TEMA 7.

Clulas solares
Objetivo:
Principio de funcionamiento,
caractersticas, tipos.
Asignaturas:
Dispositivos Fotnicos
(2 de Ing. Telecomunicacin)
Autor: Juan Carlos Campo

Introduccin

Cuerpo negro a 6000K

Irradiancia espectral

AM1
(W/cm2m)

AM1,5

Longitud de onda (m)

Adaptada de S.O. Kasap.
Optoelectronics
Ingenieros de Telecomunicacin. Dispositivos Fotnicos. Universidad de Oviedo (Prentice-Hall)

1
Introduccin
1
AM =
cos()

AM0 1,353kW/m2

AM1 1kW/m2

AM2 0,8kW/m2

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Introduccin

Solarex

Datos en
kW-h/m2/da
peor mes

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2
Principio de funcionamiento
Fotn N+ P

+++++
nodo



Ctodo

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Principio de funcionamiento
Fotn N+ P
+++++

nodo



Ctodo

I
Intensidad de luz
creciente
U

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 Modelos Rs
If
Id Ct Rp
Ud

Rs
If
Id Ct Rp
Ud

Rs
If
Id Ct Rp
Ud

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Curvas caractersticas
I I

qUkT
I = I f I s e 1

U I

If
U

I kT I + I f
U= ln + 1
q Is
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Estructura bsica
0,2m 200-500m

N+ P

+ + + + +

nodo

Ctodo
Dispositivos
Electrnicos Lp Lzt Ln
Z. difusin Z. difusin

Lp = Dp p Z. transicin
Ln = Dn n
2(NA + ND )V0
L Zt =
qNAND
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Prdidas (Si)
Prdidas del
10-20%
6000K
Prdidas AM1 perdido todo
del 30% (25%)
AM1,5

Lmite rendimiento alrededor del 25%

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 Potencia
I qU
P = IU = I f + I s e kT 1 V
Icorto

dP
Pmx =0
dU
P
kT 1 + If IS
UPmx = ln
q 1 + qUPmx kT

U
Pmx
FF =
UPmx Uabierto Vabierto I corto
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Potencia
I
Icorto
Icorto

Carga
ptima

U U

UPmx Uabierto UPmx Uabierto

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Potencia. Variacin con Is
P
I Is creciente
Is creciente

U U

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Variacin con Ia temperatura

qV
I = I f I s e kT 1 Eg
qV
I = I f Me kT e kT 1
Dispositivos
Dispositivos
Electrnicos
Eg

I s ni2 e kT

I P

0C 0C
25C
25C
50C

50C
U U
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Resistencia serie q (U +kTR sI )
Rs I I = I f Is e 1

If
Id
U
Ud kT I + I f
U= ln + 1 R sI
q Is

Rs creciente I Rs creciente

P U
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Clulas en serie
kT I + If 1
Ud1 = ln + 1
If1 I q Is
U = Ud1 + Ud2
U kT I + If 2
Ud1 Ud2 = ln + 1
q Is
If2 Iluminadas
I
igualmente
Ud2

Celda
Total
1y2

P U
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Clulas en serie
Iluminadas
I desigualmente

Celda 2

Total

Celda 1

P U

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Clulas en paralelo
I
If1 I qU
d1 If2 Id2 U I = If1 + If 2 2Is e kT 1

Ud1 Ud2
I Iluminadas
Total Igualmente

Celda 1 y 2

P U

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Tipos
Eg Voc Densidad corr. FF
(Ev) (V) (mA/cm2) (%)
Si, cristal nico 1,1 0,5-0,69 42 0,7-0,8 16-24
Si, policristalino 1,1 0,5 38 0,7-0,8 12-19
Si:Ge:H amorfo 8-10
GaAs, cristal nico 1,42 1,03 27,6 0,85 24-25
AlGaAs/GaAs Tan. 1,03 27,9 0,864 24,8
GaInP/GaAs Tan. 2,5 14 0,86 25-30
CdTe 1,5 0,84 26 0,73 15-16
InP, cristal nico 1,34 0,88 29 0,85 21-22
CuInSe2 1,0 12-13
Adaptada de S.O. Kasap.
Optoelectronics
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Tipos

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Hojas de caractersticas

Panel solar SIEMENS SM10

Panel solar BP SX120

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Aplicaciones

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