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PAR
Joseph DURON
Lausanne, EPFL
2006
toutes les personnes
qui me sont chres
Rsum
Cette dernire sera largement utilise dans la seconde partie de ce travail, qui traite de la
modlisation de matriaux en rgime sur-critique. Ceci ncessite dintroduire une formulation
diffrente de lhabituelle loi de puissance Ec (J/Jc )n pour dcrire le comportement lectrique
du matriau dans une plage de courant plus importante, incluant les rgimes sur-critiques.
Pour cela, nous proposons une mthode originale, permettant dapprocher des mesures ef-
fectues sur des chantillons dYBCO et autorisant la description de la transition de ltat
supraconducteur vers ltat normal. La dpendance en temprature a aussi t introduite afin
dtudier les phnomnes thermiques qui se produisent. Il est ainsi possible de rsoudre de
manire couple les quations lectromagntiques et thermiques du problme : la rsolution
dun pas de temps lectromagntique conduit la connaissance des pertes locale. Ces pertes
sont injectes dans le modle thermique, et permet de calculer laugmentation de temprature
correspondante. Ce rsultat est alors utilis pour modifier les paramtres lectriques en vue
de la rsolution du prochain pas de temps.
Finalement, cette mthode a t utilise afin de simuler le comportement dun limiteur
de courant supraconducteur. Le comportement global du systme peut tre reproduit par
le modle numrique implment, autorisant ainsi ltude des variables locales, telles que la
densit de courant ou le profil de temprature. Les rsultats obtenus peuvent tre utiliss afin
doptimiser les performances du dispositif selon des critres spcifiques. Cest ainsi que nous
avons propos une modification de la gomtrie permettant dviter un possible emballement
thermique qui pourrait conduire la destruction du systme. Sur la base de cette proposition,
des modifications ont t apportes au design du dispositif, et sont actuellement testes.
This thesis is focused on the modelling of superconducting materials, and in particular, high-
temperature superconducting materials. This work is divided in two parts: first, the dynamic
magnetic field mapping obtained by measurements is used in order to reconstruct the dy-
namic current distribution inside a tape assuming a model describing its global behavior.
In the second part, superconductors in over-critical regime have been both electrically and
thermally modelized with a finite element method. Calculations have been applied on a cur-
rent limiter and compared to a constructed and measured device at the University of Geneva.
Remerciements 5
Prambule 7
Petit historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Proprits gnrales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Grandeurs critiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Surface critique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Motivations de cette thse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
I Problme inverse 17
1 Introduction 19
1.1 Motivations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2 Pourquoi ne pas mesurer la densit de courant J ? . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.3 Proposition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3 Algorithme de recherche 27
3.1 Prsentation du systme de mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.2 Calcul du profil magntique produit par une distribution de courant . . . . . 28
3.3 Inversion du problme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4 Rsultats obtenus 33
4.1 Comparaison des densits de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.2 Amlioration du modle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.3 Travail futur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5 Introduction 41
3
6 Introduction la mthode des lments finis 43
6.1 Un problme aux limites unidimensionnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
6.2 Discrtisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
6.3 Problme faible . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
6.4 Mthode de Galerkin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
6.5 La mthode des lments finis de degr 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Conclusion et perspectives 97
4
Remerciements
Ce mmoire de thse est le rsultat de trois annes de travail passes au sein du laboratoire
des systmes non linaires (LANOS) de lcole Polytechnique Fdrale de Lausanne (EPFL).
Cependant, il nest pas le fruit dun travail exclusivement solitaire, et de nombreuses personnes
mont particulirement aid durant ces annes, soit par leur collaboration, soit par leur amiti,
leur soutien ou leur simple prsence. Par ces quelques lignes, je tiens leur adresser ma plus
sincre reconnaissance.
Tout dabord, je voudrais tmoigner ma gratitude envers le Prof. Martin Hasler et le
Dr. Bertrand Dutoit pour la confiance quils mont accorde en me permettant de raliser
une thse au sein de leur laboratoire, aux Dr. Michel Decroux et Dr. Louis Antognazza de
lUniversit de Genve qui ont dvelopp le limiteur de courant et ralis les mesures, ainsi
quaux membres du LANOS, anciens comme actuels, pour lambiance amicale quils ont fait
et font rgner dans ce laboratoire.
Les simulations numriques ont t implmentes sous le logiciel Flux . La ralisa-
tion de celles-ci aurait t plus longue et difficile sans lexprience et les prcieux conseils de
Francesco Grilli et Svetlomir Stavrev qui mont transmis leur savoir-faire dans la modlisa-
tion de matriaux supraconducteurs. Un remerciement particulier au Dr. Daho Taghezout
et Gilles Dutoit de la socit Applied Magnetics (distributeur suisse du logiciel "Flux"),
qui mont fourni un support technique de qualit chaque fois que jen ai eu besoin. Toute
ma reconnaissance galement Graldine Conti, Philip Immoberdorf et Peter Buehlmann
pour leur collaboration durant le stage ou le projet de semestre quils ont effectu sous mon
encadrement.
Trois annes sans le soutien inestimable dami(e)s seraient un chec. Un grand merci
donc tous ceux et toutes celles qui ont t mes cts, et qui mont aid ou encourag.
Je voudrais plus spcialement adresser un clin dil Charlotte Eidenbenz, Sophie Baum-
gartner, Claire et Jrmie Chabloz, Kali et Louis Grandjean, Cline Freymond, Maryline et
Vincent Porchet, Julian Fleury, Sbastien Mariethoz, Sara Furrer, Chantal et Thomas Gau-
glhofer, Lucienne Bussy, Martine Schlaeppi, Simona et Christophe Hebeisen, Marina Kaempf
et Christian Albrecht, Emmanuel Marthe, Hlne Nigg, Annmarie McCaig, Thomas Hlie,
ainsi quaux membres du groupe des "JMJistes", en particulier Jrme Prvost, Daniel Dio-
losa, Andreia Semedo et Beniamino Di Martino. Mille excuses ceux que je nai pas cits sur
cette liste, sachez que vous tes tous et toutes dans mes penses.
Enfin, je tiens exprimer ma reconnaissance ma famille pour son soutien et ses en-
couragements durant toutes ces annes, et plus particulirement mes parents pour mavoir
donn la chance de faire des tudes universitaires correspondant mes souhaits.
5
6
Prambule
Petit historique
7
Proprits gnrales
Rsistivit
Cest le phnomne le plus connu et le plus remarquable : en dessous dune certaine
temprature, appele temprature critique (Tc ), la rsistivit dun matriau supraconducteur
devient brutalement non mesurable (figure 1). Pour le mercure, cette chute brutale intervient
lorsque la temprature T est de lordre de 4.2 K.
Aimantation
Un matriau supraconducteur nest pas seulement un conducteur parfait. Dans ltat
normal, il est non magntique, son comportement nest pas modifi par la prsence dun
champ magntique. En revanche, en dessous de la temprature critique, il devient diamagn-
tique : son aimantation est ngative, pour des champs magntiques infrieurs une certaine
valeur appele champ critique (Hc ). Ce diamagntisme, sous certaines conditions, peut tre
pratiquement parfait. Le supraconducteur expulse alors totalement linduction magntique,
et ce indpendamment des conditions initiales. La susceptibilit magntique est alors gale
1. Cet effet est appel effet Meissner.
Ce comportement diamagntique distingue les matriaux supraconducteurs des mat-
riaux parfaitement conducteurs. Un matriau dont seule la rsistivit sannule (conducteur
parfait) prsente une hystrsis magntique. En champ croissant, ce matriau va se compor-
ter comme un supraconducteur : des courants induits en surface vont cranter linduction
8
magntique extrieure. Par contre, en champ dcroissant partir de Hc , les courants induits
dans le conducteur parfait vont sopposer la variation dinduction (loi de Lenz) alors que
dans un supraconducteur, les courants induits vont sannuler. Le tableau 2 ci-aprs illustre
cette distinction entre conducteur parfait et supraconducteur lors dun refroidissement sous
champ magntique externe.
Conducteur
parfait ( = 0)
Supraconducteur
idal ( = 0 et
= 1)
Tab. 2: Comparaison entre le comportement magntique dun conducteur parfait et celui dun supra-
conducteur idal.
Chaleur spcifique
En labsence de champ magntique, un saut de chaleur spcifique est associ au passage
de ltat normal vers ltat supraconducteur la temprature critique Tc . Ce saut est de faible
valeur, de lordre de quelques centaines de mJg1 K1 (figure 2). Il nest en gnral pas pris
en compte dans les simulations ou les tudes de matriaux, mais associ aux deux proprits
prcdentes il permet de confirmer clairement les proprits supraconductrices dun matriau.
Gap lectronique
On montre que ce saut de chaleur spcifique (figure 2) implique lexistence dun gap
dnergie entre ltat fondamental et les excitations du systme, comme dans un semi-conducteur.
Son existence est associe la prsence dtats lis de deux lectrons : les paires de Cooper [5].
9
Fig. 2: Chaleur spcifique dun chantillon dYBCO [4].
La fabrication dun ruban passe par diffrentes tapes qui varient selon les matriaux et
les performances que lon dsire. Un exemple de processus pour des chantillons de NbTi est
10
reprsent la figure 6.
Grandeurs critiques
Labsence de pertes lectriques dans un supraconducteur existe seulement dans un do-
maine restreint dfini par trois paramtres appels "grandeurs critiques".
Temprature critique Tc
La temprature critique est trs variable en fonction de la nature du (des) matriau(x)
composant(s) le supraconducteur (figure 7). Infrieure 23 K pour les matriaux conven-
tionnels, la temprature critique est comprise entre 100 et 130 K pour plusieurs matriaux
dcouverts depuis 1986. Ces derniers sont appels supraconducteurs haute temprature
critique.
Ils sont particulirement intressants puisquils peuvent tre utiliss la temprature de
lazote liquide (77 K), gaz prsent en abondance dans latmosphre, et dont la production est
bien moins coteuse que celle de lhlium liquide.
11
Fig. 7: Temprature critique et anne de dcouverte de quelques matriaux supraconducteurs [6].
m : masse de llectron
m
r
L = avec ns : densit dlectrons supraconducteurs (1)
0 ns e2
e : charge de llectron
Bien que L soit un paramtre intrinsque au matriau, son ordre de grandeur est de
lordre de la dizaine de nm. Il reprsente la longueur de pntration du champ magntique
dans le matriau h(x) = Hext exp(x/L) (figure 10).
12
(a) Type I (b) Type II
diffrents points (figure 11). Pour un matriau sans dfaut, ces points forment un rseau
triangulaire.
Les points, reprsents en blanc sur limage magnto-optique de la figure 12 sont de fait
des "tubes" qui traversent le matriau. Ils sont tous caractriss par exactement le mme flux
magntique, le fluxod, not 0 et dexpression :
h : constante de Planck
h 15
0 = = 2.07 10 Wb avec (2)
2e e : charge de llectron
Ainsi, le cur de chaque tube est dans ltat normal. Il laisse pntrer linduction ma-
gntique. Le reste du matriau est dans ltat supraconducteur. Des courants annulaires
persistants, appels "supra-courants", circulent sur une distance L autour de chaque cur
pour annuler le champ. Ces courants, de type tourbillonnaire, ont donn le nom de vortex
(tourbillon) cette structure microscopique.
13
Fig. 10: Pntration du champ magntique dans un supraconducteur de type I.
cre le champ critique Hc la surface du conducteur. Il est donc ais de trouver le courant
critique dun cylindre de diamtre D : Ic = DHc .
14
Fig. 12: Image magnto-optique dun rseau de vortex dans un matriau NbSe2 4 K pour un champ
magntique Hext = 7 Oe 557 Am1 [8]. Cette valeur correspond une induction magntique
denviron 0.7 mT dans lair.
Surface critique
Il existe une dpendance entre les grandeurs Tc , Hc et Jc . Lutilisation dun supracon-
ducteur avec un minimum de pertes ncessite quil soit plac dans des conditions o son tat
est non dissipatif. Il est donc ncessaire de connatre les limites ne pas dpasser afin de ne
pas sortir de cette zone dutilisation optimale en termes de pertes.
On appelle surface critique la surface qui dlimite ltat non dissipatif la surface dans le
plan [T, H, J] (figure 13).
15
Fig. 13: La supraconductivit ne se manifeste que dans la rgion o T , H et J sont infrieurs aux
valeurs critiques Tc , Hc et Jc respectivement [2].
16
Premire partie
Problme inverse
17
Chapitre 1
Introduction
1.1 Motivations
Il parat en effet plus simple de raliser des mesures sur un chantillon afin de connatre la
densit de courant J dans un ruban supraconducteur. Diverses mthodes existent pour cela,
comme celle propose par B. ten Haken [9] qui consiste appliquer un gradient magntique
passant par zro. De cette manire, le fort champ magntique externe (B > 0Hc ) fait
que la quasi-totalit du ruban est ltat normal, sauf la rgion que lon souhaite mesurer.
En dplaant cette rgion et en mesurant sa densit de courant critique Jc , il est possible
dvaluer la qualit de lchantillon. Cependant, cette technique possde le dsavantage de ne
pas maintenir les conditions de mesure stables : en effet, dune part, le test du ruban se fait
sous champ magntique, ce qui nest pas forcment une condition nominale dutilisation du
ruban, et dautre part, une rgion soumise un champ nul un instant t se retrouve soumise
un champ magntique important un instant t + t.
Il est aussi possible de passer par lanalyse des cycles dhystrsis magntiques [10], ou
par des mesures magnto-optique [11], cependant toutes ces techniques demandent une pr-
paration particulire de lchantillon ou bien une calibration prcise des appareils de mesures
[12].
19
1.3 Proposition
Nous proposons donc de reconstruire cette rpartition de courant laide des mesures de
champ magntique faites la surface de lchantillon laide de sondes de Hall. Lutilisation
de ce type de sondes ne ncessite aucune prparation particulire de lchantillon si ce nest les
oprations courantes permettant de raliser les connections lectriques et son refroidissement
temprature cryognique.
Ce problme est un problme dit "inverse" : partant de la consquence dun phnomne,
nous tentons de retrouver la cause de celui-ci. Il est frquent que les problmes inverses soient
des problmes mathmatiquement mal dfinis. En effet, il peut y avoir plusieurs solutions,
dans notre cas plusieurs distributions de courant, qui conduiraient la mme consquence.
Il conviendra donc de formuler certaines simplifications afin de limiter le nombre de
solutions possibles, et de rduire ainsi la complexit du problme. Nous poserons donc les
quations qui dcrivent le comportement lectromagntique dun supraconducteur en nous
plaant dans lhypothse du modle de Bean. Ensuite, nous prsenterons le systme de mesure
qui nous permettra dobtenir le profil dynamique du champ magntique la surface. Ces
donnes seront enfin traites afin de reconstruire la rpartition du courant dans la section
supraconductrice du conducteur.
20
Chapitre 2
quations lectromagntiques
dcrivant le comportement dun
supraconducteur
Macroscopiquement, les quations de Maxwell restent valables pour dcrire les phno-
mnes lectromagntiques qui se produisent dans un supraconducteur. En se plaant en rgime
quasi-stationnaire (les courants de dplacement sont considrs comme nuls), elles scrivent :
~ B~
rot(E) = ; div(B) ~ =0 ; ~
rot(H) = J~ (2.1)
t
Comme pour les autres conducteurs, les quations suivantes viennent complter les qua-
tions de Maxwell :
~ = H
B ~ ; J~ = E
~ ~ = J~
ou E (2.2)
Dans les quations (2.1) et (2.2) :
E~ est le champ lectrique (en Vm1 ),
B~ est le champ dinduction magntique (en T),
H~ est le champ magntique (en Am1 ),
J~ est la densit de courant lectrique (en Am2 ),
est la conductivit du milieu (en 1 m1 ),
est la rsistivit du milieu (en m),
est la permabilit magntique du milieu (en Hm1 ).
21
Fig. 2.1: Caractristique B(H) dun supraconducteur [4].
Dans lquation (2.4), lexposant n dpend non seulement du matriau, mais aussi de
la temprature et de linduction. Plus lexposant n est lev, et plus la transition est raide
(figure 2.2).
Le paramtre n est parfois considr comme un indicateur de la qualit dun ruban : plus
il est lev et plus le brin est dexcellente qualit. En effet, dans ce cas, pour des densits de
courant et une valeur de n faibles, les pertes en rgime sous-critique sont plus leves que
pour une valeur leve de lexposant (figure 2.1). De plus, dans ce dernier cas, le courant
critique peut alors tre dtermin sans ambigut ds lors quune tension apparat aux bornes
de lchantillon.
La relation (2.4) peut tre introduite dans un programme informatique afin de dtermi-
ner les grandeurs lectromagntiques. Analytiquement, elle devient cependant difficilement
utilisable, sauf dans le cas o n est grand. Alors, ce paramtre peut tre considr comme
infini. Cette hypothse conduit au modle de ltat critique que nous dveloppons ci-aprs.
E
J = Jc (|B|) (2.5)
|E|
22
4
x 10
n=3
n = 10
4 n = 100
E (V / m) 3
0.1 1
J/Jc
Par consquent, la densit de courant J ne peut prendre que trois valeurs distinctes : Jc ,
0 ou +Jc . Nanmoins, dans ce modle, la valeur de Jc peut-tre dpendante de linduction
~
B.
23
le nom de modle de Bean [14].
2.5 Exemple
Dans le but dillustrer le modle de Bean sur lequel nous nous appuierons, nous allons
tudier le cas dun fil de longueur infinie et de diamtre 2a, soumis un champ magntique
externe variable (figure 2.4). Le cas dun fil de longueur finie ncessiterait la prise en compte
des conditions aux limites, en particulier du champ dmagntisant [15], que nous nexposerons
pas dans ce travail.
24
Fig. 2.5: Rpartition de linduction et des courants dans un fil supraconducteur soumis un champ
magntique externe He croissant.
Lorsque le champ He commence augmenter, des courants sont induits, en sens inverse,
partir de lextrieur de la circonfrence externe du fil afin dcranter le champ magntique
lintrieur du conducteur (figure 2.5). Cet effet est comparable leffet de peau dans un
conducteur conventionnel, la diffrence que ces courants ne sont pas amortis par la rsistivit
du matriau et persistent donc lorsque He /t = 0.
La rsolution des quations donnes au tableau 2.1 nous donne :
Tant que He Jc a, on a :
0 < x < a e J = 0, B = 0 (2.6)
a e < x < a J = Jc , B = 0 (He + Jc (x a))
e= H e
Jc
Lorsque He > Jc a, les courants ne peuvent plus se dvelopper car ils sont limits par la
valeur de la densit de courant critique Jc . Laimantation au centre de la plaque devient alors
non nulle.
Enfin, lorsque le champ magntique externe He diminue, la rpartition des courants
sinverse de manire sopposer cette variation. Des courants, toujours de sens oppos, se
dveloppent de nouveau partir de lextrieur de la plaque (figure 2.6).
On montre que le comportement lectrique du matriau est identique lorsque lon ap-
plique un courant alternatif la place dun champ magntique externe [16]. En particulier, le
changement du signe de I/t entrane la pntration, de lextrieur du ruban vers lintrieur,
dune zone dans laquelle la densit de courant est oppose ltat prcdent [17].
25
Fig. 2.6: Rpartition de linduction et des courants dans un fil supraconducteur soumis un champ
magntique externe He dcroissant.
26
Chapitre 3
Algorithme de recherche
Les sondes de Hall sont disposes une distance de 0.1 mm de la surface du ruban que
lon souhaite tester, et permettent de mesurer la composante verticale du champ magntique.
Afin daugmenter la rsolution spatiale, elles sont dpendantes dune tte mobile pilote par
des moteurs "pas--pas". Grce ce dispositif mcanique, il est possible de les dplacer par pas
de 3.5 m [18] et de rpter les mesures afin dobtenir une cartographie du champ magntique
au-dessus de lchantillon. Une photo de ce dispositif mcanique est donne la figure 3.2.
Il est ainsi possible dobtenir lvolution de la composante verticale du champ magntique
pour un cycle (figures 3.3 et 3.4).
Lorsque lon analyse le profil magntique pour t 10 ms, soit un courant I 0 A,
on remarque quil nest pas nul (figure 3.5), sauf au centre du ruban. Ce phnomne est
27
Fig. 3.2: Tte mobile supportant les 7 sondes de Hall. Le cercle blanc indique la position des sondes,
tandis que les flches blanches dsignent lchantillon.
Fig. 3.3: Exemple de profils magntiques obtenus pour diffrentes valeurs de temps. Lchantillon
utilis est un ruban Bi-2223/Ag mono-filamentaire de courant critique Ic = 82 A 77 K.
28
Fig. 3.4: Profil du champ magntique obtenu pour un ruban Bi-2223/Ag mono-filamentaire de courant
critique Ic = 82 A 77 K. Le courant alimentant lchantillon est un courant sinusodal I = I sin(2f t).
La valeur de I est choisie proche de Ic , soit 70 A et f = 50 Hz.
I ~
B
dl = Is (3.1)
C 0
Si le courant I traverse N fois la surface dfinie par la courbe C, alors la circulation est
gale N I.
29
3.2.2 Conducteur infiniment long
Ainsi, un conducteur rectiligne de longueur infinie parcouru par un courant I (figure 3.6)
cre, en tout point de lespace, une induction magntique B donne par :
~ = 0 2I ~u
B avec ~u vecteur unitaire orthoradial (3.2)
4 r
30
~ = 0 2 sign(J) |J|
Z
B p ~u dS
4 S (xc x)2 + (yc y)2 (3.3)
avec ~u un vecteur unitaire orthoradial
0 (xc x)
Z
By = Jc sign(J) dS
2 S (xc x)2 + (yc y)2
Ainsi, pour une densit de courant donne, par exemple celle reprsente la figure 3.8,
le champ magntique mesur par le capteur situ aux coordonnes xc et yc de lespace est
donn par lexpression suivante [19] :
X 0 Z Z (xc x)
By (xc yc ) = Jc sign(J) 2 + (y y)2
dxdy (3.5)
zones
2 (xc x) c
Fig. 3.8: Exemple de distribution de courant en se plaant dans les hypothses du modle de Bean.
31
3.3 Inversion du problme
Cependant, nous dsirons reconstruire, partir du profil magntique mesur au dessus
de lchantillon, la distribution de la densit de courant circulant dans lchantillon monofi-
lamentaire supraconducteur. Les dimensions de ce dernier sont donnes au tableau 3.1.
Une premire simplification est de considrer quaucun courant ne circule dans le sta-
bilisateur. Comme le modle de Bean nest valable que pour I Ic , cette hypothse est
acceptable. Ensuite, nous modliserons le cur supraconducteur comme un cur rectangu-
laire, malgr lcrasement que lon constate sur les bords des filaments (figures 4 et 5 du
prambule). De ce fait, la gomtrie du ruban se rapproche de la configuration reprsente
la figure 3.8.
En supposant une distribution de densit de courant connue, dfinie par quatre variables
x1 , x2 , x3 et x4 dlimitant les diffrentes zones (figure 3.9), et par la rsolution du problme
direct donne par lexpression (3.5), il nous est possible de calculer la composante verticale
du champ magntique pour un capteur situ aux coordonnes xc et yc de lespace.
Fig. 3.9: Schma reprsentatif des 4 variables que nous souhaitons dterminer.
En appliquant une mthode des moindres carrs, il nous est ainsi possible de minimiser
la fonction suivante, dfinie par la diffrence calcule entre le profil magntique mesur et le
profil magntique calcul, afin de rechercher la valeur des quatre variables recherches [18] :
s X
f (x1 , x2 , x3 , x4 ) = (By mesure By calcule )2 (3.6)
capteurs
32
Chapitre 4
Rsultats obtenus
Lchantillon est aliment par un courant sinusodal connu, dexpression i(t) = I sin(2f t)
avec I = 60.2 A et f = 50 Hz. Lorsque nous appliquons la mthode prsente au chapitre 3
pour t = /2 (soit lorsque le courant est maximal), nous obtenons le rsultat reprsent
la figure 4.1. Nous remarquons une bonne correspondance entre le profil reconstruit grce
la recherche des variables x1 , x2 , x3 et x4 en comparaison avec le profil mesur par les sondes
de Hall.
6
Profil mesur
Profil reconstruit
4
2
By (mT)
6
3 2 1 0 1 2 3
Positionx (mm)
Fig. 4.1: Comparaison entre le profil reconstruit par la mthode des moindres carrs et le profil mesur
pour t = /2.
Afin de permettre une vrification ces quatre valeurs obtenues, nous utiliserons les rsul-
tats du logiciel de simulation numrique Flux , logiciel que nous prsenterons en dtails
dans le cadre de la seconde partie de cette thse. Ce programme, dont les rsultats ont t
largement valids avec des mesures [17] [20], permet de simuler le comportement dun dis-
positif lectromagntique conventionnel ou supraconducteur en deux dimensions ou en trois
dimensions. Ainsi, nous avons la possibilit de comparer la carte de la densit de courant
obtenue grce notre modle avec celle obtenue grce aux simulations lments finis.
33
4.1 Comparaison des densits de courant
Les rsultats sont prsentes ci-aprs pour t = 3/4 (figure 4.2), t = 3/2 (figure 4.3),
t = 7/4 (figure 4.4), t = 5/2 (figure 4.5) et t = 3 (figure 4.6).
On remarque en particulier une trs bonne correspondance entre les rsultats donns
par la mthode des lments finis, et la distribution reconstitue laide des mesures de
champ magntique. Cependant, le modle que nous avons dvelopp possde un inconvnient
majeur : de par lvaluation de la double intgrale de la formule (3.5), la rsolution de la
recherche des valeurs de x1 , x2 , x3 et x4 par une mthode des moindres carrs est lente. Il
faut en effet environ une minute sur une machine de type Intel Xeon - 1.7 GHz pour rsoudre
un profil magntique mesur. De plus, comme aucun traitement numrique nest ralis sur
les mesures, celles-ci sont bruits, rendant la convergence de la mthode des moindres carrs
plus difficile.
100
50
Courant (A)
50
100
0 10 20 30 40
Temps (ms)
Fig. 4.2: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).
100
50
Courant (A)
50
100
0 10 20 30 40
Temps (ms)
Fig. 4.3: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).
34
100
50
Courant (A)
50
100
0 10 20 30 40
Temps (ms)
Fig. 4.4: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).
100
50
Courant (A)
50
100
0 10 20 30 40
Temps (ms)
Fig. 4.5: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).
100
50
Courant (A)
50
100
0 10 20 30 40
Temps (ms)
Fig. 4.6: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).
35
Fig. 4.7: Amlioration du modle : discrtisation et approche de JdS par un courant I qui circule
R
une configuration compose dlments de forme elliptique, comme cela est illustr la figure
4.8. De cette manire, notre modlisation gomtrique se rapproche plus de la configuration
relle dun ruban supraconducteur.
Fig. 4.8: Amlioration du modle : les zones considres seront remplaces par des rectangles bord
arrondis.
100
50
Courant (A)
50
100
0 10 20 30 40
Temps (ms)
Fig. 4.9: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).
36
100
50
Courant (A)
50
100
0 10 20 30 40
Temps (ms)
Fig. 4.10: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).
100
50
Courant (A)
50
100
0 10 20 30 40
Temps (ms)
Fig. 4.11: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).
100
50
Courant (A)
50
100
0 10 20 30 40
Temps (ms)
Fig. 4.12: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).
37
38
Deuxime partie
39
Chapitre 5
Introduction
41
des phnomnes thermiques qui modifient ce comportement. Elle se terminera par lanalyse
et lamlioration de la gomtrie dun limiteur de courant, ainsi que par la simulation de ce
systme lorsquil est en rgime de limitation et la comparaison des rsultats obtenus avec des
mesures effectues en laboratoire.
42
Chapitre 6
De nombreux ouvrages, orients soit vers le domaine mathmatique, soit vers le domaine
de lingnierie, prsentent dans les dtails la mthode des lments finis. Un exemple simple
dapplication de cette mthode est donn dans ce chapitre, mais on se reportera louvrage
dintroduction lanalyse numrique [22] pour un dveloppement mathmatique plus complet
et une prsentation des lments finis dordre 2 et suprieur. De plus, le livre du Prof. E.-G.
Thompson [23] propose une introduction avance dans la mise en uvre informatique de la
mthode laide dexemples concrets, accompagns parfois de la programmation en langage
C de tout ou partie du problme.
La mthode des lments finis est un outil mathmatique qui permet de rsoudre des
problmes dont les valeurs aux limites sont connues (contraintes). Initialement applique dans
le but dobtenir des solutions dquations diffrentielles linaires, la mthode a t tendue
la rsolution de problmes non-linaires.
~ subi une
Fig. 6.1: Un fil conducteur parcouru par un courant I et soumis un champ magntique B
force F~ dont la direction et lintensit sont donnes par la loi de Laplace.
43
Cette force va provoquer le dplacement du fil, comme illustr la figure 6.2, sauf aux
extrmits x = 0 et x = 1, o ce dplacement est nul. Nous souhaitons connatre, pour
tout point dabscisse x, le dplacement vertical u(x). Ce problme est analogue lanalyse
mcanique dune poutre appuye en ses extrmits et en flchissement.
6.2 Discrtisation
Divisons lintervalle [0, 1] en N + 1 parties (N tant un entier positif), comme dans la
figure 6.3. On pose h = 1/(N + 1), et on note xi = ih avec i = 0, 1, 2, 3, ..., N, N + 1 les points
de discrtisation.
44
Z 1 Z 1
u (x)v(x)dx = f (x)v(x)dx
0 0
N
X
g(x) = gi i (x) avec gi R et N N
i=1
Il est alors possible de reformuler le problme (6.2) de cette manire : trouver une fonction
uh Vh telle que :
Z 1 Z 1
uh (x)vh (x)dx = f (x)vh (x)dx pour toute fonction vh Vh (6.3)
0 0
Lquation (6.3) est une approximation de Galerkin de lquation (6.2). Puisque la solu-
tion uh est cherche dans Vh , on peut donc crire :
N
X
uh (x) = ui i (x) o u1 , u2 , ..., uN sont N nombres rels dterminer
i=1
45
Si nous prenons vh = j , 1 j N dans lquation (6.3), le problme est de chercher
u1 , u2 , ..., uN tels que :
N
X Z Z 1
i (x)j (x)dx pour tout j = 1, 2, ..., N (6.4)
ui = f (x)j (x)dx
i=1 0
R1
Soit A la matrice N N des coefficients Aij = 0 i (x)j (x)dx, ~u le vecteur de compo-
R1
santes u1 , u2 , ..., uN et f~ le vecteur dont la j ime composante est gale fj = 0 f (x)j (x)dx.
Le problme (6.3) ou (6.4) est alors quivalent rsoudre le systme linaire dinconnue
~u suivant :
A~u = f~ (6.5)
xxi1
si
xi xi1 xi1 x xi
xxi+1
i (x) = xi xi+1 si xi x xi+1 (6.6)
0 si x xi1 ou x xi+1
46
i (xj ) = ij 0j N +1
o i|[xj1 ,xj ] est un polynme de degr 1 1 j N + 1
Les fonctions 1 , 2 , 3 , ..., N sont par dfinition linairement indpendantes. Elles consti-
tuent une base du sous-espace de fonctions Vh . Nous dirons ainsi que :
x0 , x1 , x2 , ..., xN , xN +1 sont les nuds de la discrtisation,
[x0 , x1 ], [x1 , x2 ], ..., [xN , xN +1 ] sont les lments gomtriques,
1 , 2 , ..., N sont les fonctions de base du sous-espace Vh de type lments finis de
degr 1 associes aux nuds intrieurs x1 , x2 , ..., xN .
Si g Vh alors g est une combinaison linaire des i , cest--dire :
N
X
g(x) = gi i (x)
i=1
Un exemple de fonction g est reprsent la figure 6.5. Nous pouvons remarquer que
g(xj ) = gj pour 1 j N , que g(0) = g(1) = 0 et que g est une fonction affine sur chaque
lment gomtrique.
Nous avons vu la section 6.4 que pour rsoudre le problme nous devions :
construire la matrice A,
construire le vecteur f~,
rsoudre le systme linaire A~u = f~.
Les coefficients de la matrice A se calculent laide de la formule :
Z 1
Aij = i (x)j (x)dx pour 1 i, j N
0
Nous obtenons :
si i = j,
Z 1 2/h
i (x)j (x)dx = 1/h si |i j| = 1,
0 0 sinon.
47
R1
Les composantes du vecteur f~ sobtiennent en calculant 0 f (x)j (x)dx pour 1 j N .
Pour valuer ces intgrales, nous pouvons utiliser la mthode dintgration numrique dite
"formule composite des trapzes".
Formule
R1 composite des trapzes. Nous dsirons approcher numriquement la quantit
0 l(x)dx. Comme lintervalle [0, 1] est dj dcoup en petits intervalles [xi , xi+1 ], nous pou-
vons crire :
Z 1 N
X 1 Z xi+1
l(x)dx = l(x)dx
0 i=0 xi
N 1 Z xi+1 N 1
X X xi+1 xi
l(x)dx (l(xi ) + l(xi+1 ))
xi 2
i=0 i=0
Connaissant A et f~, il est alors ais de rsoudre le systme de N quations dont les
inconnues sont les N valeurs des composantes du vecteur ~u.
On peut dmontrer que lerreur |u uh | commise par lutilisation dune mthode de
Galerkin est borne. En particulier, pour la mthode des lments finis de degr 1, lorsque la
discrtisation est rgulire, nous avons lestimation derreur suivante :
Quand la discrtisation nest plus uniforme, on peut dmontrer (voir [22]) que lestimation
derreur (6.8) devient :
48
|u uh |1 C max |xi+1 xi |
0iN
De plus, lorsque les fonctions de base de Vh sont dfinies par des polynmes de degr plus
lev que 1, la prcision de la mthode augmente.
Notons pour finir que la thorie des lments finis, bien quoriginellement conue pour
la rsolution de problmes linaires, peut tre tendue la recherche de solutions pour des
problmes non-linaires laide dalgorithmes itratifs qui permettent de linariser les ph-
nomnes. De ce fait, elle est applicable dans des cadres tout fait gnraux, couvrant bon
nombre dapplications physiques, comme la mcanique, llectromagntisme ou la thermo-
dynamique, et en particulier dans le cadre de la modlisation de dispositifs supraconduc-
teurs [24].
49
50
Chapitre 7
Le logiciel Flux , dvelopp par la socit Cedrat [25], et distribu en Suisse par la
socit Applied Magnetics, est un logiciel de Conception Assiste par Ordinateur (C.A.O.)
destin llectrotechnique, permettant de modliser des phnomnes lectromagntiques
bidimensionnels ou tridimensionnels par la mthode des lments finis. Il comprend :
un descripteur gomtrique,
un descripteur des proprits physiques,
un mailleur automatique,
un solveur,
un module dexploitation des rsultats.
Dans sa version 8.10 (commercialise en 2004) et ses versions suprieures, un module de
rsolution de problmes thermiques a t ajout, permettant actuellement de rsoudre des
simulations thermiques, ou de raliser une tude magnto-harmonique couple thermique-
transitoire.
Nous exposons dans ce chapitre les principales possibilits du logiciel, les quations r-
solues et les critres de choix dune des formulations disponibles correspondant au problme
que lon souhaite modliser.
51
Dans ces quations :
E~ est le champ lectrique (en Vm1 ),
B~ est le champ dinduction magntique (en T),
H~ est le champ magntique (en Am1 ),
J~ est la densit de courant lectrique (en Am2 ),
D~ est le champ de dplacement (en Asm2 ),
q est la charge lectrique (en C),
est la conductivit du milieu (en 1 m1 ),
est la permabilit magntique du milieu (en Hm1 ),
est la permittivit lectrique du milieu (en Fm1 ).
Lapplication per-
Le champ magntique est
Application met la prise en
cr par des ...
compte ...
courants stationnaires (r-
magntostatique
gime permanent) ou aimants
courants variables (rgime va- des courants induits et
magntique transitoire riable, rgime transitoire) ou effets de peau, des effets
aimants de proximit
des courants induits et
courants sinusodaux (rgime
magnto-harmonique effets de peau, des effets
permanent)
de proximit
Tab. 7.1: Tableau descriptif des rgimes magntiques pouvant tre simuls.
52
7.3.2 Couplage avec un circuit lectrique
Il arrive que lanalyse des dispositifs lectromagntiques soit rendue complexe par lali-
mentation ou la nature de la charge du circuit lectrique connecte. Il peut en effet savrer
difficile de rcuprer les valeurs des tensions et/ou des courants aux bornes des conducteurs
constituant le dispositif analyser. Flux propose un module spcifique permettant de
dcrire un circuit lectrique dalimentation ou de charge. Les quations lectriques ainsi ob-
tenues sont ensuite introduites dans le logiciel de calcul de champs magntiques lors de la
phase de rsolution du problme. Ainsi, la prise en compte dun circuit lectrique externe se
fait sparment, simplifiant la description gnrale du problme rsoudre.
Dans le cas de la description dun ruban supraconducteur, nous avons vu en introduction
que celui-ci tait constitu dune partie supraconductrice et dun stabilisateur en parallle.
Lalimentation en courant du systme sera dcrit par le circuit lectrique reprsent la
figure 7.1. Ainsi, les rgions supraconductrices et le stabilisateur pourront tre assigns aux
composants correspondants du circuit.
53
7.4 Partie lectrique
7.4.1 Ce que lon peut modliser avec Flux
nouveau, au niveau du logiciel, les diffrents rgimes lectriques correspondent dif-
frentes applications physiques. Les trois applications physiques disponibles sont les appli-
cations lectrostatique, conduction lectrique et lectro-harmonique. Leurs caractristiques
sont prsentes dans le tableau 7.2 ci-aprs.
Caractristiques
Application Description
principales
tude de systmes de charges
lectro-statique
lectriques lquilibre
tude des courants lectriques
dans les milieux conducteurs rgime perma-
conduction lectrique sans prendre en compte les nent (courants
phnomnes magntiques qui continus)
en rsultent
tude des milieux dilec-
rgime harmonique
triques en rgime harmonique
lectro-harmonique (courants sinuso-
en tenant compte des pertes
daux)
dilectriques et/ou ohmiques
Tab. 7.2: Tableau de description des rgimes lectriques pouvant tre simuls.
Le couplage avec un circuit lectrique est disponible pour les applications conduction
lectrique et lectro-harmonique.
54
rayonnement ne sont pas directement modlisables. On pourra cependant en tenir compte au
niveau des frontires entre le dispositif et le milieu extrieur par limposition de conditions
aux limites adaptes.
Comme pour la partie lectromagntique, les diffrents rgimes thermiques correspondent
diffrentes applications physiques. Les deux applications physiques disponibles sont les ap-
plications thermique permanent et thermique transitoire. Ces caractristiques de ces appli-
cations sont dcrites dans le tableau 7.3 ci-aprs.
Tab. 7.3: Tableau descriptif des rgimes thermiques pouvant tre simuls.
Le rgime transitoire correspond aux cas o les sources thermiques sont constantes ou
variables dans le temps. Un exemple dapplication thermique transitoire o la source est
constante serait ltude de la temprature interne dun four lorsque le chauffage de celui-ci
est mis en route. Lautre cas correspond ltude des systmes dont les sources thermiques
sont variables dans le temps, comme par exemple ltude de la temprature dun dispositif
supraconducteur aliment par un courant sinusodal damplitude suprieure son courant
critique Ic .
55
Application thermique transitoire : Dans cette application, la condition de calcul est
dT /dt 6= 0 (rgime transitoire ou rgime variable : la temprature varie en fonction du temps).
Les quations scrivent donc :
~ = []grad(T ),
div(~ ) + CT h T
t = q.
Lquation rsolue est :
T
div []grad(T ) + CT h =q (7.2)
t
en K. Par convention, le flux de chaleur ~ est ngatif lorsquil sort de la surface, cest
dire lorsque la diffrence de temprature T Ta est positive.
Un transfert de chaleur par rayonnement avec le milieu ambiant : ~ ~n = (T 4 Ta4 )
avec le coefficient dchange radiatif (ou missivit) et la constante de Stephan-
Boltzmann ( = 5, 675 108 Wm2 K4 ). Par convention, le flux de chaleur ~ est
ngatif lorsquil sort de la surface, cest dire lorsque la diffrence de temprature
T Ta est positive.
Un transfert de chaleur par convection et rayonnement : ~ ~n = h(T Ta )(T 4 Ta4 ).
56
La phase de maillage permet de discrtiser la gomtrie. Un maillage automatique au
moyen du mailleur par dfaut donne souvent des rsultats convenables, mais on pourra
spcifier celui-l en assignant manuellement une discrtisation particulire.
Le choix dun modle et dune formulation vont dterminer les paramtres physiques
ncessaires la rsolution du problme.
Lintroduction des proprits physiques permet de dcrire les matriaux et de les cou-
pler aux volumes ou surfaces de la gomtrie, dintroduire les conditions aux limites.
Il convient aussi de dcrire le circuit lectrique coupl sil y a lieu.
Le lancement de la rsolution et lexploitation des rsultats. Des capteurs fictifs peuvent
tre introduits de manire recueillir lvolution de certaines variables, comme par
exemple le champ lectrique en un point particulier de la gomtrie.
57
58
Chapitre 8
8.1 Mesures I
Dans le cadre du dveloppement dun limiteur de courant supraconducteur, les mesures
de rsistivit ralises par lUniversit de Genve sur des couches minces dYBCO [30] sont
reprsentes la figure 8.1. Nous pouvons remarquer que la plage de variation de la rsistivit
est comprise entre 103 cm et 102 cm, ce qui reprsente 5 ordres de grandeur.
Daprs ces mesures, nous pouvons distinguer trois situations diffrentes selon la valeur
du courant I traversant lchantillon :
59
1. En dessous du courant critique Ic , la prcision des appareils de mesure utiliss nest
pas adapte pour obtenir des valeurs exploitables pour le champ lectrique E. Ceci est
tout fait normal car nous sommes intresss par des valeurs de rsistivit en rgime
sur-critique. Nous considrerons alors E comme nul dans ce cas.
2. De Ic 3Ic , les forces lectromagntiques agissant sur les vortex deviennent plus im-
portantes que les forces dancrage. Certains vortex se retrouvent librs et se dplacent
("flux-creep"), produisant des pertes dans le matriau et lapparition dune tension. Le
rseau liant les vortex entre eux est modifi, mais nest pas dtruit.
nOn remarque que
J
les mesures suivent une loi de puissance de type E = E0 Jc 1 . Trace dans un
plan logarithmique avec comme abscisses J/Jc 1, la courbe E(J) est linaire (voir la
figure 8.1).
3. Au-del de 3Ic , les forces lectromagntiques agissant sur le rseau de vortex deviennent
trop importantes. Aucun vortex ne peut sancrer et un effet davalanche dtruit le rseau.
La dissipation dnergie associe est si importante que le matriau passe brutalement
de ltat dissipatif intermdiaire ltat normal.
60
n=3 Rsistivit de ltat normal 77 K
n = 10
0 n = 100
10
( cm)
5
10
0.1 1
J/Jc
Fig. 8.2: Rsistivit donne par lquation (8.1) en fonction du rapport J/Jc .
Lors de mesures effectues sur des rubans Bi-2223/Ag, nous avions propos une m-
thode permettant la modlisation des ventuelles excursions sur-critiques que pouvait subir
le dispositif supraconducteur [31]. Bien que ne sappuyant sur aucune base physique, lintro-
duction en parallle dans lquation (8.1) dune rsistivit sat reprsentant la rsistivit
ltat normal du matriau nous avait permis de mieux approcher le comportement lectrique
du matriau supraconducteur jusqu 3 Ic . Bien que le comportement des couches minces
dYBCO ne suive pas la loi (8.1), il est possible de sappuyer sur cette proposition pour pro-
poser le schma lectrique quivalent reprsent la figure 8.3, schma qui nous permettra de
modliser le comportement lectrique E = f (J) de lYBCO en rgime sur-critique. Chaque
lment composant ce schma est dcrit ci-aprs.
Fig. 8.3: Circuit lectrique quivalent de la loi E = f (J) pour des couches minces dYBCO.
8.3.1 0
Dans ce circuit, 0 reprsente la rsistivit lorsque la densit de courant I est infrieure
la densit de courant critique Jc . Celle-ci ntant pas mesure, nous considrerons alors
le matriau dans un tat parfaitement supraconducteur. Cependant, pour des raisons de
stabilit numrique, 0 ne peut tre nulle. Nous pouvons alors considrer que 0 correspond
la rsistivit dactivit thermique ("Thermal Activated Flux-Flow"), et sa valeur devra
respecter le critre donn par [32], savoir 0 102 Ec /Jc .
61
8.3.2 P L1
8.3.3 P L2
Afin de ne pas introduire de discontinuit dans la loi, nous insrons en srie une seconde
rsistivit P L2 , dexpression semblable celle de P L1 , mais qui possdera un exposant n2
plus lev. De cette manire, la rsistivit de la branche augmentera rapidement lorsque la
densit de courant dpassera 3 Jc . La valeur de n2 dtermine la drive de la transition de ltat
supraconducteur ltat normal. Plus sa valeur sera grande, plus nous nous rapprocherons
des mesures. Mais en prenant une valeur trop importante, nous risquons dintroduire des
instabilits numriques qui nous empcheront de rsoudre le problme. De la valeur de n1
cite prcdemment, nous prendrons une diffrence dun ordre de grandeur, soit n2 = 30.
8.3.4 sat
sat est une rsistivit place en parallle afin de limiter la valeur de lorsque J aug-
mente. En effet, lorsque deux rsistivits sont en parallle, la rsistivit quivalente totale
est infrieure la plus petite des deux. Nous choisissons sa valeur gale la rsistivit du
matriau supraconducteur ltat normal. Cette valeur dpend de la composition chimique
du matriau supraconducteur, et des traitements utiliss lors de sa fabrication [33]. Pour une
temprature de rfrence gale 77 K, nous prendrons les valeurs suivantes : sat = 350 cm
pour le Bi-2223 [31] et de sat = 90 cm pour lYBCO [30] [34].
Du schma lectrique quivalent 8.3, nous pouvons exprimer la rsistivit totale par :
62
2 2
10 10
0
10
0
10
2
10
( cm)
( cm)
4 2
10 10
6
10
4
10
8
10
10 6
10 10
0.1 1 10 0.1 1 10
J/Jc J/Jc 1
(a) J/Jc (b) J/Jc 1
0 sat
0 +sat |J| 0 |J| si |J| < Jc
[E0 (|J|Jc )n1 +|J|J n1 0 ]sat
c
|E|(|J|) = E0 (|J|Jc )n1 +|J|Jcn1 0 +|J|Jcn1 sat |J| si Jc |J| < 2Jc
n1 n2 n2 n1
n1 [Jc E0 (|J|2J c ) 2 +Jc E0 (|J|Jc ) 1 +|J|Jc Jc 0 ]sat
n n
|J| si |J| 2Jc
n n 2 n n2 n1 n1 n2
Jc E0 (|J|2Jc ) 2 +Jc E0 (|J|Jc ) 1 +|J|Jc Jc 0 +|J|Jc Jc sat
(8.3)
63
10
10
d / d J ( / (A cm))
15
10
20
10
25
10
30
10
0.1 1 10
J/Jc 1
Fig. 8.5: Calcul de J en fonction de J/Jc 1.
impose lutilisation de la
Nom de la fonction tablit la loi ...
formulation en ...
USR_DBDH B(H) potentiel scalaire magntique
USR_DHDB H(B) potentiel vecteur magntique
USR_DJDE J(E) potentiel vecteur magntique
USR_DEDJ E(J) potentiel vecteur lectrique
USR_DDDE D(E)
USR_CT T h (T )
USR_RC CpT h (T )
f (an1 )
an = an1 (8.4)
f (an1 )
64
Fig. 8.6: Illustration graphique de la mthode de Newton [35].
Dbut q
Calcul de |J| = Jx2 + Jy2 + Jz2
|E| = 0
Rpter
Calcul de
Calcul de = 1
Calcul de R = |E| |J|
R
Calcul de |E|
R
Calcul de |E| = R
|E|
Calcul de |E| = |E| + |E|
Tant que ||E|| > |E|
Fin
si J Jc
(
0 J
|E| = n (8.5)
E0 JJc 1 + 0 J si J > Jc
65
Expression de la conductivit 1 : Il ne faut tout dabord sintresser qu la partie
J > Jc et ne travailler que sur lexpression E0 (|J|/Jc 1)n en faisant abstraction de la partie
0 J qui sera ajoute par la suite. n
Ainsi, en partant de |E| = E0 |J| Jc 1 , nous pouvons en dduire lexpression de la
fonction J(|E|) :
" #
|E| 1/n |E| 1/n
|J| = Jc + 1 = Jc + Jc (8.6)
E0 E0
La conductivit 1 scrit alors :
1/n
|E|
|J| + 1 Jc E0
1 (|E|) = = n
|E| E0 |J| 1
Jc
1/n
|J| |E|
Or, daprs lquation (8.6), nous avons Jc = E0 + 1, do :
1/n
|E|
Jc E0 +1
1 (|E|) = 1/n n
E0 |E|
E0
(8.7)
1/n
|E|
Jc E0 +1 1/n
Jc 1 Jc Jc (E 1/n + E0 )
= = 1/n
|E| n 1 + =
|E| E0 |E| |E|E0
La rsistivit 1 scrit alors :
|E|E0
1 = 1/n
(8.8)
Jc (E 1/n + E0 )
Cependant, dans lexpression (8.7), nous remarquons que la conductivit 1 tend vers
linfini lorsque |E| tend vers zro. Donc, pour des faibles champs lectriques, la convergence
de lalgorithme nest pas assure.
" #
1/n
1 1 |E|E0 1
= + 0 = + 0 = + 0 (8.9)
(|E|) Jc ( n1 1) Jc Jc |E|1/n + E0
1/n
1/n |E| + |E|
E0
Nous remarquons alors que la rsistivit tend vers 0 pour des valeurs de champ lec-
trique |E| faible. Soit lim|E|0 = 1/0 .
66
R
Calcul de |E| : En partant de lexpression |E| |J|, il est possible de calculer facilement
la valeur de la drive par rapport au champ lectrique E. En effet, comme :
|E|
R = |E| |J| = 1/n
|J|
|E|E0 1
Jc 1/n + 0
|E|1/n +E0
Alors :
1/n 1/n
E0 |E|1/n E0
|E| 1/n 1/n
R 1 (E0 +|E|1/n )Jc (E0 +|E|1/n )2 nJc
= 1/n
2
|E|
|E|E0 1/n
|E|E0
0 +
1/n
0 +
Jc E0 +|E|1/n 1/n
(E0 +|E|1/n )Jc
1/n 1/n
|E|E0 |E||E|1/n E0
1 1/n
(E0 +|E|1/n )Jc
1/n
(E0 +|E|1/n )2 nJc
= 1/n
2 + 2
|E|E0 |E|E0
1/n
|E|E0
1/n
0 +
1/n
0 + 0 +
Jc E0 +|E|1/n (E0
1/n
+|E|1/n )Jc (E0
1/n
+|E|1/n )Jc
|E|1/n
1
1 1/n
n(E0 +|E|1/n )
= +
2 2
|E|1/n
= 1 2 + 1/n
1 2
n(E0 + |E|1/n )
!
|E|1/n
=+ 1/n
1 1 2
n(E0 + |E|1/n )
E (J)
T
= T
= Id3 + J T avec : J = [Jx , Jy , Jz ] (8.10)
J J J
Dans lexpression 8.10, E et J sont les tenseurs de champ lectrique (respectivement de
densit de courant) obtenus partir de la valeur du vecteur champ lectrique [Ex , Ey , Ez ]
(respectivement la valeur du vecteur densit de courant [Jx , Jy , Jz ]).
Il convient donc de trouver lexpression de J T . Comme :
|J|2 q
= avec : |J| = Jx2 + Jy2 + Jz2
J T |J|2 J T
Et que :
|J|2
= 2J T
J T
Afin de calculer lexpression de J T
, il faut rechercher lexpression de |J|2
.
67
|E|
|J| |J|
=
|J|2
|J| |J|2
1 1 |E| |E|
=
2 |J|2 |J| |J|
Ainsi :
1 1 |E| |E|
= 2J T
J T 2 |J|2 |J| |J|
1 |E| |E|
= JT
|J|2 |J| |J|
Enfin :
J 1 |E| |E|
= Id3 + JJ T
E T |J|2 |J| |J|
(8.11)
|E| 1 |E| |E|
= Id3 + JJ T
|J| |J|2 |J| |J|
|E| |J|
Il faut donc calculer |J| qui est linverse de |E| . Nous pouvons en dduire son expression
R
daprs |E| . En effet :
!
|J| |E| |E|1/n
= =+ 1/n
1 1 2 (8.12)
|E| |E| n(E0 + |E|1/n )
Donc :
|E| 1
=
|J| |E|1/n
+ 1/n 1 1 2
n(E0 +|E|1/n )
1
=
2
1 |E|1/n
+ 1/n 1 1 1
n(E0 +|E|1/n )
2
=
|E|1/n
+ 1/n 1 1
n(E0 +|E|1/n )
2
=
|E|1/n 1
0 + 1/n
n(E0 +|E|1/n )
68
Cas de faibles densits de courant : Comme lquation (8.2) nest dfinie que pour
des densits de courant J suprieures la densit de courant critique Jc , il convient de
traiter sparment le cas des faibles densits de courant. Comme lim|J|0+ = 0 , et ce afin
de conserver la continuit de la fonction, nous pouvons considrer que la rsistivit du
matriau est gale 0 .
Donc, pour des densits de courant infrieures Jc (|J| Jc ), le matriau a un compor-
tement linaire. Ainsi :
|E|
E = 0 J et = 0 Id3 (8.14)
J T
Dbutq
|J| = Jx2 + Jy2 + Jz2
Si |J| < Jc alors,
E = 0 J
|E|
J T
= 0 Id3
Sinon,
|E| = 0
Rpter " #
1/n
|E|E0 1
1 = Jc 1 1
|E| n +E0n
= 1 + 0
= 1
R = |E| |J|
R |E|1/n
|E| =+ 1/n 1 1 2
n(E0 +|E|1/n )
R
|E| = R
|E|
|E| = |E| + |E|
Tant que ||E|| > |E|
" #
1/n
|E|E0 1
1 = Jc 1 1
|E| n +E0n
= 1 + 0
E 1 2
J T
= Id3 + |J|2
|E|1/n 1
JJ T
0 + 1/n
n(E0 +|E|1/n )
Fin
Note : la valeur de est fixe par dfaut par la socit CEDRAT 104 .
69
8.6 Dpendance en champ magntique des paramtres
Nous avons vu au chapitre 7 quil tait possible, avec la formulation choisie, dintroduire
une dpendance en champ magntique des paramtres lectriques. Cette possibilit pourrait
tre introduite lors du dveloppement de la fonction utilisateur en langage FORTRAN. En
particulier, les lois de variation Jc (B) et de n(B) ont t prcdemment implmentes sous
le logiciel [20].
Le limiteur de courant supraconducteur que nous dsirons modliser nest pas utilis ac-
tuellement dans un environnement o un champ magntique externe est prsent. Bien que
lutilisation de matriaux supraconducteurs entrane la circulation de densits de courant
beaucoup plus leves que dans le cas de conducteurs conventionnels, nous pensons que lin-
fluence du champ magntique propre sur les paramtres lectriques est ngligeable compare
aux effets thermiques qui se produisent au sein du systme.
Ainsi, nous ne prendrons pas en compte la dpendance Jc (B) ou n(B). Cela pourra
cependant se faire aisment par modification de la fonction "USR_DEDJ" dans le cadre
dune amlioration future du modle.
70
Chapitre 9
Simulation lectro-thermique
couple
15
10
10
10
Pertes (J / cm3)
5
10
0
10
5
10
0.1 1 10
J/Jc
Ces pertes importantes vont provoquer une lvation de temprature des matriaux,
et vont donc entraner une modification des proprits physiques, comme la baisse de la
densit du courant critique ou laugmentation de la rsistivit. Ces modifications vont leur
tour augmenter la valeur des pertes. Il y a donc un risque demballement thermique, qui
peut aller jusqu la destruction du systme. Afin dviter cela, une simulation par lments
finis du systme, qui inclura les paramtres lectromagntiques et thermiques, permettra
une meilleure comprhension des phnomnes et nous permettra, au besoin, de proposer une
optimisation du systme en vue den amliorer les performances.
Afin de permettre une telle tude lectromagnto-thermique, il convient donc dajouter
linfluence de la temprature sur les paramtres lectriques prsents au chapitre 8 du cha-
pitre 8. Nous donnerons ensuite la valeur des paramtres thermiques qui sera utilise pour
71
la simulation des phnomnes thermiques. Enfin, nous mettrons en place une stratgie qui
permettra la rsolution des quations lectromagntiques et thermiques au sein du logiciel
Flux .
Jc (Tref ) (T(Tc T
c T )
(
ref )
si Tref T Tc
Jc (T ) = (9.1)
0 si Tc < T
7
10
6
10
Jc (A cm2)
5
10
4
10
3
10
78 80 82 84 86 88
Temprature (K)
Fig. 9.2: Variation de la densit de courant critique Jc en fonction de la temprature (Tref = 77 K).
72
9.1.2 Dpendance en temprature de la valeur de n1
Des mesures effectues par lUniversit de Genve montrent que ce paramtre nest pas
constant sur une plage de temprature comprise entre 76 K et 86 K. Il nexiste pas de modle
prcis permettant de prdire la variation de lexposant n1 de la loi de puissance (8.1) ou (8.2).
Il semble que cette variation soit linaire avec la temprature, comme le laissent supposer les
mesures effectues par lUniversit de Genve (figure 9.3). Lintroduction dune dpendance
en temprature de lexposant n demanderait cependant une tude complmentaire.
Comme le montre la figure 9.4, prendre une valeur de n1 faible induit une erreur qui
conduit une surestimation des pertes pour des valeurs de densits de courant infrieures
2 Jc . Cette erreur conduira une valuation pessimiste de la temprature, qui sera lgrement
plus faible au sein du systme rel que dans notre simulation. Pour des densits de courant
comprises entre 2 Jc et 3 Jc lerreur est ngligeable en comparaison avec la variation thermique
du paramtre Jc prsente ci-dessus.
Nous considrerons donc que le paramtre n1 reste constant avec la temprature, et nous
maintiendrons sa valeur 2.8, comme indiqu au chapitre 8.
73
n1 = 3
n1 = 5
0
10
( cm)
5
10
0.1 1 10
J/Jc 1
Fig. 9.4: Variation de la rsistivit en fonction de la densit de courant pour les deux valeurs extrmes
de n1 (Tref = 77 K).
Valeurs des paramtres pour lYBCO : Pour lYBCO, nous utiliserons les paramtres
suivants : Tref = 77 K, (Tref ) = 9 107 m = 9 101 cm. Cette valeur est issue des mesures
faites par lUniversit de Genve. Larticle [43] donne un ordre de grandeur similaire. La valeur
du paramtre = 0.007 K1 correspond une valeur donne par larticle [34].
74
Fig. 9.5: Trac de la rsistivit du matriau YBCO en fonction de J/Jc (77 K) et de T /Tc .
et nous nous contenterons dimplmenter leurs valeurs respectives pour une temprature de
rfrence de 77 K. Il sera cependant possible, lors dune amlioration du modle, de prendre
en compte ces variations, soit par lutilisation des fonctions standards disponibles dans le
module thermique du logiciel, soit par la programmation dune fonction spcifique en langage
FORTRAN (tableau 8.1). On se reportera aux rfrences donnes pour obtenir les variations
spcifiques chaque matriau (tableaux 9.1 et 9.2).
Conductivit thermique
Matriau Rfrences
(Wm1 K1 )
YBCO 10 [45] [47]
Bi-2223 65 [48]
Bi-2212 5 [49]
Or 363 [50]
Argent 500 [41]
Saphir 1130 [51]
75
Capacit thermique
Matriau Rfrences
Cp (Jg1 K1 )
YBCO 1.1 106 [47]
Bi-2223 7.5 105 [52]
Bi-2212 1.1 105 [49]
Or 2.0 106 [53]
Argent 1.5 105 [41]
Saphir 2.4 105 [51]
Tab. 9.2: Capacit thermique de quelques matriaux supraconducteurs ou conventionnels pour une
temprature T = 77 K.
76
Fig. 9.6: Modlisation du coefficient dchange thermique entre une surface plane et un bain dazote
liquide [55].
2364 si T < 2
si 2 T < 10
1629 exp(0.1863T )
h = (21629exp(0.1863 10)) (9.2)
15(T 10) + 1629 exp(0.1863 10) si 10 T < 25
si T 25
2 exp((T 25))
1
h (W cm2 K1)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1 1 10 100
T (K)
77
9.5 Couplage des quations lectriques et thermiques
La mise en place dune simulation numrique permettant de rsoudre un problme lectro-
magnto-thermique peut se faire de deux manires distinctes :
Par rsolution simultane des quations lectromagntiques et thermiques. Cest la
mthode idale, mais celle-ci ncessite un programme informatique qui autorise une
dpendance circulaire des variables (la densit de courant J dpend de la temprature
T , et la temprature T dpend de la densit de pertes, autrement dit du produit J 2 ).
Par la sparation des problmes thermiques et lectromagntiques, en rsolvant alter-
nativement un pas de temps de chaque problme et en changeant les rsultats entre
les deux modles implments (lecromagntique et thermique).
Bien que certains programmes de simulation par lments finis proposent la rsolution
simultane des quations lectromagntiques et thermiques, des tests effectus sous FEMLAB
[56] ont montr les avantages du logiciel Flux . En particulier, il nest pas directement
possible sous FEMLAB dimposer un courant de transport I circulant dans les parties conduc-
trices du systme modlis. Pour dcrire une telle condition aux limites, il convient dajouter,
sur chaque face constituant
R une borne dun conducteur, deux quations supplmentaires afin
dobtenir la contrainte JdS = I. En revanche, il est relativement ais dutiliser notre ex-
prience sur le logiciel Flux [17] [20], et de sparer le problme lectromagntique et le
problme thermique. La stratgie de rsolution se fera selon le schma propos dans larticle
[55]. De plus, les fonctions de couplage avec un circuit lectrique externe nous permettront de
reproduire facilement les conditions dun court-circuit qui surviendrait sur le rseau lectrique
dans lequel est insr le limiteur de courant.
78
vient modifier les paramtres lectriques des matriaux avant la rsolution du pas de temps
correspondant.
Ce couplage se fait laide dun programme "python" qui se charge de gnrer un fichier
nomm "F3D_INI.SPI" chaque tape de la rsolution. Ce dernier contient les commandes
particulires permettant limportation des valeurs physiques dsires, la rsolution dun pas de
temps, ainsi que lexportations des rsultats qui seront transmettre. Il est automatiquement
dtect et lu lors du dmarrage du logiciel Flux.
La stabilit numrique de cette mthode est en gnral assure par le fait que la constante
de temps lectrique est largement infrieure la constante de temps thermique. Dans notre
cas, la prsence du substrat de saphir permet daugmenter la capacit thermique, et ainsi
daugmenter la constante de temps du dispositif.
79
80
Chapitre 10
Un limiteur de courant est un dispositif qui, lorsquil est insr dans un rseau lectrique,
permet la variation rapide de limpdance dune ligne lectrique lorsquun dfaut se produit.
Ainsi, il est possible de diminuer le courant de dfaut, qui peut atteindre jusqu dix fois
le courant nominal In de la ligne sans sa prsence. cet gard, il na pas pour fonction
de remplacer la fonction essentielle de coupure que fournit louverture dun disjoncteur ou la
destruction dun fusible, mais vient en complment de ces installations. Bien que cette fonction
de limitation puisse tre intgre des dispositifs lectroniques, comme les FACTS (Flexible
AC Transmission System) par exemple [57], il est possible de saffranchir dun systme de
dtection et de commande en exploitant les proprits lectriques des supraconducteurs, et
plus particulirement leur capacit naturelle devenir trs rsistif lorsque le courant dpasse
le courant critique du dispositif.
Durant la phase de limitation, les pertes dans le limiteur sont trs importantes parce
quune tension apparat aux bornes du dispositif. Ces pertes provoquent une augmentation
de la temprature et entranent ainsi une modification des proprits lectriques et thermiques
du systme, pouvant aller jusqu provoquer la destruction des matriaux, et donc du systme
complet. La figure 10.1 est le rsultat dun emballement thermique qui sest produit lors de
la phase de dveloppement du limiteur que nous allons tudier dans ce chapitre.
Fig. 10.1: Dgradation des matriaux due un chauffement thermique lors dun test (Image : Uni-
versit de Genve).
81
se produisent en phase dexploitation, nous nous proposons de mettre en place une simulation
par lments finis qui permettra lanalyse des grandeurs physiques locales ou globales, telles
que les pertes locales, la temprature, la densit de courant J ou encore le courant et la
tension aux bornes du dispositif.
Cette mise en place se fera en deux tapes : dans un premier temps, nous ne simulerons que
la partie lectromagntique, sans introduction de dpendances thermiques sur les variables.
Cela nous permettra de localiser les zones o les pertes sont les plus leves, et de proposer
une amlioration de la gomtrie du systme. Ensuite, nous ajouterons un couplage avec les
quations thermiques de faon permettre la comparaison des rsultats obtenus avec des
mesures ralises sur le systme rel. En particulier, nous verrons que le modle numrique
ralis donne des rsultats comparables ceux obtenus exprimentalement, et nous donne
accs des variables qui peuvent tre difficilement mesurables sans un systme de mesures
pouvant rapidement devenir coteux et complexe, comme la rpartition de la temprature
au sein du dispositif.
82
Fig. 10.3: Dessin schmatique du limiteur ralis par lUniversit de Genve.
partir des figures 10.2 et 10.3, nous pouvons remarquer quil est possible de simplifier
la gomtrie modliser sous le logiciel de simulation en utilisant la priodicit et la symtrie
mdiane du mandre. Ainsi, seule la partie non hachure de la gomtrie sur la figure 10.3
est, dans un premier temps, introduite sous Flux . Par la suite, lors de lintroduction du
couplage thermique, nous simplifierons encore la gomtrie en ne modlisant quun quart de
constriction par lajout de la symtrie supplmentaire.
Nous constatons, daprs le tableau 10.1, quun ratio gomtrique denviron 12000 existe
entre les longueurs et les paisseurs des matriaux constituant le systme : la longueur totale
est de 5 mm alors que lpaisseur des parties conductrices est de 420 nm. Ceci posera un
problme lors du maillage de la gomtrie. En effet, un maillage rgulier conduira la prsence
de nombreux lments sur la longueur des lments et entranera une demande surraliste de
puissance informatique lors de la phase de rsolution du problme. linverse, un maillage
contenant des lments "aplatis" provoque une dgradation significative de la prcision des
rsultats. Il convient donc de trouver une mthode permettant dadapter les paisseurs, tout
en conservant les caractristiques du systme.
83
10.2.1 Adaptation des paisseurs
Afin de permettre la rsolution correcte du problme, il est ncessaire de faciliter le
maillage de la gomtrie. Pour cela, nous dcidons de multiplier les paisseurs dYBCO et
dor par un facteur = 1000, autrement dit dobtenir un ratio gomtrique de 12, valeur
plus raisonnable pour une simulation numrique par lments finis.
x, y, z, t) = (x, y, z, t)
(x, y, z, t) ( (10.2)
Si lon applique la transformation suivante :
~ = (B , B , B )
B x y z
~
E = (Ex , Ey , Ez )
~ = (H , H , H )
H x y z
(10.3)
~
J = (Jx , Jy , Jz )
avec et arbitraire
Alors les relations suivantes, issues des quations de Maxwell, sont vrifies :
~ =0
div(B)
~
~
rot(E) = tB (10.4)
~
= J~
rot(H)
Il convient cependant dadapter les relations des matriaux en consquence (rsistivit
et permabilit magntique r ).
Pour la couche dor : La valeur de la rsistance Ror est donne par lexpression Ror =
or lor /Sor avec lor et Sor respectivement la longueur en m et la section en m2 . La multiplica-
tion par 1000 de la hauteur de la couche dor multiplie donc la section Sor par 1000. Ainsi,
afin de garder la rsistance de la couche dor inchange, la rsistivit de lor sera multiplie
par un facteur 1000.
84
Pour la couche dYBCO : La valeur du courant critique Ic est donne par Ic = Jc
Ssupraconducteur . Par le mme raisonnement, et afin de conserver la valeur originale de Ic , la
densit de courant critique Jc sera divise par un facteur 1000. Enfin, la rsistivit sat sera
elle aussi multiplie par un facteur 1000.
Fig. 10.4: Reprsentation des variables lectriques locales dans le matriau YBCO pour t = 3/2.
85
permet une diminution de la valeur du champ lectrique maximum, mais que ce dernier reste
nanmoins lev.
Fig. 10.6: Valeur maximale du champ lectrique dans langle interne form par la frontire entre le
connecteur et la constriction.
Fig. 10.7: Valeur de la densit de pertes locales (E J) pour les quatre configurations analyses.
86
(a) Densit de courant J (b) Champ lectrique E
Fig. 10.8: Reprsentation des variables lectriques locales dans le matriau YBCO pour la gomtrie
C et pour t = 3/2.
calcule par lUniversit de Genve lorsque I = 3 Ic [30]. Pour les gomtries C et D, nous
remarquons que la valeur de la puissance dissipe augmente denviron 20% par rapport la
gomtrie originale. Cela sexplique par le fait que le courant dispose dun espace plus rduit
lorsquil rencontre la zone proche de la constriction. Ainsi, le courant est oblig de circuler
dans une rgion dont la rsistivit est leve, entranant lapparition de pertes locales plus
importantes. Bien que localises sur une surface plus importante, ces pertes noptimisent
pas le fonctionnement du systme, car la puissance totale dissiper par le limiteur est plus
importante, ce qui contrevient aux critres noncs dans larticle [21].
Fig. 10.9: Puissance moyenne dissipe sur un cycle pour la gomtrie originale et les trois gomtries
proposes.
Il est noter qu la suite de cette tude, la gomtrie B propose a t une base de travail
pour llaboration dun nouveau dessin pour le limiteur de courant. Ce nouveau design est
actuellement test par lUniversit de Genve, et les premiers rsultats ont t prsents lors
de la confrence "EUCAS 2005" Vienne. Ces derniers devraient tre publis dans le courant
de lanne 2006.
87
10.4 Rsultats lors de la prise en compte de la temprature
Aprs avoir mis en vidence la localisation des zones o un risque demballement ther-
mique peut potentiellement survenir, nous allons simuler la gomtrie originale en incluant
les paramtres thermiques prsents au chapitre prcdent. Ceci devrait nous permettre de
calculer la temprature du limiteur lorsquun court-circuit, modlis laide dun circuit
lectrique simple, intervient.
Afin damliorer le modle lectrique, nous avons lgrement modifi celui-ci afin dy
ajouter deux principales modifications :
Lajout dune symtrie supplmentaire, soit au total deux symtries et une priodicit,
suppose que seule la moiti de la gomtrie non hachure reprsente la figure 10.3
est maintenant introduite dans le logiciel. Cette simplification permettra de rduire le
nombre de nuds du problme et de faciliter la convergence.
La permittivit relative r de lor et de lYBCO ont t adaptes au regard de la
multiplication des rsistivits et de la division de la densit de courant critique. En effet,
lpaisseur relie leffet de peau dans la couche dor est donne par = 2/(0 r ).
p
Pour la couche dYBCO, bien que le matriau ne soit pas linaire, un phnomne
semblable cet effet de peau se produit galement. Afin de garder la mme valeur de
lpaisseur , nous avons donc multipli r par un facteur 1000.
Les tableaux 10.2 et 10.3 rsument les valeurs relles des paramtres physiques des ma-
triaux pour T = 77 K, ainsi que les valeurs implmentes dans le logiciel de modlisation
par lments finis aprs adaptation des paisseurs.
paisseur Jc r T h CT h
m A/cm2 cm W/(m K) J/(m3 K)
Relle 0.300 3 106 90 1 10 1.1 106
YBCO
Implmente 300 3 103 9 104 1000 1.0 104 1.1 103
Relle 0.120 7.5 101 1 363 2.0 106
Or
Implmente 120 7.5 102 1000 3.6 105 2.0 103
Relle 500 1130 2.4 105
Saphir
Implmente 500 1130 2.4 105
Tab. 10.2: Valeurs des paramtres physiques pour T = 77 K pour laxe z (paisseur). La rsistivit
pour lYBCO correspond sa rsistivit ltat normal.
88
Fig. 10.10: Reprsentation de la configuration utilise pour la partie thermique.
Jc r T h CT h
A/cm2 cm W/(m K) J/(m3 K)
Relle 3 106 90 1 10 1.1 106
YBCO
Implmente 3 103 9 104 1 1.0 10 2 1.1 103
Relle 7.5 101 1 363 2.0 106
Or
Implmente 7.5 102 1 3.6 101 2.0 103
Relle 1130 2.4 105
Saphir
Implmente 1130 2.4 105
Tab. 10.3: Valeurs des paramtres physiques pour T = 77 K pour les axes x et y (plan). La rsistivit
pour lYBCO correspond sa rsistivit ltat normal.
89
Fig. 10.11: Circuit lectrique dcrit pour reproduire les conditions dun court-circuit.
Fig. 10.12: Courant I dans le limiteur supraconducteur lors de lapparition dun dfaut [21].
90
Fig. 10.13: Courant I circulant dans le limiteur avec et sans la prise en compte de la temprature lors
de lapparition dun dfaut pour t = 3/2.
(figure 10.14).
Le trac des tempratures est fait la figure 10.15. Nous remarquons bien la monte
rapide en temprature de la constriction. Cette zone, qui correspond la rgion o les pertes
sont importantes, atteint la temprature critique Tc en une cinquantaine de microsecondes
environ. En revanche, le connecteur, dont le courant critique est plus important, voit sa
temprature slever dune manire plus lente dans le temps.
La distance entre le point A et le point C est de 2.5 mm. Le temps mis par le point C pour
atteindre la temprature de 80 K est denviron 155 s (figure 10.15) conduisant une vitesse
de propagation denviron 16 ms1 . Cette valeur correspond celle calcule thoriquement
dans larticle [30].
Le point B, situ dans langle form par la frontire entre la constriction et le connecteur,
est bien le sige dun emballement thermique : sa temprature augmente rapidement au-
del de t = 50 s pour atteindre 100 K en 300 s. La suppression de cet angle, telle que
91
propose pour la gomtrie B, devrait, comme nous lavons vu prcdemment, supprimer
ce problme. Dans les temps qui nous taient impartis, il ne nous a malheureusement pas
t possible dintgrer ce chapitre les rsultats issus dune simulation lectromagntique-
thermique ralise avec cette dernire gomtrie.
92
Fig. 10.16: Courant I dans le limiteur lorsquun dfaut intervient sur un zro de tension.
Fig. 10.17: Courant total I dans le limiteur dans le cadre de la simulation lectromagnto-thermique
et lorsque la temprature est fixe 77 K.
stabiliser une valeur proche de la valeur du courant critique Ic . Nous nous attendions, daprs
la figure 10.12, une valeur plus proche de 1.5 Ic . Par ailleurs, cette stabilisation intervient
plus de 1 ms aprs lapparition du dfaut. Larticle [59] montre que le rapport entre le courant
maximal Imax et le courant de limitation Ilim (figure 10.12 est dtermin par la rsistivit de
ltat normal sat , la diffrence de temprature T et la conductivit thermique . Comme
nous avons utilis la rsistivit sat = 90 cm mesure sur le limiteur lui-mme [30], nous
pouvons conclure que lerreur commise provient des paramtres thermiques utiliss, et plus
particulirement de la modlisation du coefficient de transfert h avec le bain cryognique. En
effet, la valeur maximale de transition entre la partie "bubble boiling" et la partie instable
ne correspond pas celle utilise dans les articles [60] [61], o cette valeur maximale est plus
leve. Louvrage de P. Tixador [62] donne la valeur de 14 Wcm2 K1 . Enfin, dans notre
modlisation, le coefficient dchange est pratiquement nul dans la partie "film boiling", ce
qui nest pas le cas dans les deux articles cits.
Enfin la figure 10.18 est une comparaison entre les rsultats obtenus par simulation et
les mesures effectues sur le systme. La valeur Imax obtenue sur les mesures (environ 2 Ic )
93
nest pas exacte. Elle devrait tre de 3 Ic approximativement. Ceci provient du fait que
loscilloscope utilis na pas chantillonn cette partie de la courbe. Nous constatons, outre
lerreur commise sur le courant Ilim , linfluence de linductance L du circuit. Cette inductance
tend ralentir la monte du courant durant la phase transitoire. Sa valeur est value 3 H
[59].
Fig. 10.18: Comparaison des rsultats obtenus par simulation et par exprimentation (Mesures :
Universit de Genve).
Les figures 10.21 et 10.22 reprsentent la densit de courant J lorsque le courant dans
le limiteur est maximal (t = 10.475 ms). Nous retrouvons le mme effet que celui observ au
paragraphe 10.3, savoir une densit de courant leve dans langle interne de la constriction.
Aprs 1 ms, nous constatons que la temprature de la constriction est proche de la
temprature critique (figure 10.24). Comme le matriau supraconducteur dans cette zone se
retrouve ltat normal, et que sa rsistivit est alors largement suprieure celle de lor
(tableau 10.2), le courant circule dans la couche dor. La temprature du connecteur tant
plus faible, cette partie est encore supraconductrice. Ainsi, il y a passage du courant de la
couche dor la couche dYBCO (figure 10.23).
Comme lYBCO est un matriau dont la densit de courant critique Jc est anisotrope
(sur lpaisseur de la couche dpose, elle est plus faible que dans le plan parallle au substrat
de saphir), il serait intressant, loccasion dun travail futur, dtudier limportance de cette
94
3
0.1 1 10 100
T (K)
Fig. 10.20: Comparaison des rsultats obtenus par simulation et par exprimentation lorsque la mo-
dlisation du coefficient dchange est corrige (Mesures : Universit de Genve).
anisotropie dans la phase de limitation, et de comparer les rsultats obtenus par simulation
avec des mesures exprimentales.
95
Fig. 10.21: Densit de courant J dans les matriaux YBCO et or pour I = Imax (t = 10.475 ms).
Fig. 10.22: Densit de courant J dans le matriau YBCO pour I = Imax (t = 10.475 ms).
Fig. 10.23: Densit de courant J dans les matriaux YBCO et or pour t = 11 ms.
96
Conclusion et perspectives
Le thme principal de cette thse est la modlisation de la rponse lectrique des mat-
riaux supraconducteurs, et plus particulirement ceux dits haute temprature critique. La
possibilit de simuler le comportement de ces matriaux est une cl essentielle pour le dve-
loppement dapplications dans le domaine industriel, ceci afin doptimiser les performances
du dispositif et permettre damliorer la qualit du produit en vue de son exploitation com-
merciale.
Dans la premire partie de ce travail, nous nous sommes attachs la rsolution dun
problme dit problme inverse : la recherche de la distribution dynamique de courant dans
un ruban supraconducteur partir de la mesure du profil magntique sa surface. Bien
que la rsolution de ce type de problmes soit extrmement complexe, nous avons pu re-
construire avec prcision la distribution dynamique de la densit de courant dans la section
dun ruban monofilamentaire en nous appuyant sur un modle dcrivant trs succinctement
le comportement lectromagntique dun supraconducteur. Lalgorithme de rsolution utilise
la minimisation de la somme des erreurs commises entre le champ magntique calcul et le
champ magntique mesur pour chaque capteur (mthode des moindres carrs). Il permet
lobtention rapide de rsultats en comparaison avec des mthodes certes plus prcises, comme
limagerie magnto-optique ou la modlisation par lments finis, mais qui demandent des
moyens exprimentaux ou informatiques plus importants. Un travail futur sera lextension de
cette mthode des rubans multifilamentaires, pouvant comporter jusqu une cinquantaine
de brins supraconducteurs. Il sera donc ncessaire de prendre en compte une gomtrie plus
complexe, et de disposer dune quantit de mesures plus importante. Pour cela, il serait int-
ressant dexploiter pleinement les possibilits offertes par le systme de mesures en ralisant
une cartographie en deux dimensions du profil magntique la surface de lchantillon, et
damliorer le modle gomtrique utilis par lalgorithme de recherche.
97
poser des amliorations, par exemple sur la gomtrie du systme, dans le but doptimiser le
comportement du systme selon certains critres spcifiques.
Ensuite, nous avons vu que la modlisation par lments finis de systmes possdant
un ratio gomtrique lev posait des problmes lors de la phase de maillage. Nous avons
contourn ce problme en multipliant la dimension la plus faible par un facteur choisi de
faon ramener la valeur de ce ratio une valeur plus acceptable. Cependant, les grandeurs
globales dpendantes de la gomtrie du systme, comme par exemple la rsistance qui est
inversement proportionnelle la section, vont se retrouver modifies. Il convient donc dadap-
ter les grandeurs locales en consquence afin de maintenir les grandeurs globales leur valeur
relle. Lapplication principale de technique est la simulation du comportement de matriaux
supraconducteurs fabriqus sous forme de couches minces, comme lYBCO par exemple.
Enfin, nous avons modlis, par lapplication de ces nouvelles mthodes, le comporte-
ment lectromagntique et thermique dun limiteur de courant compos dune couche mince
dYBCO supraconductrice surmonte dun film stabilisateur dor. Les rsultats obtenus per-
mettent dobtenir une bonne approximation du comportement du systme compars des
mesures ralises sur le systme rel. De cette manire, les rsultats numriques obtenus
offrent la possibilit danalyser linfluence de paramtres gomtriques ou physiques sans
avoir recours la ralisation de prototypes ou une phase exprimentale.
Une prochaine tape consistera raffiner encore la prcision des rsultats obtenus par
lamlioration du modle thermique utilis, et plus particulirement la manire de prendre en
compte lchange de chaleur entre le dispositif et le bain cryognique. Cet change, de type
convectif avec changement de phase, est dpendant de nombreux paramtres, et il convien-
drait donc de suggrer une formulation plus adapte que celle propose dans cette thse.
Enfin, nous navons pas jug ncessaire dans le cadre de ce travail dimplmenter laniso-
tropie sur le courant critique Jc prsente dans les matriaux supraconducteurs de type YBCO
ou BSCCO. Cependant, durant la phase de limitation, le courant I dans le limiteur va tre
transfr de la couche dYBCO la couche dor et vice-versa au niveau de la constriction.
Pour une modlisation encore plus prcise du comportement du dispositif supraconducteur
durant cette phase, il conviendra dintroduire cette anisotropie dans le modle lectromagn-
tique. Ceci peut se faire en intgrant au sein de la routine FORTRAN une densit de courant
critique non isotrope. En revanche, il sera ncessaire de prter une attention particulire au
calcul du tenseur de rsistivit, ceci afin de faciliter la convergence des lalgorithmes utiliss
par le logiciel dlments finis.
98
Annexe A
Programmation de la fonction
E = f (J, T ) en langage FORTRAN
C SUBROUTINE USR_DEDJ
SUBROUTINE USR_DEDJ (MATERIAL_NAME,STRING_LENGTH,
& NBRCN,COOPT,
& TIMESTEP,
& NBRCOEF,USER_COEFF,
& NB_SPAT_PAR,VAL_SPAT_PAR,VAL_SPAT_PAR_P,
& NB_VAR_PAR,VAL_VAR_PAR,VAL_VAR_PAR_P,
& NREAL,NCOMP, JPG ,
& EPG,DEDJPG,
& IOSTAT)
C
C User SUBROUTINE f o r E( J ) p r o p e r t y
C
CHARACTER ( ) MATERIAL_NAME
INTEGER STRING_LENGTH
C
INTEGER NBRCN
DOUBLE PRECISION COOPT(NBRCN)
C
DOUBLE PRECISION TIMESTEP( 2 )
C
INTEGER NBRCOEF
DOUBLE PRECISION USER_COEFF( )
C
INTEGER NB_SPAT_PAR
DOUBLE PRECISION VAL_SPAT_PAR( 2 , 3 , ) ,VAL_SPAT_PAR_P( 2 , 3 , )
C
INTEGER NB_VAR_PAR
DOUBLE PRECISION VAL_VAR_PAR( 2 , 3 , ) ,VAL_VAR_PAR_P( 2 , 3 , )
C
INTEGER NREAL,NCOMP
DOUBLE PRECISION JPG(NREAL,NCOMP)
C
DOUBLE PRECISION EPG(NREAL,NCOMP)
DOUBLE PRECISION DEDJPG (NREAL,NCOMP,NCOMP)
C
INTEGER IOSTAT
C
C Dclaration des constantes
C
C
99
DOUBLE PRECISION ZERO
PARAMETER (ZERO=0.0D0)
DOUBLE PRECISION UN
PARAMETER (UN=1.0D0)
DOUBLE PRECISION EPS
PARAMETER (EPS=1.0D8)
DOUBLE PRECISION EPSRE
PARAMETER (EPSRE=1.0D15)
C
C D c l a r a t i o n du nom de l a f o n c t i o n :
C
C
CHARACTER ( ) NOMSP
PARAMETER (NOMSP=USR_DEDJ )
C
C Dclaration des v a r i a b l e s u t i l i s e s
C
C
DOUBLE PRECISION N2
PARAMETER (N2=30)
DOUBLE PRECISION A1
PARAMETER (A1=1.0D0)
DOUBLE PRECISION A2
PARAMETER (A2=2.0D0)
C
DOUBLE PRECISION JC_TREF, E0 , N1 , RHO0,RHOSAT_TREF,TC
DOUBLE PRECISION ALPHA,BETA,TREF, T
DOUBLE PRECISION MODUJ2,MODJPG
DOUBLE PRECISION JC
DOUBLE PRECISION RHOSAT
DOUBLE PRECISION E1 , RHO1,RHO1_TEMP,RHO_TEMP,SIGMA_TEMP
DOUBLE PRECISION R,DELTAE
DOUBLE PRECISION dRHO1dE, dRHO2dE, dRdE
DOUBLE PRECISION RHO, SIGMA
DOUBLE PRECISION E2 , RHO2,RHO2_TEMP
DOUBLE PRECISION RHO_OR_TREF,RHO_OR
DOUBLE PRECISION dEdJ1_TEMP, dEdJ , dEdJ2_TEMP, dEdJ2
C
INTEGER I ,J
C
C IOSTAT I n i t i a l i z a t i o n
IOSTAT = 1
C
C S u p r a c o n d u c t e u r couche mince YBCO ( avec l o i de p u i s s a n c e m o d i f i e ) :
C
C L o i en p u i s s a n c e p l u s c o n d u c t i v i t e SIGMA0
C | E | = E0 ( J/ Jc 1)^N ou | J | = ( ( | E | / E0 ) ^ ( 1 /N) +1) Jc
C
IF ( ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA_1 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA_2 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA_3 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA_4 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA_5 ) ) THEN
IOSTAT = 1
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes m a t r i a u
C
C
JC_TREF = USER_COEFF( 1 )
E0 = USER_COEFF( 2 )
N1 = USER_COEFF( 3 )
100
RHO0 = USER_COEFF( 4 )
RHOSAT_TREF = USER_COEFF( 5 )
TC = USER_COEFF( 6 )
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes v a r i a b l e s
C
C
ALPHA = VAL_VAR_PAR ( 1 , 1 , 1 )
BETA = VAL_VAR_PAR ( 1 , 1 , 2 )
TREF = VAL_VAR_PAR ( 1 , 1 , 3 )
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes s p a t i a l e s
C
C
T = VAL_SPAT_PAR ( 1 , 1 , 1 )
C
C T e s t s s u r l e s donnes p a s s e s en e n t r e
C
IF ( JC_TREF . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& E0 . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& N1 . LT . 2 . 0 D0 .OR.
& RHO0 . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& RHOSAT_TREF . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& TC . LE . 0 . 0 D0) THEN
IOSTAT = 1
GOTO 900
ENDIF
C
IF ( ALPHA . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& BETA . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& TREF . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& TC . LE . 0 . 0 D0) THEN
IOSTAT = 1
GOTO 900
ENDIF
C
C C a l c u l du module de J
C
C
MODUJ2 = ZERO
DO 100 J = 1 , 2
MODUJ2 = MODUJ2 + JPG( 1 , J ) 2
100 CONTINUE
MODUJ2 = MODUJ2 + (JPG( 1 , 3 ) / 1 0 0 0 ) 2
MODJPG = SQRT(ABS(MODUJ2) )
C
C C a l c u l de Jc e t Rho_sat
C
C
JC = JC_TREF ( ( (TCT) ALPHA) / ( (TCTREF) ALPHA) )
RHOSAT = RHOSAT_TREF(1+BETA (TTREF) )
C
C S i T i n f r i e u r e Tc
C
C
IF (T . LT . TC) THEN
C
C Cas d un p o i n t v o i s i n de E = 0 ( dans n o t r e cas , p o i n t J < Jc ) :
C
C
IF ( MODJPG . LE . A1JC(1+EPSRE) ) THEN
DO 110 I = 1 , 3
101
EPG( 1 , I ) = RHO0JPG( 1 , I )
C
C dEj / d J j = rho0
C
C
DEDJPG( 1 , I , I )= RHO0
110 CONTINUE
C
C Cas numro 1 : p r e m i r e powerlaw
C
C
ELSEIF ( MODJPG . LE . A2JC(1+EPSRE) ) THEN
C
C C a l c u l du module de E a p a r t i r du module de J
C
C ( par l a methode de NewtonRaphson )
C
E1 = 0
C
C Premier c a l c u l : ( pour t r e s r d a v o i r f a i t l a b o u c l e au moins une f o i s )
C
C
RHO1_TEMP = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
RHO_TEMP=RHO1_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E1 ) MODJPG
C
dRHO1dE = E0 ( 1 /N1 ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N1) E1 ( 1 /N1 ) ) /
& (JCN1 ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO1_TEMP+RHO0) (E1dRHO1dE ) / ( (RHO1_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E1 = E1+DELTAE
C
C Itrations
C
C
DO 200 WHILE (EPSE1 . LT . ABS(DELTAE) )
RHO1_TEMP = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
RHO_TEMP=RHO1_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E1 ) MODJPG
C
dRHO1dE = E0 ( 1 /N1 ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N1) E1 ( 1 /N1 ) ) /
& (JCN1 ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO1_TEMP+RHO0) (E1dRHO1dE ) / ( (RHO1_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E1 = E1+DELTAE
200 END DO
C
C On c a l c u l e l e s n o u v e l l e s v a l e u r s
C
C
102
RHO1 = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) ) RHO0
RHO = ( (RHO1+RHO0) RHOSAT) / (RHO1+RHO0+RHOSAT)
SIGMA = UN/RHO
C
C C a l c u l de l a r s i s t i v i t i n c r m e n t a l e
C
C
dEdJ1_TEMP = RHO1 2 / (RHO0+((E1 ( 1 /N1) RHO1) /
& (N1 ( E0 ( 1 /N1)+E1 ( 1 /N1 ) ) ) ) )
dEdJ = (dEdJ1_TEMPRHOSAT) / (dEdJ1_TEMP+RHOSAT)
C
DO 230 I = 1 , 3
EPG( 1 , I ) = RHOJPG( 1 , I )
DO 220 J = 1 , 3
DEDJPG( 1 , J , I ) = ( dEdJRHO) /MODUJ2
& JPG( 1 , I ) JPG( 1 , J )
220 CONTINUE
DEDJPG( 1 , I , I )= RHO + DEDJPG( 1 , I , I )
230 CONTINUE
C
C Cas numro 2 : Deuxime powerlaw
C
C
ELSE
C
C C a l c u l du module de E1 a p a r t i r du module de J
C
C ( par l a methode de NewtonRaphson )
C
E1 = 0
C
C Premier c a l c u l : ( pour t r e s r d a v o i r f a i t l a b o u c l e au moins une f o i s )
C
C
RHO1_TEMP = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
RHO_TEMP=RHO1_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E1 ) MODJPG
C
dRHO1dE = E0 ( 1 /N1 ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N1) E1 ( 1 /N1 ) ) /
& (JCN1 ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO1_TEMP+RHO0) (E1dRHO1dE ) / ( (RHO1_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E1 = E1+DELTAE
C
C Itrations
C
C
DO 300 WHILE (EPSE1 . LT . ABS(DELTAE) )
RHO1_TEMP = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
RHO_TEMP=RHO1_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E1 ) MODJPG
C
dRHO1dE = E0 ( 1 /N1 ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N1) E1 ( 1 /N1 ) ) /
103
& (JCN1 ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO1_TEMP+RHO0) (E1dRHO1dE ) / ( (RHO1_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E1 = E1+DELTAE
300 END DO
C
C On c a l c u l e l e s n o u v e l l e s v a l e u r s
C
C
RHO1 = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) ) RHO0
C
C C a l c u l du module de E2 a p a r t i r du module de J
C
C ( par l a methode de NewtonRaphson )
C
E2 = 0
C
C Premier c a l c u l : ( pour t r e s r d a v o i r f a i t l a b o u c l e au moins une f o i s )
C
C
RHO2_TEMP = ( E2E0 ( 1 /N2 ) ) / ( JC ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) )
RHO_TEMP=RHO2_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E2 ) MODJPG
C
dRHO2dE = E0 ( 1 /N2 ) / ( JC ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N2) E2 ( 1 /N2 ) ) /
& (JCN1 ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO2_TEMP+RHO0) (E2dRHO2dE ) / ( (RHO2_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E2 = E2+DELTAE
C
C Itrations
C
C
DO 310 WHILE (EPSE1 . LT . ABS(DELTAE) )
RHO2_TEMP = ( E2E0 ( 1 /N2 ) ) / ( JC ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) )
RHO_TEMP=RHO2_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E2 ) MODJPG
C
dRHO2dE = E0 ( 1 /N2 ) / ( JC ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N2) E2 ( 1 /N2 ) ) /
& (JCN1 ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO2_TEMP+RHO0) (E2dRHO2dE ) / ( (RHO2_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E2 = E2+DELTAE
310 END DO
C
C On c a l c u l e l e s n o u v e l l e s v a l e u r s
C
104
C
RHO2 = ( E2E0 ( 1 /N2 ) ) / ( JC ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) ) RHO0
RHO = ( (RHO2+RHO1+RHO0) RHOSAT) / (RHO2+RHO1+RHO0+RHOSAT)
SIGMA = UN/RHO
C
C C a l c u l de l a r s i s t i v i t i n c r m e n t a l e
C
C
dEdJ1_TEMP = RHO1 2 / (RHO0+((E1 ( 1 /N1) RHO1) /
& (N1 ( E0 ( 1 /N1)+E1 ( 1 /N1 ) ) ) ) )
dEdJ1 = (dEdJ1_TEMPRHOSAT) / (dEdJ1_TEMP+RHOSAT)
dEdJ2_TEMP = RHO2 2 / (RHO0+((E2 ( 1 /N2) RHO2) /
& (N2 ( E0 ( 1 /N2)+E2 ( 1 /N2 ) ) ) ) )
dEdJ2 = (dEdJ2_TEMPRHOSAT) / (dEdJ2_TEMP+RHOSAT)
dEdJ = ( (dEdJ1_TEMP+dEdJ2_TEMP) RHOSAT) /
& (dEdJ1_TEMP+dEdJ2_TEMP+RHOSAT)
C
DO 330 I = 1 , 3
EPG( 1 , I ) = RHOJPG( 1 , I )
DO 320 J = 1 , 3
DEDJPG( 1 , J , I ) = ( dEdJRHO) /MODUJ2
& JPG( 1 , I ) JPG( 1 , J )
320 CONTINUE
DEDJPG( 1 , I , I )= RHO + DEDJPG( 1 , I , I )
330 CONTINUE
C
C Fin de l a b o u c l e IF J < Jc
C
C
ENDIF
C
C IF T >= Tc
C
C
ELSE
C
C Le m a t ria u x e s t a l o r s normal
C
C
DO 410 I = 1 , 3
EPG( 1 , I ) = RHOSATJPG( 1 , I )
C d J j / dEj = Sigma
DEDJPG( 1 , I , I )= RHOSAT
410 CONTINUE
C
C Fin du t e s t IF T < Tc
C
C
ENDIF
C
C Matriaux L i n a i r e de type OR/ARGENT, . . .
C
C
ELSEIF ( ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR_1 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR_2 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR_3 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR_4 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR_5 ) ) THEN
IOSTAT = 1
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes m a t r i a u
105
C
C
RHO_OR_TREF = USER_COEFF( 1 )
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes v a r i a b l e s
C
C
BETA = VAL_VAR_PAR ( 1 , 1 , 1 )
TREF = VAL_VAR_PAR ( 1 , 1 , 2 )
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes s p a t i a l e s
C
C
T = VAL_SPAT_PAR ( 1 , 1 , 1 )
C
C T e s t s s u r l e s donnes p a s s e s en e n t r e
C
IF ( RHO_OR_TREF . LE . 0 . 0 D0) THEN
IOSTAT = 1
GOTO 900
ENDIF
C
IF ( BETA . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& TREF . LE . 0 . 0 D0) THEN
IOSTAT = 1
GOTO 900
ENDIF
C
C C a l c u l du module de J
C
C
MODUJ2 = ZERO
DO 700 J = 1 , 2
MODUJ2 = MODUJ2 + JPG( 1 , J ) 2
700 CONTINUE
MODUJ2 = MODUJ2 + (JPG( 1 , 3 ) / 1 0 0 0 ) 2
MODJPG = SQRT(ABS(MODUJ2) )
C
C C a l c u l Rho_OR
C
C
RHO_OR = RHO_OR_TREF(1+BETA (TTREF) )
C
C Le m a t ria u x e s t l i n a i r e
C
C
DO 810 I = 1 , 3
EPG( 1 , I ) = RHO_ORJPG( 1 , I )
C d J j / dEj = Sigma
DEDJPG( 1 , I , I )= RHO_OR
810 CONTINUE
C
C Fin de l a b o u c l e IF SUPRA ELSIF OR
C
C
ENDIF
C
C Sortie
C
C
900 CONTINUE
END
106
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Curriculum vitae
Joseph DURON
EPFL - IC - LANOS
BC 228 / Station 14
CH - 1015 LAUSANNE
tudes
Expriences Professionnelles
Divers
Duron, J. et al., 3-D finite element simulations of strip lines in a YBCO/Au fault current
limiter, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 15, p. 1998, 2005.
Dutoit, B. et al., Dynamic field mapping for obtaining the current distribution in high-
temperature superconducting tapes, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 15, p.
3644, 2005.
Sjstrm, M. et al., Equivalent circuit model for superconductors, IEEE Transactions on Applied
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