BJT DE POTENCIA

1. INTRODUCCIN

El presente trabajo est diseado de forma prctica y

sencilla para
comenzar a conocer un poco de los bjt de potencia los
cuales al igual que
los comunes bjt cumplen las mismas funciones slo que
para altas
tensiones.

Al mismo tiempo se abarcarn temas como: los bjt de

potencia en forma
general, la problemtica de calor del bjt, disipadores y
SOA (rea de
operacin segura).

1
2. INFORMACIN GENERAL DE
UN BJT COMN

2.1. TIPOS DE BJT

El transistor de unin es un dispositivo
electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a
que la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores ms

conocidos y se usan generalmente en electrnica
analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o
BICMOS.

Un transistor de unin bipolar est formado por

dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por

estar fuertemente dopada, comportndose como
un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.

2
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el
emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la

deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal,
la unin base-emisor est polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los
portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay
poca recombinacin de portadores, y la mayora
pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.

2.2. TIPOS DE BJT

2.2.1. NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores

bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del transistor. La
mayora de los transistores bipolares usados hoy
en da son NPN, debido a que la movilidad del

3
 electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de
material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una
pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la
salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en
la terminal del emisor y apunta en la direccin en
la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.

2.2.2. PNP

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el

PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores usados
hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de
material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP
son comnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal positivo
de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa. Una pequea corriente
circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor
hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal
del emisor y apunta en la direccin en la que la

4
 corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.

2.3. FUNCIONAMIENTO

En una configuracin normal, la unin base-emisor

se polariza en directa y la unin base-colector en
inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores
de carga del emisor pueden atravesar la barrera de
potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo elctrico que existe entre
la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos
diodos con la regin del nodo compartida. En una
operacin tpica, la unin base-emisor est
polarizada en directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa. En un transistor NPN, por
ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en
la unin base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
trmicamente inyectarse en la regin de la base.
Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde
la regin de alta concentracin cercana al emisor
hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados
portadores minoritarios debido a que la base est
dopada con material P, los cuales generan "huecos"
como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los portadores
puedan difundirse a travs de esta en mucho menos
tiempo que la vida til del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de
portadores que se recombinan antes de alcanzar la

5
 unin base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusin de los electrones.

2.4. REGIONES DONDE OPERA UN BJT

2.4.1. REGIN ACTIVA

Corriente del emisor = ( + 1) I b; corriente

del colector= Ib
Cuando un transistor no est ni en su regin de
saturacin ni en la regin de corte entonces est
en una regin intermedia, la regin activa. En
esta regin la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante)
y de las resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta regin es
la ms importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplificador de seal.

2.4.2. REGIN INVERSA

Al invertir las condiciones de polaridad del

funcionamiento en modo activo, el transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo inverso.

6
 En este modo, las regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la mayora de
los BJT son diseados para maximizar la ganancia
de corriente en modo activo, el parmetro beta
en modo inverso es drsticamente menor al
presente en modo activo.

2.4.3. REGIN DE CORTE

Corriente de colector = corriente de emisor

= 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de alimentacin
del circuito. Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base =0(Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la
unin CE se comporta como un circuito abierto,
ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

2.4.4. REGIN DE SATURACIN

Corriente de colector corriente de emisor

= corriente mxima, (Ic Ie = Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende
del voltaje de alimentacin del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor
o en ambos. Se presenta cuando la diferencia de
potencial entre el colector y el emisor desciende
por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el
transistor esta en saturacin, la relacin lineal de
amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=
(+1) Ib) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la
unin CE se comporta como un cable, ya que la
diferencia de potencial entre C y E es muy
prxima a cero.

Como se puede ver, la regin activa es til para la

7
 electrnica analgica (especialmente til para
amplificacin de seal) y las regiones de corte y
saturacin, para la electrnica digital,
representando el estado lgico alto y bajo,
respectivamente.

3. LOS BJT DE POTENCIA

3.1. TRANSISTOR BJT DE POTENCIA

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de

potencia es idntico al de los transistores normales,
teniendo como caractersticas especiales las altas
tensiones e intensidades que tienen que soportar y,
por tanto, las altas potencias a disipar.

8
 Existen bsicamente tres tipos de transistores de
potencia.
Bipolar
Unipolar o FET (transistor de Efecto de Campo)
IGBT

Nos interesa como siempre que tratamos con

dispositivos semiconductores de potencia que el
transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento
ideal:
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para
conseguir una alta frecuencia de funcionamiento.
Que no se produzcan puntos calientes
(grandes di/dt)

Una limitacin importante de todos los dispositivos

de potencia y concretamente de los transistores
bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y
viceversa no se hace instantneamente, sino que
siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas
fundamentales de estos retardos son las
capacidades asociadas a las uniones colector base
y base emisor y los tiempos de difusin y
recombinacin de los portadores.

3.2. PRINCIPIOS BASICOS DE

FUNCIONAMIENTO

La diferencia ms notable entre un transistor bipolar

y un transistor unipolar o FET es el modo de
actuacin sobre el terminal de control. En el
transistor bipolar hay que inyectar una corriente de
9
 base para regular la corriente de colector, mientras
que en el FET el control se hace mediante la
aplicacin de una tensin entre puerta y fuente.
Esta diferencia viene determinada por la estructura
interna de ambos dispositivos, que son
sustancialmente distintas.
En resumen
En un transistor bipolar Ib controla la magnitud
de Ic.
En un FET, la tensin Vgs controla la corriente Id.
En ambos casos, con una potencia pequea
puede controlarse otra bastante mayor.

A continuacin veremos las caractersticas ms

importantes del BJT. Es de destacar que el inters
actual del BJT es muy limitado, ya que existen
dispositivos de potencia con caractersticas muy
superiores. De igual manera es necesario
comprender sus limitaciones para poder
comprender el funcionamiento y limitaciones de
otros dispositivos de gran importancia en la
actualidad dentro del campo de la Electrnica de
Potencia.

3.3. CARACTERTICAS

3.3.1. MODOS DE TRABAJO

Existen cuatro condiciones de polarizacin

posibles. Dependiendo del sentido o signo de los
voltajes de polarizacin en cada una de las
uniones del transistor pueden ser:

10
REGIN ACTIVA Y DIRECTA: Corresponde a una
polarizacin directa de la unin emisor base y a
una polarizacin inversa de la unin colector
base. Esta es la regin de operacin normal del
transistor para amplificacin.
REGIN ACTIVA INVERSA: Corresponde a una
polarizacin inversa de la unin emisor base y a
una polarizacin directa de la unin colector
base. Esta regin es usada raramente.
REGIN DE CORTE: Corresponde a una
polarizacin inversa de ambas uniones. La
operacin en esta regin corresponde a
aplicaciones de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor acta como un
interruptor abierto (Ic=0).
REGIN DE SATURACIN: Corresponde a una
polarizacin directa de ambas uniones. La
operacin en esta regin corresponde a
aplicaciones de conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor acta como un
interruptor cerrado Vce=0.
En la siguiente figura, se muestra la curva V-I
tpica del transistor bipolar:

11
3.3.2. ESPECIFICACIONES IMPORTANTES

Las principales caractersticas que han de

considerarse en los transistores bipolares de
potencia son:
Icmax: Intensidad mxima de colector.
BVceo: Tensin de ruptura de colector-emisor.
Pmax: potencia mxima disipable en rgimen
continuo.

Adems, conforme los transistores utilizados en

circuitos de potencia trabajan generalmente en
saturacin y corte (rgimen de conmutacin),
resulta de inters la cada de tensin colector-
emisor en saturacin Vcesat y los tiempos de
saturacin y corte para aplicaciones de alta
frecuencia.

3.3.3. TIEMPOS DE CONMUTACIN

Cuando el transistor esta en saturacin o en corte

las prdidas son despreciables. Pero si tenemos
en cuenta los efectos de retardo de conmutacin,
al cambiar de un estado a otro se produce un pico
de potencia disipada, ya que en esos instantes el

12
producto Ic x Vce va a tener un valor apreciable,
por lo que la potencia media de prdidas en el
transistor va ser mayor. Estas prdidas aumentan
con la frecuencia de trabajo, debido a que al
aumentar esta, tambin lo hace el nmero de
veces que se produce el paso de un estado a otro.
Como siempre, podemos distinguir entre tiempo
de excitacin o encendido (ton) y tiempo de
apagado (toff). A su vez, cada uno de estos
tiempos se puede dividir en otros dos, quedando
as cuatro tiempos a estudiar:

Tiempo de retardo (Delay time, td): Es el

tiempo que transcurre desde el instante en que
se aplica la seal de entrada en el dispositivo
conmutador, hasta que la seal de salida
alcanza el 10% y el 90% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): tiempo
que emplea la seal de salida en evolucionar
entre el 10% y el 90% de su valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage
time, ts): tiempo que transcurre desde que se
quita la excitacin de entrada y el instante en
que la seal de salida baja al 90% de su valor
final.
Tiempo de cauda (Fall time, tf): Tiempo
que emplea la seal de salida en evolucionar
entre el 90% y el 10% de su valor final.

Por lo tanto se pueden definir las siguientes

relaciones:
ton=td+tr
toff=ts+tf
Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de
apagado (toff) ser siempre mayor que el tiempo
de encendido (ton), como ocurre en la mayora de

13
 los conmutadores, tal y como es muestra en la
siguiente figura.

Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff)

limitan la frecuencia mxima (fmax) a la cual
puede conmutar el transistor:
1
fmax=
ton+ toff

3.3.4. REA DE OPERACIN SEGURA EN

UN BJT DE POTENCIA

Adems de especificar la mxima disipacin de

potencia a diferentes temperaturas de
encapsulado, los fabricantes de transistores de
potencia suelen indicar una grfica de la frontera
de rea de operacin sin riesgo (SOA, Safe
Operation rea) en el plano ic-vce. La
especificacin de una SOA tpica presenta la
forma que se muestra en la siguiente figura:

14
En esta curva se puede observar cuatro reas
claramente diferenciadas:
LA CORRIENTE MXIMA PERMISIBLE
ICMAX. Si se excede esta corriente de manera
continua puede dar como resultado que se
fundan los alambres que conectan el
dispositivo a los terminales del encapsulado.
LA HIPRBOLA DE MXIMA DISIPACIN DE
POTENCIA. Este es el lugar geomtrico de los
puntos para los cuales se cumple que
vce.ic=Pmax (a Tco). Para temperaturas Tc>Tco
se obtendrn un conjunto de hiprbolas ms
bajas. Aun cuando se pueda permitir que el
punto de trabajo se mueva de modo temporal
por encima de la hiprbola, no debe permitirse
que el promedio de disipacin de potencia
exceda de Pmax.
LMITE DE SEGUNDA RUPTURA. La segunda
ruptura es un fenmeno que resulta debido a
que la circulacin de corriente por la unin
entre emisor y base no es uniforme. Ms bien,
la densidad de corriente es mayor cerca de la
periferia de la unin. Esta aglomeracin de
15
 corriente da lugar a mayor disipacin de
potencia localizada y por lo tanto a
calentamientos en lugares que reciben el
nombre de puntos calientes. Como el
calentamiento produce un aumento de
corriente, puede ocurrir un gradiente trmico
que provoque la destruccin de la unin
semiconductora.
VOLTAJE DE RUPTURA DE LA UNIN
COLECTOR EMISOR BVCEO. Nunca debe
permitirse que el valor instantneo de Vce
exceda de BVceo; de otra manera, ocurrir la
ruptura de avalancha de la unin entre colector
y base.
Finalmente debe mencionarse que por lo
general se utilizan escalas logartmicas para ic
y vce que llevan a un lmite de rea de
operacin sin riesgo (SOA) formada por lneas
rectas.

3.3.5. EFECTOS PRODUCIDOS POR CARGAS

INDUCTIVAS (PROTECCIONES)

Las cargas inductivas someten a los transistores a

las condiciones de trabajo ms desfavorables
dentro de la zona activa, en el sentido de que se
oponen a las variaciones de corriente que

16
imponen los transistores al conmutar de
saturacin a corte y viceversa.

En el diagrama superior se han representado los

diferentes puntos idealizados de funcionamiento
del transistor en corte y saturacin. Para una
carga resistiva, el transistor pasara de corte a
saturacin por la recta que va desde A hasta C, y
de saturacin a corte desde C a A. Sin embargo,
con una carga inductiva como en el circuito
anterior el transistor pasa a saturacin
recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a
corte lo hace por el tramo CDA. Puede verse que
este ltimo paso lo hace despus de una
profunda incursin en la zona activa que podra
fcilmente sobrepasar el lmite de avalancha
secundaria, con valor Vce muy superior al valor
de la fuente (Vcc).
Para proteger al transistor y evitar su degradacin
se utilizan en la prctica varios circuitos que se
muestran a continuacin:

17
 Diodo zener en paralelo con el transistor (la
tensin nominal zener ha de ser superior a la
tensin de la fuente Vcc).
Diodo en antiparalelo con la carga RL.
Red RC polarizada en paralelo con el transistor
(red snubber).

Las dos primeras limitan la tensin en el

transistor durante el paso de saturacin a corte,
proporcionado a travs de los diodos un camino
para la circulacin de la intensidad inductiva de la
carga.
En tercera proteccin, al cortarse el transistor la
intensidad inductiva sigue pasando por el diodo y
por el condensador Cs, el cual tiende a cargarse a
una tensin Vcc. Diseando adecuadamente la
red RC se consigue que la tensin en el transistor
durante la conmutacin sea inferior a la de la
fuente, alejndose su funcionamiento de los
limites por disipacin y por avalancha secundaria.
Cuando el transistor pasa a saturacin el
condensador se descarga a travs de Rs.

El efecto producido al incorporar la red snubber

es la que se puede apreciar en la figura adjunta,
donde vemos que con esta red, el paso de
saturacin (punto A) a corte (punto B) se produce
de forma ms directa y sin alcanzar valores de
Vce superiores a la fuente Vcc.
Para el clculo de Cs podemos suponer,
despreciando las perdidas, que la energa
almacenada en la bobina L antes del bloqueo
debe haberse transferido a Cs cuando la
intensidad de colector se anule. Por tanto:
1 1
xLx I 2c(sat)= x C S x V 2cc
2 2

De donde:

18
 2
Lx I c(sat)
C S=
V 2cc

Para calcular el valor de Rs hemos de tener en

cuenta que el condensador ha de estar
descargado totalmente en el siguiente proceso de
bloqueo, por lo que la constante de tiempo de Rs
y Cs ha de ser menor (por ejemplo una quinta
parte) que el tiempo permanece en saturacin el
transistor:

tiempo con BJT saturado

T s=R s x C s
5

4.PROBLEMTICA DE CALOR EN
LOS BJT DE POTENCIA

4.1. PRDIDAS DE POTENCIA EN

SEMICONDUCTORES

Hay cuatro fuentes principales de prdida de

potencia en un semiconductor:

19
4.1.1. PRDIDA DE POTENCIA DURANTE
LA CONDUCCIN DIRECTA

Para un diodo, por ejemplo, es el producto entre

la corriente que atraviesa el componente y la
cada de tensin directa en sus bornes. Lo mismo
se aplica para el tiristor, pero ya que el ngulo de
conduccin puede variar, normalmente en las
hojas de datos se dan curvas de prdida de
potencia como en la figura, donde se utiliza la
corriente promedio sobre todo el ciclo de
conduccin. Para un transistor, la prdida de
conduccin directa est dada por el producto
entre la corriente y la tensin de colector, a la
que se aade la disipacin de base, igual al
producto entre la corriente y la tensin de base.
Normalmente las prdidas de base son pequeas
comparadas con las prdidas de colector.

20
4.1.2. PRDIDAS POR FUGAS

Producidas cuando el semiconductor de potencia

est bloqueando tensin en direccin directa o
inversa. Esto puede ocurrir cuando un diodo o
tiristor est polarizado en inversa, o cuando un
transistor o tiristor est polarizado en directa
pero no conectado. Estas prdidas normalmente
son pequeas en comparacin con las prdidas
de conduccin directa.

4.1.3. PRDIDAS DE CONMUTACIN

DURANTE LA CONEXIN O
DESCONEXIN DEL SEMICONDUCTOR
DE POTENCIA

Aunque relativamente pequeas, estas prdidas

pueden ser apreciables cuando el componente
est trabajando a altas frecuencias.
Estas prdidas pueden ocurrir debido a los
procesos graduales de conexin y desconexin,
que permiten que fluyan grandes cantidades de
corriente mientras la tensin en bornes del
componente todava es alta. Estas prdidas de
conexin y desconexin dan lugar a picos de
potencia en la curva de disipacin de potencia
total, aunque esta prdida de potencia debido a
la conmutacin es relativamente pequea a bajas
frecuencias.

21
 4.1.4. PRDIDAS EN EL TERMINAL DE
CONTROL DEL SEMICONDUCTOR DE
POTENCIA

La prdida en la base de un transistor ya se ha

considerado como parte de la prdida de
conduccin directa en el primer caso, ya que
siempre est presente mientras el componente
est conduciendo. Sin embargo, los componentes
como los tiristores pueden activarse slo por
pulso, por lo que la prdida de potencia de
puerta se puede separar de la prdida por
conduccin directa.
Normalmente se definen cuatro parmetros: la
potencia de pico de puerta, PGM, es decir, el valor
mximo del producto entre la corriente de puerta
directa y la tensin permisible; la potencia
promedio de puerta PG (AV), que es el valor
mximo de la corriente de puerta directa y la
tensin promediados sobre un ciclo; la potencia
pico inversa de puerta PGMR; y la potencia
inversa promedio de puerta PGR (AV), valores
estos dos ltimos que son los correspondientes
valores inversos.

4.2. PROPAGACIN DEL CALOR

En todo semiconductor el flujo de la corriente

elctrica produce una prdida de energa que se
transforma en calor, debido al movimiento
desordenado en la estructura interna de la unin.
Este calor eleva la energa cintica de las molculas
dando lugar a un aumento de temperatura en el
dispositivo; si este aumento es excesivo e
incontrolado provocar una reduccin de la vida til
del dispositivo y en el peor de los casos su
destruccin. Es por ello que la evacuacin del calor

22
 generado en el semiconductor es una cuestin de
gran importancia para asegurar el correcto
funcionamiento y duracin del dispositivo.

La capacidad de evacuacin del calor al medio

ambiente puede variar segn el tipo de encapsulado
pero es, en cualquier caso, demasiado pequea, por
lo que es necesario facilitar la transferencia de
calor generado al ambiente mediante alguna ayuda
adicional consistente en un dispositivo de mayor
volumen y superficie conocido como radiador o
disipador de calor, el cual hace de puente para
evacuar el calor del encapsulado al medio
ambiente.

4.3. FORMAS DE TRANSMISIN DEL

CALOR

La experiencia demuestra que el calor producido

por un foco calorfico se propaga por todo el
espacio que lo rodea. Esta transmisin de calor
puede producirse de tres formas:

Conduccin: es el principal medio de

propagacin del calor en un cuerpo slido. Se
realiza por la transferencia de energa cintica de
molculas, es decir, se transmite por el interior
del cuerpo establecindose una circulacin de
calor. La mxima cantidad de calor que puede
atravesar un cuerpo es aquella para la cual se
consigue una temperatura estable en todos los
puntos del cuerpo. En este tipo de transmisin se
debe tener en cuenta la conductividad trmica de
las sustancias (cantidad de calor transmitido por
unidad de tiempo, superficie, gradiente de
temperatura, etc.).

23
 Conveccin: el calor de un slido se transmite
mediante la circulacin de un fluido que lo rodea
y ste lo transporta a otro lugar; a este proceso
se le llama conveccin natural. Si la circulacin
del fluido est provocada por un medio externo se
denomina conveccin forzada.

Radiacin: el calor se transfiere mediante

emisiones electromagnticas que son irradiadas
por cualquier cuerpo cuya temperatura sea
mayor que 0 K. El estado de la superficie influye
en gran medida en la cantidad de calor radiado.
Las superficies mates son ms favorables que las
pulidas y los cuerpos negros son los de mayor
poder de radiacin; por este motivo se efecta un
ennegrecimiento de la superficie radiante. La
transferencia de calor por radiacin no se tiene
en cuenta puesto que a las temperaturas a las
que se trabaja, sta es prcticamente
despreciable.

4.4. CARACTERSTICAS TRMICAS

DE LOS SEMICONDUCTORES

Un semiconductor de potencia montado en un

disipador puede analizarse con analoga a los
circuitos elctricos, de forma que el flujo de
corriente se reemplaza por transferencia de calor
y las impedancias elctricas por resistencias
trmicas. La unidad de transferencia de calor se
mide en J/s o W, y la unidad de resistencia
trmica en C/W. Por lo tanto, si Q es la potencia
trmica que se est disipando en un componente,
en vatios, y dT es la diferencia de temperatura en
el componente de grados centgrados, entonces
la resistencia trmica Rth del componente est
dada por Rth=dT/Q (C/W).

24
Para que un semiconductor disipe la potencia
adecuada, es necesario mantener la temperatura
de la unin por debajo del mximo indicado por el
fabricante.
El paso de la corriente elctrica produce un
aumento de la temperatura de la unin (Tj). Si
sta se quiere mantener a un nivel seguro,
debemos evacuar al exterior la energa calorfica
generada por la unin. Para que se produzca un
flujo de energa calorfica de un punto a otro,
debe existir una diferencia de temperatura. El
calor pasar del punto ms caliente al ms fro,
pero aparecen factores que dificultan este paso,
llamados resistencias trmicas y que vienen a
indicar el grado de dificultad para evacuar el calor
de un dispositivo (C/W).
Por lo tanto, aprovechando la ley de Ohm se
realiza la siguiente comparacin elctrica
mostrada en la figura. En dicho smil, se asemeja
las temperaturas a tensiones, las resistencias
trmicas a las resistencias hmicas y el flujo de
calor o potencia disipada a una corriente
elctrica.

25
Inicialmente, cuando no se tiene elemento
refrigerador, radiador o disipador, Rd en la
figura , la resistencia es R jc + R ca = R ja que nos
dar la mxima potencia que es capaz de disipar
el dispositivo cuando no se coloca ningn
elemento refrigerador. Como Rca es elevada, se
introduce un elemento disipador que reducir la
resistencia final: Rca >> Rcd + Rd.

Al igual que en un circuito elctrico, se puede

decir que:

Tj Ta= P. R ja (1)

ecuacin que corresponde a la formulacin

matemtica de la llamada Ley de Ohm trmica y
donde:
Tj = temperatura de la unin del semiconductor
Ta = temperatura ambiente
Pd = potencia que disipa el dispositivo
Rja = resistencia trmica entre la unin y el
ambiente

De la figura se obtiene la expresin para cuando

existe elemento disipador:

TjTa
Pd= Rjc + Rcd+ Rd (2)

y la expresin para cuando no existe elemento

disipador:

26
 TjTa
Pd= Rjc + Rca (3)

La nomenclatura y el significado de cada uno de

los parmetros que intervendrn de aqu en
adelante para el clculo de disipacin de calor,
potencia disipada, etc., es el que a continuacin
se muestra:

Tjmx: temperatura mxima que puede soportar

la unin del semiconductor sin fundirse Tj:
temperatura alcanzada por la unin del
dispositivo durante su funcionamiento

Rjc = RJC = Rth j-c = Rth j-mb: resistencia

trmica unin - encapsulado

Rcd = RCHS = Rth mb-h: resistencia trmica

encapsulado - disipador
Rd: resistencia trmica disipador - ambiente

Rja = RJA = Rth j-a = resistencia trmica

unin - ambiente Rca: resistencia trmica
encapsulado - ambiente
Rdv: resistencia trmica del disipador, con
ventilador
Pd: potencia que se desea hacer disipar al
dispositivo semiconductor
Wat: potencia mxima que el elemento puede
disipar siendo la temperatura del encapsulado de
25C
Tc: temperatura del encapsulado Td: temperatura
del disipador Ta: temperatura ambiente
F: factor de correccin cuando se utiliza
ventilador

27
 K: factor de correccin para fijar el valor de la Tj,
conocida la Tjmx
CC : Capacidad trmica del encapsulado

El origen de estos datos es muy diverso. Algunos

vendrn dados en tablas y manuales; otros
debern ser establecidos por nosotros mismos; y
otros representan las incgnitas del problema y
se obtendrn de los clculos efectuados.

4.5. RESISTENCIAS TRMICAS

En la figura se muestra la igualdad entre el circuito
equivalente de resistencias trmicas y los
elementos en un montaje real.

28
4.5.1. RESISTENCIA UNIN -
ENCAPSULADO (Rjc)

En este caso el foco calorfico se genera en la

unin del propio cristal semiconductor, de tal
forma que el calor debe pasar desde este punto al
exterior del encapsulado.
Generalmente este dato lo suministra el
fabricante y depender del tipo de encapsulado
del dispositivo. Puede venir dado bien
directamente o bien indirectamente en forma de
curva de reduccin de potencia (potencia mxima
capaz de disipar (prdidas) en funcin de la
temperatura del encapsulado). En la figura se
muestra un ejemplo de este tipo de curva.
Dicha figura muestra la potencia en funcin de la
temperatura del encapsulado. En ella la
pendiente de la recta dada es la resistencia unin
- encapsulado. La frmula que se utiliza para el
clculo de esta resistencia es:

TjmxTc
Rjc Pd (4)

donde normalmente Tc vale 25 C.

29
 Estos
datos
se
obtienen de la curva de reduccin de potencia,
que ser propia de cada dispositivo. Deberemos
de tener en cuenta que Pd es la dada por el
fabricante y no la que disipar el dispositivo en el
circuito.

4.5.2. RESISTENCIA ENCAPSULADO -

DISIPADOR (Rcd)

Es la resistencia trmica entre el semiconductor y

el disipador. Este valor depende del sistema de
fijacin entre el disipador y el componente y del
estado de planitud y paralelismo de las
superficies de contacto, puesto que a nivel
microscpico, solo contactan por unos puntos,

30
quedando huecos de aire que entorpecen la
transmisin del calor.

Tambin depende del tipo de material que se

interponga entre ambas superficies de contacto.
Para mejorar este contacto y/o aislar
elctricamente las dos superficies, se suelen
interponer materiales, entre el encapsulado y el
disipador, que suelen ser de dos tipos:
Pastas conductoras de calor, que pueden ser o
no ser conductoras de la electricidad.

Lminas aislantes elctricas que se pueden

emplear conjuntamente con pastas de siliconas
conductoras de calor como mica, kelafilm, etc.
Tambin las hay conductoras de calor que no
precisan pasta de silicona.

El tipo de contacto entre encapsulado y disipador

puede ser:
Directo (A)
Directo con pasta de silicona (B)
Directo con mica aislante (C)
Directo con mica aislante y pasta de silicona (D)
resultando RB < RA < RD < RC.

El valor de esta resistencia trmica influye

notablemente en el clculo de la superficie y
longitud que debe disponer la aleta que
aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Cuanto
ms baja es Rcd menor ser la longitud y
superficie de la aleta requerida.
Por lo tanto, se puede decir que cuando no sea
necesario aislar el dispositivo, el tipo de contacto
31
 que ms interesa es el directo con pasta de
silicona, ya que da el menor valor de Rcd y si
hubiese que aislar con mica interesa montar mica
y pasta de silicona ya que la Rcd es menor que si
se monta solo con mica. Por ello, se puede
obtener la siguiente conclusin: la mica aumenta
la Rcd mientras que la pasta de silicona la
disminuye y, como se ha dicho, cuanto ms
pequea sea la Rcd menor superficie de aleta
refrigeradora.

4.5.3. RESISTENCIA DEL DISIPADOR (Rd)

Representa la oposicin al paso por conveccin

del flujo calorfico al aire a travs del elemento
disipador. Este dato ser, en la prctica, la
incgnita principal del problema, puesto que
segn el valor que resulte del clculo, as ser el
tipo de aleta que se emplear. Depende de
muchos factores como son la potencia a disipar,
las condiciones de la superficie, la posicin de
montaje y en el caso de disipadores planos
factores como el grosor del material y el tipo de
encapsulado. Para el clculo de la resistencia se
pueden utilizar las siguientes frmulas (segn la
figura de la parte 4.4):

TjTa
Rd= Pd (Rjc Rcd)

TdTa
Rd= Pd

(5)

32
 Rd= Rja-(Rjc +Rcd)

Una vez calculada la Rd se pasa a elegir la aleta

refrigeradora. Para la eleccin de la aleta, habr
que tener en cuenta que el tipo de encapsulado
del dispositivo a refrigerar sea el adecuado para
su montaje en la aleta disipadora que se haya
elegido as como la longitud y superficie
necesaria del disipador.
Despus de cumplir la condicin anterior hay que
calcular la longitud o la superficie del disipador
elegido.
Para ello es
necesario
disponer
de uno de
los dos tipos
de grficas
que ofrecen
los

fabricantes de disipadores: Rd-longitud y Rd-

superficie.
Segn la grfica de que se disponga se obtendr
un valor de longitud o un valor de superficie de
disipador que hay que montar para refrigerar
adecuadamente el dispositivo semiconductor.

33
 En la figura se muestra un ejemplo de posible
disipador as como la curva facilitada por el
fabricante para el clculo de las dimensiones
necesarias de la aleta en funcin del calor que se
desea disipar.

4.5.4. RESISTENCIA UNIN - AMBIENTE

(Rja)

Como su nombre indica es la resistencia que

existe entre la unin del semiconductor y el
ambiente. Con esta resistencia deberemos de
distinguir dos casos, el de resistencia unin-
ambiente con disipador y sin disipador. Cuando se
habla de resistencia unin-ambiente sin disipador,
nos referimos a la resistencia unin-encapsulado
junto con la resistencia encapsulado-ambiente
(figura b):

R ja=R jc + Rca (6)

Dicho valor lo suministra el fabricante en funcin
del tipo de encapsulado.
Cuando se habla de la resistencia unin-ambiente
con disipador se hace referencia a la suma de la
resistencia unin-encapsulado (Rjc), la resistencia

34
 encapsulado-disipador (Rcd) y la resistencia
disipador-ambiente (Rd) (figura a):

R ja=R jc + Rcd + Rd
(7)
Este valor no es conocido ya que vara segn el
tipo de disipador que se utilice. El valor de Rja
depender de los valores de Rd y de Rcd. Como
no es un valor fijo, no existe una tabla de valores
tpicos.

4.6. TEMPERATURAS

Dentro de este apartado se van a estudiar las

temperaturas de la unin, del encapsulado, del
elemento disipador y, por ltimo, la del ambiente.

4.6.1. TEMPERATURA DE LA UNIN (Tj)

La temperatura mxima de la unin representa el

lmite superior de temperatura a la que no se
debe llegar y, por supuesto, no sobrepasar si
queremos evitar la destruccin de la unin o del
dispositivo. Este dato es un valor que se suele

35
 suministrar, normalmente, en los manuales de
los fabricantes de semiconductores.
Si este valor no se refleja en dichos manuales o,
simplemente, no se encuentra, se pueden
adoptar unos valores tpicos en funcin del
dispositivo a refrigerar como los mostrados en la
tabla.

DISPOSIT RANGO DE
IVO
De unin de Entre T100
JMX
C y
germanio
De unin de 125 C
Entre 150 C y
silicio
JFET 200 C150
Entre C y
MOSFET 175 C175
Entre C y
Tiristores 200 C100
Entre C y
Transistores 125 C100
Entre C y
unin de silicio
Diodos 125 C150
Entre C y
Diodos Zener 200 C150
Entre C y
175 C

Se debe distinguir entre la temperatura mxima

de la unin permitida para cada dispositivo y la
temperatura real de la unin a la que se pretende
que trabaje dicho elemento o dispositivo que,
lgicamente, siempre ser menor que la mxima
permitida.

El objetivo del diseador ser mantener la

temperatura de la unin por debajo de la
mxima. Para ello se utiliza un coeficiente de
seguridad, K, cuyo valor dar una temperatura de
la unin comprendida entre el 50 % y el 70 % de
la mxima (K = 05... 07). Se le asigna el valor
segn el margen de seguridad que se desea que
tenga el dispositivo. La temperatura de la unin
que se utilizar en los clculos ser: Tj = K.
Tjmx.

Las condiciones de funcionamiento en funcin de

K sern:

36
 Para valores de K = 05: dispositivo poco
caliente. Mximo margen de seguridad, pero el
tamao de la aleta refrigeradora ser mayor.
Para valores de K = 06: dimensin menor de la
aleta refrigeradora sin que el dispositivo se
caliente demasiado.
Para valores de K = 07: mximo riesgo para el
dispositivo, mxima economa en el tamao de la
aleta refrigeradora. Este coeficiente de seguridad
exige que la aleta se site en el exterior.

4.6.2. TEMPERATURA DEL ENCAPSULADO

(Tc)

Este dato no se suministra en los manuales ya

que depende del valor de la potencia que disipa
el dispositivo, de la resistencia del disipador y de
la temperatura ambiente. Por lo tanto slo se
puede calcular cuando se conozcan todos los
datos reflejados en alguna de las siguientes
expresiones (segn figura de la parte 4.4):

Tc = Pd. (Rcd + Rd) + Ta

Tc = Tj - (Pd .R jc)
(8)

4.6.3. TEMPERATURA DEL DISIPADOR

(Td)

Este valor se obtiene a partir de la potencia

disipada, Pd, de la resistencia trmica del

37
 disipador, Rd, y, finalmente, de la temperatura
ambiente, Ta. Se calcular con cualquiera de
estas expresiones (segn figura de la parte 4.4):

Td = (Pd. Rd) + Ta
Td = Tc - (Pd .R cd)
(9)

La temperatura obtenida ser siempre inferior a

la temperatura del encapsulado aunque ser lo
suficientemente alta en la mayora de los casos
como para no poder tocar el disipador con las
manos.
Esto no es motivo de preocupacin ya que se han
tomado las medidas necesarias como para que la
temperatura de la unin disponga de un margen
de seguridad dentro de los mrgenes ya
explicados.
Puede suceder que la temperatura de la aleta sea
bastante elevada, tanto que si se toca con un
dedo notaramos que quema. Pero en todo
momento la temperatura de la unin estar con
cierto margen dentro de los lmites permitidos. No
obstante, si se quiere disminuir esta temperatura,
slo hay que calcular de nuevo la resistencia
trmica Rd de la aleta, poniendo esta vez 0'5
como factor K, necesario para determinar Tj. Ello
llevar a adoptar una aleta ms grande, pero
tanto la Tc como la Td disminuirn como se
desea.

4.6.4. TEMPERATURA AMBIENTE (Ta)

38
 En la interpretacin de este dato puede haber
alguna confusin ya que se puede tomar su valor
como la temperatura del medio ambiente cuando
en realidad es la temperatura existente en el
entorno donde est ubicado el disipador.

4.7. POTENCIA DISIPADA

La potencia mxima es un dato que nos dar el

fabricante. Este dato es para las mejores
condiciones de funcionamiento del dispositivo, es
decir, para una temperatura del encapsulado de 25
C y un disipador adecuado.

Resumiendo, es importante saber interpretar

adecuadamente los datos suministrados por el
fabricante, de lo contrario pueden aparecer
sorpresas desagradables. La mxima potencia que
puede disipar un semiconductor sin disipador viene
dada por el cociente entre el incremento de la
temperatura y la resistencia trmica unin
ambiente:

TjmxTa
Pdmx= Rja

(10)

Donde Rja es la que nos suministra el fabricante

que no incluye Rd. Cuando se utiliza un disipador, la
resistencia trmica se divide en tres parmetros,
como ya se ha visto: la resistencia entre la unin y
el encapsulado (Rjc), entre el encapsulado y el
disipador (Rcd) y entre el disipador y el ambiente
(Rd):

39
 TjmxTa
Pdmx= Rjc + Rcd+ Rd
(11)

con Rja sd >> Rja cd = Rjc + Rcd + Rd.

4.8. IMPEDANCIA TRMICA

Si se trabaja en rgimen transitorio, por ejemplo en

rgimen de impulsos, el modelo trmico debe ser
modificado para contar con la capacidad trmica
introducida por la unin, el encapsulado, el aislante
y el disipador; ya que la temperatura de la unin
puede sobrepasar los valores que permite calcular
la expresin (segn figura de la parte 4.4)

Tj =Tc+ (Pd. R jc) (12)

Donde Rjc es la resistencia trmica unin-

encapsulado en rgimen estable o permanente
(transcurrido un tiempo suficientemente grande).
Es necesario entonces recurrir al concepto de
impedancia trmica.

Como ya se ha comentado, para estas

aplicaciones, el modelo trmico debe ser
modificado para contar con la capacidad trmica
introducida por la unin, el encapsulado, el
aislante y el disipador. Un modelo trmico que
contempla la operacin pulsatoria es el mostrado

40
en la figura donde
cada componente
lleva asociada su
capacidad
trmica

correspondiente.

La impedancia trmica total de un dispositivo

puede ser modelada combinando dos partes: la
resistencia trmica y la capacidad trmica. La
resistencia trmica cuantifica la capacidad de un
camino dado para la transferencia de calor hacia
el medio ambiente. La capacidad trmica, Ct, es
una medida de la capacidad de acumulacin de
calor, al igual que un condensador acumula carga
elctrica.

Para un elemento estructural dado, Ct depende

del calor especfico, c, del volumen, V y de la

41
 densidad, d, de acuerdo con la expresin Ct = c.
d. V, donde nicamente se considerarel volumen
que se calienta cuando se disipa la potencia.
En el circuito elctrico de la figura que
representa la analoga con el comportamiento
trmico se pueden ver una serie de grupos Rt - Ct
cada uno con su correspondiente constante de
tiempo caracterstica = Rt Ct. El valor de esta
constante de tiempo determina si cada uno de
los grupos Rt - Ct alcanzan el equilibrio rpida o
lentamente. Cada grupo produce un incremento
de temperatura que viene dado por la expresin:

5.DISIPADORES EN LOS BJT DE

POTENCIA
5.1. POTENCIA DISIPADA POR UN BJT

En un BJT se disipa potencia como consecuencia de

un paso de corriente existiendo una cada de
potencial.
Los puntos donde se disipa potencia son las dos
uniones (de emisor y de colector).
PBE = VBEIE (unin emisor)
PCE = VCEIE (unin colector)
Al ser la tensin base-emisor mucho menor que el
colector-emisor, se puede simplificar la potencia
disipada como:
P = VCEIC
La temperatura a la que trabaja el transistor se ve
afectada por el calor que se genera en l cuando

42
 circula una determinada intensidad. Esto influye de
manera significativa en los transistores, ya que la
corriente inversa de saturacin aumenta con la
temperatura, aumentando as la corriente de
colector para la misma intensidad de base (aumenta
).
Existen sistemas para compensar las variaciones
debidas a la temperatura.

5.2. DISIPACIN DE POTENCIA

El fabricante de un transistor de potencia suele

especificar TJmx, la mxima disipacin de potencia a
una temperatura ambiente T A0 (que por lo general
es de 25C), y la resistencia trmica JA

43
5.3. CAJA DE TRANSISTOR Y DISIPADOR
DE CALOR

La resistencia trmica entre unin y ambiente, JA,

se puede expresar como:
JA = JC+CA

Donde JC es la resistencia trmica entre la unin y

la caja del transistor y CA es la resistencia trmica
entre la caja y el medio ambiente. Para un transistor
dado, JC est fijada por el diseo y paquete del
dispositivo. El fabricante intenta disminuir JC
mediante el diseo del encapsulado. Ej.
Encapsulado tipo TO3.

El diseador puede reducir considerablemente CA

por debajo de su valor al aire libre mediante el
uso de disipadores de calor (superficies metlicas
extendidas) y aletas.

44
Donde CS es la resistencia trmica entre la caja
del transistor y el disipador y SA la resistencia
trmica entre el disipador y el ambiente.

La potencia se disipa en las uniones. Veamos un

ejemplo.

Entonces el valor de la potencia total o potencia

disipada lo calcularemos usando esta frmula:

45
 DISIPADORES

6.
SOA (REA DE OPERACIN
SEGURA)

6.1. REA DE FUNCIONAMIENTO

SEGURO, SOA

Los datos proporcionados por la curva de salida

incluida en las hojas de caractersticas
suministradas por el fabricante del dispositivo, en
las que se muestran los valores de la corriente IC
en relacin con la tensin colector-emisor VCE, no
son suficientes para conocer si el transistor BJT se
encuentra trabajando en un punto seguro, sin
sobrepasar los lmites trmicos.
Adems de especificar la mxima disipacin de
potencia a diferentes temperaturas de encapsulado,
los fabricantes de transistores de potencia suelen
indicar una grfica de la frontera del rea de
operacin sin riesgo (SOA, Safe Operation Area) en
el plano Ic - Vce.

46
 Esta curva est definida por aquellos puntos que
cumplen que el producto IC, VCE no sobrepase la
mxima potencia disipable permitida por el
transistor elegido, es decir, definen el rea de
funcionamiento seguro del transistor. En la figura
2.21 adems de la curva para un funcionamiento
continuo del transistor, se encuentran otras curvas
similares, con un rea mayor. Estas curvas indican
el funcionamiento seguro del transistor cuando
trabaja en conmutacin en los tiempos establecidos
por la grfica.
La especificacin de una SOA tpica presenta la
forma que se muestra en la siguiente figura:

En esta curva se pueden observar cuatro reas

claramente diferenciadas:
6.1.1. ZONA 1: LA CORRIENTE MXIMA
PERMISIBLE ICMAX (IC (MX)
CONTINUOUS)
Representa el mximo valor de corriente que puede circular por el
colector para una tensin colector emisor dada. El funcionamiento
del transistor con corrientes mayores puede dar lugar a la ruptura
del mismo.
Si se excede esta
corriente de
manera continua
puede dar como
resultado que se
fundan los

47
 alambres que conectan el dispositivo a los terminales del
encapsulado.

6.1.2. ZONA 2: LA HIPRBOLA DE

MXIMA DISIPACIN DE POTENCIA (DC
OPERATION DISSIPATION LIMITES)

Este tramo indica la mxima disipacin de

potencia del dispositivo. Es la zona en la cual el
producto de IC y VCE proporciona la disipacin
mxima del dispositivo.
Este es el lugar geomtrico de los puntos para los
cuales se cumple que VceIc = Pmax (a TCO).
Para temperaturas TC >TCO se obtendrn un
conjunto de hiprbolas ms bajas. Aun cuando se
pueda permitir que el punto de trabajo se mueva
de modo temporal por encima de la hiprbola, no
debe permitirse que el promedio de disipacin de
potencia exceda de Pmax.
Si esta curva es sobrepasada se producen
sobrecalentamientos y la destruccin del
transistor.

6.1.3. ZONA 3: LMITE DE SEGUNDA

RUPTURA. (IS/B LIMITED)

Es el lmite permitido para evitar la destruccin

del dispositivo por el fenmeno de ruptura o
avalancha secundaria.
La segunda ruptura es un fenmeno que resulta
debido a que la circulacin de corriente por la
unin entre emisor y base no es uniforme.
Ms bien, la densidad de corriente es mayor cerca
de la periferia de la unin. Esta aglomeracin de
corriente da lugar a mayor disipacin de

48
 potencia localizada y por lo tanto a
calentamientos en lugares que reciben el nombre
de puntos calientes. Como el calentamiento
produce un aumento de corriente, puede ocurrir
un gradiente trmico que provoque la destruccin
de la unin semiconductora.

6.1.4. ZONA 4: VOLTAJE DE RUPTURA DE

LA UNIN COLECTOR EMISOR BVCEO

El ltimo tramo es el lmite debido a la tensin de

ruptura primaria del transistor e indica la mxima
tensin que puede soportar el dispositivo en
estado de bloqueo.
Nunca debe permitirse que el valor instantneo
de vce exceda de BVCEO; de otra manera,
ocurrir la ruptura de avalancha de la unin entre
colector y base.
Finalmente, debe mencionarse que por lo general
se utilizan escalas logartmicas para Ic y Vce que
llevan a un lmite de rea de operacin sin riesgo
(SOA) formada por lneas rectas.

49
50
7.CONCLUSIONES
Con el presente trabajo se aclararon dudas sobre el
origen y uso de las celdas voltaicas.

Se conocieron diversos tipos de celdas voltaicas.

Se conocieron el uso y aplicaciones para la carrera de

ingeniera.

Se dieron consejos para su adecuado uso.

Mientras la ciencia avance el estudio de las celdas

voltaicas seguir siendo ms profundo.

8.BIBLIOGRAFA
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_T
ema_3.2.Transistor_potencia.pdf
http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_3.pdf
https://es.wikipedia.org/wiki/%C3%81rea_de_operaci%C3%B
https://es.wikipedia.org/wiki/%C3%81rea_de_operaci
%C3%B3n_segura3n_segura
www.ulpgc.es/hege/almacen/download/35/35563/tema1.ppt

51