Sensores fotovoltaicos

Efecto fotovoltaico: el efecto fotoelctrico interno

visto por los fotoconductores, cuando se produce
en la zona de una unin p-n permite obtener un
voltaje elctrico que es funcin de la intensidad
de la radiacin incidente. A la generacin de un
potencial cuando una radiacin ioniza una zona
donde hay una barrera de potencial se le llama
efecto fotovoltaico.
Circuito equivalente simplificado para un detector fotovoltaico

Caractersticas de un clula fotoelctrica de silicio de aplicacin general

 Detectores pticos

Bsicamente el detector es un dispositivo que

convierte fotones en electrones. Los fotodetectores
utilizados en las comunicaciones pticas son el
fotoconductor, el diodo PIN y el fotodiodo de
avalancha (APD). La mayor parte de sistemas
instalados usan diodos PIN.
 PIN

El fotodiodo PIN es el detector mas utilizado en los

sistemas de comunicacin ptica. Es relativamente fcil de
fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es compatible
con circuitos amplificadores de tensin. Adems es
sensible a un gran ancho de banda debido a que no tiene
mecanismo de ganancia.

El diodo PIN se compone bsicamente de unas zonas p y n

altamente conductoras junto a una zona intrnseca poco
conductiva. Los fotones entran en la zona intrnseca
generando pares electrn-hueco. El diodo se polariza
inversamente para acelerar las cargas presentes en esta
zona intrnseca, que se dirigen a los electrodos, donde
aparecen como corriente. El proceso es rpido y eficiente.
Como no hay mecanismo de ganancia, la mxima
eficiencia es la unidad y el producto ganancia por ancho de
banda coincide con sta ltima.
 APD (Diodo de Avalancha)

Los APD tambin son diodos polarizados en inversa, pero

en este caso las tensiones inversas son elevadas,
originando un fuerte campo elctrico que acelera los
portadores generados, de manera que estos colisionan con
otros tomos del semiconductor y generan mas pares
electrn-hueco. Esta ionizacin por impacto determina la
ganancia de avalancha.
La ganancia de un APD tiene influencia sobre el ancho de
banda. El mximo ancho de banda se da para ganancia 1.
Con ganancias mas elevadas, el ancho de banda se reduce
debido al tiempo necesario para que se forme la
fotoavalancha.
Comparacin de la sensibilidad

Sensibilidad de un fotodiodo PIN comparado con uno

de Avalancha
 Fototransistor
Los fototransistores no son muy diferentes de un transistor
normal, es decir, estn compuestos por el mismo material
semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres
conexiones externas: colector, base y emisor. Por
supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera
diferencia evidente es en su cpsula, que posee una
ventana o es totalmente transparente, para dejar que la
luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora
y produzca el efecto fotoelctrico.

Fig. Muestra la incidencia de fotones sobre un fototransistor

 Fototransistor
Teniendo las mismas caractersticas de un transistor
normal, es posible regular su corriente de colector por
medio de la corriente de base. Y tambin, dentro de sus
caractersticas de elemento optoelectrnico, el
fototransistor conduce ms o menos corriente de colector
cuando incide ms o menos luz sobre sus junturas.

Fig. Algunos Fototransistores Comerciales

Circuitos de Conversin de
seal ptica a elctrica

Es la etapa ms crtica
1. Muy bajas corrientes
2. Alta impedancia de entrada
3. Determina el ruido final
4. Se pretende maximizar:
Sensibilidad y Ancho de banda
pero son objetivos contrapuestos
5. Un buen diseo del circuito impreso
es imprescindible

Configuraciones
Amplificacin directa de voltaje
Amplificador de transimpedancia
Amplificador directo de
voltaje
I Resp Popt
VR

D1
R2 RL R2
Cd
R1 Vout RL R1
2 V out
U1
I RR
1 j L 1 CD
RL
3

RL R1
1

RL R2
Z (0)
R2
RL R1
R1
1 RL R1
2 V out
fc
2 CD RL R1
RL U1
3
I1 Cd
1

RL R1
tr 2.2 CD
RL R1
Amplificador de Transimpedancia

VR
I Resp Popt
Cf AV
Rp
Rf
1 AV
C
Vout
Rf
D1
I R f CD
1 j Rf C f
Cd

2
U1
V out
1 AV
3
1
Vout Rf

I 1 j R f C f
Cf

Z (0) R f
Rf

1
fc tr 2.2 R f C f
2
U1
V out 2 R f C f
3
I1 Cd
1
 Sensores Qumicos y Biolgicos
Sensores qumicos
Un sensor qumico est formado por dos partes. Un elemento de
reconocimiento molecular que interacta selectivamente con un
determinado componente de la muestra y un elemento instrumental
formado bsicamente por un transductor de la seal producida
cuando reconoce la molcula

Diagrama esquemtico del funcionamiento de un sensor qumico. El

sistema de reconocimiento o receptor (R) slo reconoce un
componente de la muestra. La seal proveniente del proceso de
reconocimiento se convierte en una seal elctrica mediante el
transductor (T); esta seal es amplificada y condicionada en (A) y
posteriormente procesada y presentada en forma digital (P). El
receptor puede interactuar con el analito mediante mecanismos
fsicos, qumicos o biolgicos.
Sensores Bioqumicos

Un biosensor es una herramienta o sistema analtico

compuesto por un material biolgico inmovilizado (tal como
una enzima, anticuerpo, clula entera, orgnulo o
combinaciones de los mismos), en ntimo contacto con un
sistema transductor adecuado que convierta la seal
bioqumica en una seal elctrica cuantificable
En el contacto ntimo del material biolgico (tanto si
consiste en clulas enteras, orgnulos, anticuerpos o
enzimas) con un transductor que convierte la seal
biolgica en una seal elctrica cuantificable.
Practica para sensar la frecuencia
cardiaca
 CHB
C2

1n

C1
C6
1n
10u

R1 470k
R8
R3 R4
-15V 1k
1000k 1000k
CHB

U1:A U1:C
11

11
U1:B U1:D

11
4
2 R2 9 R7
1 5 C4 8 13
3 7 10 14
220k 1k
6 12
1u
4

4
TL084 C3 TL084

11

4
220n TL084 TL084

C5
1u
+15V

R9 R5
100k 1000k

CHA

R6
1000k

+
CHA A

CHB B
-
AM FM
C

Diagrama elctrico para la deteccin del pulso cardiaco

 C1 C2

+5V
100nF 100nF
R1 R4
R2
R5
1M 560k
8.2k
-5V 1k -5V

U1:A U1:B

11

11
R7
R8
330 2 6 U1:B(OUT)
39K C4 3
1
5
7

RV1

4
D2 1u R3 AD713 C3 AD713
68k R6
LED D3 +5V 1u 68k +5V A

FOTODIODO 10k B