Sunteți pe pagina 1din 44

4 FOTODETECTORII.

CONSIDERAII GENERALE

4.1 Clasificarea fotodetectorilor

Orice dispozitiv care transform semnalele luminoase din domeniul


spectrului de radiaie optic n semnale electrice se numete detector foto-
electronic sau mai simplu, fotodetector, Dup cum se tie spectrul radiaiei optice
este cuprins ntre 5 10 3 i 103m i se mparte n : (a) regiunea ultraviolet (
5 10 3 m < < 0,4m); (b) domeniul vizibil (0,4m < < 0,76m); (c) spectrul
infrarou (0,76m < < 103m). Principiul de funcionare al fotodetectorilor
const n absorbia radiaiei luminoase i transformarea ei n alte forme de energie.
Din acest punct de vedere fotodetectorii se mpart n dou grupe mari:
fotodetectori termici n care absorbia radiaiei luminoase este nsoit de creterea
temperaturii sistemului reea cristalin - electroni i fotodetectori electronici n care
absorbia radiaiei optice determin excitarea electronilor pe nivele energetice
superioare. Fotodetectorii termici nu snt selectivi deoarece energia absorbit este
transformat n energie termic. Fotodetectorii electronici snt selectivi deoarece ei
rspund numai la acei fotoni a cror energie minima depete o anumit energie
de prag, de exemplu, lrgimea benzii interzise a semiconductorului. n detectorii
termici de radiaie snt utilizate acele proprieti ale solidelor care se modific
odat cu creterea temperaturii n urma absorbiei radiaiei luminoase. Din aceste
motive detectorii termici au o inerie mult mai mare dect detectorii electronici de
radiaie optic.
La baza funcionrii detectorilor electronici de radiaie st efectul
fotoelectric. Detectorii de radiaie optic care au la baz efectul fotoelectric au
primit denumirea general de fotoelemente.
Dac radiaia incident n urma absorbiei, determin ieirea electronilor din
solid i formarea unui flux de electroni ntre catod i anod atunci aceast form de
transformare a energiei luminoase se numete efect fotoelectric extern. Pe baza
acestui efect s-au construit diferite tipuri de celule fotoelectrice.
Excitarea intern a reelei cristaline sub aciunea radiaiei absorbite care
determin trecerea electronilor din strile legate n strile libere poart denumirea
de efect fotoelectric intern. Una din formele de manifestare a efectului fotoelectric
intern const n apariia purttorilor de sarcin i deci, n creterea conductivitii
electrice a semiconductorului. Modificarea conductivitii electrice a
semiconductorilor sub aciunea radiaiei optice poart denumirea de fotoconducie
iar detectorii de radiaie construii pe baza acestui fenomen se numesc
fotorezistori.
O alt form de manifestare a efectului fotoelectric intern n semiconductorii
cu diferite tipuri de neomogeniti (contactul metal-semiconductor, jonciunea p -
n, semiconductorul cu gradient de impuriti etc.) const n separarea purttorilor
de sarcin n cmpurile interne i apariia unei tensiuni fotoelectromotoare - efectul
fotovoltaic.
Dac un semiconductor omogen este iluminat neuniform atunci i generarea
purttorilor de sarcin va fi neuniform i deci purttorii de sarcin vor difuza pe
direcia descreterii concentraiei. Datorit faptului c electronii i golurile au
mobiliti diferite va apare o tensiune fotoelectromotoare. Acest proces de apariie
a unei fototensiuni se numete fotoefect de difuzie sau efect Dember.
Un efect fotovoltaic poate s apar ntr-un semiconductor atunci cnd
perpendicular pe direcia de iluminare se aplic un cmp magnetic sau
semiconductorul este deformat uniaxial. n primul caz efectul se numete
fotoelectromagnetic iar n al doilea caz fotopiezoelectric. De asemenea, este
cunoscut i efectul de apariie a unei tensiuni fotoelectromotoare datorit presiunii
fotonilor. Acest efect se caracterizeaz printr-un timp de rspuns foarte mic (10 -10 -
lO-11 s) i se deosebete esenial de celelalte efecte fotoelectrice. Esena acestui
fenomen const n aceea c sub aciunea presiunii fotonilor apare o micare
ordonat a purttorilor de sarcin liberi care determin apariia unei tensiuni
fotoelectromotoare pe direcia de inciden a radiaiei optice.
Toate aceste efecte stau la baza realizrii unei game foarte largi de
fotodetectori cu aplicaii deosebite att n procesele de automatizare i control ct
i n sistemele optice de comunicaie sau n aparatura de msur.
n acest capitol vor fi analizai numai acei fotodetectori care prezint interes
actual i n perspectiv att n ce privete utilizarea lor ca elemente discrete ct i
ca pri componente n circuitele i sistemele optoelectronice integrate.

4.2 Caracteristici fundamentale ale fotodetectorilor

Pentru a evalua proprietile i eficiena detectorilor de radiaie luminoas se


utilizeaz urmtoarele caracteristici: sensibilitatea spectral ; sensibilitatea
integral; sensibilitatea n curent sau tensiune; coeficientul de utilizare a radiaiei
luminoase; fluxul luminos de prag sau detectivitatea; caracteristica n regim
tranzitoriu; eficiena cuantic; pragul cuantic de sensibilitate; constanta de timp;
caracteristica n frecven; caracteristici termice (coeficientul de temperatur i
puterea maxim de disipare admis); caracteristica energetic (luminoas);
caracteristica curent-tensiune.
Dintre parametrii enumerai remarcm n mod deosebit sensibilitatea
spectral i integral (n curent sau tensiune). Cu ajutorul acestor parametri se
poate evalua reacia fotodetectorului la incidena unui flux luminos monocromatic
sau cu o anumit compoziie spectral. Dac pentru a caracteriza reacia
fotodetectorului se alege un anumit parametru i se urmrete variaia acestui
parametru n raport cu variaia intensitii fluxului luminos incident atunci se
obine sensibilitatea spectral sau integral a fotodetectorului n raport cu
parametrul ales. De exemplu, se poate alege ca parametru variaia rezistenei
fotodetectorului la iluminare. n practic de cele mai multe ori pentru a caracteriza
rspunsul fotodetectorului la radiaia optic se utilizeaz sensibilitatea spectral sau
integral n curent sau tensiune. Cu ajutorul acestor parametri se poate evalua
reacia fotodetectorului conectat ntr-un circuit concret de utilizare n funcie de
mrimea semnalului electric (n curent sau tensiune) la ieire cauzat de fluxul
luminos incident. De aceea, analiznd n continuare sensibilitatea spectral i
integral a foto-detectorilor, vom avea n vedere sensibilitatea spectral i integral
n curent i tensiune.
Sensibilitatea spectral S se definete ca fiind rspunsul fotodetectorului
sub aciunea fluxului luminos monocromatic

dU
S (4.1)
d

unde dU reprezint reacia fotodetectorului, determinat de fluxul luminos


monocromatic d .
Pentru majoritatea fotodetectorilor selectivi mrimea S se modific n
funcie de lungimea de und a radiaiei incidente i poate atinge o valoare
maxim S m pentru o anumit lungime de und care se numete lungime de und
a sensibilitii maxime a fotodetectorului. Noiunea de sensibilitate spectral este
destul de clar din punct de vedere al proceselor fizice dar msurarea ei prezint o
serie de dificulti. Din aceste motive n loc de sensibilitatea spectral S se
utilizeaz noiunea de sensibilitate spectral relativ, definit prin relaia

S
s (4.2)
S m

Mrimea s reprezint caracteristica spectral a fotodetectorilor.


Sensibilitatea integral S a fotodetectorilor se definete prin relaia :

U
S (4:3)

unde U reprezint rspunsul fotodetectorului sub aciunea fluxului luminos cu o


anumit compoziie spectral. ntre sensibilitatea spectral i integral exist o
legtur bine definit. Din (4.1) avem dU S d i cum d d , rezult


U dU S d
0 0

innd cont c S s S m ultima relaie se poate scrie sub forma


U S m s d (4.4)
0

Pe de alt parte, cum d d , rezult


d (4.5)
0

Introducnd (4.4) i (4.5) n (4.3), obinem


s d
S S m 0
(4.6)
d
0

Din aceast relaie se observ c sensibilitatea integral a fotodetectorului


depinde de densitatea spectral a sursei de radiaie luminoas. Prin urmare,
sensibilitatea integral depinde nu numai de proprietile fotodetectorului ci i de
caracterul radiaiei emise de surs, prin intermediul funciei . Integrala de la
numrtorul relaiei (4.6) se noteaz cu ef i poart denumirea de flux luminos
efectiv :


ef s d (4.7)
0

Semnificaia acestei mrimi se poate urmri pe figura 4.1.


Coeficientul de utilizare K a fluxului luminos de ctre fotodetector se
definete prin relaia

K s d d (4.8)
0 0

ntruct funcia s nu are o expresie analitic ci se d sub form de grafic


rezult c pentru a calcula coeficientul de utilizare K trebuie s reprezentm pe
acelai grafic n uniti relative i funcia , s facem apoi produsul lor i s
calculm suprafeele corespunztoare (fig. 4.1) iar apoi s facem raportul lor.
Dac pentru un anumit fotodetector snt cunoscute sensibilitatea integral i
coeficientul de utilizare n raport cu o anumit surs de radiaie optic atunci se
poate determina i sensibilitatea spectral a fotodetectorului n uniti absolute.
ntr-adevr, din (4.2), (4.6) i (4.8) obinem:

S
S s (4.9)
K

Fig.4.1. Semnificaia de flux luminos efectiv

Fluxul luminos de prag p , se definete ca fiind fluxul luminos minim care


determin la ieirea fotodetectorului un semnal echivalent cu nivelul propriu de
zgomot. Fluxul luminos minim care poate fi detectat este limitat de anumite
fluctuaii numite zgomote. Dac ar lipsi zgomotul s-ar putea msura un flux de
lumin orict de mic i cu o precizie nelimitat. n realitate lucrurile nu stau aa.
La ieirea fotodetectorului ntotdeauna se poate detecta un semnal aleator att ca
amplitudine ct i ca frecven, cauzat de caracterul discret al proceselor fizice care
au loc n fotodetector. Zgomotele electrice snt determinate de procese aleatorii iar
mrimea lor nu se poate prevedea pentru un anumit moment. De aceea pentru a
determina valorile cele mai probabile ale amplitudinii zgomotelor se aplic metode
statistice. Printr-o abordare statistic se pot reuni ntr-o tratare teoretic general
diferite tipuri de fluctuaii i fenomene care determin zgomotul. Mrimea
fluctuaiei se poate evalua prin dispersia U2, adic prin abaterea medie ptratic a
mrimii aleatorii U de la valoarea medie Uo ntr-un interval de timp T care este
mult mai mare dect perioada fluctuaiilor. Matematic, acest lucru se poate
exprima prin relaia :

1
U U 0 2 dt
0
U2

Abaterea medie standard a semnalului la ieirea fotodetectorului este dat de


U2 mrime ce caracterizeaz nivelul de zgomot. nlocuind n (4.3) rspunsul
fotodetectorului U cu nivelul de zgomot U2 , pentru fluxul luminos de prag p ,
obinem

U2
p (4,10)
S

n mod analog se definete pragul de flux monocromatic


U2
p , (4.11)
S

Pragul de sensibilitate a fotodetectorilor depinde att de mrimea A a


suprafeei expuse la iluminare ct i de banda de frecven, f , a amplificatorului
utilizat la ieirea fotodetectorului. Pentru a elimina aceste neajunsuri se definete
pragul specific de sensibilitate al fotodetectorului cu ajutorul relaiei

1 U2 1
8p
S A f
p
A f
(4.12)

i pragul specific spectral

1 U2 1
8p ,
A f
p , (4.13)
S A f

Uneori pentru a caracteriza fotodetectorii se utilizeaz mrimea

1 S
D (4.14)
p U2
cunoscut sub denumirea de detectivitate. Folosind relaia (4.12) se poate defini
detectivitatea specific

1
D* D A f (4.15)
sp

care se msoar n W 1 H 1z 2 cm cm sau n 1m 1 H 1z 2 cm . n mod similar se


definete detectivitatea spectral i detectivitatea spectral specific cu ajutorul
relaiilor

1 S 1
D ; D* s D A f (4.16)
p , U 2 p ,

Caracteristica tranzitorie a fotodetectorului, St t , se definete ca fiind


reacia fotodetectorului atunci cnd asupra lui acioneaz un flux luminos unitar n
treapt, t 1 t (fig. 4.2). n cazul unei caracteristici lineare a fotodetectorului,
dependena de timp a rspunsului este descris de ecuaia diferenial

dU
U t S 0 t (4.17)
dt

Dac fluxul luminos incident are forma unei funcii treapt (fig.4.2), atunci,
rezolvnd ecuaia (4.17), obinem

t

U t t 1 t S t t S 0 1 e
, pentru t 0 (4.18)

Mrimea T din relaiile de mai sus poart denumirea de constant de timp a


fotodetectorului.
Procesul tranzitoriu a fotodetectorului se termin ntr-un interval de timp
egal cu dou sau trei constante de timp. De regul, constanta de timp a
fotodetectorului se consider ca fiind egal cu intervalul de timp n care semnalul
la ieirea fotodetectorului atinge 63% din valoarea sa staionar.
Rspunsul fotodetectorului sub aciunea unui impuls de flux luminos unitar
t t poart denumirea de caracteristic n impulsuri i se noteaz cu Si t .
Rezolvnd ecuaia (4.17) cu t t , unde t este funcia delta, se obine
t
S 0
U t t t Si t e (4.19)

Fig.4.2. Caracteristica tranzitorie a fotodetectorului

n cazul cnd procesul tranzitoriu din detectorul de radiaie este descris de


(4.18) se pot gsi uor caracteristicile n frecven i faz ale fotodetectorului.
Rezolvnd ecuaia (4.17) cnd asupra fotodetectorului acioneaz un flux luminos
sinusoidal cu pulsaia , pentru semnalul de la ieire obinem

0 S0
U t e i t (4.20)
1 t
2

Factorul preexponenial din paranteze arat cum variaz amplitudinea


semnalului cu pulsaia . Dependena amplitudinii semnalului de frecvena
fluxului luminos incident poart denumirea de caracteristic de frecven a
fotodetectorului.
Dependena diferenei de faz dintre componenta armonic a semnalului
la ieire i componenta armonic a fluxului luminos incident poart denumirea de
caracteristic de faz a fotodetectorului i aa cum rezult din (4.20) avem
tg (4.21)
Orice fotodetector funcioneaz normal numai ntr-un anumit interval de
temperaturi n care caracteristicile lui nu se modific substanial. Acest interval de
temperaturi se caracterizeaz prin aceea c n limitele lui nu se observ fenomene
care s determine modificri ireversibile ale caracteristicilor fotodetectorului.
Modificrile care au loc n caracteristicile fotodetectorilor ntr-un anumit interval
de temperaturi snt, de regul, prezentate sub form de grafice n care se d
dependena sensibilitii sau a fotocurentului n funcie de temperatur. Uneori
fotodetectorii snt caracterizai prin coeficientul de temperatur care exprim
variaia relativ a fotocurentului sau variaia sensibilitii atunci cnd temperatura
variaz cu 1C.
Puterea de disipare maxim admis limiteaz foarte mult regimul de
funcionare a fotodetectorilor. Dac Tf este temperatura fotodetectorului iar Tm

este temperatura mediului ambiant atunci puterea disipat este dat de


Pd bT f Tm

unde b este o constant. n regim staionar, puterea primit de fotodetector


Pp V f I f trebuie s fie egal cu puterea disipat, adic
V f I f bT f Tm (4.22)

n multe cazuri calcularea regimului termic de funcionare a fotodetectorilor


se face destul de aproximativ deoarece nu se cunosc cu precizie coeficientul de
temperatur i constanta b.
Caracteristica energetic (luminoas) a fotodetectorului, S f , exprim
variaia sensibilitii integrale sau spectrale a fotodetectorului n funcie de
mrimea fluxului luminos incident. Uneori prin caracteristica energetic a
fotodetectorului se nelege dependena tensiunii sau a fotocurentului de la ieire n
funcie de mrimea fluxului luminos incident.
Caracteristicile curent-tensiune I f V , att la ntuneric ct i n prezenta
iluminrii, snt parametri electrici importani ai fotodetectorilor. Forma
caracteristicilor I f V este determinat nu numai de procesele fizice care au loc
n fotodetectori ci i de construcia i geometria lor.
Caracteristica n tensiune este, de asemenea, un parametru important i
exprim legtura dintre semnalul la ieire i tensiunea de alimentare a
fotodetectorului.

4.3 Fotorezistorii

4.3.1 Particularitile efectului fotoconductiv


Proprietatea materialelor semiconductoare de a-i modifica conductivitatea
electric sub aciunea radiaiei electromagnetice poart denumirea de fotoconducie
iar dispozitivul fotoelectronic care funcioneaz pe baza acestui fenomen fizic se
numete fotorezistor. Un astfel de dispozitiv const dintr-o plcu
semiconductoare de form dreptunghiular sau dintr-un strat subire
semiconductor, prevzute la capete cu dou contacte ohmice. Dac iluminarea se
face perpendicular pe direcia contactelor atunci avem un fotorezistor cu
fotoconducie transversal (fig.4.3,a) iar dac iluminarea se realizeaz pe direcia
contactelor avem un fotorezistor cu fotoconducie longitudinal (fig.4.3, b).
n stratul semiconductor fotosensibil, la ntuneric i pentru o anumit
temperatur, exist o concentraie de echilibru a electronilor i golurilor, n0 i
respectiv p0 , care determin conductivitatea de ntuneric, 0 q n n0 p p 0 , a
fotorezistorului. Ca urmare a absorbiei radiaiei luminoase incidente are loc
generarea purttorilor de sarcin de neechilibru, n i p care vor determina o
conductivitate suplimentar, , care se numete fotoconductivitate. Astfel,
conductivitatea total a unui fotorezistor se poate scrie ca fiind suma dintre
conductivitatea de ntuneric 0 i fotoconductivitatea adic
0 q n n0 n q p p 0 p (4.23)
unde n i p snt mobilitile purttorilor da sarcin.

n semiconductorii cu band interzis larg sau la temperaturi coborte


concentraiile purttorilor de sarcin de neechilibru n i p pot fi mult mai
mari dect concentraiile de echilibru n0 i p0 . n semiconductorii cu band
interzis ngust sau puternic dopai radiaia luminoas absorbit va determina
numai o abatere slab de la conductivitatea de ntuneric.

Fig.4.3. Geometria fotorezistorilor: a cu fotoconducie transversal; b cu


fotoconducie longitudinal.

Absorbia intrinsec a radiaiei luminoase va determina generarea perechilor


electron-gol, adic n p . O astfel de generare se numete bipolara iar
conductivitatea suplimentar a semiconductorului se numete fotoconductivitate
bipolar sau intrinsec.
n cazul absorbiei pe impuriti are loc generarea numai a unui singur tip de
purttori de sarcin i corespunztor vom avea o fotoconductivitate pe impuriti
sau monopolar. Conductivitatea semiconductorilor cu impuriti este ntotdeauna
monopolar iar purttorii de sarcin de neechilibru pot fi majoritari sau minoritari.
Purttorii de sarcin majoritari se definesc ca fiind purttori de sarcin liberi a
cror concentraie n semiconductorul dat predomin. Astfel, ntr-un semiconductor
de tip n purttori de sarcin majoritari vor fi electronii iar cei minoritari vor fi
golurile. Dac purttorii de sarcin de neechilibru ntr-un semiconductor snt
minoritari i dac concentraia lor este mai mare dect concentraia purttorilor de
sarcin majoritari atunci n prezena iluminrii, poate avea loc o schimbare a
tipului de conducie.
Absorbia radiaiei luminoase de ctre purttorii de sarcin liberi nu'
determin o modificare a concentraiei lor. n acest caz are loc numai o cretere a
energiei cinetice a purttorilor de sarcin i ca urmare se va modifica mobilitatea
purttorilor de sarcin obinndu-se astfel o conductivitate suplimentar care se
numete fotoconductivitate . sau fotoconductivitate de ordinul al doilea. Energia
cinetic a purttorilor de sarcin de neechilibru, datorit ciocnirilor cu nodurile
reelei cristaline, scade foarte rapid i se apropie de energia medie termic a
purttorilor de sarcin de echilibru. Acest proces de termalizare are loc ntr-un
interval de timp de ordinul a 10 10 10 12 s i deci, mobilitatea purttorilor de
sarcin de neechilibru n majoritatea timpului lor de existen, nu se va deosebi de
cea a purttorilor de sarcin de echilibru. De aceea fotoconductivitatea se poate
pune n eviden numai la temperaturi foarte joase i n regiuni ale spectrului
radiaiei luminoase unde nu se observ fotoconducia obinuit.
Pragul rou al fotoconduciei coincide cu pragul rou al absorbiei intrinseci
sau pe impuriti. Pentru fotoconducia intrinsec lungimea de, und 0 , care
corespunde pragului rou, este determinat de lrgimea benzii interzise a
semiconductorului. Astfel, dac exprimm lrgimea benzii interzise a
semiconductorului Eg , n eV i lungimea de und 0 n m, atunci putem scrie

hc 1,24
0 (4.24)
Eg Eg

Tabelul 4.1

Lrgimile benzilor energetice i pragul rou al fotoconduciei intrinseci

Materialul Parametrii
semiconductor
E g , eV 0 , m
Ge 0,67 1,85

Si 1,11 1,12

CdSe 1,74 0,71

CdTe 1,50 0,83

CdS 2,42 0,51

GaAs 1,43 0,87

InP 1,28 0,97

InSb 0,17 7,29

PbS 0,29 4,28

PbSe 0,15 8,27

PbTe 0,19 6,53

n tabelul 4.1 snt date lrgimile benzilor energetice i pragul rou al


fotoconduciei intrinseci pentru cteva materiale semiconductoare la temperatura
T=300K, care snt frecvent utilizate pentru realizarea fotorezistorilor.
Pragul rou al fotoconduciei pe impuriti este determinat de natura i
concentraia impuritilor. De exemplu, n cazul Ge cu impuriti, pragul rou al
fotoconduciei poate fi situat n intervalul de la 3,5 la 40m n funcie de natura i
concentraia impuritilor.
Mecanismul fotoconduciei este destul de complex i const din urmtoarele
fenomene: (a) generarea purttorilor de sarcin de neechilibru n urma absorbiei
radiaiei luminoase; (b) difuzia purttorilor de sarcin de la suprafaa iluminat
spre interiorul semiconductorului datorit gradientului concentraiei purttorilor de
sarcin i driftul purttorilor de sarcin pe direcia cmpului electric aplicat din
exterior; (c) recombinarea purttorilor de sarcin.
Dac 0 este fluxul energetic luminos care vine la suprafaa
semiconductorului atunci numrul electronilor care cad n unitatea de timp i pe
unitatea de suprafa a semiconductorului va fi N 0 0 h . Notnd ca R fraciunea
de lumin reflectat la suprafa i cu coeficientul de absorbie atunci numrul
fotonilor care ajung n unitatea de timp i pe unitatea de suprafa a planului care
se afl la adncimea x n interiorul semiconductorului va fi dat de relaia

N x N 0 1 R e x (4.25)

iar pentru numrul fotonilor absorbii n stratul de grosime dx i la adncimea x


gsim

dN x
N v x N 0 1 R e x (4.26)
dx

Dac notm cu randamentul cuantic al efectului fotoelectric intern


(numrul perechilor electron-gol generate de un foton n cazul absorbiei intrinseci
sau al purttorilor de sarcin de un anumit tip n cazul generrii extrinseci), atunci,
pentru viteza de generare a purttorilor de sarcin la adncimea x putem scrie:
g x N v x N 0 1 R e x (4.27)

n cazul cnd coeficientul de absorbie a luminii este mare, adic 1 ,


radiaia luminoas va fi absorbit n principal la suprafaa semiconductorului i, n
plus, dac lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin este mai mare dect
grosimea stratului fotosensibil atunci se poate introduce noiunea de vitez de
generare uniform n unitatea de volum, definita prin relaia :

1

N 0 1 R
g 0 g x dx (4.28)
0

Dac se neglijeaz driftul i difuzia purttorilor de sarcin atunci


concentraia staionar a purttorilor de sarcin este determinat de echilibrul
dinamic dintre procesele de generare i recombinare. ntr-adevr dac am
presupune c au loc numai procese de generare atunci concentraia purttorilor de
sarcin ar crete nelimitat n timp dup legea linear

n p N 0 t
n realitate ns se constat c la nceput concentraia purttorilor de sarcin
crete proporional cu durata iluminrii iar dup un anumit interval de timp se
stabilesc concentraiile staionare n st i p st ale electronilor i respectiv,
golurilor. De aici rezult c n afar de procesul de generare are loc i un proces
invers de recombinare (dispariie) a purttorilor de sarcin de neechilibru care se
intensific odat cu creterea concentraiilor de neechilibru. Cum viteza de
generare n cazul unui flux luminos constant rmne constant rezult c, dup un
anumit interval de timp, cnd se atinge regimul staionar, i viteza de recombinare
va fi constant. Intervalul de timp dintre actul generrii i recombinrii pe
parcursul cruia fiecare purttor de sarcin particip la creterea conductivitii
electrice a materialului semiconductor poart denumirea de timp de via. Evident,
aceast mrime este diferit pentru fiecare purttor de sarcin iar n practic se
utilizeaz noiunea de timp de via mediu. Concentraia staionar a purttorilor de
sarcin suplimentari va fi egal cu produsul dintre numrul purttorilor de sarcin
generai de radiaia luminoas n unitatea de timp i de volum i timpul de via
mediu ct particip la actul conduciei electrice. Astfel, pentru electroni i goluri
vom avea :
n st N v n (4.29, a)
p st N v p (4.29, b)
unde n si p snt timpii de via pentru electroni i respectiv, goluri. Astfel, n
cazul semiconductorilor intrinseci, fotoconductivitatea staionar se poate exprima
sub forma:
st n , st p , st q n n st p p st qN v n n p p (4.30)

Din formula (4.30) observm c fotoconducia staionar este determinat de


cinci parametri: R, , , i . Primii trei parametri caracterizeaz interaciunea
radiaiei luminoase cu semiconductorul i influeneaz procesul de generare a
purttorilor de sarcin. Aceti parametri se modific odat cu lungimea de und a
radiaiei i definesc caracteristica spectral a fotoconduciei. Parametrii i
definesc interaciunea purttorilor de sarcin cu semiconductorul i caracterizeaz
micarea i recombinarea purttorilor de sarcin.

4.3.2 Timpul de via i relaxarea fotoconduciei


Timpul de via mediu este determinat de procesele de recombinare.
Reamintim pe cele mai importante care pot influena substanial parametrii de
funcionare ai fotorezistenelor: (a) recombinarea la suprafa; (b) recombinarea
band-band (linear sau ptratic); (c) recombinarea pe nivelele locale de captur
sau recombinarea linear. Energia care rezult n urma recombinrii poate fi emis
sub form de fotoni sau transmis reelei cristaline sub form de fononi.
Recombinarea la suprafa are loc pe centrii de captur de suprafa care apar
datorit legturilor chimice nesatisfcute ale atomilor sau datorit defectelor
structurale i impuritilor adsorbite la suprafa. De regul recombinarea la
suprafa este caracterizat nu de timpul de via al purttorilor de sarcin ci de
viteza de recombinare la suprafa care se definete ca fiind viteza medie cu care se
deplaseaz purttorii de sarcin spre suprafaa unde are loc dispariia lor continu
prin recombinare. Recombinarea band-band este mult mai puin probabil i
joac un rol important n semiconductorii intrinseci i la intensiti mari ale
radiaiei incidente. Recombinarea pe centrii de captur are loc n dou etape : nti
se recombin un purttor de sarcin de un anumit tip i apoi un purttor de sarcin
de alt tip. Acest proces de recombinare nu presupune ntlnirea electronului cu
golul i este mult mai probabil. Dac N rn reprezint concentraia centrelor de
captur pentru electroni atunci timpul de via al electronilor este dat de
1
n (4.31)
N rn n

unde n este coeficientul de captur i se exprim n cm 3 s 1 . Coeficientul de


captur n depinde de seciunea efectiv de captur Sn i de viteza medie termic
a electronului i se poate exprima sub forma

n Sn vn .

n funcie de natura centrelor de recombinare, mrimea Sn poate varia ntre


limite destul de largi. Astfel, prin introducerea impuritilor, se pot modifica
procesele de recombinare i deci i proprietile straturilor semiconductoare
fotoconductoare.
Numrul actelor de recombinare care au loc n unitatea de timp i de volum
a semiconductorului n cazul recombinrii lineare a electronilor se poate exprima
sub forma rn nN rn n i innd cont de (4.31), avem
n
rn (4.32)
n

n cazul generrii bipolare intense predomin recombinarea electron-gol i


cum n p viteza de recombinare n volum se poate exprima sub forma
n
rn n n
2

n (4.33)

unde timpul de via al electronilor n acest caz este dat de relaia :

1
n (4.34)
n n

i descrete odat cu intensitatea radiaiei luminoase incidente.


n fotoconductorii reali pot avea loc concomitent mai multe tipuri de procese
de recombinare, caracterizate prin timpii de via n1 , n 2 , ...., nk . Timpul de via
mediu n n acest caz va fi dat de expresia :

1 1 1 1
(4.35)
n n1 n 2 nk

Pn n momentul stabilirii regimului staionar, fotoconducia depinde de


caracterul proceselor de recombinare. Variaia n timp a concentraiei purttorilor
de sarcin de neechilibru d n dt este egal cu diferena dintre vitezele de
generare i recombinare, adic
d n
gr (4.36)
dt

n momentul ncetrii iluminrii g 0 i deci, n cazul recombinrii lineare


cnd r n n , din (4.36), obinem:

d n n
(4.37)
x n

i rezolvnd aceast ecuaie cu condiia iniial n n st , cnd t 0 , obinem o


expresie care caracterizeaz modificarea n timp a concentraiei purttorilor de
sarcin de neechilibru dup ncetarea iluminrii

t
n n st exp (4.38)
n

n cazul cnd indicele de absorbie i grosimea stratului fotosensibil snt


mici astfel nct s fie satisfcut inegalitatea 1 , din (4,27) rezult c viteza
de generare n volum nu depinde de coordonata x (generare uniform) i are
expresia
0
g 0 1 R N 0 1 R (4.39)
h

Din momentul nceperii iluminrii, folosind viteza de generare n volum


(4.39), ecuaia (4.36) va avea forma

d n n
g0 (4.40)
dt n

Rezolvnd aceast ecuaie cu condiia iniial n 0 , cnd t 0 , rezult



t

n n st 1 e n
(4.41)

unde
0
n st g 0 n 1 R n (4.42)
h

Din (4.41) observm c dac t 0 , atunci n n st . Prin urmare, n cazul


recombinrii liniare, creterea i descreterea fotoconduciei are un caracter
exponenial i este caracterizat de aceeai constant de timp timpul de via
mediu al purttorilor de sarcin de neechilibru.
n cazul recombinrii ptratice, timpul de via al purttorilor de sarcin
scade odat cu creterea fluxului luminos incident i nu se poate vorbi de timpul de
via ca de o mrime constant. Procesele de relaxare n acest caz snt mult mai
complexe. Ecuaia (4.36) n cazul generrii uniforme i al recombinrii ptratice va
avea forma

d n
g 0 n n
2

dt

de unde, pentru creterea i respectiv, descreterea concentraiei purttorilor de


sarcin de neechilibru, se obin expresiile

g0
n tht n g 0 (4.43)
n

g0 1
n (4.44)
n t n g0 1

unde concentraia staionar este

g0 1 R 0
n st (4.45)
n n h

Cum fotoconductivitatea ~ n rezult c n cazul recombinrii liniare,


~ 0 iar n cazul recombinrii ptratice ~ 0 . n general se consider c
fotoconductivitatea depinde de fluxul luminos incident conform relaiei

st A 0 (4.46)

unde A este o constant iar este coeficientul de neliniaritate a caracteristicii


energetice a fotoconduciei.

4.3.3 Fotocurentul i factorul de amplificare


n multe situaii practice fotoconducia este evaluat prin mrimea
fotocurentului care trece prin fotorezistor. Pentru simplitate, vom lua cazul unui
fotorezistor cu fotoconducie transversal (fig. 4.3, a) i vom considera numai
purttorii de sarcin de un singur tip, de exemplu, electronii. n acest caz, innd
cont de (4.42) fotoconductivitatea staionar se poate exprima prin relaia
0
st q n n st q 1 R n n (4.47)
h

iar densitatea fotocurentului va fi


0 V
J L st E q 1 R n n
h l

unde E V l este intensitatea cmpului electric. Fotocurentul IL va depinde de


geometria fotorezistorului i de tensiunea aplicat (fig. 4.3, a). ntr-adevr

0 V
J L I L S q 1 R V0 n n (4.48)
h l 2

unde S b este seciunea transversal a fotorezistorului iar V0 bl este volumul


fotorezistorului n care are loc generarea purttorilor de sarcin. Mrimea
0
N f 1 R V0 (4.49)
h

reprezint numrul purttorilor de sarcin generai n volumul fotorezistorului n


unitatea de timp iar

IL
Nq (4.50)
q

este numrul purttorilor de sarcin care trec n unitatea de timp prin seciunea
transversal a fotorezistorului. Raportul

Nq n n E
G (4.51)
Nf l

se numete factor de amplificare a fotocurentului. Dac notm intervalul de timp n


care electronul parcurge distana l dintre electrozii fotorezistorului i cu vn n E

viteza de drift a electronilor, atunci l n Et n , iar relaia (4.51) se poate scrie sub
forma,
n
G (4.52)
tn
de unde se observ c factorul de amplificare a fotocurentului este dat de raportul
dintre timpul de via mediu i intervalul de timp n care purttorii de sarcin
generai parcurg distana dintre electrozii fotorezistorului.
Dac V este tensiunea aplicat fotorezistorului atunci relaia (4.51) se mai
poate scrie sub forma
V
G n n (4.53)
l2

sau, dac se ine cont de ambele tipuri de purttori de sarcin, atunci avem

G n n p p
V
(4.54)
l2

De exemplu, n cazul fotorezistorilor cu semiconductori din grupa AIIBVI, cu


valorile tipice ale parametrilor n 100 cm 2 V s , n 10 2 s , V 50V , l 0,1cm , din
(4.53) se obine G 5 10 3 .

4.3.4 Caracteristici ale fotorezistorilor


Fotorezistorii n aplicaiile practice snt conectai ntr-un circuit de curent
continuu sau variabil n serie cu o rezisten de sarcin R L (fig. 4.4). Din punct de
vedere electric ei nu se deosebesc de, rezistenele obinuite. Principalele
caracteristici ale fotorezistorilor snt: (a) caracteristica curent-tensiune; (b)
caracteristica energetic; (c) sensibilitatea spectral; (d) dependena sensibilitii de
frecven; (e) dependena de temperatur a sensibilitii i a fluxului luminos de
prag.
(a) Caracteristicile curent-tensiune ale fotorezistorilor snt simetrice n
raport cu originea axelor de coordonate deoarece rezistena lor nu depinde de
polaritatea tensiunii aplicate. De obicei ele se construiesc numai pentru o anumit
polaritate a curentului i tensiunii, considerat prin convenie pozitiv. innd cont
de (4.23) i (4.46) caracteristica curent-tensiune a fotorezistorului se poate scrie
sub forma
I I 0 I L C 0V C f 0V (4.55)
Fig.4.4 Circuitul tipic pentru conectarea unei fotorezistene (FR).

Fig.4.5. Caracteristicile I V ale unui fotorezistor n absena ( 0 0) i n


prezena iluminrii ( 2 1 ).

Unde I, I0 i IL snt curentul total, curentul de ntuneric i respectiv,


fotocurentul; C0 i Cf snt nite, constante care snt determinate de proprietile
fizice ale semiconductorului la ntuneric i respectiv, n condiii de iluminare, ct i
de particularitile constructive ale fotorezistorilor; este coeficientul de
nelinearitate a caracteristicii energetice; V este tensiunea aplicat fotorezistorului.
Din formula (4.55) rezult c dependenele curent-tensiune ale fotorezistorilor att
n absena ct i n prezena iluminrii snt lineare. Creterea fluxului luminos
determin numai o modificare a pantelor acestor drepte (fig. 4.5). n practic ns
nu ntotdeauna caracteristicile curent-tensiune snt lineare. Abateri de la linearitate
se observ n special n cazul fotorezistorilor cu structur policristalin la tensiuni
de polarizare mici sau la tensiuni mari. Nelinearitile care apar la tensiuni mici de
polarizare snt cauzate de fenomenele care au loc la contactul dintre microcristalite
iar caracteristicile curent-tensiune snt, de regul, supralineare. Odat cu creterea
tensiunii de polizare rezistena de contact se micoreaz datorit cmpurilor
electrice intense sau nclzirii regiunilor de contact dintre microcristalite. n aceste
condiii rezistena fotorezistorului este determinat de proprietile de volum, ale
microcristalitelor i din aceste motive rmne constant iar caracteristica curent-
tensiune este linear. Nelinearitile care apar la tensiuni mari de polarizare snt
cauzate de nclzirea stratului fotosensibil datorit puterii disipate.
(b) Caracteristicile energetice ale fotorezistorilor snt n general neliniare
datorit dependenei timpului de via al purttorilor de sarcin de fluxul luminos
incident. innd cont de (4.55) legea general a caracteristicilor energetice pentru
V=const. se poate scrie sub forma

I L k 0 0 (4.56)

unde k0 C f V . Pentru majoritatea fotorezistorilor caracteristicile energetice


prezint dou regiuni distincte: regiunea linear ( 1) la intensiti slabe ale
radiaiei incidente i regiunea subliniar ( 1) la intensiti mari. Regiunea cu
comportare linear a fotorezistorilor depinde att de construcia lor ct i de
proprietile fizice ale materialelor semiconductoare din care snt realizai. n cazul
cnd caracteristicile energetice ale fotorezistorilor snt urmrite.
n funcie de iluminarea suprafeei lor i nu n funcie de densitatea fluxului
de fotoni incideni atunci ele se numesc caracteristici lux-amper. n figura 4.6. snt
ilustrate caracteristicile lux-amper pentru o fotorezisten din CdS.

Fig.4.6. Caracteristicile lux-amper pentru un fotorezistor cu strat subire


policristalin de CdS.

(c) Caracteristicile spectrale ale fotorezistorilor prezint un maxim


pronunat spre lungimi de und mai mari i snt determinate de proprietile fizice
ale semiconductorului din care este realizat stratul fotosensibil. Astfel,
fotorezistorii realizai din Se, CdSe, CdS, Tl 2S, BiS, BiSe, ZnS ct i din alte
materiale semiconductoare snt sensibili la radiaia incident cu lungimi de und
cuprinse ntre 0,3 i 1,1m adic n vizibil i infraroul apropiat. n figura 4.7 snt
prezentate caracteristicile spectrale relative pentru cteva tipuri de fotorezistori.
Caracteristica spectral a fotorezistorilor este puternic influenat de prezena
impuritilor n stratul semiconductor fotosensibil. Impuritile care se introduc
controlat au ca scop att creterea sensibilitii fotorezistorilor pentru radiaia cu
aceeai lungime de und ct i lrgirea spre lungimi de und mai mari a
domeniului de sensibilitate.
Fig.4.7. Sensibilitatea spectral relativ a fotorezistorilor din CdS (curbele 1 i
2), BiSe (curba 3) i CdSe (curba 4).

Fig.4.8. Forma impulsului luminos (a) i forma impulsului de fotocurent (b).


(d) Dependena sensibilitii de frecven este o caracteristic important a
fotorezistorilor. Dac fotorezistorul este iluminat cu impulsuri de lumin
dreptunghiulare atunci impulsul fotocurentului va avea forma din figura 4.8.
Intervalul de timp i , n care fotocurentul crete pn la valoarea

I L 1 e 1 I 0 0,63I 0 , ( I 0 este valoarea staionar a fotocurentului) poart
denumirea de constant de timp a creterii fotocurentului. Intervalul de timp d , n
care fotocurentul scade pn la valoarea I L I 0 e 0,36 I 0 , se numete constanta de
timp a descreterii fotocurentului. Pentru majoritatea fotorezistorilor i d 0 , iar
0 se numete constant de timp a fotorezistorului. Dac radiaia incident este
modulat dup o lege sinusoidala atunci funcia de generare a purttorilor de
sarcin se poate scrie sub forma

g g 0 e i t , (4.57)
unde este pulsaia radiaiei incidente. Dac n p 0 , atunci componenta
variabil a fotocurentului se poate scrie sub forma :
I ~ I e i t (4.58)

unde arctg 0 este defazajul dintre radiaia incident i fotorspuns iar


amplitudinea

I0
I (4.59)
1 0
2

Relaiile (4.58) i (4.59) snt valabile numai pentru fotorezistorii cu


caracteristici curent-tensiune lineare. Din (4.59) observm c odat cu creterea
frecvenei fluxului luminos amplitudinea componentei variabile a fotocurentului
scade. Constanta de timp 0 este o msur a ineriei fotorezistorilor la aciunea
radiaiei incidente. n practic se constat c cu ct sensibilitatea fotorezistenelor
este mai mare cu att constanta de timp 0 este mai mic. n cazul
fotorezistenelor din CdS i CdSe constanta de timp 0 10 2 10 3 s , n timp ce,
pentru fotorezistenele din PbS i PbSe, 0 10 4 10 5 s .

(e) Caracteristicile termice ale fotorezistorilor snt date de dependenele


dintre parametrii de funcionare (rezistena de ntuneric, fotocurentul, constanta de
timp, etc.) i temperatura mediului ambiant. Dependena de temperatur a
rezistenei fotorezistorilor are o form specific pentru dependenta rezistenei
semiconductorilor de temperatur. Caracterul acestei dependene nu se modific n
prezena iluminrii. Odat cu creterea temperaturii fotocurentul scade datorit
creterii probabilitii de recombinare a purttorilor de sarcin generai de lumin
deoarece concentraiile purttorilor de sarcin de echilibru cresc odat cu creterea
temperaturii. Constanta de timp 0 a fotorezistorilor de asemenea scade odat cu
creterea temperaturii.

4.3.5 Parametrii fotorezistorilor


De regul, pentru caracterizarea fotorezistorilor sensibili n regiunea vizibil
a spectrului, se utilizeaz urmtorul set de parametri:
Rezistena de ntuneric R0 ;

Tensiunea de lucru i tensiunea maxim admis;


Puterea disipat maxim admis;
Sensibilitatea spectral, msurat la iradierea cu lumin monocromatic i
sensibilitatea integral, msurat prin iradierea cu lumina nedescompus a unei
surse standard;
Constanta de timp care caracterizeaz ineria fotorezistorului;
Nivelul de zgomot sau pragul de sensibilitate a fotorezistorului. Importana
unuia sau altuia din parametrii fotorezistorilor este determinat de scopul pentru
care este construit aparatura n care ei snt utilizai.
Pentru celulele fotoelectrice n vid, care funcioneaz pe baza efectului
fotoelectric extern, sensibilitatea este un parametru care determin univoc
caracteristicile fotoelementului i nu depinde de regimul de funcionare.
Sensibilitatea n regim de saturaie nu depinde de tensiunea aplicat sau de fluxul
luminos incident i se modific slab cu frecvena de modulare a luminii sau cu
temperatura.
n cazul fotorezistorilor un astfel de parametru nu se poate defini. Din aceste
motive pentru fotorezistori, n funcie de regimul de utilizare, se definesc ca
parametri sensibilitatea integral n curent sau n tensiune.
Sensibilitatea integral n curent a fotorezistorului este determinat att de
materialul i dimensiunile stratului fotosensibil, ct i de regimul de funcionare.
Acest parametru crete linear cu tensiunea aplicat, se modific odat cu
modificarea fluxului luminos incident deoarece caracteristicile energetice ale
fotorezistorilor snt neliniare, scade odat cu creterea frecvenei de modulare a
luminii incidente datorit ineriei fotorezistorilor i depinde de temperatur. Dac
tensiunea, V, aplicat pe fotorezistor, este meninut constant atunci sensibilitatea
integral static n curent se definete prin relaia .:

IL I I0 1 V V V R0 R f V R
SI (4.60)
0 0
0 R f R0 0 R0 R f 0 R0 R0 R

unde Rf este rezistena fotorezistorului pentru un anumit flux luminos incident iar
R este variaia rezistenei fotorezistorului la iradiere. Aa cum observm din
(4.60) sensibilitatea n curent este proporional cu tensiunea aplicat. Pentru a
elimina aceast dependena se definete sensibilitatea n curent specific cu
ajutorul relaiei
IL R
SI
0V 0 R0 R0 R

De regul, sensibilitatea integral static n curent se msoar la iluminarea


de 200lx produs de corpul absolut negru a crui temperatur este indicat n
buletinul cu care este livrat fotorezistorul. Sensibilitatea integral maxim n curent
este determinat de tensiunea maxim admis de fotorezistor
S I , max s I , max Vmax

Cum fotorezistorii trebuie s funcioneze pentru un interval larg de fluxuri


luminoase este necesar ca la fluxuri mari s micorm tensiunea aplicat pentru a
evita nclzirea stratului fotosensibil iar la fluxuri mici s mrim tensiunea pentru a
crete sensibilitatea. Din aceste motive tensiunea maxim admis, Vmax , la fluxuri
luminoase slabe se alege innd cont de tensiunea de strpungere, Vs , a stratului
fotosensibil iar la fluxuri mari se alege innd cont de puterea de disipare maxim
admis Pd , max . Sensibilitatea integral n curent, la fluxuri luminoase slabe cnd
este satisfcut condiia R R0 , este dat de relaia :
V R V R
SI
0 R0 R0 R 0 R02

iar

1 R
sI .
0 R02

Uneori pentru a caracteriza sensibilitatea fotorezistorilor se utilizeaz ca


parametri variaia relativ a rezistenei R R0 sau raportul dintre rezistena la
ntuneric i rezistenta la iluminare, adic R0 R f . Ultimul parametru este folosit n
cazul n care rezistena la iluminare scade cu cel puin un ordin de mrime.
Parametrii de sensibilitate R R0 i R0 R f nu depind de tensiunea aplicat.
Sensibilitatea integrala n tensiune a fotorezistorilor se definete ca fiind
raportul dintre semnalul cules de pe rezistena de sarcin i fluxul luminos
incident, adic
VL
SV
0

n continuare vom calcula semnalul n tensiune pe rezistena de sarcin RL


(fig.4.4). n absena iluminrii stratului fotosensibil prin circuit trece curentul
V0
I0
R0 R L

iar n prezena iluminrii curentul va fi

V0
I
R0 R RL

i deci semnalul n tensiune va fi dat de


V0 R L R
VL R L I I 0 (4.61)
R0 R RL R0 RL
Astfel, pentru sensibilitatea n tensiune obinem:
V0 R L R
SV (4.62)
0 R0 R R L R0 ERL

Dac rezistena de ntuneric, R0 , variaz slab la iluminare ( R R0 ),

atunci
V0 RL R
SV (4.63)
0 R0 R L
2

La fel ca i n cazul sensibilitii specifice n curent se poate defini


sensibilitatea specific n tensiune.

SV RL R
sV (4.64)
V0 0 R0 R RL R0 R L

care, n cazul R R0 , va avea forma


RL R
sV (4.65)
0 R0 R L
2

Sensibilitatea n tensiune, aa cum rezult din (4.63) sau (4.64), depinde de


raportul dintre rezistena de sarcin RS , i rezistena de ntuneric R0 i are
valoarea maxim atunci cnd

RL R0 R0 R (4.66)
Cnd R R0 , avem R L R0 . n aceste condiii se msoar principalii
parametri ai fotorezistenelor. Cu rezistena de sarcin optim, relaia (4.61) se
poate scrie sub forma

V0 R
VL (4.67)
4 R0

Aceast relaie este utilizat pentru determinarea experimental a raportului


( R R0 ) prin msurarea tensiunii de alimentare a circuitului, V0 , i a variaiei de
tensiune pe rezistena de sarcin la iluminare cnd R R0 .

n cazul cnd variaia relativ a rezistenei la iluminare este mare atunci


sensibilitatea n tensiune, dat de relaia (4.64), pentru R L R0 , se poate exprima
astfel

V0 R V0 R R0
sV (4.68)
2 0 2 R0 R 2 2 R R0

Dac R R 0 1 , atunci sV V0 2 .

Fluxul luminos de prag i detectivitatea fotorezistorilor snt limitate de


zgomotele specifice acestui tip de fotodetectori: zgomotul termic UT
2
; zgomotul

de generare-recombinare U
2
g r ; zgomotul de curent U1
2
f ; zgomotul cauzat de

iradierea de fond 2
Ui .

n general zgomotele enumerate vor determina fluctuaii ale tensiunii de la


ieirea amplificatorului utilizat n schema de lucru a fotorezistorului iar valoarea
medie ptratica a zgomotului global este,
2 2 2 2 2
UZ U T U g r U 1 f U i

Ponderea unui tip sau altul de zgomote n fotorezistori este determinat n


ultim instan de natura i tehnologia de obinere. De exemplu pentru
fotorezistorii din PbS predomin zgomotul de curent n timp ce pentru
fotorezistorii din CdS predomin zgomotul de generare-recombinare. Odat cu
creterea frecventei de modulare a fluxului luminos incident zgomotul tuturor
fotorezistorilor se micoreaz dar, n acelai timp scade sensibilitatea lor. Prin
urmare, pentru fluxul luminos de prag al fotorezistorului n cazul modulrii
sinusoidale a radiaiei incidente cu pulsaia putem scrie
2 2
U z U z
1 .
2
p,
s v sv 0

Cunoscnd dependena experimental p, f se poate alege frecvena


optim de modulare a radiaiei incidente pentru care se atinge o valoare minim a
fluxului de prag.
Fotorezistorii destinai pentru detectarea semnalelor slabe din regiunea
infraroie a spectrului funcioneaz, de regul, la temperaturi coborte. n acest caz
fluxurile de prag snt determinate n principal de fluctuaiile fluxului de fotoni
incideni din mediul ambiant. Prin urmare, n astfel de situaii, va predomina
zgomotul de iradiere iar fluxul de prag limit va fi dat de

2
Ui 2
p, i F
sv

unde cu F
2
, s-a notat valoarea medie ptratic a fluctuaiilor fluxului de fotoni
incideni din mediul n care se fac msurtorile (zgomotul luminos de fond).
Pentru fotorezistori, detectivitatea spectral la limit se poate calcula cu
ajutorul relaiei.

D*F 2,52 1018
2hc N N

unde lungimea de und se msoar n m iar densitatea fotonilor N, provenii


din iradierea de fond, se msoar n fotoni cm 2 s . Din aceast relaie rezult c
pragul de detectivitate a fotorezistorilor, care funcioneaz n regimul de limitare
cauzat de fluctuaiile fluxului de fotoni de fond, se poate mri dac se micoreaz
zgomotul luminos de fond, adic mrimea N. Utiliznd ecrane i sisteme de rcire
speciale se poate ajunge cu pragul de detectivitate spectral pn aproape de
valoarea teoretic.

4.4 Fotodiodele

Fotodioda este o diod semiconductoare n care curentul invers depinde de


intensitatea radiaiei incidente. Astfel, fotodioda nu este altceva dect o jonciune p
n, polarizat invers, i al crei curent n circuitul extern este controlat de fluxul
luminos 0 care cade pe una din feele jonciunii.

4.4.1 Principiul de funcionare al fotodiodei


S considerm o jonciune pn n absena iluminrii i nepolarizat (figura
4.9,a). La realizarea contactului dintre regiunile semiconductoare n i p, purttorii
de sarcin majoritari (electronii din regiunea n cu concentraia nn i golurile din
regiunea p cu concentraia pp ) vor difuza spre regiunile unde concentraiile
purttorilor de acelai tip (electronii minoritari din regiunea p, cu concentraia
n p n n i golurile minoritare din regiunea n cu concentraia p n p p ) snt mici.
Astfel, n regiunea n rmn donorii ionizai iar n regiunea p rmn acceptorii
ionizai i apare cmpul electric intern Ei , (figura 4.10, a) care se opune difuziei,
determinnd formarea barierei de potenial qVb pentru purttorii de sarcin
majoritari. Curenii I nn i I pp , determinai de micarea de difuzie a purttorilor de
sarcin majoritari se numesc cureni de difuzie. Odat cu formarea cmpului intern
n jonciunea pn are loc o micare de drift a electronilor minoritari din regiunea
p spre regiunea n i a golurilor minoritare din regiunea n spre regiunea p,
determinnd apariia curenilor de drift I pn i I np (figura 4.10, b).
Curentul total
I s I pn I np , (4.69)
cauzat de micarea de drift a purttorilor de sarcin minoritari reprezint, curentul
invers al jonciunii. Dac se neglijeaz generarea termic a purttorilor de sarcin
n interiorul stratului de sarcin spaial atunci curentul invers Is , va fi determinat
de purttorii de sarcin minoritari de echilibru care snt generai termic de o parte
i de alta a stratului de sarcin spaial, pn la distane egale cu lungimile de
difuzie corespunztoare.
Fig.4.9. Jonciunea p n la echilibru termodinamic (a i b) i n prezena iluminrii
cnd are loc generarea i separarea perechilor electron-gol (c i d).

Deoarece fiecare purttor de sarcin minoritar care se apropie de stratul de


sarcin spaial este imediat antrenat de cmpul intern al jonciunii i trecut n
regiunea opus rezult c, pentru orice valoare a barierei de potenial Vb , curentul
de drift al purttorilor de sarcin minoritari este un curent de saturaie. La echilibru
termodinamic curentul prin jonciunea pn izolat trebuie s fie egal cu zero,
adic curenii de difuzie I nn i I pp trebuie s fie egali cu curenii de drift I np i
I pn care curg n sensuri opuse

I nn I np ; I pp I pn , (4.70)

iar curentul din circuitul extern

I I nn I pp I np I pn 0 , (4.71)

Dac pe jonciunea pn cade un flux de fotoni a cror energie este mai


mare sau egal cu lrgimea benzii interzise atunci, datorit absorbiei fotonilor, va
avea loc generarea perechilor de electroni i goluri, adic a purttorilor de sarcina
de neechilibru. Purttorii de sarcin majoritari, generai de lumin de-o parte i de
alta a stratului de sarcin spaial snt respini de cmpul intern al jonciunii n
timp ce purttorii de sarcin minoritari de neechilibru snt accelerai de cmpul
intern al jonciunii spre regiunile cu purttori de sarcin majoritari de acelai tip.
Purttorii de sarcin minoritari care trec prin stratul de sarcin spaial vor
determina apariia unui curent suplimentar IL a crui direcie de curgere coincide
cu cea a curentului direct din jonciunea pn la echilibru. Electronii de
neechilibru care au trecut din regiunea p n regiunea n i golurile de neechilibru
care trec din regiunea n n regiunea p vor determina apariia unui cmp electric
orientat n sens opus cmpului intern din jonciune. Astfel bariera de potenial qVb

se va micora cu qV L ca i cum jonciunea ar fi fost polarizat direct cu tensiunea


VL . Echilibrul curenilor este acum perturbat. Datorit micorrii barierei de
potenial pn la q Vb V L , va crete curentul de difuzie al purttorilor de sarcin
majoritari. Starea staionar a sistemului se atinge n momentul cnd numrul
perechilor de electroni i goluri, generate de radiaia incident, va fi egal cu
numrul purttorilor de sarcin majoritari care trec peste bariera de potenial
diminuat.
Dac n circuitul jonciunii pn ideale se introduce rezistena de sarcin RL

, atunci o parte din purttorii de sarcin minoritari generai de lumin i antrenai


de cmpul intern vor contribui la micorarea barierei de potenial cu qV L iar o alt
parte vor contribui la formarea n circuitul extern a curentului I. Avnd n vedere
faptul c pentru orice valoare a barierei de potenial curenii de drift I np i I pn au
i
aceeai valoare iar curenii de difuzie I nn I pp vor crete dup legea

qVL qVL
I nn exp
I nn I np exp
kT kT

(4.72)
qVL qVL
I pp I pp exp I pn exp
kT kT

pentru curentul I obinem expresia


VL
I pp I np I pn I L
I I nn
RL

sau innd cont de (4.69), (4.70) i (4.71) obinem

qV L
I I S exp 1 I L (4.73)
kT

Relaia (4.73) reprezint, ecuaia fundamental a fotodetectorului ideal cu


jonciune p-n.
n condiii de circuit deschis ( I 0 ) din 4.73 obinem :

kT I
VCD ln 1 L (4.74)
q IS

iar n regim de scurtcircuit ( V L 0) avem


I SC I L (4.75)

4.4.2 Regimul de fotodiod


Dac jonciunea pn este polarizat invers cu tensiunea V, atunci, repetnd
randamentul de mai sus, pentru caracteristica curent-tensiune in condiii de
iluminare obinem

q IRL V
I I S exp 1 I L (4.76)
kT

Dac V IR L i qV kT atunci, din (4.76), se obine


I I S I L (4.77)

Aceast relaie reprezint caracteristicile curent-tensiune ale unui detector


fotogalvanic n regim de fotodiod. Curentul care trece prin rezistena de sarcin
RL , (figura 4.15, a) este format din curentul de ntuneric IS , i fotocurentul IL
datorat generrii optice a purttorilor de sarcin minoritari. Aa cum rezult din
(4.77) curentul total, I, nu depinde de valoarea tensiunii de polarizare invers. Dac
notm cu nf numrul de fotoni absorbii n unitatea de timp i de volum a
semiconductorului, n f 0 1 R h , iar cu randamentul cuantic al efectului
fotoelectric intern atunci fotocurentul I L se poate exprima prin relaia

0 1 R
IL q Qc R r 0 (4.78)
h

unde mrimea Qc se numete coeficient de colectare i reprezint raportul dintre


numrul purttorilor de sarcin separai de cmpul intern al jonciunii i numrul
total al purttorilor de sarcin generai optic.
Coeficientul de proporionalitate Rr din (4.78) caracterizeaz sensibilitatea
monocromatic a fotodetectorului i poart denumirea de responsivitate.
Utilizarea jonciunilor pn ca detectori de radiaie luminoas n regim de
polarizare invers prezint dou avantaje importante: (a) fotocurentul este
proporional cu intensitatea radiaiei incidente; (b) fotorspunsul crete odat cu
tensiunea de polarizare invers.
Proporionalitatea dintre intensitatea radiaiei incidente i fotocurent rezult
din relaiile (4.77) i (4.78). Aa cum se arat, pentru fotodiodele din Si polarizate
invers cu tensiunea V 400V , fotocurentul este proporional cu intensitatea
radiaiei incidente cnd aceasta variaz ntr-un interval de nou ordine de mrime.
Linearitatea fotocurentului cu intensitatea radiaiei incidente se pstreaz pn la
tensiuni inverse apropiate de tensiunea de strpungere a fotodiodei.
Creterea vitezei de rspuns a fotodiodelor odat cu tensiunea de polarizare
invers se poate nelege dac inem cont de mecanismul intim de formare a
fotocurentului. Astfel, rspunsul fotodiodei este cu att mai rapid cu ct purttorii
snt generai mai aproape de stratul de sarcin spaial sau chiar n stratul de
sarcin spaial pentru a ajunge ntr-un timp ct mai scurt n regiunea de cmp
intens pentru a fi separai.
Lrgimea stratului de sarcin spaial crete odat cu tensiunea de polarizare
invers conform relaiei
Wsp Vb V
12

unde Vb este diferena de potenial de contact.


Din aceast relaie se poate observa c prin aplicarea unor tensiuni mari de
polarizare invers stratul de sarcin spaial se poate lrgi considerabil. Mai
departe nu rmne dect crearea condiiilor ca radiaia incident s nu fie absorbit
pn la stratul de sarcin spaial. Dac fotodetectorul este destinat pentru a
funciona la lungimi de und pentru care absorbia este puternic atunci grosimea
semiconductorului dintre suprafaa iluminat i stratul de sarcin spaial (n
condiii de polarizare invers) trebuie diminuat pn la valoarea minim posibil.
Influena tensiunii de polarizare invers asupra rspunsului n frecven a
fotodiodelor din Si este ilustrat n figura 4.10. .

Fig.4.10. Dependena fotorspunsului relativ a fotodiodelor din Si n funcie de


frecvena semnalului luminos pentru diferite tensiuni de polarizare invers ( I L -
fotocurentul, I curentul de ntuneric).

Unul din factorii care limiteaz viteza de rspuns a fotodiodelor este


constanta de timp RC unde C este capacitatea diodei iar R reprezint suma dintre
rezistena fotodetectorului i rezistena de sarcin RL . Aceast constant se poale
micora crescnd tensiunea de polarizare invers deoarece capacitatea unei
jonciuni abrupte cu suprafaa S satisface relaia:

S
C (4.79)
Vb V 1 2

Fig.4.11. Variaia capacitii jonciunii n funcie de tensiunea de polarizare


invers pentru fotodiodele ROL21 i ROL22.

Acest efect este ilustrat n figura 4.11.


Influena rezistenei de sarcin asupra fotorspunsului relativ n funcie de
frecvena semnalului luminos este prezentat n figura 4.12. Din cele discutate mai
sus rezult c parametrii de funcionare ai fotodiodelor se mbuntesc odat cu
creterea tensiunii de polarizare invers, cretere care este limitat de fenomenele
de strpungere.
Fig.4.12. Dependena fotorspunsului relativ n funcie de frecvena semnalului
luminos pentru dou valori ale rezistenei de sarcin n cazul fotodiodelor ROL21
i ROL22.

4.4.3 Parametrii fotodiodelor


Principalii parametri cu ajutorul crora snt caracterizate fotodiodele n
vederea aplicaiilor practice snt:
(a) Curentul de ntuneric IS , care reprezint curentul invers al jonciunii pn
n absena iluminrii la tensiunea de polarizare la care funcioneaz fotodioda.
Valorile tipice pentru IS , n cazul fotodiodelor din Si snt cuprinse ntre 1 i 50
nA pentru tensiuni de polarizare invers cuprinse ntre 10 i 400V;
(b) Sensibilitatea la iluminare. Din relaia (4.78) rezult imediat
IL q1 R Qc
SI (4.80)
0 hc

Dac fluxul luminos incident, raportat la unitatea de suprafa, este exprimat


n lx, atunci sensibilitatea spectral n curent a fotodiodelor se msoar n A/lx.
Sensibilitatea tipic a fotodiodelor din Si este cuprins ntre 5 i 50 nA/lx. Aa cum
se poate observa din (4.80) acest parametru este determinat de pierderile prin
reflexie [factorul (l.R)], pierderile prin recombinare (factorul Qc ) i
randamentul cuantic . Pierderile prin reflexie se pot diminua mult prin depunerea
de straturi antireflectante. Coeficientul de colectare Qc , cauzat de pierderile prin
recombinare, depinde de parametrii constructivi ai fotodiodelor i poate atinge
valori destul de mari, cuprinse ntre 0,5 i 0,9 cnd

x n Wsp x p 1

unde este coeficientul de absorbie a radiaiei incidente, xn este grosimea


regiunii neutre n, W sp este grosimea stratului de sarcin spaial iar xp este
grosimea regiunii neutre p. Pentru regiunea spectrului cu lungimi de und mici este
dificil de realizat fotodiode cu coeficient de colectare mare datorit pierderilor care
au loc prin procesele de recombinare la suprafa. Domeniul spectral de
sensibilitate maxim a fotodiodelor depinde att de natura semiconductorului
utilizat pentru realizarea jonciunii pn ct i de parametrii constructivi sau de
tensiunea de polarizare invers. n figura 4.13 snt ilustrate dependena linear a
fotocurentului de nivelul de iluminare i caracteristica spectral a fotodiodelor
planare din Si.
(c) Constantele de timp pentru creterea fotocurentului ( i ) i descreterea
fotocurentului ( d ), cnd fotodioda este iluminat cu impulsuri dreptunghiulare de
lumin, se pot defini, la fel ca n cazul fotorezistorilor i, de regul, au valori cu
dou pn la patru ordine de mrime mai mici dect n cazul efectului
fotoconductiv. Aceast diferen ntre constantele de timp pentru cele dou tipuri
de dispozitive se poate nelege dac inem cont de natura proceselor fizice care au
loc. n cazul fotoconductorilor concentraiile purttorilor de sarcin snt limitate de
procesele de recombinare n timp de n cazul fotodiodelor purttorii de sarcin
generai de radiaia incident nu mai ateapt procesele de recombinare ci snt
antrenai rapid de ctre cmpul electric intens din stratul de sarcin spaial. n
cazul fotodiodelor din Si constantele de timp snt aproximativ egale i au valori
cuprinse ntre 0,5ns i 1s.
Fig.4.13. Variaia fotocurentului n funcie de nivelul de iluminare (a) i
caracteristica spectral relativ a fotodiodelor planare ROL21 i ROL22 din Si.

(d) Capacitatea jonciunii depinde de parametrii constructivi ai fotodiodei i,


n cazul jonciunilor abrupte, depinde de tensiunea de polarizare invers dup o
lege de forma (4.79). n cataloage acest parametru este dat pentru tensiunea de
polarizare invers recomandat de productor pentru funcionarea fotodiodei.
(e) Puterea disipat pe fotodiod ( Pd ) este determinat de parametrii
constructivi i, pentru fotodiodele obinuite din Si poate fi cuprins ntre 100 i
500 mW.
Ali parametri care caracterizeaz funcionarea fotodiodelor se definesc la
fel ca n cazul celulelor fotovoltaice.

4.5 Fotorezistor cu sensibilitate dirijat

Este bine cunoscut c, fotorezistorul clasic este confecionat pe baza unui strat
semiconductor de tip p sau n cu grosimea 1-10 m, format pe un substrat
semiizolator. Contacte ohmice sub form de gril au distana dintre inele grilei nu
mai mare ca lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin minoritari, care
constituie 2-4 m pentru goluri i 5-10 m pentru electroni (n dependen de
nivelul de dopare a stratului activ, ce variaz n diapazonul 1016-1018 cm-3).
La aceste contacte se aplic o anumit tensiune de alimentare. n lipsa
fluxului optic, prin stratul activ, sub aciunea tensiunii de alimentare, apare un
curent, numit curent de ntuneric, care micoreaz detectivitatea fotorezistorului,
determinat de curenii de zgomot:

2
i zg 2q I f I nt . f ,
unde: If fotocurentul, Int curentul de ntuneric, f banda de transparena a
frecvenilor.
La iluminarea fotorezistorului cu un flux optic, n interiorul stratului activ
sunt generai purttori de sarcin n exces, care sunt separai de cmpul electric
creat de sursa de tensiune exterioar, formnd un fotocurent proporional cu
intensitatea fluxului optic incident.
Dezavantajele fotorezistorilor clasici sunt:
- fotocurentul este format de purttorii de sarcin minoritari, care
diminueaz valoarea fotocurentului;
- grilele de contact ocup mai bine de 50 % din suprafaa fotoactiv, i,
pentru a exclude pierderile fluxului optic, este necesar de a utiliza
heterostructuri ce permit iluminarea stratului activ din partea verso a
structurii;
- grosimea stratului activ nu poate fi mai mic ca 1/, unde - coeficientul
de absorbia al radiaiei optice. Aceasta i determin valorile mari ale
curentului de ntuneric, care limiteaz detectivitatea fotorezistorului.