Universitatea Tehnic a Moldovei

Facultatea Calculatoare, Informatic i Microelectronic

Departamentul Microelectronic i Bioinginerie
Medical

RAPORT
La Lucrarea de Laborator 3
La disciplina: BAZELE TEHNOLOGICE ALE
MICROELECTRONICII

Tema: Fabricarea jonciunilor p-n prin metoda

difuziei.

A efectuat: st. gr MN-151 Croitor Dorin

__________
A verificat: prof. univ. dr. hab. Viorel
Trofim __________

Chiinu 2017
 Scopul lucrrii : a lua cunotin de metoda difuziei,
folosind impuriti din starea solida, pentru obinerea
jonciunilor p-n i de cercetat parametrii straturilor
difuzionale i ai jonciunii p-n.
Date teoretice: La temperaturi mari, atomii reelei cristaline
vibreaz n jurul nodurilor reelei. Atomii care capt energie suficient
pentru a prsi nodurile reelei devin interstiiali i las n urm cte o
vacan. Cnd un atom de impuritate migreaz spre locul vacanei,
mecanismul poart numele de difuzie prin vacane sau substraional.
Cnd un atom de impuritate se deplaseaz ntre atomii (nodurile) reelei,
dr s ocupe un loc n nod, mecanismul se numete difuzi interstiial. n
cazul siliciului, elementele uzuale de dopare din grupele 3 i 5 difuzeaz
substraional.

Dac N(x,t) este concentraia local de impuriti presupuse a difuza exclusiv n

direcia X, fluxul de impuriti F (atomi de unitatea de arie n unitatea de timp)
este proporional cu gradientul concentraiei de impuriti, adic:

N ( x, t )
F ( x, t ) D ,
x
(1)

relaie care definere constanta de proporionalitate D drept coeficientul de

difuzie al impuritii respective (exprimat n cm 2). Aceast ecuaie de transport
este prima lege a lui Fick. Datorit legii conservrii, variaia n timp a
concentraiei de impuriti trebuie s fie egal cu variaia local a fluxului de
difuzie, adic

N ( x, t ) F ( x, t )

t x

Substituind (1) n aceast ecuaie de continuitate se obine cea de-a doua lege a
lui Fick, sau ecuaia difuziei sub forma unidimensional:

N ( x, t ) N ( x, t )
D
t x x

Dac D este constant, ipotez valabil pentru concentraii mici de impuriti,

ecuaia devine:
 N ( x, t ) 2 N ( x, t )
D
t x x 2
(2)

Coeficientul de difuzie al oricrei impuriti exponenial depinde de temperatur:

E

D D0 e kT

(3),

unde D0 constanta egal numeric cu coeficientul de difuzie la temperaturi

infinit de mari (cm2/s); E energia de activare, care se determin ca o oarecare
energie, necesar impuritii pentru a ptrunde n semiconductor (eV); T
temperatura absolut; k constanta lui Boltzmann.

Ecuaia (2) poate fi rezolvat pentru diferite seturi de condiii iniiale i limit
simple, care corespund ns destul de bine unor situaii practice importante.

Un interes de mare importan practic o au dou cazuri de efectuare a

proceselor de difuzie:

1) difuzia ntr-o surs semiinfinit (constant) de impuriti;

2) difuzia dintr-o surs limitat de impuriti.
Difuzia dintr-o surs semiinfinit se folosete mai des la fabricarea C.I. ca prima
etap a difuziei, care are scopul de a introduce n semiconductor o anumit
cantitate de impuriti la o adncime mic. Aceast etap se numete des
predifuzie sau depunere de impuriti.

dac n timpul procesului de depunere concentraia la suprafa N 0 este

meninut constant, condiiile de limit pentru ecuaia (2) sunt:

Condiia iniial este (4)

unde t timpul procesului (s); N0 concentraia impuritilor la suprafa (cm -3).

Valoarea maxim a concentraiei N 0 la o temperatur anumit poate fi egal cu

solubilitatea solid a aceste impuriti n semiconductorul dat.
fig. 1 Distribuia concentraiei impuritilor n funcie de distan pentru trei valori ale timpului de
difuzie

Fig. 2 Distribuirea concentraiei impuritilor n funcie de adncime (x) pentru trei valori ale
timpului de depunere

a) distribuie erfc (concentraie constant de suprafa);

distribuie Gauss (redistribuirea aceleiai cantiti Q de impuriti).

Soluia ecuaiei (2) cu condiiile (4) este:

unde erfc este funcia complementar de eroare. Parametrul cheie al procesului

este, care poart numele de lungime de difuzie.

Condiiile de limit i iniiale n acest caz pot fi scrise:

Soluia legii II a lui Fick, care satisface condiiile de mai sus, este o curb Gauss,
exprimat de:

iar profilul concentraiei este reprezentat n fig. 2.

Difuzia propriu-zis se face n atmosfer de oxigen. Oxidul format (SiO 2) nltur

vaporizarea impuritilor de pe suprafaa siliciului.

La formarea jonciunilor p-n concentraia acceptorilor (donorilor) pe suprafaa

semiconductorului trebuie s fie mai mare dect concentraia
donorilor(acceptorilor) materialului iniial.

Fig.3. Variaia solubilitii solide maxime cu temperatura.

Concluzie: n lucrarea de laborator nr.2 am studiat procesul de
oxidare termic a siliciului, pe 3 mostre expuse la temperatura de 1000 0
C,scondu-le succesiv din reactor la un interval de 30,45,60 min.
Deoarece am efectuat oxidarea doar la un regim stabilit, nu putem
concluziona influena diferitor parametri asupra procesului de oxidare. Cu
ajutorul metodei culorilor , corodnd oxidantul cu HF(care las urme
circulare pe plachet), am stabilit grosimea stratului de oxidare pentru
fiecare plachet. Comparnd culorile cu datele tabelare am primit
urmatoarele grosimi-la placheta extrasa dup 30 min-2700 , 45 min
-3700 , 60 min 4350 .