Universidad Politcnica Salesiana

Nombre: Ivn Llivisaca

Materia: Electrnica de Potencia

Los tiristores
Un tiristor es un interruptor electrnico utilizados en circuito electrnicos de potencia, tiene tres
terminales un nodo, un ctodo, y una compuerta, un tiristor conduce siempre que el terminal del
nodo tenga mayor potencial que el ctodo.
Los tiristores se dividen en:
1) Tiristor conmutado forzado.

Esta clase de tiristores suele funcionar a la frecuencia de lnea, y se apagan por conmutacin
natural. Un tiristor inicia la conduccin en sentido directo, cuando se aplica un pulso de disparo
de corriente de la compuerta al ctodo, y se llega y se mantiene con rapidez a la conduccin total,
con una cada pequea de voltaje en sentido directo [1].

2) Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT, de bidirectional phase-controlled

thyristors).

El BCT es un concepto nuevo para control por fase con alta potencia. Su smbolo se ve en la
figura 1 .Es un dispositivo nico que combina las ventajas de tener dos tiristores en un
encapsulado, permitiendo disear equipos ms compactos, simplificando el sistema de
enfriamiento y aumentando la fiabilidad del sistema. Los BCT permiten a los diseadores cumplir
con mayores demandas de tamao, integracin, fiabilidad y costo del producto final [1].
Son adecuados en aplicaciones tales como compensadores estticos de volt-amperes reactivos
(VAR), interruptores estticos, arrancad ores suaves y controles de motor [1] [2] .

Fig1. Smbolo del BCT [1].

Encendido y apagado: Un BCT tiene dos compuertas: una para encender e iniciar el flujo de la
corriente en sentido directo, y una para corriente en sentido inverso. Este tiristor enciende con un
pulso de corriente a una de sus compuertas. Se desactiva si la corriente andica baja del valor de
la corriente de detencin, por el comportamiento natural del voltaje o la corriente [1].

3) Tiristores de conmutacin rpida (o SCR).

Se usan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad, con conmutacin forzada. Tienen un

tiempo corto de apagado, por lo general de 5 a 50 S dependiendo del intervalo del voltaje. Estos
tiristores tienen alta tasa dv/dt, normalmente de 1000 V/s, y tasa di/dt de 1000 A/s. El apagado
rpido y la alta di/dt son muy importantes para reducir el tamao y el peso de los componentes de
conmutacin o del circuito reactivo. El voltaje en estado de encendido, de un tiristor de 1800 V-
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2,200 A suele ser de 1.7 V. Los tiristores inversores, con posibilidades muy limitadas de bloqueo
en sentido inverso, normalmente de 10 V, Y que tienen un tiempo de apagado muy corto, de 3 a
5 us, se llaman tiristores asimtricos (ASCRS). En la figura 2 se ven tiristores de conmutacin
rpida, de varios tamaos [1].

Fig2. Tiristores de conmutacin rpida.(Cortesa de Powerex, Inc.) [1].

4) Rectificadores controlados de silicio fotoactivados (LASCR, light-activated silicon-controlled

rectifier):

Este dispositivo enciende por irradiacin directa, con luz, de la oblea de silicio. Los pares
electrn-hueco que crea la radiacin producen la corriente de disparo, bajo la influencia del campo
elctrico. La estructura de la compuerta se disea para proporcionar la sensibilidad suficiente para
hacer la activacin con fuentes luminosas normales (por ejemplo, diodo emisor de luz, LED), y
para obtener grandes capacidades de las tasas di/dt y dv/dt [1] .
Los LASCR se usan en aplicaciones de alto voltaje y gran corriente, por ejemplo HVDC,
transmisin y compensacin de potencia o VAR re activos. Un LASCR ofrece un aislamiento
elctrico completo entre la fuente luminosa de activacin y el dispositivo de conmutacin de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial hasta de algunos pocos kilo volts. La
especificacin de voltaje de un LASCR podra llegar a 4 kV a 1500 A, con potencia de la luz
[1].

5) Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).

Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y se usa normalmente para control por fase.
Como un TRIAC es un dispositivo bidireccional, no se puede decir que sus terminales sean nodo
y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, el TRIAC se puede
encender aplicando una seal positiva entre la compuerta G y la terminal MTl. Si la terminal MT2
es negativa con respecto a la terminal MT}, se enciende aplicando una seal negativa entre la
compuerta G y la terminal MTl. No es necesario tener las dos polaridades de seal de compuerta,
y un TRIAC se puede encender con una seal de compuerta que puede ser positiva o negativa
[1].
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Fig3. Equivalente de TRIAC [1].

6) Tiristores de conduccin en sentido inverso (RCT, de reverse-conducting thyristor).

En muchos circuitos de convertidor e inversor se conecta un diodo anti paralelo a travs de un

SCR para permitir un flujo de corriente en sentido inverso, causada por carga inductiva, y para
mejorar los requisitos de apagado del circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo
en sentido inverso del SCR en 1 o 2 V bajo condiciones de estado estable. Sin embargo, bajo
condiciones transitorias el voltaje puede subir hasta 30 V debido a voltaje inducido en la
inductancia parsita del circuito, en el interior del dispositivo [1].

Fig 4. Trisistor en Conduccin inversa [1].

7) Tiristores apagados por compuerta (GTO).

Como un SCR, un GTO se puede encender aplicando una seal positiva a la compuerta. Sin
embargo, el GTO puede abrirse con una seal negativa de compuerta. Los GTO tienen las
siguientes ventajas sobre los SCR: 1) eliminacin de componentes de conmutacin, en la
conmutacin forzada, que dan como resultado una reduccin de costo, peso y volumen; 2)
reduccin de ruido acstico y electromagntico, por la eliminacin de reactores de conmutacin;
3) apagado ms rpido que permite altas frecuencias de conmutacin, y 4) mejor eficiencia de
convertidores [1].

Fig 5. Smbolo del GTO [1].

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Encendido. El OTO tiene una estructura muy digital, sin compuerta regenerativa, como se ver
despus en la figura 7.19. En consecuencia, se requiere un pulso grande inicial de disparo, para
activarlo [1].
Estado de encendido. Una vez que el GTO se activa, debe continuar la corriente en sentido
directo de la compuerta durante todo el periodo de conduccin, para asegurar que el dispositivo
permanezca en conduccin. En caso contrario, no puede permanecer en conduccin durante el
periodo en estado de encendido [1].
Apagado. El funcionamiento de un GTO en el apagado est influido por las caractersticas del
circuito de apagado de compuerta. En consecuencia, estas ltimas caractersticas deben coincidir
con los requisitos de apagado. El proceso de apagado implica extraccin de la carga de la
compuerta, el periodo de avalancha en la compuerta y la disminucin de la corriente andica.
La cantidad de extraccin de carga es un parmetro del dispositivo, y su valor no se afecta en
forma importante por las condiciones del circuito externo [1].

8) Tiristores controlados por FET (FET-CTH, de FET-controlled thyristor).

Un dispositivo FET-CTH combina en paralelo a un MOSFET y un tiristor, como se ve en la

figura 6. Si se aplica el voltaje suficiente a la compuerta del MOSFET, normalmente 3 V, se
genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene alta velocidad de conmutacin,
altas tasas di/dt dv/dt.
Este dispositivo puede encenderse como los tiristores convencionales, pero no puede apagarse
mediante control de compuerta. Esto tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo ptico para
dar aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control, y el dispositivo de conmutacin
del convertidor de potencia [1] .

Fig 6. Trasnsitor controlador por FET [1].

9) Tiristores de apagado por MOS (MTO, de MOS turn-off).

El MTO fue desarrollado por Silicon Power Company (SPCO). Es una combinacin de un GTO
y un MOSFET, que juntos superan las limitaciones de capacidad de apagado del GTO. El
inconveniente principal de los GTO es que requieren un circuito de encendido con grandes pulsos
de corriente, para la compuerta de baja impedancia. El circuito de la compuerta debe proporcionar
la corriente de apagado de compuerta, cuya amplitud pico tpica es 35% de la corriente que se va
a controlar [1].
Encendido. Como un GTO, el MTO enciende aplicando un pulso de corriente a la compuerta de
encendido. Este pulso enciende el transistor npn Q1, que entonces a su vez enciende al transistor
pnp Q2 y retiene al MTO [1].
Apagado. Para apagar el MTO se aplica un pulso de voltaje en la compuerta del MOSFET.
Al encenderse el MOSFET, se ponen en corto el emisor y la base del transistor npn Q1, deteniendo
as el proceso de retencin. En contraste, un GTO se apaga extrayendo la corriente suficiente de
la base del emisor del transistor npn con un pulso negativo grande, para detener la accin de
retencin regenerativa [1][3].

10) Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO, de emitter turn-off).

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El ETO es un dispositivo hbrido de MOS y GTO en el que se combinan las ventajas del GTO
y del MOSFET. El ETO fue inventado en el Virginia Power Electronics Center, en colaboracin
con SPCO .Un ETO tiene dos compuertas: una normal, para encenderlo, y una con un MOSFST
en serie, para apagarlo. Se han demostrado ETO de alta potencia , con especificaciones de
corriente hasta de 4 kA Y de voltaje hasta de 6 kV.[1][4][5][6]
Activacin. Un ETO se enciende aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2. Con un
voltaje positivo en la compuerta 2 el ctodo QE de MOSFET se enciende y apaga la compuerta
QG del MOSFET. Una inyeccin de corriente a la compuerta del GTO (a travs de la compuerta
1) enciende al ETO, debido a la existencia del GTo [1].
Apagado. Cuando se aplica una seal de apagado, con voltaje negativo, al ctodo QE del
MOSFET, se apaga y toda la corriente se desva del ctodo (emisor n del transistor npn del GTO)
hacia la base a travs de la compuerta QG del MOSFET. Esto detiene el proceso de retencin
regenerativo y el resultado es una apagado rpido [1].

11) Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT, de integrated gate-commutated

thyristors).

En el IGCT se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un activador de compuerta

en tarjeta de circuito impreso multicapa. El CGT es un GTO de conmutacin permanente, con un
pulso de corriente de compuerta muy rpido y grande, tan grande como la corriente total
especificada, que toma toda la corriente del ctodo y la lleva a la compuerta aproximadamente en
1 s , para asegurar un apagado rpido.[1][7][8].

Encendido. Como un GTO, el IGCT se enciende aplicando la corriente de encendido a su

compuerta. Apagado. El IGCT se apaga con una tarjeta de circuito impreso multicapa de
compuerta que aplica un pulso de apagado de subida rpida; por ejemplo, una corriente de
compuerta de 4 kA/s, slo con un voltaje de 20 V de compuerta a ctodo [1].

12) Tiristores controlados por MOS (MCT, de MOS-controlled thyristor).

En un MCT se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas, y una

estructura de compuerta de MOS. Como el IGBT, combina las ventajas de las estructuras
bipolares de unin con las de efecto de campo, y es una mejora respecto a un tiristor con un par
de MOSFET que lo enciendan y apaguen [1].
Encendido. Cuando un MCT de canal p est en el estado de bloqueo en sentido directo, se puede
encender aplicando a su compuerta un pulso negativo con respecto al nodo. Cuando un MCT de
canal n est en el estado de bloqueo en sentido directo, se puede encender aplicando a su
compuerta un pulso positivo con respecto al ctodo [1].
Apagado. Cuando un MCT de canal p est en estado de encendido, se puede apagar aplicando a
su compuerta un pulso positivo con respecto al nodo. Cuando un MCT de canal n est en estado
de encendido, se puede apagar aplicando a su compuerta un pulso negativo con respecto al ctodo
[1].

13) Tiristores de induccin esttica (SITR, de static induction thyristor).

El SITH, llamado tambin diodo controlado-limado (FCD, de filed-controlled dio de) fue
introducido por Teszner en la dcada de 1960. Un SITH es un dispositivo de portadores
minoritarios. En consecuencia, tiene baja resistencia o cada de voltaje en estado activo, y se
puede fabricar con mayores especificaciones de voltaje y corriente. Tiene grandes velocidades de
conmutacin y mayores capacidades de las tasas dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del
orden de 1 a 6 s. La especificacin de voltaje puede llegar hasta a 2500 V, Y la de corriente se
limita a 500 A. Este dispositivo tiene una sensibilidad extremadamente alta al proceso, y pequeas
perturbaciones en su manufactura producen grandes cambios en sus caractersticas [9][10][11].
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Proteccin Contra DI/DT

Un tiristor requiere un tiempo mnimo para repartir por igual la conduccin de la corriente en las
uniones. Si la rapidez de aumento de la corriente andica es muy alta, en comparacin con la
velocidad de reparticin de un proceso de activacin, puede presentarse un calentamiento
localizado, o "punto caliente" debido a alta densidad de corriente, y el dispositivo puede fallar
como resultado de una temperatura excesiva.
Se deben proteger los dispositivos prcticos contra una alta tasa di/dt. Por ejemplo, veamos el
circuito de la figura 7. Bajo operacin de estado permanente, Dm conduce cuando el tiristor TI
est apagado. Si se dispara TI cuando Dm todava est conduciendo, la tasa di/dt puede ser muy
alta, y slo la limita la inductancia parsita del circuito. En la prctica, la tasa di/dt se limita
agregando un inductor L, en serie, como se ve en la figura 7. La tasa di/dt en sentido directo es

Donde L, es la inductancia en serie, que incluye cualquier inductancia parsita [1].

Fig. 7. Circuito de Conmutacin para tiristor, con inductores limitadores de la tasa di/dt [1].

Proteccin Contra DV/DT

Si se cierra el interruptor SI en la figura 8 cuando t = O, se puede aplicar un escaln de voltaje a

travs del tiristor TI, y puede ser que la tasa dv/dt sea suficientemente alta como para encender el
dispositivo. Se puede limitar la tasa dv/dt conectando el capacitor C, como se ve en la figura 8a.
Cuando el tiristor TI se activa, la corriente de descarga del capacitor se limita con el resistor R,
como se ve en la figura 8b. Con un circuito RC, llamado circuito amortiguador, el voltaje en el
tiristor aumenta en forma exponencial, como se ve en la figura 8c, y la tasa dv/dt del circuito se
puede determinar en forma aproximada con

0.632 0.632
= = . 1 [1]

El valor de la constante de tiempo del amortiguador, T = RsCs, se puede determinar con esta
ecuacin, para un valor conocido de la tasa dv/dt. El valor de R, se determina a partir de la
corriente de descarga ITD.

= . 2 [1]

Es posible usar ms de un resistor para la tasa dv/dt y descargar, como se ve en la figura 8d. La
tasa dv/dt se limita con R, y Cs. La suma (Rl + R2) limita la corriente de descarga, de tal modo
que
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= . 3[1]
1 + 2

Fig. 8. Circuito de Proteccin contra la tasa dv/dt [1].

La carga puede formar un circuito en serie con la red amortiguadora, como se ve en la figura 8e.
La relacin de amortiguamiento de una ecuacin de segundo orden es
+
= = . 3 [1]
2 +

Donde L, es la inductancia parsita y L y R son la inductancia y la resistencia de la carga,

respectivamente [1].

Operacin de Tiristor en Serie

Para aplicaciones en alto voltaje se pueden conectar dos o ms tiristores en serie, para alcanzar
la especificacin de voltaje. Sin embargo, debido a las variaciones en la produccin, no son
idnticas las caractersticas de los tiristores. La figura 9 muestra las caractersticas de estado de
apagado de dos tiristores. Para la misma corriente de estado de apagado, son distintos sus voltajes
de estado de apagado [1].
En el caso de los diodos slo deben compartirse los voltajes de bloqueo en sentido inverso,
mientras que en el caso de los tiristores se requieren redes de voltaje de bloqueo compartido, para
las condiciones de bloqueo inverso y de estado de apagado [1].
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Fig. 9. Caractersticas de dos tiristores en estado apagado [1].

Si I1 es la corriente a travs del resistor R en paralelo con TI, y las corrientes por otros resistores
son iguales, de tal modo que I2 = i3 = In, el intervalo de corriente en estado de apagado es

= 2 1 = 2 + 1 = 1 2 . 4 [1]

Es igual a

2 = 1 . 5 [1]

Fig. 10. Tres tiristores conectados en serie [1].

Se define el voltaje de estado permanente

+ ( 1)2
() = . 6 [1]

Se define un factor de decaimiento DRF (de derantig factor) [1].

= 1 . 6[1]
(max)
Operacin de Tiristores en Paralelo

Cuando se conectan los tiristores en paralelo, la corriente de la carga no se comparte por igual,
por diferencias en sus caractersticas. Si un tiristor conduce ms corriente que la que pasa por
otros, aumenta su disipacin de potencia y con ello aumenta la temperatura de la unin y
disminuye la resistencia interna. Esto ltimo, a su vez, hace aumentar la corriente compartida y
puede daar al tiristor [1] .
Se puede conectar una pequea resistencia, como se ve en la figura 11 a, en serie con cada tiristor,
para forzar la divisin igual de la corriente, pero puede haber una prdida considerable de potencia
en las resistencias en serie. Un mtodo frecuente para compartir corriente de tiristores es usar
inductores acoplados magnticamente, como los que se ven en la figura 11 b.
Si aumenta la corriente por el tiristor TI, se puede inducir un voltaje de la polaridad contraria en
los devanados del tiristor Tb y se puede reducir la impedancia a travs de la trayectoria por T2
aumentando as el flujo de corriente por T2 [1].

Fig. 11. Corriente compartida entre tiristores [1].

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REFRENCIAS BIBLIOGRAFICAS.

[1] Muhammad H. Rashid, "Electrnica de Potencia", 3 ed, 1995

[2] Bi-directional control thyristor,ABB Semiconductors, Lenzburg, Suiza, febrero de
1999.www.abbsemi.com
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high power bipolar MOS thyristor," IEEE Industrial Applications Society Conference Record,
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[4] "MTO data-sheets," Silicon Power Corporation (SPCO), Exton, PA. www.siliconpower.com
[5] Y. Li, A. Q. Huang y F. C. Lee, "Introducing the emitter turn-off thyristor," IEEE Industrial
Applications Society Conference Record, 1998, Pgs. 860-864.
[6] Y. Li. Y A. Q. Huang, "The emitter turn-off thyristor - A new MOS-bipolar high power
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[7] P.K. Steimer, H. E. Gruning, 1.Werninger, E. Carrol, S. Klaka y S. Linder, "IGCT - a new
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Conference Record, 5 a 9 de octubre de 1997, New Orleans, LA, Pgs. 1592-1599.
[8] H. E. Gruning y B. Odegard, "High performance low cost MVA inverters realized with
integrated gate commutated thyristors (IGCT)," European Power Electronics Conference, 1997,
Pgs. 2060-2065.
[9] 1. Nishizawa, K. Muraoka, T. Tamamushi y Y. Kawamura, "Low-loss high-speed switching
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[10] Y. akamura, H. Tadano, M. Takigawa, 1. Igarashi y 1. ishizawa, "Very high speed sta tic
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[11] R. Singh, K. Irvine y 1.Palmour, "4H-SiC buried gate field controlled thyristor,' Annual
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