrada por la fuente. Para el diodo de silicio VF se considera aproximadamente de 0.7V y para el de germanio de
0.3V. La corriente de diodo podr crecer hasta no superar el consumo mximo establecido por el fabricante.

c) Diodo en polarizacin inversa:

Bsicamente en esta forma de polarizacin se aplica un voltaje determinado en la unin p-n de tal manera que el terminal
positivo se encuentra conectada en el material de tipo n y el terminal negativo en material p, donde el nmero de iones
positivos en la regin de agotamiento del material tipo n o se incrementa debido al gran nmero de electrones libres atrados
por el potencial positivo del voltaje aplicado. Esta aplicacin realiza un ensanchamiento de la banda de agotamiento siendo
 UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE
CDIGO: SGC.DI.505
VERSIN: 1.0
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA FECHA ULTIMA
REVISIN: 26/10/16

CARRERA: MECATRNICA

demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios.

Sin embargo, existe un valor de potencial establecido por el fabricante llamado voltaje de ruptura o pico inverso VPI que una
vez superado la energa de las cargas es tan elevada que logran romper dicha banda, a este estado del diodo se conoce como
zona de avalancha, en la que el voltaje a travs del diodo permanece casi constante, pero la corriente se aumenta de manera
abrupta ante mnimos cambios del potencial de la fuente. En el caso de los diodos de propsito general este no es un estado
que al que se pretenda someter al diodo, ya que podra sufrir daos; en el caso de los diodos Zener ste efecto es beneficioso
y se lo usa para implementar circuitos reguladores de voltaje.

Con stos antecedentes, se concluye que la curva de funcionamiento del diodo de silicio que se ha tomado como ejemplo es la
siguiente:

Circuitos con diodos:

Para resolver circuitos con diodos en corriente continua o corriente alterna, es necesario establecer el sentido de la corriente para
definir su polaridad y el modelo a aplicar en el circuito equivalente. Los mtodos ms usados son el modelo ideal (en casos en los
que la cada de tensin del diodo sea despreciable) y el modelo aproximado (en casos en los que el voltaje de umbral del diodo
produzca una variacin relevante en el voltaje resultante), el modelo completo del diodo se usa en casos de diseo.
a) Modelo Ideal (Diodo como interruptor)
En polarizacin directa se reemplaza como un corto circuito y en polarizacin inversa como un circuito abierto.

b) Modelo de la primera aproximacin

Al no ser considerado como un dispositivo ideal, en polarizacin directa el diodo debe superar el voltaje de umbral, lo que se
modela mediante una fuente cuyo valor corresponde a VF, en polarizacin inversa el equivalente es igual al indicado en el
modelo ideal.
 UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE
CDIGO: SGC.DI.505
VERSIN: 1.0
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA FECHA ULTIMA
REVISIN: 26/10/16

CARRERA: MECATRNICA

OBJETIVOS:
Generar la curva de operacin del diodo en polarizacin directa mediante el uso de equipos de medida del laboratorio para
compararlos con el anlisis terico del trabajo preparatorio.
Determinar los valores de voltaje y corriente en un circuito con diodos en configuracin mixta mediante el uso de equipos de
medida del laboratorio para compararlos con los valores determinados tericamente en el trabajo preparatorio.
EQUIPOS Y MATERIALES:
Fuente de alimentacin variable y cables.
Multmetro y cables.
Diodos de Si (1N4007) y resistencias.
INSTRUCCIONES:
Utilice el mandil.
Tenga a mano el trabajo preparatorio y circuitos de la prctica.
Coloque las maletas en la parte posterior del laboratorio a fin de mantener despejada en rea de trabajo.
Verifique la disponibilidad y funcionalidad de los equipos a usar en la prctica
ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:
A. Trabajo preparatorio:
1. Investigue y describa el mtodo que se realiza para determinar el estado de un diodo aplicando multmetro.
2. Para el diodo de Silicio 1N4007 investigue toda la informacin disponible en el ECG para ste dispositivo. (Deber anexar
al Trabajo las hojas obtenidas del ECG).
3. Usando la informacin obtenida en el ECG, complete la informacin de la tabla 1:
Tabla 1: Datos tcnicos del diodo 1N4007
PARMETRO VALOR

No de ECG

Voltaje de umbral

Corriente directa mxima

Potencia de disipacin mxima

Voltaje Pico Inverso

4. Si en el circuito de la figura 1 se pretende variar la fuente de alimentacin (Vin) de 0.1V a 5V de corriente continua, calcule
el valor de R mnimo y su respectiva potencia de disipacin, que se podra colocar antes de superar la potencia mxima del
diodo 1N4007. (Necesitar usar la informacin de la tabla del apartado 3)

Figura 1: Circuito en polarizacin directa

 UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE
CDIGO: SGC.DI.505
VERSIN: 1.0
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA FECHA ULTIMA
REVISIN: 26/10/16

CARRERA: MECATRNICA

5. Una vez que ha determinado el valor de R mnima, seleccione un valor de R comercial y disponible en el mercado que sea
al menos 20 veces mayor que la R calculada en el numeral 4 (con esto asegura no superar la potencia del diodo) y calcule
la mxima potencia que disipar sta al variar la fuente de alimentacin (Vin) de 0.1V a 5V de corriente continua (este dato
le ayudar al momento de seleccionar la resistencia para implementar el circuito).
6. Use el valor de R seleccionado en el numeral 5, grafique el circuito equivalente y realice los clculos necesarios para
completar la informacin solicitada en la tabla 2:
Tabla 2: Valores calculados para el diodo en polarizacin directa.
Vin VD ID

0.1V

0.2V

0.3V

0.4V

0.5V

0.6V

0.65V

0.7V

0.75V

0.8V

0.9V

1V

1.5V

2V

2.5V

3V

3.5V

4V

5V

NOTA: Antes de la tabla deber presentar el clculo realizado para cada uno de los voltajes solicitados, caso contrario no ser vlida la informacin.

7. Con los resultados obtenidos en la tabla anterior y usando papel milimetrado, grafique la curva de funcionamiento terica
del diodo en polarizacin directa.
8. Grafique el circuito equivalente que se obtiene como resultado al invertir la polaridad de la fuente del circuito de anterior y
calcule los parmetros de la tabla 3:
 UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE
CDIGO: SGC.DI.505
VERSIN: 1.0
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA FECHA ULTIMA
REVISIN: 26/10/16

CARRERA: MECATRNICA

Tabla 3: Valores calculados para el diodo en polarizacin inversa.

Vin VD ID

1V

2V

3V

4V

5V

NOTA: Antes de la tabla deber presentar el clculo realizado para cada uno de los voltajes solicitados, caso contrario no ser vlida la informacin.
9. Bajo qu escenario se podra llegar a la zona de avalancha del diodo 1N4007 y verificar su comportamiento en el
laboratorio?
10. Para el circuito de la figura 2, considerando que los diodos son de silicio, de la serie 1N4007 :

Figura 2: Circuito con diodos en conexin mixta.

a) Grafique su circuito equivalente.
b) Realice los clculos necesarios para completar la informacin de la tabla 4:
Tabla 4: Valores calculados para el circuito en conexin mixta.
Parmetro I1(mA) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5 (mA) V1 (V) V2(V)

Valor
calculado
NOTA: Antes de la tabla deber presentar el clculo realizado para cada uno de los parmetros solicitados, caso contrario no ser vlida la informacin.
11. En base a los resultados obtenidos en el numeral 10, determine la disipacin de potencia de los diodos y las resistencias.
(Esto le permitir verificar que los diodos no superen el consumo mximo y le indicar las potencias nominales adecuadas
para las resistencias que debe adquirir para la prctica).
12. Adquiera los materiales necesarios para la prctica.

B. Procedimiento de la prctica:
1. Mida la resistencia del diodo:
Resistencia en polarizacin directa: ____________
Resistencia en polarizacin inversa: ____________
Y compruebe si el estado del diodo es adecuado: Si o No y por qu?
_________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
2. Arme el circuito de la figura 1 del trabajo preparatorio (usando la resistencia seleccionada en el numeral 5 del trabajo
preparatorio) y mida el voltaje y corriente a travs del diodo, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 5.
 UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE
CDIGO: SGC.DI.505
VERSIN: 1.0
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA FECHA ULTIMA
REVISIN: 26/10/16

CARRERA: MECATRNICA

Tabla 5: Valores medidos para el diodo en polarizacin directa.

Vin VD ID

0.1V

0.2V

0.3V

0.4V

0.5V

0.6V

0.65V

0.7V

0.75V

0.8V

0.9V

1V

1.5V

2V

2.5V

3V

3.5V

4V

5V

3. Con la informacin de la tabla 5 y haciendo uso de papel milimetrado, grafique la curva real de operacin del diodo en
polarizacin directa. (ste tem realizarlo en el informe de prctica).
4. Invierta la polaridad de la fuente del circuito del apartado anterior (diodo en polarizacin inversa) y mida el voltaje y
corriente a travs del diodo, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 6.
Tabla 6: Valores medidos para el diodo en polarizacin inversa.
Vin VD ID

1V

2V

3V

4V

5V
 UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE
CDIGO: SGC.DI.505
VERSIN: 1.0
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA FECHA ULTIMA
REVISIN: 26/10/16

CARRERA: MECATRNICA

5. Arme el circuito de la figura 2 del trabajo preparatorio y mida los parmetros indicados en la tabla 7.
Tabla 7: Valores medidos para el circuito en conexin mixta.
Parmetro I1(mA) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5 (mA) V1 (V) V2(V)

Valor
calculado
RESULTADOS OBTENIDOS:
Elabore un informe de la prctica en el formato indicado por el docente en dnde se evidencie un anlisis comparativo de los
valores calculados con respecto a los medidos de las circuitos implementados en la prctica y genere las respectivas conclusiones.
CONCLUSIONES:

En polarizacin directa el diodo de silicio conduce cuando su voltaje oscila entre 0.5 a 0.7 V.
En polarizacin inversa el diodo no conduce y se comporta como un circuito abierto.
El modelo aproximado usado en la prctica genera resultados aceptables.

RECOMENDACIONES:
Verificar el funcionamiento de los equipos de medida y cables de conexin del laboratorio.
Verificar el buen estado de los elementos que se usar en la prctica.
Verificar que los circuitos propuestos para la prctica estn armados correctamente.
Leer detenidamente ste documento antes de presentarse a la prctica.
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS Y DE LA WEB:

TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS,BOYLESTAD & NASHELSKY,dcima edicin, 2009,

PEARSON-PRENTICE HALL.
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS, FLOYD THOMAS L, octava edicin, 2007,PEARSON EDUCACIN

FIRMAS

F: ___________________________ F: ____________________________ F: _______________________________

Nombre: Ing. Mayra Erazo Nombre: Ing. Marcelo Silva Nombre: Ing. Mayra Erazo

DOCENTE COORDINADOR DE REA DE JEFE DE LABORATORIO

CONOCIMIENTO