TRANSITORES DE EFECTO DE CAMP O FET (FIELD-EFFECT TRANSISTOR)

Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando
funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la
tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una seal muy dbil puede controlar el componente
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico.

Se empezaron a construir en el dcada del 60. Existen dos tipos de transistores de efecto
de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su
aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,
Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N.

Smbolo de un Smbolo de un
FET de canal N FET de canal P

Curva caracterstica de los FET

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En
ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal: El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la

tensin VGS.
Zona de saturacin: A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el

FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la

tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente(S),VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Caracterstica de Salida:
 Al variar la tensin entre drenador y surtidor vara la intensidad de drenador
permaneciendo constante la tensin entre puerta y
surtidor.
En la zona hmica o lineal se observa como al
aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la
intensidad de drenador.
En la zona de saturacin el aumento de la tensin
entre drenador y surtidor produce una saturacin de
la corriente de drenador que hace que esta sea
constante. Cuando este transistor trabaja como
amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una
intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la mxima tensin que
soportar el transistor entre drenador y surtidor.

Aplicaciones de JFET
Las aplicaciones genricas para este tipo de transistores son:
ELECTRONICA ANALOGICA

Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes

corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte.

Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del

canal).

Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de

muy baja potencia.

Control de potencia elctrica entregada a una carga.

En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC

del MOS se encuentre en la regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de
drenaje dependiente slo de la tensin VGS.

ELECTRONICA DIGITAL

Los MOS se emplean a menudo en electrnica digital, debido a la capacidad de trabajar

entre dos estados diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de
control. Para esta aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo
que idealmente pueda considerarse que:

La cada de tensin en conduccin es muy pequea.

La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.

Aplicaciones de los transistores MOSFET

La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Vase Tecnologa
CMOS
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

BUSCA DE LAS NUEVAS ALTERNATIVAS DEL SILICIO COMPONENTE PRINCIPAL

DEL FET
Intel (2016), busca alternativa a las formas actuales de fabricacin de microchips basados
en silicio. La primera lnea de trabajo, en lo que a alternativas al silicio se refiere, la
encontramos en otros materiales semiconductores que podran ofrecer mejores opciones
que el silicio, para seguir disminuyendo el tamao de los transistores que conforman los
microchips. El arseniuro de indio y galio es el nuevo material para la fabricacin de
transistores, en el que lleva un tiempo trabajando un equipo del MIT liderado por el
espaol Jess del lamo que ha logrado fabricar el transistor ms pequeo jams
construido con este material, con el objetivo de conseguir que los electrones puedan viajar
tres veces ms rpidos que con el silicio.
Otros materiales en con los que se est trabajando como alternativa al Silicio para poder
crear transistores son la Magnetita y la Molibdenita. En el caso de la Magnetita estn
trabajando los investigadores del U.S. Department of Energys (DOE) SLAC. En el caso
de la Molibdenita, que es utilizada como aditivo para lubricantes sometidos a extrema
presin, el Laboratorio de Electrnica y Estructuras a Nanoescala (LANES) ha
demostrado sus aplicaciones dentro del mundo de la electrnica, por su similitud con el
silicio en cuanto a comportamiento, permitiendo una mayor capacidad de integracin y un
menor consumo. Gracias a este material bidimensional se podran construir transistores
que consuman 100.000 veces menos energa en estado suspendido que los tradicionales
transistores de silicio. Con este material tambin est trabajando la Ecole Polytechnique
Fedrale de Lausanne (EPFL) que ha sido capaz de desarrollar un circuito integrado y
asegura que se podra llegar a reducir hasta tres veces el tamao de los fabricados con
silicio, adems de ofrecer un menor consumo energtico.
Los Nanotubos de Carbono tambin estn siendo investigados por las posibilidades que
pueden llegar a ofrecer como alternativa al silicio para la fabricacin de
microprocesadores. En concreto tanto la empresa IBM, como investigadores de la
Universidad de Stanford, han logrado construir una computadora con un procesador de
nanotubos de carbono en lugar de silicio, demostrando que se trata de un material que
funciona mejor como semiconductor para los transistores y permite lograr un tamao
mucho ms pequeo que los de silicio, con dimensiones inferiores a 10 nanmetros. De
esta forma, un procesador construido con nanotubos de carbono puede llegar a ser hasta
3 veces ms rpido que un procesador de silicio. Adems, el carbono tambin tiende a
generar menos calor y, al fabricarse transistores mucho ms pequeos, es posible
disponer de un mayor nmero de ellos en el mismo espacio. El objetivo de IBM es contar
con el primer microchip comercial fabricado con nanotubos de carbono en el ao 2020.}
El Grafeno tambin se presenta como un gran aliado para el futuro de la industria
tecnolgica y al igual que hemos visto en el caso de los nanotubos de carbono, tambin
est siendo IBM uno de los pioneros en el estudio de este material, como alternativa al
silicio, para la fabricacin de microprocesadores. En concreto la empresa ha logrado crear
un chip de silicio recubierto de grafeno, que es capaz de multiplicar por 10.000 la potencia
de los chips actuales, fabricados nicamente con silicio, y tambin multiplicar la velocidad
casi por 4, llegando a los 100 GHz.