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Contenido
CAPITULO I: INTRODUCCION............................................................................4
1.1 Electrnica Clsica..................................................................................4
1.1.1 Electrnica Analgica.......................................................................4
1.1.2 Electrnica Digital.............................................................................5
1.2 Electrnica de Potencia...........................................................................6
1.3 Energa Elctrica.....................................................................................6
1.4 Corriente Elctrica DC.............................................................................7
1.5 Elemento bsicos de electrnica............................................................9
1.5.1 Resistencia.......................................................................................9
1.5.2 Capacitor.........................................................................................12
1.5.3 Inductor...........................................................................................15
CAPITULO II: DIODOS...................................................................................17
2.1 Tubos de vaco......................................................................................17
2.2 Materiales semiconductores..................................................................20
2.2.1 Estructura del tomo.......................................................................20
2.2.2 Teora de bandas............................................................................21
2.3 El diodo..................................................................................................23
2.3.1 Polarizacin directa:.......................................................................23
2.3.2 Polarizacin inversa:.......................................................................24
2.3.3 Smbolo...........................................................................................24
2.3.4 Ejemplo de funcionamiento:...........................................................24
2.3.5 Curvas caractersticas....................................................................25
2.4 El Diodo como elemento de un circuito.................................................26
2.5 Diodo Ideal............................................................................................27
2.5.1 Primera representacin..................................................................27
2.5.2 Segunda representacin.................................................................29
2.5.3 Tercera representacin...................................................................30
2.5.4 Cuarta representacin. Diodo Ideal................................................31
2.6 Circuitos con Diodo...............................................................................32
2.6.1 Rectificador de media onda............................................................33
2.7 Transformadores...................................................................................36
2.8 Rectificador de onda completa..............................................................39
2.9 Rectificador de onda completa en Puente............................................40
2.9.1 Filtro de Choque.............................................................................42
2.9.2 Filtro de con Condensador a la entrada.........................................43
2.10 Circuitos con diodos de pequea seal.............................................44
2.10.1 Limitador positivo.........................................................................44
2.10.2 Circuito fijador..............................................................................46
2.10.3 Limitador polarizado....................................................................46
2.10.4 Cambiador de nivel.....................................................................48
2.10.5 Detector pico a pico.....................................................................50
2.10.6 Multiplicador de Voltaje...............................................................50
2.11 Diodos Zener......................................................................................51
2.12 Otros diodos.......................................................................................54
CAPITULO III: TRANSISTORES BIPOLARES................................................56
3.1 Polarizacin...........................................................................................56
3.2 Caractersticas de los transistores........................................................57
3.2.1 Alfa..................................................................................................58
3.2.2 Beta.................................................................................................58
3.3 Conexin de Emisor Comn.................................................................59
3.4 La Recta de Carga................................................................................61
3.5 Tipos de circuitos...................................................................................65
3.6 Polarizacin de Emisor..........................................................................65
3.6.1 Transistor con polarizacin de base como excitador de LED........66
3.6.2 Transistor con polarizacin de emisor como excitador de LED.....67
3.6.3 Ejemplo de circuitos con led...........................................................67
3.7 Polarizacin por divisor de tensin.......................................................68
3.8 Desplazamiento del punto Q.................................................................73
3.9 Polarizacin de emisor con doble fuente..............................................76
3.10 Polarizacin con realimentacin de emisor.......................................77
3.11 Polarizacin con realimentacin de colector.....................................78
3.12 Polarizacin con realimentacin de colector y emisor.......................79
3.13 Transistores PNP...............................................................................79
CAPITULO IV: TRANSISTORES EN PEQUENA SENAL...............................82
4.1 Condensador de acoplamiento.............................................................82
4.2 Condensador de desacople..................................................................84
4.3 Amplificador de tensin.........................................................................84
4.4 Amplificador con Polarizacin por Divisor de Tensin (PDT)...............85
4.5 Funcionamiento en pequea seal.......................................................87
4.6 Modelos de transistores........................................................................89
4.6.1 Modelo T.........................................................................................89
4.6.2 Modelo .........................................................................................90
4.7 Circuito equivalente en alterna..............................................................90
4.7.1 Amplificador con polarizacin de base...........................................90
4.7.2 Amplificador con divisor de tensin................................................92
4.8 Impedancias de entrada y salida..........................................................96
4.9 Amplificadores encapsulados................................................................98
4.10 Etapas en cascada...........................................................................101
4.11 Amplificador EC con Resistencia de Emisor sin desacoplar...........104
CAPITULO IV: AMPLIFICADORES DE POTENCIA.....................................107
5.1 Amplificador clase A............................................................................108
5.2 Amplificador Clase B............................................................................111
5.2.1 Circuitos acoplados por Transformador........................................112
5.2.2 Circuitos de simetra complementaria..........................................113
5.3 Amplificadores clase C........................................................................114
5.4 Amplificador Clase D...........................................................................115
5.5 Conexin Darlington............................................................................116
CAPITULO I: INTRODUCCION
El mundo moderno est influenciado por el desarrollo de la electrnica. Este
rpido crecimiento se ha acelerado por los nuevos materiales que se han
desarrollado, pero la electrnica ya estaba presente en el mundo desde finales
del siglo XIX.
Pese a este rpido crecimiento, los elementos bsicos de la electrnica no han
sufrido cambios. Se puede hacer una clasificacin de la electrnica como
electrnica clsica, electrnica orgnica, etc. En el presente curso se hablar
nicamente de la electrnica clsica.
1.1Electrnica Clsica
Esta electrnica opera a nivel lgico y para poder obtener informacin del
medio que la rodea o para presentarla en ese medio, requiere de la electrnica
analgica para que le sirva de medio de conversin.
Uno de los casos ms evidentes es el de los computadores actuales, los cuales
tienen gran capacidad de procesamiento lgico de video (por ejemplo los
juegos de computadoras), pero para que el usuario pueda utilizarlos requieren
de controles analgicos (joysticks, mandos remotos, pedales, volantes, etc) que
sirven de entrada al sistema.
Existe una gran cantidad de dispositivos desarrollados para este tipo de
electrnica, los que van desde compuertas lgicas hasta procesadores
especializados de alta velocidad.
En resumen, a ellos ingresa informacin en forma discreta y entrega
informacin discreta. No procesan seales y evitan el uso de dispositivos de
acoplamiento magntico (transformadores).
1.2Electrnica de Potencia
En esta grfica se puede ver que el voltaje es constante a lo largo del tiempo.
Existen dos tipos de fuente de DC, una de voltaje constante (a) y otra de
corriente constante (b).
S1
Key = A
R1
XMM2
V1 100k
20 %
12 V Key=A
S1
Key = A
R1
XMM2
I1 100k
80 %
1mA Key=A
Repetir la prueba con el circuito pero con una fuente de corriente constante.
Se debe anotar que lo ms usual es contar con fuentes de voltaje constante.
La corriente DC funciona muy bien para equipos electrnicos, pero presenta
problemas al momento de transportar energa dc desde el sitio de generacin
hasta el sitio de consumo.
1.5Elemento bsicos de electrnica
De donde:
C = Capacidad (o capacitancia), en farad (F).
Q = Cantidad de carga elctrica almacenada, en coulomb.
V = Diferencia de potencial, en volt, entre las placas.
As como la resistencia ofrece oposicin a la corriente en un circuito de c.c., la
oposicin a la c.a. se llama Reactancia, as la capacitancia presenta oposicin
a la c.a. denominada Reactancia capacitiva, se simboliza Xc. As como la
resistencia elctrica se mide en Ohmios tambin la Xc se mide en Ohmios, y se
sustituye por la R en la Ley de Ohm:
E
R=
I
Z = X 2c + R 2
1
C c
v c= i dt
d vc
ic =
dt
Smbolo:
1
L L
iL = v dt
CAPITULO II: DIODOS
Hasta este momento los elementos que se han presentado, operan con un
valor fijo. Estos elementos no pueden ser controlados por el diseador ni por
las condiciones cambiantes del circuito.
El primer desarrollo en la lnea de controlar el flujo de energa se realiz en
1904 cuando se desarrolla el DIODO o vlvula mediante la utilizacin de tubos
de vaco.
1.6Tubos de vaco.
Si bien los inicios de la electrnica se pueden datar varios miles de aos atrs
con la proposicin de la teora del tomo en la antigua Grecia, su partida
practica se puede fechar en el siglo XXIX cuando en 1897 el fsico ingles J.J.
Thomson descubri la existencia de una partcula cargada elctricamente.
Sus estudios permitieron determinar que esta partcula con carga negativa era
la carga, positiva o negativa, ms pequea que se poda encontrar en la
naturaleza. Varios aos despus, demostr que al calentar una superficie
metlica se lograba hacer que estas cargas se desprendieran de la superficie
del metal recalentado.
A partir de aqu fue solo cuestin de tiempo y experimentacin que se
demostrara que al conectar una batera a la placa calentada se generaba un
flujo de electrones que partan desde la batera y atravesaban el espacio
existente entre la placa calentada (ctodo) y la placa receptora (nodo). Como
una forma de evitar que la superficie de la placa del nodo se deteriorara por la
oxidacin generada por la accin del aire, se decidi colocar las dos placas
(nodo y ctodo) en un tubo en el cual se ha extrado todo el aire. Con este
cambio se desarroll el primer diodo.
Como se puede ver, la batera A solo sirve para calentar la placa del ctodo
mediante una resistencia que debe ponerse al rojo. Por su parte, la batera B
es la que forma el circuito de conduccin. Si la se desconecta la batera A, no
habr flujo de corriente entre las placas y por lo tanto actuar como un circuito
abierto.
Si se calienta el ctodo, saltaran electrones desde el ctodo al nodo,
apareciendo como un corto circuito. Para que este circuito se mantenga es
necesario que la batera B entregue electrones al ctodo. A su vez, los
electrones que llegan al nodo, se entregan al borne positivo de la batera B de
forma que se cierra el circuito.
En 1903 Flemming fue el primero en encontrarle una aplicacin a este tubo, el
reemplazo la batera B por una fuente de corriente alterna. En este caso el tubo
de vaco permita el paso de la corriente cuando el voltaje en B era positivo,
pero no permitir el paso de corriente cuando el voltaje era negativo.
Este dispositivo fue llamado Diodo o Vlvula y permita el flujo de la corriente
en un solo sentido. La cantidad de corriente que circulaba dependa
nicamente de la temperatura del ctodo (la temperatura de ctodo debe ser
constante) y del nivel y polaridad del voltaje de la fuente B.
En 1906 Lee de Forest, buscando la manera de tener control sobre la corriente
que fluye en el diodo, instal una rejilla entre el ctodo y el nodo. El dispositivo
as creado se denomin Audion, pero posteriormente se conoci como Trodo.
El valor de esta corriente depende, por tanto, de dos factores: del valor del
voltaje de la seal en la rejilla y del voltaje de la batera del nodo. Ahora bien,
si el valor del voltaje de la rejilla cambia, entonces la corriente en el nodo
tambin cambiar. Por otro lado, aumentando el valor del voltaje de la batera
se puede lograr, dentro de ciertos lmites, que se incremente la corriente en el
nodo. En consecuencia, el voltaje a travs de la carga, que depende de la
corriente que circula por el circuito del nodo, ser mayor que el voltaje que
hay en la rejilla. As, el triado logra incorporar la seal y amplificar su
intensidad. Adems, la rejilla controla la corriente que circula a travs del
nodo, sirviendo de elemento de control.
Entre 1910 y 1915 se inventaron circuitos muy ingeniosos que transforman el
voltaje constante suministrado por una batera, en una corriente alterna con
frecuencias muy altas, mucho mayores que las logradas con mquinas
elctricas rotatorias. Estos dispositivos se llaman osciladores. Con ellos se
incorpor de forma muy satisfactoria una seal a una onda electromagntica.
Este logro dio lugar al nacimiento de la radio.
Posteriormente y con la finalidad de lograr un mayor control y estabilidad de
los dispositivos, se desarrollaron tubos con rejillas adicionales, lo permiti la
creacin del Tetrodo y el Pentodo.
La rejilla adiciona, rejilla de pantalla, se adicion con la finalidad de eliminar el
efecto de capacitancia parasita que apareca entre la placa y la rejilla de
control. El tubo resultante se llam Tetrodo.
Por ltimo, el Pentodo se cre al adicionar una tercera rejilla, su funcin era la
de eliminar los electrones de baja velocidad que se generaban por el
calentamiento del nodo. Su funcin permiti lograr amplificadores de audio
con mayor fidelidad.
Las funciones desempeadas por estos dispositivos son actualmente cubiertas
por los diodos y transistores modernos, estos dispositivos han reemplazado
casi en su totalidad a los tubos de vaco. Sin embargo existen todava algunas
aplicaciones en las que se deben usar todava los tubos de vaco; los mas
conocidos son:
Magnetrn, generador de microondas
TRC, usado en las pantallas de televisores, recientemente
reemplazados.
Giratron, utilizado en la generacin de Rayos X
1.7Materiales semiconductores.
Cmo es bien sabido, el tomo est compuesto de ncleo que contiene sub-
partculas tales como el protn (con carga positiva) y los neutrones sin carga.
En su periferia, orbitando alrededor del ncleo estn los electrones con mucha
menor masa que las partculas del ncleo (unas 2000 veces menor).
Estos electrones pueden ser de dos tipos:
1. Electrones ligados al ncleo: orbitan capas interiores del tomo, cerca de
este y muy difcilmente pueden escapar del mismo.
2. Electrones de valencia: orbitan en capas exteriores del tomo, en niveles
superiores de energa y pueden escapar en determinadas condiciones del
tomo. Del mismo modo, el tomo acepta en tales niveles electrones externos.
Los electrones de valencia determinan las propiedades qumicas de los
materiales.
Son los electrones de valencia los que determinan tambin las propiedades
elctricas de un material y as tenemos:
1. Materiales conductores (metales): Los metales tienen estructura cristalina,
esto es, los ncleos de los tomos que componen un metal estn
perfectamente ordenados y los electrones de valencia de los mismos estn tan
dbilmente atados a sus respectivos tomos que cada uno de ellos es
compartido por todos los tomos de las estructura. Es por ello que en el metal
se forma una nube electrnica cuyos electrones son compartidos por toda la
estructura y ninguno de ellos est atado particularmente alguno de los tomos.
2. Material aislante: Los electrones de valencia estn ligados fuertemente a sus
respectivos ncleos atmicos. Los electrones de uno de sus tomos no son
compartidos con otros tomos.
3. Materiales semiconductores: Estos materiales se comportan como aislantes
a bajas temperaturas pero a temperaturas ms altas se comportan como
conductores. La razn de esto es que los electrones de valencia estn
ligeramente ligados a sus respectivos ncleos atmicos, pero no lo suficiente,
pues al aadir energa elevando la temperatura son capaces de abandonar el
tomo para circular por la red atmica del material. En cuanto un electrn
abandona un tomo, en su lugar deja un hueco que puede ser ocupado por
otro electrn que estaba circulando por la red.
Los materiales semiconductores ms conocidos son: Silicio (Si) y Germanio
(Ge), los cuales poseen cuatro electrones de valencia en su ltimo nivel. Por
otra parte, hay que decir que tales materiales forman tambin estructura
cristalina.
Hay que destacar que, para aadir energa al material semiconductor, adems
de calor, tambin se puede emplear luz
1.7.2 Teora de bandas
Al unirlos, parte del exceso de electrones del tipo N pasa al cristal de tipo P, y
parte de los huecos del tipo P pasan al cristal tipo P, crendose en la unin una
franja llamada zona de transicin que tiene un campo elctrico que se
comporta como una barrera que se opone al paso de ms electrones desde la
zona N hacia la zona P y de huecos desde la zona P a la zona N.
1.8.1 Polarizacin directa:
En este caso se conecta el polo positivo al cristal P y el polo negativo al cristal
N, esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms estrecha,
rompiendo la barrera y permitiendo libremente el paso de la corriente. Esto
hace que el diodo conduzca.
1.8.2 Polarizacin inversa:
Polarizacin directa: en este caso, deja pasar la corriente porque el nodo est
conectado al polo positivo y el ctodo al polo negativo. Es por eso que la
lmpara funcionara.
Polarizacin inversa: en este caso, deja pasar la corriente porque el ctodo
est conectado al polo negativo y el ctodo al polo positivo. Es por eso que la
lmpara no funcionara.
V i=V +V 0
En la resistencia
V 0=iR L
En el diodo
i=I S {e v / V 1 }
T
a Polarizacin inversa
resistencia inversa.
Es decir que cuando el diodo este en polarizacin inversa, podr ser sustituido
por una resistencia Rr.
En estos casos, el diodo se reemplaza por una resistencia R f en serie con una
fuente de voltaje V .
Se puede apreciar que en este caso, la curva idealizada (en rojo) solo tiene dos
zonas que se deben analizar. Esto se debe a que se considera que la
resistencia del diodo en polarizacin inversa es extremadamente grande.
a Zona de no conduccin
a Zona de no conduccin
Cuando el diodo se encuentra en polarizacin inversa, o cuando est
polarizado directamente pero su voltaje es menor que el voltaje de umbral
V , se considera al diodo como un circuito abierto.
i. Zona de conduccin
a Zona de no conduccin
Cuando el diodo se encuentra en polarizacin inversa, o cuando est
polarizado directamente pero su voltaje es menor que el voltaje de umbral
V , se considera al diodo como un circuito abierto.
j. Zona de conduccin
v S=V D + I D R
\
Por su parte, el voltaje DC se define como el promedio de la energa
almacenada en un ciclo de la seal.
T
1
V dc = V out dwt
T 0
1
V dc = V ( cos wt )0
2 p
1
V dc = V ( 1(1 ) )
2 p
2
V dc = V
2 p
Vp
V dc =
V dc =0,318 V p
Por otra parte, se conoce como voltaje RMS v rms , conocido tambin como
T
1 2
v rms =
T 0
f ( x ) dx
Si f ( t )=v p Sen ( w t ) donde w t= entonces
2
1
v rms = v 2 Se n2 ( ) d
2 0 p
2
v
v rms = p
2
1cos
2
2
d
0
2 2
v 1 1
v rms = p d cos 2 d
2 0 2 0 2
v rms =
vp
2 2 1
+ ( Sen 4 Sen 0)
2 4
vp
v rms =
2
vp
v rms =
2
Dado que el voltaje rms es de 120Voltios, tendremos que el voltaje de pico ser
169,7 voltios. El estudiante deber comprobar estos valores mediante la
medicin del voltaje usando un multmetro y un osciloscopio.
La ecuacin para el voltaje alterno de 120 v rms 60 Hz ser
v ( t )=169,7 sen ( 120 t )
1.12 Transformadores
Pero tambin es sabido que si hacemos que otro conductor atraviese las lneas
de fuerza de un campo magntico, se inducir una corriente en el conductor.
Este principio es el utilizado en los generadores elctricos, en el cual se hace
girar, por algn ingenio mecnico, una cierta cantidad de conductores elctricos
dentro del campo magntico generado por imanes permanentes.
En este caso el campo magntico es constante y el conductor se hace girar
dentro de este campo. Pero gracias a la corriente alterna, es posible mantener
esttico el conductor y hacer que el campo magntico sea el que se mueva,
este efecto permite crear una maquina esttica denominada Transformador.
(3)
La cantidad de voltaje y corriente que se inducen en el secundario tiene
relacin con la cantidad de vueltas de cada bobina. Es muy fcil elevar o
reducir el voltaje o la corriente mediante la utilizacin de un transformador. De
la ecuacin (3) se obtiene que:
Vs = Vp (Ns / Np) (4)
Is = Ip (Np / Ns) (5)
Donde Np corresponde al nmero de vueltas que tiene la bobina del primario
del transformador y Ns la bobina del secundario.
Si llamamos T a la relacin del Transformacin, que viene dada por Np / Ns,
entonces tendremos de (4) y (5)
Vs = Vp / T (6)
Is = Ip T (7)
De (6) y (7) podemos ver que la transformacin es inversa para el voltaje y
directa para la corriente. En otras palabras, si usamos el transformador para
elevar el voltaje en el secundario, al mismo tiempo disminuiremos la corriente
del secundario.
Esto tiene lgica si consideramos que por la ley de conservacin de la energa,
la potencia de entrada al transformador (Primario) debe ser igual a la potencia
de salida del mismo (Secundario).
Pp = Ps (8)
Vp Ip = Vs Is (9)
De esta forma, en el sitio de generacin se puede elevar mucho el voltaje
(63Kv) con corrientes muy pequeas y al llegar al sitio de consumo reducirlo a
niveles de voltaje manejables por los sistemas locales (220v) con corrientes
ms altas.
1.13 Rectificador de onda completa
Esta ruta hacer circular la energa del ciclo negativo en el mismo sentido de la
del ciclo positivo a travs de la resistencia de carga RL. De esta forma se ha
realizado la rectificacin de la seal ya que para la carga todos los picos de
voltaje son positivos.
Entonces
XC
V out V
XL
En el parte positiva del ciclo, la corriente circula por el diodo, es por esto que se
requiere de una resistencia Rs que proteja al diodo. En la parte negativa del
ciclo, la corriente circula por la resistencia R L.
En alguna situaciones, principalmente cuando el voltaje de entrada es
pequeo, se debe tener en cuenta el voltaje de umbral del diodo. En este caso
la grafica del voltaje en la carga quedara de la siguiente forma
En este caso el voltaje de umbral es de 0,7V.
Si en el circuito anterior se invierte la polaridad del diodo se obtiene un limitador
negativo, es decir que slo permitir el paso de la parte positiva de la onda.
Sin este circuito la salida del sistema seria de la forma V 0 ya que se debe restar
el voltaje de umbral. El circuito logra que la seal de salida sea igual a la seal
de entrada en su parte positiva.
1.15.4 Cambiador de nivel
Las seales alternas normalmente tienen como nivel de referencia los cero
voltios; el cambiador de nivel lo que hace es trasladar ese nivel de referencia
verticalmente.
Lo cual es equivalente a
Un efecto similar se puede lograr con un circuito cambiador de nivel compuesto
por un diodo y un capacitor
Esta forma de operar del diodo Zener est limitado por la cantidad de corriente
que circule por l. La corriente mxima es -I zm
Usualmente nombra al diodo Zener como Regulador de voltaje, esto se debe a
que en polarizacin inversa mantiene su voltaje pese a las variaciones que se
produzcan en la seal de entrada.
El diodo Zener se puede utilizar en distintos tipos de circuitos. Como
recortadores de onda para generar ondas cuadradas.
Diodos LED
Pantalla de diodos
Fotodiodo
Optoacoplador
Varicap
Varistores
El varistor es un diodo de corriente constante (el zener es un diodo de voltaje
constante). Este diodo conduce en ambos sentidos pero nicamente cuando
hay grandes niveles de voltaje o corriente.
Diodos Tnel
CAPITULO III:TRANSISTORES BIPOLARES
El transistor fue el desarrollo fundamental que permiti alcanzar los niveles
actuales de la tecnologa. El Tetrodo brindo la idea de cmo se quera controlar
el flujo de electrones entre las dos placas y este fue el principio utilizado en la
bsqueda de un dispositivo de estado slido que pudiera desempear las
mismas funciones.
En 1951 el equipo de investigadores liderado por William Schockley desarrollo
el primer transistor de contacto.
El transistor se forma al unir tres capas de materiales semiconductores con
dopajes positivos y negativos.
V CC Voltaje de Colector
RB Resistencia de Base
RC Resistencia de Colector
V BE =V B V E Voltaje Base-Emisor
V CE =V C V E Voltaje Colector-Emisor
Donde
IC es la corriente de Colector
IB es la corriente de Base
IE es la corriente de Emisor
Como se puede ver, en este transistor la corriente del emisor es igual a la suma
de las corrientes de base y de colector.
I E =I C + I B
1.19.1 Alfa
Representa uno de los parmetros del transistor y viene dado por la relacin
entre la corriente de colector y la corriente de emisor.
dc=I C / I E
Cabe notar que el subndice dc se usa para indicar que es la relacin de las
corrientes de polarizacin. El valor de alfa es muy cercano a uno, usualmente
0,99.
1.19.2 Beta
V CE =V C
V CC =I C RC +V CE
El caso extremo para la recta de carga es en el que el voltaje VCE es
prcticamente cero, es decir que es un corto y fluye la mayor cantidad de
corriente por el transistor.
V CC =I C RC
V CC
IC =
RC
V CC =0+V CE
V CC =V CE
Considerando que los voltajes de polarizacin son mucho mayores que la cada
en el diodo Base-Emisor, se asume el diodo como ideal y por lo tanto V BE = 0.
V CC =I B R B
Y por lo tanto
V CC
I B=
RB
Ejemplo.
Suponiendo que se tiene el siguiente circuito, con R B = 1M con una ganancia
hfe de 100
V CC
I B=
RB
15
I B=
1 x 106
I B=15 A
15=I C 3 x 103 +V CE
6
I C =100 x 15 x 10
I C =1,5 mA
V CE =154,5
V CE =10,5
I C =5 mA
Una vez obtenida el voltaje de emisor por la malla de base, se puede calcular la
corriente de emisor IE.
VE
I E=
RE
V CC =I C RC +V CE + I C RE
Luego
V CE =V CC (I C RC + I C R E )
V CE =V CC I C (RC + R E )
Entonces
15 v2 v
IC =
RC
En este caso
I C =8,67 mA
Por lo tanto,
15 v
IC =
1,5 k
I C =10 mA
V CC =V
V CC =I R1+ I R2
Se determina que
V CC
I =
R 1 + R2
Luego
V E =V BE +V B
Sustituyendo valores
10 k +2,2 k 1 k
2,2 k10 v0,7 v (12,2 k )
IC =
22 v8,54 v
IC = =1,1mA
12,2 k
En todo circuito se busca que la resistencia de fuente RS sea por lo menos 100
veces ms pequea que la resistencia de carga RL.
RS < 0,01 R L
Lo cual cumple con la regla de diseo de que R E sea al menos 100 veces
mayor a RIN. Luego la corriente de emisor ser igual a
R2
ETH = V
R1 + R2 CC
R1 R 2
RTH =
R1 + R2
I E R E=V BV BE
Reemplazando el VB
I E R E=ETH RTH I BV BE
RTH I E
I E RE+ =ETH V BE
RTH
I E (R E + )=ETH V BE
ETH V BE
I E=
R
R E + TH
22 k
RTH = =1,8 k
12,2
1,8 v 0,7 v
I E=
1,8 k
1k+
200
1,1 v
I E= =1,09 mA
1,009 k
V B =1,8 v
V E =V B 0,7 v
V E =1,8 v 0,7 v
V E =1,1 v
I E =1,1 v /1 K
I E =1,1mA
R
RE
C +
V CE =V CC I E
3,6 K
1K
+
V CE =10 v1,1 mA
V CE =4,94 v
I E =0,5 mA
3,6 K
2,2 K
+
V CE =10 v0,5 mA
V CE =7,1 v
V E =V BE +V B
Pero VB = 0
V E =V BE =0.7 v
V =0,7 v(2 v )
V =1,3 v
Luego
V CE =10 v4,68 v (0,7 v )
V CE =6,02 v
V E =I E R E
V B =0,7+V E
V C =V CC I C RC
V CE =V C V E
Es una variante de los anteriores, de igual forma no es muy usual pues no logra
la estabilidad requerida.
En todos los circuitos que se han presentado se han utilizado transistores NPN.
El transistor PNP es una variante que invierte el orden de los materiales
semiconductores que lo forman.
Se puede apreciar que se invirti la imagen y que las tierras pasaron a ser
fuentes positivas y las fuentes negativas pasaron a ser tierras.
CAPITULO IV:TRANSISTORES EN PEQUENA SENAL
Hasta este momento se ha estudiado al transistor en su forma pasiva, por
decirlo de alguna manera. Con el voltaje DC solo se pretende lograr que el
transistor se configure para operar en un rango de voltaje y corrientes de
entrada y de salida, pero esta preparacin se hace en espera de que permita
procesar las seales alternas que pueden ingresar a l.
Por pequea seal se entienden ondas de voltaje o corriente que varan con el
tiempo. Pese a que estas seales pueden ser aleatorias, para este anlisis se
consideraran como una onda sinusoidal.
Lo primero que debe considerarse es que toda seal puede considerarse como
un voltaje dc al cual se le suma una parte alterna o variable.
Z = X 2C + R2
En este circuito, cuando la frecuencia de la corriente de entrada es lo
suficientemente alta, la reactancia capacitiva X C ser tan pequea que puede
considerarse cero en comparacin con R. En estas circunstancias la
impedancia Z del sistema ser igual a R, es decir que el capacitor puede ser
reemplazado por un cortocircuito.
V Out = A V
V Out=0,4 V
V B =1,8 V
I E =1,1mA
V RC =3,6 K1,1 mA
V RC =3,96V
V C =10 V V RC
V C =10 V 3,96 V
V C =6,04 V
V CE =4,94 V
Estos son los voltajes dc que aparecen en cada uno de los puntos indicados
debido a la polarizacin del transistor. Si por medio de un capacitor de
acoplamiento, ingresamos un voltaje alterno (seal) a la base del amplificador,
los voltajes en estos puntos sern el resultado de la suma del voltaje DC con el
alterno de la seal de entrada.
Esta es conocida como resistencia para seal del diodo emisor. La comilla
indica que la resistencia se encuentra dentro del transistor.
Mediante pruebas realizadas se ha determinado que la resistencia interna se
puede calcular, considerando que
1. el voltaje base emisor alterno es de 25mv,
2. la corriente de emisor en alterna es prcticamente igual a la de DC.
25 mv
r 'e =
IE
1.36.2 Modelo
Con estos datos se puede armar el modelo para anlisis de alterna. Para esto
se cortocircuitan todos los capacitores de acoplamiento y las fuentes de DC.
Simplificando el diagrama
Y por lo tanto
R
25 mV ( 1+ R2 )R E
V CC R2
r 'e =
Por su parte el voltaje de salida ser el resultado del paso de la corriente ic por
el paralelo de las resistencias RC y RL.
Rc R L
v out =i c ( Rc + R L )
Por lo que la ganancia quedar
Rc RL
A=i c
( R c+ R L )
ib r' e
Dado que
i b=i c
Rc R L
A= i b
( Rc + R L )
ib r ' e
Entonces
Rc R L
A=
( R c+ R L )
r'e
Rc RL
A=
(R c + R L ) r ' e
Esta ecuacin se aplica para todos los amplificadores de emisor comn. Algo
que debe hacerse notar en estos amplificadores es que el voltaje de salida
tiene un desfase de 180 con el voltaje de salida.
Luego
Z = r ' e R '
Ejemplo.
En el siguiente circuito realizar el anlisis de DC y AC tomando en
consideracin que el transistor tiene =50 y que la resistencia interna de la
fuente de entrada Rg es de 600.
V B =1,8 v
I E =1.1mA
r 'e =22,72
r c =2.65 k
2,65 k
A=
22,72
A=117
Pero para calcular el voltaje de entrada hay que realizar el divisor de tensin
entre la resistencia de entrada de la etapa Zin y la resistencia de fuente Rg
Z etapa=10 k 2,2 k Z base
Z base=5022,72
Z base=1,14 k
Luego
Z etapa=10 k 2,2 k 1,14 k
Z etapa=698
mv698
=2
698 +600
v
=1,08 mv
v
Entonces
v out =1171,08 mv
v out =126 mv
Cada una de las etapas se puede analizar como una capsula independiente de
dos entradas y dos salidas.
Donde Z Th =R0=Z 0
RL
A vL= A vNL ( Ro + R L )
Por su parte la ganancia de corriente en la carga sera
Io
A iL=
Ii
V o / R L
A iL=
I i /Z i
V o Z i
A iL=
V i RL
Zi
A iL=A vL
RL
Ahora se considerar el modulo sin carga, pero con la conexin de una fuente
de seal.
Dado que
V o= A vNL V i
Entonces
V s Ri
V o= A vNL
R s+ R i
Entonces
Ri
A vs = A vNL
Rs + R i
Los clculos hechos por separado para entrada y salida siguen siendo vlidos,
lo que interesa ahora es la ganancia total.
Vo
A vs =
Vs
Luego
Ri RL
A vs = A
R s + Ri Ro + R L vNL
Rc Z etapa
A 1= '
re
Y la ganancia de corriente es
Zi 1
A iT =A vT
RL
Ejemplo.
El sistema de dos etapas de la figura emplea una configuracin de transistor en
emisor seguidor previa a una configuracin en base comn para garantizar que
el porcentaje mximo de la seal aplicada aparezca en las terminales de
entrada del amplificador en base comn. En la figura, se dan los valores sin
carga de cada sistema, excepto Zi y Zo para el emisor seguidor, los cuales son
valores con carga.
Determine:
a. La ganancia con carga para cada etapa.
b. La ganancia total para el sistema, Av y Avs
c. La ganancia de corriente total para el sistema.
En el segundo amplificador
RL
V o 2=V i 2 A vNL 2 ( RL +Z o 2 )
V o2 RL
A v 2=
V i2
= AvNL 2 (
R L+ Z o 2 )
A v 2=240 ( 8,2k8,2+ 5,1k
k
)
A v 2=147,97
A vT =101,2
V o2
A vT =
Zi1
V s( )
Zi 1 + R s
A iT =101,2 ( 8,210 kk )
A iT =123,41
ic ( r c )
A=
i e ( r e +r 'e )
i e ( r e +r ' e )
Z base=
ib
i e ( r e +r ' e )
Z base=
ic
Z base= ( r e + r ' e )
Clase C: En este caso solo se amplifica una parte de la seal, es decir que la
seal se puede dividir en mltiples partes para su amplificacin.
2.1Amplificador clase A
v 2rms
Po=
RL
Pero el voltaje rms es el voltaje efectivo que se puede medir a la salida del
amplificador.
v pp=2 2 v rms
2
v pp
Po=
8 RL
Esta potencia pico a pico es la potencia mxima del amplificador, no es una
potencia sostenible por mucho tiempo ya que en pocos segundos daara el
circuito. Al revisar amplificadores debe tenerse en cuenta la potencia rms que
es la potencia normal de operacin.
Estos amplificadores clase A son usados para equipos que deben generar poca
potencia, normalmente unos cuantos cientos de miliwatts.
Volviendo al ejemplo, el circuito equivalente en alterna ser
La impedancia de entrada es
Z i=10 k 2,2 k 3 k
Z i=1,13 k
La potencia de entrada es
( 50 mv )2
Pi =
81,13 k
Pi=0,277 W
V B =10 v ( 10 2,2 k
k +2,2 k )
=1,803 v
Luego
V E =V B 0,7 v=1,103 v
Este es el voltaje del punto de operacin Q. Para que este sea un amplificador
tipo A el punto Q debe estar en la mitad de la zona activa, por lo que el voltaje
de pico a pico mximo debe ser el doble del V CEQ
V pp=2( 3,057 )=6,114 v
( 6,114 v )2
Po= =0,9941 mW
84,7 k
994,1 W
G= =3588,81
0,277 W
2.2Amplificador Clase B
V 2L ( rms )
Poac =
RL
2.3Amplificadores clase C
Un amplificador clase D est diseado para que opere con seales digitales o
de pulsos. Con
Este tipo de circuito se logra una eficiencia de ms de 90%, lo que lo hace
bastante deseable en amplificadores de potencia. Se necesita, sin embargo,
convertir cualquier seal de entrada en una forma de onda pulsante antes de
utilizarla para excitar una carga de gran potencia y luego volver a convertir la
seal en una seal senoidal a fin de recuperar la seal original.