Indrumator Laborator

9. MODELAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE SI

SIMULAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE

1. Obiective

Scopul lucrarii este de a defini modelul Pspice utilizat in simularea circuitelor cu

tranzistoare bipolare. Vor fi puse in evidenta caracteristicile modelului tranzistorului bipolar
si se vor trasa principalele curbe de functionare.

2. Suport teoretic

In orice circuit Pspice, prezenta unui tranzistor bipolar este specificata in fisierul
de intrare prin litera Q urmata de un identificator unic. Urmatoarea parte a declaratiei unui
tranzistor bipolar (TB) este instructiunea .MODEL, prin care se specifica tipul modelului de
TB folosit.

2.1 Modelul de semnal mare

Modelul de semnal mare al TB este prezentat in figura urmatoare:

Baza Rb Colector
Rc

+ Ib Ic +

- -
Vbe Vce

Re

Emitor
Unde curentii pot fi exprimati ca mai jos:
Lucrarea 8 Modelarea diodelor si simularea circuitelor cu diode in PSPICE
I S vBE / vT
iB e
F
V
iC I S e vBE / vT 1 CE
V AF

unde:
Is curentul de saturatie
F castigul in curent in polarizare directa
VT tensiunea termica
VAF tensiunea Early
Curentul IS si F sunt parametri constructivi ai TB, spre deosebire de VT, care depinde de
temperatura dispozitivului si de alte doua constante:
kT
VT
q

Unde k este constanta lui Boltzmann (1.381x10 -23 VC/K), T este temperatura absoluta
(grade K) si q este sarcina electronului (1.602x10-19). In mod uzual VT se aproximeaza la
25mV la temperatura camerei (290K). Pspice nu foloseste aceasta aproximare ci calculeaza
VT in functie de valorile exacte ale celor trei parametri ce o compun.

2.2 Modelul de semnal mic

In conditii de semnal mic, Pspice foloseste circuitul de modelare prezentat in figura 2.1.
Ecuatiile care descriu comportarea acestui model sunt cele de mai jos:
Indrumator Laborator
Transconductanta este:

iC iC iB IC
gm
vBE OP
vBC OP
vBC OP
VT

1
iB VT
ri
vBE IB
OP
1
iC i VAF
ro B
vBC vRC IC
OP OP
Rezistentele de intrare si de iesire sunt:
Parametri modelului de semnal mic sunt calculati in general, inainte de fiecare analiza
deoarece influenteaza direct comportarea TB in majoritatea circuitelor. Atunci cand se
specifica o analiza tip punct de functionare (.OP), acesti parametri sunt listati in fisierul de
iesire.

Modelele tranzistoarelor au fost create n principal pn la sfritul anilor 70.Dei se

bazeaz pe modelele fizice, modelele utilizate pentru analiza circuitelor electronice s-au
dezvoltat pe direcia utilizrii de parametrii electrici uor msurabili.Unii dintre aceti
parametrii ajung s se ndeprteze de realitatea fizic, pe care o modeleaz, n schimb,
destul de satisfctor. Exemplu n acest sens este tensiunea Early care modeleaz variaia
grosimii bazei n funcie de tensiunea aplicat pe jonciunea colectorului.Modelul BJT
(bipolar junction tranzistor- tranzistor bipolar ) cruia i se aplic analizele urmtoare este
modelul Pspice standard din figura urmtoare:
Lucrarea 8 Modelarea diodelor si simularea circuitelor cu diode in PSPICE
C o lle c t o r

Q w I1
0Adc

Q o
Ib c 1 /B R C is

Base C jc
1
1k
2
Ib c 2 I1
S u b s tra te
R b Ib e 2 (Ib e -Ib c 1 )/K q b ( L P N P o n ly )
C je

Ib e 1 /B F

Ib c 1 /B R

Q o R E

S u b s tra te
( L P N P o n ly )

E m it t e r

3. Desfasurara lucrarii

3. 1 Modelarea tranzistoarelor bipolare cu Pspice Model Editor

Analog lucrarii 8, trebuie lansat modulul Pspice Model Editor al programului OrCAD.
Din meniul principal se selecteaza File->New si se creaza astfel o noua biblioteca de
modele. Din meniu, se selecteaza Model->New si se specifica tipul modelului nou creat
(Bipolar Transistor NPN), precum si numele noului model (de ex. Bipolar1).
Una din optiunile de modelare este cea prin care se introduc sub forma de tabel
caracteristicile:
Indrumator Laborator

Se va observa modificarea curbei in functie de valorile tensiunilor si curentilor introdusi.

Lucrarea 8 Modelarea diodelor si simularea circuitelor cu diode in PSPICE

Din meniul principal, se selecteaza File->Save si se salveaza biblioteca creata cu modelul

dioda1.

Se da tranzistorul bipolar BC107 din figura de mai jos:

Indrumator Laborator
Lucrarea 8 Modelarea diodelor si simularea circuitelor cu diode in PSPICE
Indrumator Laborator

3.2 Modelarea tranzistorului

Urmarind consideratiile teoretice se va modela tranzistorul prin caracteristicile specificate

si se vor nota parametri de extractie Pspice.

3.3 TB in conexiune emitor-comun

Se considera amplificatorul cu TB in conexiune emitor-comun din figura urmatoare:

Lucrarea 8 Modelarea diodelor si simularea circuitelor cu diode in PSPICE
VC C

R 1
3k
O ut
Q 1
R b

VC C
Vi 100k
Q 2N 2222
1m V
V1
0 10V
Vb
3V

0
0

Se va determina apoi o analiza de punct static de functionare in care se va calcula si functia

de transfer, pentru a determina castigul in tensiune:

Pentru acest tip de conexiune, castigul in tensiune se poate defini ca:

Vo ri
AU g m RC
Vi ro RB
Indrumator Laborator
In urma analizei se obtin urmatorii parametri in fisierul de iesire:

**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS

NAME Q_Q1
MODEL Q2N2222
IB 2.32E-05
IC 3.29E-03
VBE 6.77E-01
VBC 5.38E-01
VCE 1.39E-01
BETADC 1.41E+02
GM 1.26E-01
RPI 1.39E+03
RX 1.00E+01
RO 1.41E+03
CBE 8.92E-11
CBC 4.24E-11
CJS 0.00E+00
BETAAC 1.74E+02
CBX/CBX2 0.00E+00
FT/T2 1.52E+08

**** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

V(2)/V_Vi = -8.405E-02

INPUT RESISTANCE AT V_Vi = 1.001E+05

OUTPUT RESISTANCE AT V(2) = 5.741E+01

3.4 Analiza sensibilitatii de semnal mic

Circuitele de polarizare (retele rezistive) sunt utilizate in proiectarea

amplificatoarelor cu TB pentru a stabili un punct de functionare precis al TB. Tocmai de
aceea, pentru a avea o functionare constanta, este necesar ca sa avem un curent relativ
constant in cursul functionarii. Acest deziderat este realizat de retelele de polarizare. Pentru
Lucrarea 8 Modelarea diodelor si simularea circuitelor cu diode in PSPICE
circuitul din figura urmatoare se vor calcula sensibilitatea de semnal mic la variatia
parametrilor componentelor.
Sursa de tensiune zero, Vemitor, este folosita numa ca artificiu de masurare a
curentului prin emitor. In urma analizei de sensibilitate, pentru care se va specifica variabila
de iesire I(Vemitor) se obtin urmatoarele rezultate in fisierul de iesire:

DC SENSITIVITIES OF OUTPUT I(V_Vemitor)

ELEMENT ELEMENT ELEMENT NORMALIZED

NAME VALUE SENSITIVITY SENSITIVITY
(AMPS/UNIT) (AMPS/PERCENT)

R_R1 8.000E+04 -9.727E-09 -7.782E-06

R_R2 4.000E+04 1.827E-08 7.309E-06
R_Rc 4.000E+03 -6.110E-10 -2.444E-08
R_Re 3.300E+03 -2.771E-07 -9.144E-06
V_Vemitor 0.000E+00 -2.865E-04 0.000E+00
V_V1 1.200E+01 9.594E-05 1.151E-05
Q_Q1
RB 1.000E+01 -1.773E-09 -1.773E-10
RC 1.000E+00 -6.110E-10 -6.110E-12
RE 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
BF 2.559E+02 1.053E-07 2.695E-07
ISE 1.434E-14 -1.395E+09 -2.001E-07
BR 6.092E+00 -2.946E-15 -1.795E-16
ISC 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
IS 1.434E-14 1.584E+09 2.272E-07
NE 1.307E+00 2.913E-04 3.808E-06
NC 2.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
IKF 2.847E-01 5.546E-07 1.579E-09
IKR 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
VAF 7.403E+01 -3.712E-08 -2.748E-08
VAR 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00

Astfel daca RE se modifica, in procente cu 10% valoarea curentului de emitor se va

modifica dupa urmatoarea relatie:
I E
I E RE / R E %
RE / RE %
Valoarea exacta pentru 10% este IE=91.4A
Indrumator Laborator
3.5 Amplificatorul emitor-comun

Se va studia amplificatorul din figura urmatoare:

VC C

R c
4k C 4 VC C Vee
O U T
R 3 Q 1
C 3 1G
V1 V2
R 1 12V -1 0 V
1G
Q 2N 2222 10k
10k C 5
V3
10m V R 2
0Vdc 100k V4
1G
0Vdc
R e 0 0
3 .3 k
0 0
Vee 0 0

10mV

0V

SEL>>
-10mV
V(V5:+)
400mV

0V

-400mV
5.0ms 5.5ms 6.0ms 6.5ms 7.0ms 7.5ms 8.0ms
V(OUT)
Time

3.6 Modelarea grosimii bazei.

Grosimea regiunii cvasineutre a bazei sau, pe scurt, grosimea bazei, este dependent de
tensiunile aplicate tranzistorului bipolar, prin modificarea limii regiunilor de sarcina
spatiala a celor dou jonciuni. Efectul de modulare a grosimii bazei se poate studia n
dou cazuri :
Lucrarea 8 Modelarea diodelor si simularea circuitelor cu diode in PSPICE

Modificarea grosimii bazei datorit tensiunii VBC pentru VBE constant - efect
Early
Modificarea grosimii bazei datorit tensiunii VBE pentru VBC constant efect Late.

Pentru a vizualiza efectul Early se va simula circuitul de mai jos :

VC C

R 1
10
VC C Vbe

R 2 Q 1
Vce Vbe
Vbe I 15V 5V

Q 2N 2222
100k

0 0
0

Pentru a obine caracteristica Ic=f(Vce) se va efectua o analiz DCSweep prin baleierea

sursei Vce, ca mai jos:
Indrumator Laborator
10mA

5mA

0A

-5mA
-10V -5V 0V 5V 10V 15V 20V
IC(Q1)
V_Vce

Pentru a observa efectul modulrii lrgimii benzii (Early) se va face o analiz parametric
dup parametrul ce moduleaz tensiunea Early (VAF):

Se vor obine urmtoarele forme de und :

 30mA
Lucrarea 8 Modelarea diodelor si simularea circuitelor cu diode in PSPICE

20mA

10mA

0A

-10mA
-10V -5V 0V 5V 10V 15V 20V
IC(Q1)
V_Vce

Consecina esenial a efectului Early asupra caracteristicilor statice ale tranzistorului

bipolar in regim activ normal este conductan de ieire nenul.

20mA
Pentru variaia suplimentar a VBE se va obine forma de und de mai jos

15mA

10mA

5mA

0A
0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V
IC(Q1)
V_Vce
Indrumator Laborator
3.7 Dependena de temperatur.

Aa cum s-a evideniat n prezentarea modelului n lucrarea precedent, unul dintre factorii
cei mai importani care influeneaz rezultatul ecuatiilor de funcionare este temperatura.
Pentru a pune n eviden acest fenomen, utiliznd circuitul anterior, se va determina o
analiz n temperaturi ca mai jos:

Se vor obine formele de und de mai jos, pentru curentul de colector:

20mA

15mA

10mA

5mA

0A
0V 4V 8V 12V 16V 20V
IC(Q1)
V_Vce

3.8 Efectul sarcinilor stocate.

Modelarea sarcinilor stocate n tranzistorul bipolar reprezint calea cea mai corect de
descriere a funcionrii n regim dinamic. n acest scop, modelele de curent continuu se
Lucrarea 8 Modelarea diodelor si simularea circuitelor cu diode in PSPICE
completeaz cu trei capaciti: Cjc , Cje si Cjs, -capaciti ale jonciunii emitor, colector i
substrat (acolo unde este cazul).
Pentru a pune n eviden efectul acestor capaciti se va simula circuitul de mai jos :
VC C

R 1
1k
VC C Vbe

R 2 Q 1
Vce V1 = 0 V1
Vbe V 15V V2 = 10
TD = 0
Q 2N 2222 T R = 0 .0 1 n
1 0Vk T F = 0 .0 1 n
PW = 5u
PER = 10u
0 0
0

Dup efectuarea analizei n domeniul timp se vor obine urmtoarele forme de und:
20V

10V

SEL>>
0V
V(Q1:c)
10V

5V

0V
0s 5us 10us 15us 20us 25us 30us
V(Vbe)
Time

Se va observa deformarea fronturilor datorat capacitilor de stocare ale TB. Pentru a

evidenia mai mult acest aspect, s micorm rezistena din colector pentru a mri curentul
i a accentua acest efect.Pentru a efectua aceste analize, se vor declara ca parametrii
rezistenele din baz i colector.
Indrumator Laborator
VC C

R 1
{rc }
VC C Vbe

R 2 Q 1
Vce V1 = 0 V1
Vbe V 15V V2 = 10
TD = 0
Q 2N 2222 T R = 0 .0 1 n
{ r bV} T F = 0 .0 1 n
PW = 5u
PER = 10u
PARAMETERS: 0 0
rb = 1 0 0 k
0
rc = 1 k

Efectund o analiz parametric prin baleierea R, intre 50 i 1K se vor obine

urmtoarele forme de und:
20V

15V

10V

5V

0V
0s 5us 10us 15us 20us 25us 30us
V(Q1:c)
Time

n mod asemntor, pentru Rc=1K si variaia Rb intre 100 si 100K avem:

Lucrarea 8 Modelarea diodelor si simularea circuitelor cu diode in PSPICE
15V

10V

5V

0V
0s 5us 10us 15us
V(Q1:c)
Time

4 Concluzii
Se vor simula circuitele descrise anterior i se vor interpreta formele de und
obinute. Se va analiza influena parametrilor de model asupra funcionrii circuitului n
regim static i dinamic.
Se va rspunde la urmtoarele ntrebri:
Tensiunea Early depinde de temperatur?
Variaia crui parametru influeneaz cel mai mult funcionarea (pentru variaii cu
10%):
temperatura,capacitatea parazit sau reea de polarizare ?
Cum depinde tensiunea baza-emitor cu temperatura ?