Autor: Calf.

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Fecha de elaboracin: Mdulo:

TAREA Nro. 4

Tema: Cuestionario De Electrnica Bsica

Objetivo:
Resolver las preguntas correspondientes para un buen estudio
de las mismas
Conocer la estructura, funcionamiento de un transistor.

Resea terica:

Transistores Bipolares
1. Estructura y Simbologa del transistor
Es un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y colector. La
estructura fsica de un transistor bipolar consta de dos uniones PN. Entre los
terminales de emisor y base hay una unin PN, denominada unin emisora, Y
entr los de base y colector otra unin PN. Llamada unin colectora. Hay dos
tipos de transistores bipolares: el NPN y PNP.
En el transistor NPN el emisor es un semiconductor topo N, la base es tipo P Y
el colector es tipo N.
En el transistor PNP el emisor es un semiconductor tipo P, la base es tipo N, y
el colector es tipo P.

2. Comportamiento del transistor en corriente directa e inversa.

Con el transistor bipolar en zona activa, la unin base-emisor (B-E) estar
polarizada en directa y la base-colector (B-C) en inversa.

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3. Curvas caractersticas del transistor, segn su polaridad.
Para que un BJT pueda polarizarse en su regin lineal o activa, deben
cumplirse las siguientes condiciones:
1. La unin base-emisor debe estar en polarizacin directa (voltaje de la regin
p ms positivo), con un voltaje resultante en polarizacin directa entre 0.6 y 0.7
V.

2. La unin base-colector debe estar en polarizacin inversa (voltaje de la

regin n ms positivo), con el voltaje de polarizacin inversa dentro de los
lmites mximos del dispositivo.
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4. Encapsulado del transistor
Los que presentan una manufactura de trabajo pesado son dispositivos de alta
potencia, en tanto que los otros cuyo encapsulado es pequeo (como sombrero
alto) o cuyo cuerpo es de plstico son dispositivos de baja o mediana potencia.
Independientemente de la cpsula que tengan, todos los transistores tienen
impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la referencia que indica
el modelo de transistor.

5. Aplicaciones del transistor

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

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 Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de
radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de
alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura
de impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

6. Diagrama de funcionamiento bsico del transistor, basada en alguna

de sus aplicaciones.
El transistor bipolar como amplificador:
Se dice que un circuito amplifica cuando la potencia de la seal de salida es
superior a la de la seal de entrada y se conforma la forma de onda de la seal
se definen tres factores de amplificacin: ganancia de tensin, G v; ganancia de
corriente, Gi, y ganancia de potencia, Gp.

Transistores de efecto de campo de unin JFET

1. Estructura y simbologa del transistor
Como se indic anteriormente, el JFET es un dispositivo de tres terminales, con
una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos.
La corriente fluye entre los terminales de drenador y surtidor, y est controlada
por la tensin aplicada entre el terminal de puerta y el de surtidor. Hay dos tipos
de JFET: el de canal N y el de canal P. Sus estructuras fsicas simplificadas y
sus smbolos se representan en la figura

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 Fig1. Estructura fsica y smbolo del JFET a) De canal N, b) De canal P

2. Comportamiento del transistor en corriente directa e inversa

Fig2. Transistores JFET de canal N y P

VGS >0
En este caso, las uniones de puerta-canal estn polarizadas directamente, por
lo que circular una gran cantidad de corriente a travs de la puerta. Este
funcionamiento no es el que se busca en el JFET, por lo que en los diseos
siempre se tratar de evitar la polarizacin directa de las uniones de puerta.
Si VDS sigue aumentando de manera que sus valores empiezan a ser notables,
ID tambin aumentar pero la cada hmica de tensin a lo largo del canal
empezar a modular el canal. Efectivamente, en la zona de drenador aparece
la unin puerta-drenador que se encuentra polarizada inversamente, con una
z.c.e. creciente, y el canal se empezar a contraer en dicha zona.
3. Curvas caractersticas del transistor segn su polaridad

Polarizacin inversa.

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 Polarizacion directa

4. Encapsulado del transistor

Los JFETs, se encuentran disponibles en encapsulado de sombrero de copa,
como se seala en la figura, junto con su identificacin de terminales.

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 5. Aplicaciones del transistor
- Amplificador
- Conmutador analgico
- Multiplexado
- Troceadores
- Amplificador de aislamiento
- Amplificador de bajo ruido
- Resistencia controlada por voltaje
- Control de ganancia automtico
6. Diagrama de funcionamiento bsico del transistor, basada en
alguna de sus aplicaciones.

El seguidor
de fuente
JFET es

funcionalmente similar al seguidor de emisor BJT. Asimismo, no proporciona

ganancia de voltaje, pero s modifica la impedancia, creando ganancia de
corriente (y de potencia).
La cada de voltaje en la resistencia de fuente es, por lo tanto, la resistencia de
fuente es una potencia de la corriente de drenador. Podemos relacionar la
corriente de drenador con el voltaje puerta-fuente mediante la
transconductancia. Y tambin comprobamos que el voltaje de fuente coincide
con el de salida. Observe que la transconductancia tpica corresponde a una
resistencia ms pequea
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(Aproximadamente de 200 ohmios) que la resistencia de fuente y, por lo tanto,
la ganancia se aproxima a 1.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada IGFET

1. Estructura y Simbologa del transistor IGFET

Los transistores IGFET ms conocidos como MOSFET de empobrecimiento

(D-MOSFET) puede ser operado en cualquiera de dos modos: el modo de
empobrecimiento o el modo enriquecimiento. Como la compuerta est
aislada del canal, se puede aplicar en ella un voltaje positivo o un voltaje
negativo. Su estructura cambia en tipo del semiconductor ya que puede ser
de tipo P o N. . Los terminales del dispositivo son el drenador (D), la puerta
(G), la fuente (S) y el sustrato (B).
SU SIMBOLOGIA

2. Comportamiento del transistor en corriente directa e inversa

El D-MOSFET de canal n opera en el modo de empobrecimiento cuando se
aplica un voltaje negativo de compuerta a fuente, Mientras ms grande es el
voltaje negativo en la compuerta, ms grande es el empobrecimiento de
electrones en el canal n, y en modo de enriquecimiento cuando se aplica un
voltaje positivo de compuerta a fuente, ms electrones de conduccin son
atrados hacia el canal, por lo que la conductividad de ste se enriquece.

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3. Curvas caractersticas del transistor, segn su polaridad
El D-MOSFET puede operar con voltajes positivos o negativos en la
compuerta. Esto se indica en las curvas de caracterstica de transferencia
generales mostradas en la figura tanto para MOSFET de canal n como de
canal p. El punto en las curvas donde VGS=0 corresponde a IDSS. El punto
donde ID= 0 corresponde a VGS(apagado). Como con el JFET,

VGS(apagado)=Vp.

4. Encapsulado del transistor

5. Aplicaciones del transistor

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 Los DMOSFET tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de
radiofrecuencias, por su bajo nivel de ruido.
Los DMOSFET, de enriquecimiento se utilizan ampliamente en los sistemas
digitales de alta densidad de integracin como las compuertas lgicas,
memorias semiconductoras, microprocesadores, micro controladores etc.
6. Diagrama de funcionamiento bsico del transistor, basada en
alguna de sus aplicaciones.
En la figura se muestra un D-MOSFET de canal n en fuente comn
polarizado en cero con una fuente de ca acoplada capacitivamente a la
compuerta. sta se encuentra a aproximadamente 0 V de ca y la terminal
fuente est a tierra, as que VGS=0 V.

Transistor de efecto de campo MOS MOSFET

1 Estructura y Simbologa del transistor
La estructura fsica de un MOSFET de acumulacin de canal n (tambin
conocido por transistor NMOS) puede verse en la Figura 5.1. Los terminales del
dispositivo son el drenador (D), la puerta (G), la fuente (S) y el sustrato (B).

Simbologa del transistor MOS

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2 Comportamiento del transistor en corriente directa e inversa
Regin de corte:
Supongamos que se aplica al drenador una tensin positiva con relacin a la
fuente, y que empezamos con v GS=0. Observe que en las interfaces drenador-
sustrato y fuente-sustrato aparecen uniones pn. No fluye virtualmente ninguna
corriente hacia el drenador ya que la unin drenador-sustrato est polarizada
en inversa por el generador de vDS.

Regin hmica:
Ahora consideraremos la situacin que se muestra en la Figura 5.4, en la que
vGS es mayor que la tensin de umbral. El campo elctrico que resulta de la
tensin aplicada a la puerta a repelido a los huecos de la regin situada bajo la
puerta, y ha atrado a electrones que pueden fluir con facilidad en la direccin
de polarizacin directa a travs de la unin fuente-sustrato. Esta repulsin y
atraccin simultneas producen un canal de tipo n entre el drenador y la fuente.
Entonces, al aumentar vDS, la corriente fluye hacia el drenador a travs del
canal y de la fuente. Para valores pequeos de v DS, la corriente de drenador es
proporcional a VDS. Adems, para cada valor dado (pequeo) de V DS, la
corriente de drenador es tambin proporcional al exceso de tensin de la
puerta, vGS. Vto.

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3 Curvas caractersticas del transistor, segn su polaridad

La curva caractersticas para el transistor MOSFET de deplexin (en este caso

de canal n) son en esencia iguales a las vista hasta ahora. Indicar que en este
caso, cuando la tensin VGS aplicada es cero, a la corriente por el dispositivo se
le denomina IDSS por analoga al caso del JFET, sin embargo, en este caso no
se trata de la mxima corriente que podemos extraer del dispositivo

4 Encapsulado del transistor

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En algunos casos nos encontramos con Mosfet SMD con encapsulado SOT-
223 o TO-261AA cuyo nmero indicado en el encapsulado son 2 letras y 3
nmeros como por ejemplo LL014 o FL016, para poder ubicar su hoja de datos
debemos agregarle el prefijo IR
Cuando el encapsulado es DPAK o D2PAK traen en el encapsulado el nmero
de identificacin completo y en algunos se le agrega el prefijo IR.
Cuando el encapsulado es SOIC-8 verificamos el logo para determinar quin es
el fabricante; si es International Rectifier le agregamos el prefijo IRF, si es
VISHAY se le agrega el prefijo SI. El nmero de partes es de 4 dgitos.

5 Aplicaciones del transistor

- El MOS como resistencia
- El MOS como interruptor
- Transistor de paso.
- Inversor CMOS.
- El MOS como amplificador

6 Diagrama de funcionamiento bsico del transistor, basada en alguna

de sus aplicaciones.
EL MOSFET COMO INVERSOR.
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET N se basa en sus
caractersticas en conmutacin: pasando de la regin de corte a la regin
hmica.
El transistor MOSFET en conmutacin, basado en un interruptor con
resistencia de Drenador, es fundamental en circuitos digitales, puesto que la
conmutacin de corte a saturacin y viceversa, implica unos tiempos de
retardo de gran importancia en estos sistemas. Inversor con carga pasiva.
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 La palabra pasiva se refiere a una resistencia normal como RD. En este
circuito Vin puede ser alta o baja.
Cuando Vin esta en nivel bajo, el MOSFET esta en corte y Vout es igual a la
tensin de alimentacin. Cuando Vin esta en nivel alto, el MOSFET esta en
conduccin y Vout cae a un nivel bajo. Para que este circuito funcione la
corriente de saturacin ID(sat) tiene que ser menor que ID(on).
RDS(on)<< RD

Se denomina inversor, por que la tensin de salida, es de nivel opuesto a la

tensin de entrada. Lo nico que se requiere en los circuitos de conmutacin,
es que las tensiones de entrada y de salida se puedan reconocer fcilmente, ya
sea en nivel alto o bajo.

Conclusin:
Se ha podido resolver las preguntas correspondientes para
su estudio.
Se ha mejorado el conocimiento acerca de los transistores.

Bibliografa:

[] APELLIDO, Nombre (Autores); Ttulo Libro; Edicin; Ao de

Publicacin

[1] Llus Prat Vias, Circuitos y dispositivos electrnicos Cap.4.

[2] Llus Prat Vias, Circuitos y dispositivos electrnicos Cap 5.
[3] Allan R. Hambley, Electrnica - 2da Edicin.Cap.7. Pag:209
[4] Boylestad Robert L y Nashelsky Louis, Electrnica: teora de
circuitos y dispositivos electrnicos, 8. ed. Mxico 2003.

[4] http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso03-
04/cce/practicas/encapsulados/encapsulados.htm

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[5]

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