UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

GUA EXPERIENCIA N3 - LABORATORIO DEL CURSO EE441 N

EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACIN, CORTE Y SATURACIN

INTRODUCCIN

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor (E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de corriente:
electrones y lagunas o agujeros.

CLASIFICACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

1.- Por la disposicin de sus capas: Transistores PNP y NPN

2.- Por el material semiconductor empleado: Transistores de Silicio y de Germanio

3.- Por la disipacin de Potencia: Transistores de baja potencia, de mediana potencia y de alta potencia
4.- Por la frecuencia de trabajo: Transistores de baja frecuencia y Transistores de alta frecuencia

POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente. Para
ellos se debe cumplir que:
La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.

Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al emisor y el
colector debe tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la base. En el caso de un transistor
PNP debe ocurrir lo contrario.

CODIFICACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos especifica la funcin que
cumple y en otros casos indica su fabricacin.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos, Japoneses y
Americanos.
CODIFICACIN EUROPEA
Primera letra: A : Germanio
B : Silicio

Segunda Letra:
A : Diodo (excepto los diodos tnel) L : Transistor de alta frecuencia y potencia
B : Transistor de baja potencia
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia P : Foto semiconductor
E : Diodo tnel de potencia S : Transistor para conmutacin
F : Transistor de alta frecuencia

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE 1
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

Y : Diodos de potencia
U : Transistor para conmutacin y de potencia Z : Diodo Zener
Nmero de serie

100 999 : Para equipos domsticos tales como radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc.
10 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.
Ejemplo: AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de baja frecuencia.

CODIFICACIN JAPONESA

Primero
0 (cero): Foto transistor o fotodiodo 1: Diodos
2: Transistor
Segundo
S : Semiconductor

Tercero
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia) D : Transistor NPN de AF
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia) F : Tiristor tipo PNPN
C : Transistor NPN de RF G : Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Nmero de serie : comienza a partir del nmero 11

Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior

Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que el 2SA186.

CODIFICACIN AMERICANA

Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con el prefijo 2N y a continuacin un

nmero que indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo 2N3055, 2N2924 (manuales del laboratorio).
Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene por ejemplo : TI1411, ECG128, etc.
que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE 2
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

I. OBJETIVO:

Conocer las caractersticas tcnicas y los requerimientos de uso del transistor.

Adquirir destreza en el uso de los equipos y la obtencin de las curvas caractersticas del transistor
Bipolar.
Adquirir destreza en el manejo de los manuales y obtencin de los data sheet de los dispositivos a
usar de Internet y los equipos de medicin.
Determinar las operaciones de corte y saturacin de los transistores.
Identificar las rectas de carga y punto de operacin.
Adquirir destreza en el manejo de los equipos y el ensamble de los circuitos.
Afianzar el trabajo en equipo asumiendo responsabilidades en el desarrollo de la experiencia.

II. COMPETENCIAS

Maneja correctamente el multmetro, generador, fuente de alimentacin y osciloscopio, configurando

y conectndolos apropiadamente.
Selecciona correctamente los componentes a utilizar para el anlisis de corte y saturacin del
transistor bipolar.
Elabora informes tcnicos claros mediante un formato digital establecido, detallando el proceso de
laboratorio desarrollado, entregando puntualmente.
Usa software de simulacin y compara con los resultados experimentales.
Reconoce la importancia del trabajo en equipo y se integra y participa en forma efectiva en equipos
multidisciplinarios de trabajo.

III. PREGUNTAS PARA EL INFORME PREVIO:

a. Realice los clculos para hallar I B , I C empleando el simulador ORCAD / Pspice o similar.
b. Simule los pasos de la gua de laboratorio y anote las tensiones y corrientes que se piden en el
experimento.

c. Con los valores obtenidos con el simulador, haga las grficas de las curvas: I C vs VCE ; I C vs I B ;
vs I C ; I B vs VBE ; y obtenga el grfico de respuesta en frecuencia indicando la ganancia de
tensin vs. Frecuencia usando la escala logartmica.
d. Obtenga el Data Sheet del transistor y determine las caractersticas de corte y saturacin as como
el punto de operacin del 2N 2222 y el 2N 3904.
e. Que voltaje AC de entrada puede soportar el transistor 2N 2222 y el 2N 3904
f. Determine la impedancia de entrada y salida a 60 Hz.

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE 3
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

IV. EQUIPOS Y MATERIALES:

01 transistor NPN 2N2222 2N3904 01 protoboard

01 Resistencia de 100; 2de 1K de 1W
Resistencias:10K;15K;56K;22K;180K;
3.3K;6.2K;10K;47K ,510K;2K de 1W
01 Potencimetro lineal de 50K y 500 K 0.5W
02 transistores BJT iguales BC548A
02 Diodos LED
02 Fuente DC; puntas de prueba
01 protoboard y cables conectores
01 multmetro
01 Osciloscopio, puntas de prueba
01 ampermetro analgico

V. PROCEDIMIENTO.

5.1 POLARIZACIN- CURVAS DEL TRANSISTOR

a. Mida las resistencias y los potencimetros con el multmetro y anote los valores.
b. Determine los terminales del transistor con el multmetro o use los manuales e imprima EL Data
Sheet obtenida en Internet (Nota: si el multmetro tiene probador de transistores selo)
c. Arme el siguiente circuito: Tenga cuidado de colocar correctamente los terminales del transistor.

50K

500k

IC
100K DC = 12V
IB
C
B

10k E

Figura 1
Nota: En la figura la resistencia de 100k reemplazar por una resistencia de 100

d. Si usa un transistor equivalente busque en el datasheet sus caractersticas y modifique si es

necesario el voltaje de entrada.

e. Verifique las conexiones con el multmetro, ajuste la fuente a 12 VDC y conctela al circuito.

f. La corriente de base ( I B ) obtenida en el informe previo, la puede ajustar con el potencimetro de

500 K. La corriente de base ( I B ) la puede medir indirectamente con la tensin en la resistencia
de 10K. La tensin de colector-emisor ( VCE ) la puede ajustar con el potencimetro de 50K. La

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE 4
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

corriente de colector ( I C ) la puede medir indirectamente con la tensin en la resistencia de 100

si solo cuenta con un ampermetro.

g. Para determinar las curvas I C vs VCE , ajuste y mantenga I B en 40A y llene la siguiente tabla:

VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

I C (mA)

Ajuste y mantenga I B en 80A y llene la siguiente tabla, para obtener la curva I C vs I B

VCE (V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
I C (mA)

IC
h. Obtener las Curvas I C vs I B : ( = ) , vs I C
IB
Mantenga VCE = 5V y llene la siguiente tabla:

I B (A) 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130

I C (mA)

i. Obtener las curvas I B vs V BE . Mantenga VCE = 5V y llene la siguiente tabla:

I B (A) 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130

V BE (V)

Ejemplo:

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE 5
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

5.2 TRANSISTORES BIPOLARES EN ZONA ACTIVA, CORTE Y SATURACIN

a. Armar el circuito de la figura 2:

V1
R2
1k 12Vdc

Vo

R1 Q1

BC548A
V3 180k
VOFF = 0
VAMPL = 10V
FREQ = 60Hz

Fig. 2
Ing. Virginia Romero
Docente FIEE 6
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

b. Polarizar el dispositivo y medir VC y V B para completar la siguiente tabla:

V3 (V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 15 16
VC (V)
VB (V)
IC (mA)
IB (uA)
Beta

c. A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida VC vs V3 Si es necesario,

tomar medidas de puntos intermedios.
d. Graficar la curva de transferencia de corrientes ( I C vs I B ) y el beta de las mismas (BETA vs I C ).
Ejemplo:

SIMULACIN (Tomando datos en R1):

V1

12Vdc

R2
1k 0

R1 Q1

V V
BC548A
I
180k
V3
VOFF = 0
VAMPL = 10V
FREQ = 60Hz
0
0

____ I vs. T(0) en R1; _____ V vs. T en Q1; _____ V vs. T en R1

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE 7
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

40uA

0A

-40uA

-80uA
-I(R1)
5V

0V

-5V

-10V
V(Q1:b)
10V

0V

SEL>>
-10V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms 45ms 50ms
V(R1:1)
Time

e. Armar el circuito de la figura 3

R3 R4
47k 1k

V4
12Vdc
Q2

BC548A

R6 R5
56K 1k

Fig. 3

f. Medir las tensiones VC , V E y V B para trazar la recta de carga del circuito, variando R6.

R6 56K 47K 22K 15K 3.3K

VB (V)
VC (V)
VE (V)
IC (mA)
IB (uA)
Zona

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE 8
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

g. Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano I C vs VCE del transistor.
Indicar la zona de operacin correspondiente.

R IC VC Zona

RC = 0

RC = 1K

RC = 3.3K

h. Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando las zonas de
operacin. Adjuntar las datasheet con los datos de los transistores utilizados.
i. Armar el circuito de la figura 2, conectar los diodos LED en serie con las resistencias R1 y R2,
colocar en V3 una fuente DC y reemplazar R! por un potenciometro
j. Para determinar la regin activa vare el voltaje de entrada V3 y realice las mediciones
necesarias, de tal forma que pueda determinar el intervalo de voltaje (V(min) < V4 < V(max))
que mantiene al transistor operando en la regin activa.
k. Para determinar cuando el transistor est en corte o est en saturacin, aumentar de 1v en 1v
el V(max) DC de V3; hasta encontrar un cambio en V0. Luego repetir el procedimiento
disminuyendo V(min) de V3 desde el ltimo valor de v, hasta cero.
En la simulacin determinar la resistencia R1 que facilite el corte y saturacin de manera ms
rpida y usar ese valor en la prctica de laboratorio.
l. Tomar datos y completar la siguiente tabla.

ZONA DE CORTE ZONA ACTIVA ZONA DE SATURACIN

ZONA
VBE(corte) < ______
IB(corte) = ______
IC(corte) = ______
IE(corte) = ______
VCE(corte) = ______
_______ < VBE < _______ VBE(sat) = ______
< IB < IB(sat) = ______
_______ < IC < _______ IC(sat) = ______
_______ < IE < _______ IE(sat) = ______
_______ < VCE < _______ VCE(sat) = ______

BE : Base- Emisor ; CE: Colector-Emisor

VI. PREGUNTAS PARA EL INFORME FINAL:

a. Haga una tabla comparando los valores tericos con los valores experimentales. Cmo los
explica?

b. Para el circuito de la fig.1, obtenga las grficas de las curvas: I C vs VCE ; I C vs I B ; vs I C I B vs

V BE . Qu diferencia observa entre las curvas tericas y experimentales?
Ing. Virginia Romero
Docente FIEE 9
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

c. Para los circuitos de las figuras: 1, 2 y 3. Presente la forma de onda de entrada ( Vin ) y de la carga
( V L ) obtenida en el laboratorio. Qu relacin de fases hay entre ellas?

d. Observe los lmites para la zona activa y comprelos con los valores obtenidos para la regin de
saturacin y corte.
e. Mostrar las capturas e imagen en cada caso y explicar.
f. Indique y explique sus observaciones y conclusiones.

Ing. Virginia Romero

Docente FIEE 10