UniversidaddeCarabobo

FacultaddeIngeniera
DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
ElectrnicaI
Prof.CsarMartnezReinoso

Gua de Ejercicios

Parte II. Unin PN y Diodos

1. Una unin P-N tiene un dopado de tomos aceptantes de 1017cm-3 en el material tipo
P y un dopado de impurezas donantes de 5*1015cm-3 en el lado N. Los coeficientes
de difusin de huecos y electrones son 13cm2/s y 34cm2/s respectivamente.
Considerar que KT=0,027153eV, Ao=1,74*1033cm-6K-3 para el silicio. Las
longitudes de difusin de electrones y huecos son 10*10-4cm y 15*10-4cm
respectivamente y el rea de la seccin transversal de la unin es de 10-4cm2.
Considerar un ancho de la regin de agotamiento de cada regin de 0,5m.
Determinar:
a. El potencial de la unin en circuito abierto.
b. La corriente total circulante por la regin de carga espacial libre de
portadores para una polarizacin directa de 0,65V.
c. Los grficos de la densidad de carga y campo elctrico a lo largo de la
longitud del material.
d. La densidad de corriente de difusin total en el material para una
polarizacin directa de 0,7V.

2. Una unin P-N de germanio a 300K tiene un dopado de tomos aceptores de

4*1016cm-3 en el material tipo P y un dopado de tomos donores de 6*1015cm-3 en el
lado N. Los coeficientes de difusin de huecos y electrones son 13cm2/s y 34cm2/s
respectivamente. Considerar que Ao=3,53*1032cm-6K-3 para el germanio. Las
longitudes de difusin de electrones y huecos son 10*10-4cm y 15*10-4cm
respectivamente, el rea de la seccin transversal de la unin es de 8*10-4cm2 y las
movilidades de huecos y electrones son 1800cm2/Vs y 3800cm2/Vs
respectivamente. Considerar un ancho de la regin de agotamiento de cada regin
de 0,5m. Determinar:
a. El potencial de la unin en circuito abierto.
b. La corriente inversa de saturacin en el material.
c. La corriente total circulante por la regin de carga espacial libre de
portadores para una polarizacin directa de 0,6V.
d. La densidad de corriente de difusin de portadores minoritarios en el
material tipo N en el borde de la regin de agotamiento y en x=2m para
una polarizacin directa de 0,7V.
e. La corriente de portadores minoritarios en el material tipo P en el borde de la
regin de agotamiento y en x=4m para una polarizacin directa de 0,55V.
f. La resistividad del material entre x=4m en la regin P y x=4m en la regin
N, medidos ambos justo desde la unin de los dos materiales para una
polarizacin directa de 0,7V.
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3. Se tiene una unin PN de silicio a 310K, de seccin transversal 2cm2, dopada con
una concentracin de 1016cm-3 impurezas aceptantes y una concentracin de
4*1015cm-3 impurezas donantes, su constante Ao=1,74*1033cm-6K-3. Las longitudes
de difusin de huecos y electrones en los materiales son 0,3mm y 0,5mm
respectivamente. Los coeficientes de difusin de huecos y electrones son 13cm2/s y
34cm2/s respectivamente. Determinar:
a. La corriente de saturacin inversa en el dispositivo para una polarizacin
directa de 0,65V.
b. La corriente total circulante a travs de la unin, para una polarizacin
directa de 0,7V.
c. La corriente circulante a travs de la unin para una polarizacin directa de
0,6V si la temperatura aumenta a 340K.
d. La tensin de polarizacin directa que debe estar aplicada al dispositivo para
que la corriente circulante a travs de ste sea de 3mA, a la temperatura
inicial.

4. Una unin PN de silicio tiene un dopado de tomos aceptores de 1017cm-3 en el lado

P y un dopado de impurezas donoras de 5*1015cm-3 en el lado N. Los coeficientes
de difusin de electrones y huecos son 30cm2/s y 12cm2/s respectivamente.
Considerar la concentracin intrnseca ni=1010cm-3, las longitudes de difusin de
electrones y huecos son respectivamente 10*10-4cm y 15*10-4cm, el rea de la
seccin transversal de la unin es 10-4cm2. Considerar un ancho de la regin de
agotamiento de cada regin de 0,5m. Determinar:
a. El porcentaje de la corriente de huecos a la corriente total en el material para
una polarizacin directa de 0,7V.
b. Repetir el clculo anterior para la corriente de electrones.
c. La concentracin de huecos en el material tipo N en el borde de la regin de
agotamiento y en x=2m para una polarizacin directa de 0,4V.
d. Para el mismo caso que el apartado anterior, la corriente de difusin de
huecos en el borde de la regin de agotamiento y en x=Lp.

5. En el circuito mostrado en la figura, para todos los dispositivos Vj=0,7V.

Determinar:
a. El estado de cada diodo.
b. La tensin de salida Vo.
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6. En el circuito mostrado en la figura, para todos los dispositivos Vj=0,7V.

Determinar:
a. El estado de cada diodo.
b. La tensin de salida Vo.

7. En el circuito mostrado en la figura, para todos los dispositivos Vj=0,7V.

Determinar:
a. El estado de cada diodo.
b. La tensin de salida Vo.
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8. En el circuito de la figura, para todos los dispositivos Vj=0,7V. Determinar:

a. La corriente circulante a travs de la resistencia R2.
b. La potencia disipada en la resistencia R5.
c. La tensin en R1, con la polaridad indicada en el circuito.
d. La tensin en R4, con la polaridad indicada en el circuito.

9. En el siguiente circuito, para todos los dispositivos Vj=0,7V. Determinar:

a. La tensin de salida Vo.
b. La corriente a travs de la resistencia R2.
c. La corriente a travs de la resistencia R3.

10. En el circuito mostrado, para todos los dispositivos Vj=0,7V. Determinar:

a. La corriente del diodo D1.
b. La corriente del diodo D3.
c. La tensin de la resistencia R4, con la polaridad indicada en el circuito.
d. La tensin de la resistencia R5, con la polaridad indicada en el circuito.
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11. Para el circuito mostrado en la figura, la seal de entrada es una onda senoidal de
12V pico Vi=12Sen(wt). Para todos los dispositivos Vj=0,7V. Determinar:
a. La tensin de salida Vo.
b. La funcin de transferencia Vo/Vi.

12. En el rectificador de media onda mostrado en la figura, la tensin de entrada Vs, es una
seal senoidal de 12V pico y frecuencia 100Hz. Determinar:
a. El grfico de la tensin de salida en la carga RL, con la polaridad indicada en el
circuito.
b. El tiempo de carga del condensador (tc).
c. El tiempo de descarga del condensador (td).
d. El valor DC de la seal de salida (Vdc).
e. El factor de rizado del circuito (fr).
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13. En el rectificador de onda completa mostrado en la figura, la tensin de entrada Vs, es una
seal senoidal de 10V pico y frecuencia 100Hz. Determinar:
a. El grfico de la tensin de salida en la carga RL, con la polaridad indicada en el
circuito.
b. El tiempo de carga del condensador (tc).
c. El tiempo de descarga del condensador (td).
d. El valor DC de la seal de salida (Vdc).
e. El factor de rizado del circuito (fr).

14. Para el circuito de la siguiente figura, la tensin de entrada es una seal senoidal de
10V pico, Vs=10Sen(wt), determinar analtica y grficamente la tensin de salida
Vo. Nota: Asumir el modelo aproximado para todos los diodos con Vj=0,7V.
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15. Para el circuito de la figura la tensin de entrada Vs es una seal senoidal de 9V

pico. Asumir el modelo aproximado para todos los diodos con Vj=0,7V.
Determinar:
a. El grfico de la tensin de salida Vo.
b. El grfico de la corriente circulante a travs del diodo D1.

16. Para el circuito mostrado, considerar el modelo aproximado para ambos diodos, con
Vj=0,7V. La seal de entrada Vs es una onda senoidal de 15V pico, Vs=15Sen(wt).
Determinar la tensin de salida Vo.

17. Para el circuito de la siguiente figura, la tensin de entrada Vs es una seal alterna
cuadrada de 12V. El diodo zener DZ3 posee un voltaje zener de 4,3V. Considerar
el modelo aproximado para los diodos D1 y D2, con Vj=0,7V. Determinar el grfico
de la tensin de salida Vo.
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18. El circuito que se muestra a continuacin, presenta un motor (RL) que puede variar
su velocidad. Cuando el motor presenta su mnima velocidad, pasa a travs de ste
una corriente de 10mA y cuando presenta su mxima velocidad, a travs del mismo,
pasa una corriente de 50mA. La tensin de entrada puede variar entre Vs=10V y
Vs=15V, la carga posee una tensin nominal de VL=5V. El diodo zener
seleccionado para realizar la regulacin debe poseer una corriente mnima
Izmn=5mA. Determinar:
a. Caractersticas de la resistencia limitadora Ri.
b. Caractersticas del diodo zener Dz.

19. El circuito que se muestra a continuacin, presenta una lmpara (RL) que puede
variar su luminosidad. Cuando la lmpara presenta su mnima luminosidad, pasa a
travs de sta una corriente de 10mA y cuando presenta su mxima intensidad, a
travs de la misma, pasa una corriente de 50mA. La tensin de entrada es constante
Vs=20V y la carga posee una tensin nominal de VL=12V. El diodo zener
seleccionado para realizar la regulacin debe poseer una corriente mnima
Izmn=5mA. Determinar:
a. Caractersticas de la resistencia limitadora Ri.
b. Caractersticas del diodo zener Dz.
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20. Se desea disear un circuito que para una seal de entrada senoidal de 12V pico,
Vs=12Sen(wt), genere a su salida una seal de salida (Vo) como la que se muestra
en el grfico. Asumir el modelo aproximado para el o los diodos a utilizados en el
diseo, con Vj=0,7V.

Vs
7,3V

Vo

21. Se desea disear un circuito que para una seal de entrada senoidal de 10V pico,
Vs=10Sen(wt), genere a su salida una seal de salida (Vo) como la que se muestra
en el grfico. Asumir el modelo aproximado para el o los diodos a utilizados en el
diseo, con Vj=0,7V.

Vs

5.3V
Vo
9.3V
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22. En el siguiente circuito, Vs es una fuente de voltaje DC variable de 0-5V y de 0-

250mA. La curva caracterstica del diodo es la que se muestra a continuacin.
Determinar:
a. La tensin de salida Vo, cuando la tensin en el dispositivo es de 0,96V.
b. La tensin de salida Vo, cuando la corriente a travs del dispositivo es de
140mA.
c. La mxima tensin de salida Vo que se puede obtener, proporcionada por la
fuente de tensin Vs.