Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
4
________________________________________________________________________________________ 1
MATERIALE OPTOELECTRONICE
Fig. 4-3. Generarea luminii de o diod semiconductoare (este reprezentat doar curentul de goluri n
regiunea de tip N).
a) b)
Fig. 4-4. a) Definirea timpului de cretere/descretere; b) puterea de ieire.
LUCRAREA NR. 4
________________________________________________________________________________________ 5
Pentru o valoare mare a lui Ip , al doilea termen devine neglijabil i timpul de cretere
este determinat, n ultim instan de timpul de via. Fabricanii prefer s msoare acest
timp, valorile tipice ncadrndu-se ntre 2 i 4 ns.
Banda de modulaie, BW, este intervalul de frecvene de modulaie n cadrul cruia
puterea electric detectat scade la -3dB. n cazul unui LED, aceasta este limitat de timpul de
via al purttorilor. Explicaia fizic a acestui principiu este urmtoarea: presupunem c un
electron este excitat n banda de conducie; lui i ia ns pn cnd sa cad n banda de valen
prin recombinare. n acest interval de timp nu se poate modifica starea lui, astfel nct chiar
dac se ntrerupe curentul direct, trebuie ateptat ns pn cnd radiaia va nceta practic.
Ca i diodele, toate tranzistoarele sunt sensibile la lumin. Fototranzistoarele sunt
concepute special pentru a profita de acest fapt. Varianta cea mai comun este un tranzistor
NPN bipolar cu baza expus. n acest caz, semnalul electric de intrare aplicat pe baz este
nlocuit de semnal electromagnetic luminos, deci, un fototranzistor amplific variaiile de
semnalului luminos de intrare. Fototranzistoarele au funcie similar cu fotodiodele acestea
au ctig mult mai mic, dar au timpi de rspuns mai mici(Fig. 4-5).
Fig. 4-5. Caracteristicile tranzistorului bipolar: IC curentul de colector, IB curentul de baz, IE curentul
de emitor, VBE tensiunea baz emitor, VCE tensiunea colector emitor, VA tensiunea Early, T temperatura.
Tabelul 4-1.
Materialul Energia Eg Lungimea de und Culoarea
GaP 2.24 eV 550 nm Galben
AIAs 2.09 eV 590 nm Portocaliu
GaAs 1.42 eV 870 nm IR
InP 1.33 eV 930 nm IR
AIGaAs 1.42-1.61 eV 770-870 nm IR
InGaAsP 0.74-1.13 eV 1100-1670 nm IR
ANEXA 4
Descrierea generatorului de trepte
Schema bloc a generatorului de trepte este prezentat n Fig. 1.