UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

INFORME PREVIO N 7

REGIMEN TRANSITORIO DE CIRCUITOS R-L-C

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRICOS 1

CURO BLAS DANTE MEYER 20154167G

SECCION P

PROF.: ING. BETETTA GMEZ, JUDITH LUZ

2017
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1. En el circuito del mdulo de trabajo `para valores de resistencia de carga de 30k y
50k respectivamente haga las simulaciones de voltaje correspondientes. Considere
los casos crticamente amortiguado, subamortiguado y sobre amortiguado.
Realizamos la simulacin con la resistencia de 30k.

La grafica en el caso R-CRITICAMENTE AMORTIGUADO

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LA GARFICA EN EL CASO SUBAMORTIGUADO

LA GRAFICA EN EL CASO SOBREAMORTIGUADO

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AHORA UTILIZANDO LA RESISTENCIA DE 50K

LA GRAFICA EN EL CASO CRITICAMENTE AMORTIGUADO

LA GRAFICA DEL SUBAMORTIGUADO

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LA GRAFICA DEL SOBREAMORTIGUADO

2. En el circuito del mdulo de trabajo para el caso de resistencia de carga de 0k, haga
las simulaciones de voltaje correspondientes, considere los casos crticamente
amortiguado, subamortiguado y sobre amortiguado.
LA GRAFICA CRITICAMENTE AMORTIGUADO
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LA GRAFICA DEL SUBAMORTIGUADO

LA GRAFICA DEL SOBREAMORTIGUADO

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3. Compare el comportamiento de las grficas en los tres casos (resistencia de carga de

30 k. 50 k y 0 k), realice los comentarios necesarios.

De los grficos se puede observar, lo siguiente:

Subamortiguado
-Se observa que los valores de tensin obtenidos en el osciloscopio, disminuye al
disminuir el valor de las resistencias.
-Obtenindose cuando el valor del potencimetro se acerca a 0.
Crticamente amortiguado
-a diferencia a la del subamortiguado, las tensiones aumentan conforme se
disminuye la resistencia de carga.
-Obtenindose el valor intermedio del potencimetro.
Sobre amortiguado

- Se obtiene al hacer que el valor de potencimetro este cercano al 100%

- La tensin aumenta al disminuir el val
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-
or de la resistencia.