DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte

1. Curentul de drena (ID) la tranzistorul MOS depinde :

(a) de toate tensiunile tranzistorului VGS,, VDS, VBS ; (b) numai de tensiunea VGS; (c)
numai de tensiunea VDS; (d) numai de tensiunea VBS; (e) de niciuna din tensiunile
tranzistorului; (f) de curentul de substrat

2. Tensiunea de prag a tranzistorului MOS :

(a) este limita intre blocare si conductie; (b) marcheaza intrarea in saturatie; (c)
marcheaza iesirea din saturatie; (d) este tensiunea de strapungere a jonctiunii drena -
substrat; (e) este tensiunea de strapungere a jonctiunii sursa-substrat; (f) este tensiunea
de strapungere a oxidului de poarta.

3. Antrenarea( inducerea ) canalului la tranzitorul MOS se realizeaza:

(a) prin polarizarea drenei cu VDS= VT ; (b) prin polarizarea portii cu VGS= VT; (c) prin
modificarea temperaturii; (d) prin reducerea curentului de drena ; (e) prin strapungerea
oxidului; (f) prin .cresterea curentului de drena.

4. Tranzitorul MOS functioneaza si cu doua porti de comanda care sunt :

(a) G si S ; (b) G si D; (c) G si B; (d) B si S ; (e) D si S; (f) B si D.

5. Curentul de poarta ( iG ) la tranzistorul MOS: (a) este neglijabil datorita oxidului dielectric;
(b) depinde de toate tensiunile tranzitorului ; (c) depinde semnificativ de VDS; (d) depinde
semnificativ de VBS; (e) depinde de ID ;(f) depinde de curentul de substrat.

6. La tranzistorul MOS:
(a) poarta (grila) este electrodul de comanda; (b) drena este electrodul de comanda; (c)
sursa este electrodul de comanda; (d) substratul (B) este dispus pe oxid; (e) substratul
este intotdeauna conectat la sursa; (f) substratul este intotdeauna conectat la drena.

7. In zona activa ( de saturatie ) curentul de drena (ID) la tranzistorul MOS variaza : (a)
liniar cu VGS si parabolic cu VDS; (b) exponential atat cu VGS cat si cu VDS ; (c) liniar cu
VGS si cu VDS; (d) exponential cu VGS si parabolic cu VDS; (e) liniar cu VGS si exponential
cu VDS; (f) liniar cu VDS si parabolic cu VGS.

8. Dintre parametri dinamici ai tranzistorului MOS fac parte marimile notate cu : (a) gm si
rds; (b) id; (c) vgs; (d) vds; (e) ID; (f) VT .

9. Dintre parametri statici ai tranzistorului MOS fac parte marimile notate cu : (a) gm si rds;
(b) ID; (c) VGS; (d) VDS; (e) VBS; (f) VT si kn .

10. Amplificatorul CASCOD cu tranzistoare MOS este compus din: (a) doua etaje in
succesiunea GC , SC ; (b) doua etaje in succesiunea SC , GC; (c) doua etaje in
succesiunea SC , DC ; (d) doua etaje in succesiunea GC , DC; (e) un etaj SC; (f) un
etaj GC;

11. Care din urmatoarele afirmatii legate de factorul geometric al tranzistorului MOS este
falsa : (a) se noteaza cu W/L; (b) se numeste si factor de aspect;(c) factorul de curent
Nume student: 1

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
(kn(p)) este direct proportional cu factorul geometric; (d) diferentiaza tranzistoarele nMOS
( sau p MOS) fabricate in aceiasi tehnologie; (e) se noteaza cu L/W ; (f) afecteaza
curentul de iesire al oglinzii de curent cu tranzistoare MOS.

12. Circuitul amplificator din fig.1a este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
kn ( p ) = 50 A / V 2 si n ( p ) = 0.01V 1 . Daca I D = 100 A , castigul in tensiune este: (a) Av =
100; (b) Av = -100; (c) Av = 200; (d) Av = - 200 ; (e) Av = 50; (f) Av = - 50

13. Circuitul amplificator din fig.1b este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
kn ( p ) = 50 A / V 2 si n ( p ) = 0.01V 1 . Daca I D = 100 A , castigul in tensiune este: (a) Av =
200; (b) Av = -100; (c) Av = 400; (d) Av = -400 ; (e) Av = 150; (f) Av = -50.

14. Etajul amplificator din fig.1c este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
k n( p ) = 100 A / V 2 si n ( p ) = 0.01V 1 . Daca I D = 200 A , castigul in tensiune este: (a) Av =
200; (b) Av = -100; (c) Av = 400; (d) Av = -400 ; (e) Av = 150; (f) Av = -50.

15. Etajul amplificator din fig.1b este echipat cu tranzistoare MOS avand : n ( p ) = 0.01V 1 .
Daca I D = 200 A , rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M ; (b) Ro = 2 M ; (c) Ro = 0,5M ;
(d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f) Ro = 100k .

16. Circuitul amplificator din fig.1c este echipat cu tranzistoare MOS avand: n ( p ) = 0.01V 1 .
Daca I D = 25 A , rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M ; (b) Ro = 2 M ; (c) Ro = 0,5M ;
(d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f) Ro = 100k .

17. Circuitul amplificator din fig.1d este echipat cu tranzistoare MOS avand: k n( p ) = 100 A / V 2 si
n ( p ) = 0.01V 1 Daca I D = 200 A , rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M ; (b) Ro = 2 M ;
(c) Ro = 0,5M ; (d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f) RO 10k .

18. Etajul amplificator din fig.1d este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametrii:
kn ( p ) = 50 A / V 2 si n ( p ) = 0.01V 1 . Daca I D = 100 A , castigul in tensiune este: (a) Av =
200; (b) Av = -100; (c) Av = 400; (d) Av = -400 ; (e) Av = 1; (f) Av -1.

19. Circuitul din fig. 1c este:

(a) un etaj de amplificare SC; (b) un etaj de amplificare GC; (c) o oglinda de curent; (d)
un etaj diferential; (e) un etaj de amplificare DC;(f) un amplificator cascod

20. Circuitul amplificator din fig.1a este echipat cu tranzistoare MOS avand: n ( p ) = 0.01V 1 .
Daca I D = 100 A , rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M ; (b) Ro = 2 M ; (c)
Ro = 0,5M ; (d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f) Ro = 100k ;
21. Circuitul din fig. 1a este echipat cu tranzistoare MOS cu : kn ( p ) = 50 A / V 2 . Daca
I D = 400 A , rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 k ; (b) Ri = 0 ,01k ; (c) Ri = 0 ,1k ; (d) Ri = ;
(e) Ri = 10 k ; (f) Ri = 100 k .

Nume student: 2

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
22. Circuitul din fig. 1b este echipat cu tranzistoare MOS cu : kn ( p ) = 50 A / V 2 . Daca
I D = 400 A , rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 k ; (b) Ri = 0 ,01k ; (c) Ri = 0 ,1k ; (d) Ri = ;
(e) Ri = 10 k ; (f) Ri = 100 k .

23. Circuitul din fig. 1d este echipat cu tranzistoare MOS cu : kn ( p ) = 50 A / V 2 . Daca

I D = 400 A , rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 k ; (b) Ri = 0 ,01k ; (c) Ri = 0 ,1k ; (d) Ri = ;
(e) Ri = 10 k ; (f) Ri = 100 k .

Fig. 1

24. In schema din fig.2 VDD = 2VGS2 = 3V si R = 10k ; Curentul de referinta are valoarea:
(a) I R = 100 A ; (b) I R = 200 A (c) I R = 300 A ; (d) I R = 400 A ; (e) I R = 150 A ; (f)
I R = 50 A ;

25. Sursa de curent din fig. 2 are I R = 400 A . Daca Q1 are factorul geometric de doua ori
mai mic in comparatie cu Q2 curentul de iesire are valoarea (se neglijeaza efectul
scurtarii canalului pentru ambele tranzistoare): (a) I 0 = 100 A ; (b) I 0 = 200 A (c)
I 0 = 300 A ; (d) I 0 = 400 A ; (e) I 0 = 150 A ; (f) I 0 = 50 A ;

26. Tranzistorul Q1 din circuitul fig.2 are n = 0.01V 1 . Daca I 0 = 200 A , rezistenta de iesire
este: (a) Ro = 1M ; (b) Ro = 2 M ; (c) Ro = 0,5M ; (d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f)
Ro = 100k ;

27. Tranzistoarele MOS din circuitul din fig.2 sunt identice si au : n = 0.01V 1 . Daca
I R = 200 A si V= 10 V (tensiunea de iesire) , curentul de iesire este : (a) I 0 = 205 A ; (b)
I 0 = 200 A (c) I 0 = 210 A ; (d) I 0 = 220 A ; (e) I 0 = 225 A ; (f) I 0 = 215 A ;

Nume student: 3

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
28. Tensiunea de iesire minima pana la care oglinda de curent din fig.2 functioneaza corect
este : (a) V=VGS1 ; (b) V=VGS1 VT ; (c) V=VGS2 ; (d) V=VDD ; (e) V=VDS2 ; (f) V=0 .

Fig.2

29. In circuitul din fig. 2 currentul de iesire este: I 0 = 200 A pentru V DD = 3V si R = 10k . Se
inlocuieste tranzistorul Q2 cu o dioda Zener. Tensiunea diodei Zener pentru care
curentul de iesire ramane neschimbat este: (a) VZ = 1V; (b) VZ = 1,5V; (c) VZ = 2,5V; (d)
VZ = 2V; (e) VZ = 1,2V; (f) VZ = 3V.

30. In circuitul din fig. 2 curentul de iesire este I 0 = 200 A iar Q2 are un factor geometric de 4
ori mai mic decat Q1. Se inlocuieste grupul V DD , R cu o sursa de current ideala. Curentul
acestei surse pentru care curentul de iesire ramane neschimbat are valoarea (se
neglijeaza efectul scurtarii canalului pentru ambele tranzistoare): (a) I D = 100A ; (b)
I D = 50 A ; (c) I D = 200 A ; (d) I D = 400 A ; (e) I D = 800 A ; (f) I D = 20 A .

31. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu tranzistor MOS avand: k p = 50 A / V 2 , p = 0 .
Daca I D = 100 A si R = 100k castigul in tensiune este: (a) Av = 100; (b) Av = -100;

(c) Av = 10; (d) Av = -10 ; (e) Av = 150; (f) Av = -50.

Fig. 3

32. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu tranzistor MOS avand: p = 0 . Daca
R = 100 k rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M ; (b) Ro = 2 M ; (c) Ro = 0,5M ; (d)
Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f) RO = 100 k .

Nume student: 4

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
33. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu un tranzistor MOS avand: k p = 100 A / V 2 ,
p = 0 . Daca I D = 50 A rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 k ; (b) Ri = 200 k ; (c)
Ri = 25k ; (d) Ri = 1k ; (e) Ri = 10k ; (f) Ri = 100 k .

34. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii:
kn ( p ) = 50 A / V 2 si n = 0, p = 0,01V 1 . Daca I D = 400 A , castigul in tensiune este: (a) Av
= 200; (b) Av = -100; (c) Av = 5; (d) Av = -5 ; (e) Av = 50; (f) Av = -50.

35. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu : kn ( p ) = 50 A / V 2 . Daca
I D = 400 A ,rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 k ; (b) Ri = 0 ,01k ; (c) Ri = 0 ,1k ; (d) Ri = ;
(e) Ri = 10 k ; (f) Ri = 100 k .

36. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii:
n = 0, p = 0,01V 1 . Daca I D = 400 A , rezistenta de iesire este: (a) RO = 25k ; (b)
Ro = 2 M ; (c) Ro = 0,5M ; (d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f) Ro = 1M .

Fig. 4

37. Circuitul cascod din fig.4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii:
2 1
kn ( p ) = 50 A / V si n = 0, p = 0,01V . Daca I D = 400 A , castigul in tensiune al primului
etaj este: (a) Av1 = 1; (b) Av1 = -1; (c) Av1 = 100; (d) Av1 = -100 ; (e) Av1 = 50; (f) Av1 = -5.

38. Circuitul cascod din fig.4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametri:
kn ( p ) = 50 A / V 2 si n = 0, p = 0,01V 1 . Daca I D = 100 A , castigul in tensiune al etajului
grila-comuna este: (a) Av2 = 1; (b) Av2 = -1; (c) Av2 = 100; (d) Av2 = -100 ; (e) Av1 = 50; (f)
Av1 = -5.

39. In circuitul din fig. 4, tranzistoarele care amplifica sunt: (a) numai Q1; (b) Q2 si Q3; (c)
numai Q3; (d) Q1si Q2; (e) Q1, Q2 si Q3; (f) Q1 si Q3.

Nume student: 5

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
40. Un tranzistor MOS are drena conectata la poarta. Daca I D = 25 A , k n = 50 A / V 2 si
n = 0,02V 1 rezistenta dinamica echivalenta intre drena si sursa (r) este: (a) r = 10k ; (b)
r = 100 k ; (c) r = 20k ; (d) r = 10 M ; (e) r = 4 M ; (f) r = 1M .

41. Un tranzistor MOS are sursa legata la poarta. I D = 25 A , k n = 50 A / V 2 si n = 0,02V 1

rezistenta dinamica echivalenta intre drena si sursa (r) este: (a) r = 10 k ; (b) r = 100 k ; (c)
r = 2 M ; (d) r = 10 M ; (e) r = 4 M ; (f) r = 1M .

42. Rezistenta dinamica a diodei realizate cu un tranzistor MOS ce are G legat la D este:
1 1 1 gm g ds g ds
(a) ; (b) ; (c) ; (d) 2
; (e) 2
; (f) .
gm g m + g ds g ds ( g m + g ds ) ( g m + g ds ) (gm )2

43. Rezistenta dinamica a diodei realizate cu un tranzistor MOS ce are G legat la S este:
1 1 1 gm g ds g ds
(a) ; (b) ; (c) ; (d) 2
; (e) 2
; (f) .
gm g m + g ds g ds ( g m + g ds ) ( g m + g ds ) (gm )2

44. Conditia de semnal mic pentru tranzistorul MOS este: (a) v gs << VGS VT ; (b) v gs << VGS ;
(c) v gs << VT ; (d) v gs < VGS VT ; (e) v gs >> VGS VT ; (f) v gs > VGS VT .

45. Circuitul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
k n = 50 A / V 2 , n = 0.01V 1 . Daca I D = 100 A castigul in tensiune este: (a) Av 1;
(b) Av - 1; (c) Av = 10; (d) Av = -10 ; (e) Av = 0,1; (f) Av = -0,1.

Fig. 5

46. Etajul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
k n = 50 A / V 2 , n = 0.01V 1 . Daca I D = 100 A rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M ;
(b) Ro = 2 M ; (c) Ro = 0,5M ; (d) Ro = 0, 25M ; (e) Ro = 4 M ; (f) RO 10k .

47. Circuitul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
k n = 50 A / V 2 , n = 0.01V 1 . Daca I D = 500 A rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50k ;
(b) Ri = ; (c) Ri = 0,1k ; (d) Ri = 1k ; (e) Ri = 10k ; (f) Ri = 100 k .
Nume student: 6

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte

48. Care din amplificatoarele echipate cu transistor MOS au rezistenta de intrare la semnal
mic si frecvente joase, finita: (a) etajul SC; (b) etajul GC; (c) etajul DC; (d) amplificatorul
cascod; (e) etajul SC si amplificatorul cascod; (f) etajul DC si amplificatorul cascod.

49. Un transistor nMOS este blocat daca: (a) VT < VGS ; (b) VT >VGS; (c) VT < VDS;
(d) VT > VDS; (e) pentru orice VGS ; (f) VDS > 0.

50. Un transistor nMOS este conductie daca: (a) VT < VGS ; (b) VT >VGS; (c) VGS < 0;
(d) pentru orice VGS ; (e) VGS =0; (f) VDS = 0.

Nume student: 7

Punctaj: