UMSS UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN SIMN

FACULTAD CIENCIAS Y TECNOLOGA

DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD

Integrantes:
Calvo Soliz Rodolfo
Alba Silvestre Jhimmy
Guardia Soliz Jorge Manuel
Carrera:
Ing. Electromecnica
Grupo:
Jueves, 15:45-17:15 P.M.

Cochabamba, 21 de noviembre 2013

Transistor Bipolar (BJT)

Objetivos:

Objetivos generales:

- Evaluar las caractersticas de entrada: Base emisor, del transistor NPN

- Evaluar las caractersticas de salida: Colector-Emisor, del transistor NPN
 - Disear una etapa amplificadora en la banda media con transistor bipolar bajo
especificaciones como:
Ganancia(voltaje, corriente o potencia)
Impedancias de entrada y salida
Oscilacin simtrica mxima de seal de salida (seleccin adecuada de Q)

Fundamento terico:

Estructura y simbologa del transistor bipolar NPN y PNP.

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de
material tipo N y una capa de material tipo P o dos de material tipo P y una de material tipo
N dispuesta de la siguiente manera. La capa del emisor est muy dopada, la base
ligeramente, y el colector solo un poco dopado. Los grosores de las capas externas son
mucho mayores que las del material tipo P o N del emparedado. Este menor nivel de
dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el
nmero de portadores libres.
La simbologa que se muestra a continuacin muestra las tres patillas del transistor las
cuales son base (B), emisor (E) y colector (C):

Estructura del transistor. NPN

Emisor muy dopado. Base muy fina y poco dopada. Con la unin Base-Emisor polarizada
directamente (VBE > VT) los electrones (mayoritarios) alcanzan el. Colector a travs de la
Base muy fina. La unin Base-Colector se polariza inversamente, de manera que ayuda al
movimiento de los electrones provenientes del Emisor (minoritarios en una unin P-N
polarizada en inversa).

El
conjunto de entrada para el amplificador en base comn relaciona una corriente de entrada
(Ie) con un voltaje de entrada (Vbe) para varios niveles de voltaje de salida (Vcb).
El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de
salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura.
El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters, las
regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la regin empleada
normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin
activa la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin base-
emisor se encuentra polarizada en forma directa.

La regin activa se define por los arreglos de polarizacin. En el extremo ms bajo de la

regin activa la corriente de emisor (IE) es cero, la corriente de colector es simplemente la
debida a la corriente inversa de saturacin ICO. La corriente ICO es tan pequea (del orden
de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical de IC (del orden de los
miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal que IC = 0. A
causa de las tcnicas mejoradas de construccin, el nivel de ICBO para transistores de
propsito general (especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por
lo general tan reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para unidades de
mayor potencia ICBO an aparecer en el intervalo de los microamperios. Adems,
recurdese que ICBO para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es sensible a la
temperatura. A mayores temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor
importante ya que se incrementa muy rpidamente con la temperatura.
Desarrollo:

Tablas:

Parmetros

Sin capacitor en emisor:

VCEQ VEQ ICQ IEQ VBQ

Con capacitor en emisor:

VCEQ VEQ ICQ IEQ VBQ

Sin capacitor en emisor:

Ptransistor PRB PRE PRC

Con capacitor en emisor:

 Ptransistor PRB PRE PRC

Conclusiones:

- Se pudo evaluar y observar las entradas base emisor y del transistor NPN, tambin
se observar las caractersticas de salida (colector- emisor).

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Cochabamba, 21 de noviembre 2013

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Objetivos:

Evaluar la caracterstica y transferencia del transistor FET de canal N o P.

Evaluar la caracterstica de salida del transistor FET de canal N o P.
A partir de la definicin del punto Q, determinar los componentes de polarizacin
del FET.

Fundamento teorico:

TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (FET)

El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se basan en el

campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de
potencial.

La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o
canal.

Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field
Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-
Insulator-Semiconductor FET).

Caractersticas

Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).

No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor).

Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.

Es menos ruidoso.

Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

Construccin

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se
comporta como un
interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre drenador y fuente.

As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p.

Funcionamiento

1.- VGS = 0 y VDS variable

El canal n se comporta como una resistencia cuyo valor

depende del voltaje existente entre D y S. Cuando V DS
llega a ser lo suficientemente grande la corriente IDS
comienza a ser constante, VDS puede incrementarse
hasta BVDS0 (punto en el que ocurre el rompimiento por
avalancha), la nomenclatura significa voltaje de
ruptura entre D y S con VGS = 0.

La curva que se obtiene para cuando se mantiene en

corto las terminales de Gate y Source, mientras varia el
voltaje entre Dren y Source, es la siguiente:

IDSS = Corriente entre D y S con VGS = 0.

VPO = Voltaje entre D y S a partir del cual la

corriente comienza a ser constante.
Aqu comienza la regin de
saturacin

BVDS0 = Voltaje de ruptura entre D y S con

VGS = 0.
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs
de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo
agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo
de aislamiento entre el canal y la puerta.

Desarrollo:

Tablas:

Parmetros

Sin capacitor en emisor:

VDSQ VSQ IDQ ISQ

Con capacitor en emisor:

VDSQ VSQ IDQ ISQ

Sin capacitor en emisor:

P D.transistor PRS PRD

Con capacitor en emisor:

P D.transistor PRS PRD

Conclusiones:

En el experimento del transistor FET pudimos ver la mayora de las caractersticas del
transistor FET de canal N o P, como tambin el de la salida N o P. Tambin se pudo
comprobar la etapa de la polarizacin del transistor para un punto determinado, entonces
se lleg a medir los valores necesarios para concluir el tema.