Capitolul I.

Dispozitive de putere

1T
1.Tranzistorul
i t l bipolar
bi l de
d putere
t
In electronica de putere TB lucreaza in regim saturat-blocat, comportandu-se ca un
comutator. La ora actuala aceste tranzistoare suporta curenti si tensiuni destul de
mari(800A-1200V).
i(800A 1200V) A Aceste valori
l i ridicate
idi pentru curentii sii tensiuni
i i se datoreaza
d
structurii interne a TB de putere. Fata de un TB de mica putere, TB de putere are o
structura interna modificata si este prezentata in fig.1:

f ig .1

Pentru a minimiza caderea de tensiune in conductie se prefera structura

verticala de circulatie a curentului prin dispozitiv(zona N- a colectorului
este putin dopata). In figura 2 sunt prezentate variatiile in timp ale
curentilor,tensiunii, puterii considerand circuitul din figura 3.
 VB E

VB E 1
t0 t
V B E 2

i
B
IB 1

-I B 2
iC t o ff
t on
90%
VCE
I cs = IC E x
10% R c
td tr ts tf
VC E

t +Vcc
VCC V V CC
C Esat
Rc
p iC
Rb i B
vCE
com
t 0
vBE

F IG .2 Fig.3 0
-Definim timp ii t d .. t r , t s ., t f .; und e:
t d + t r = t on
t s + t f = t offff
Puterea pe sarcina inductive cunoaste o crestere semnificativa mai ales la
blocare.
T ensiunea maxima c are se p o ate app lic a intre c o lec to r si emito r in c azul
b lo c arii unui tranzisto r, d ep ind e d e meto d a utilizata p entru b lo c are. In
fig.4 este p rezentata c arac teristic a I C = f (V C E ) c u ajuto rul c areia s unt
evid entiate d iferite mo d alitati p entru b lo c area unui transisto r

I C
0 R
S
X
IC E 0
I
C E R
IC E S
I C E X

V C E 0 VC E R VC E S VC E X V C E

F IG .4
 VCE 0 < VCER < VCES < VCEX
|sunt date de catalog
ICE 0 > ICER > ICES > ICEX

VCE 0 -tensiunea colector-emitor atunci cand blocarea se realizeaza lasand

baza libera;
VCER -tensiunea colector -emitor atunci cand blocarea se realizeaza
conectand o rezistenta intre baza si emitor;
C S -tensiunea
VCES tensiunea colector
colector-emitor
emitor atunci cand blocarea se realizeaza
scurtcircuitand baza si emitorul;
VCEX - tensiunea colector-emitor atunci cand blocarea se realizeaza prin
polarizarea
l i inversa
i a jonctiunii
j i ii baza-emitor
b i cu o tensiune;
i

In figura 5 este prezentata caracteristica I C = f (VCE ) si sunt puse in

evidenta fenomenele strapungerii secundare.
IC
s tr apung
p g er e s ec undar a
in c .c .
p r ima
s tr a p u n g e r e

imp u ls u r i
s c u r te

imp u ls u r i r e la tiv
lu n g i

IB1 > 0
IB = 0

VC E 0 V CB 0 V CE
IB > 0 IB < 0

F ig.5
Presupunand jBE polarizata direct , daca tensiunea VCE creste in apropiere
de VCE 0 , curentul de colector incepe sa creasca datorita multiplicarii prin
avalansa a purtatorilor. Acesta este fenomenul primei strapungeri care nu
este distructiv.
Insa daca I C creste mult, la un anumit moment data apare fenomenul
celei de-a doua strapungere care conduce la scaderea drastica a tensiunii
VCE si distrugerea TB.
Explicarea fenomenului starpungerii secundare consta in neuniformitatea
distributiei curentului de colector care apare la tensiuni si curenti mari.
Aceasta distributie neuniforma determina aparitia unei zone in care
densitatea de curent devine foarte mare , materialul se incalzeste si
datorita coefecientului termic negative , rezistenta scade conducand la
concentrarea si mai puternica a curentului in zona, se realizeaza practic
un scurtcircuit intre E si C , baza se topeste , iar TB se distruge.
distruge Unind
punctele in care apare acest fenomen se obtine curba strapungerii
secundare
Acest fenomen apare si atunci cand jBE este polarizata invers,deci
invers deci la
comutatie inversa a TB,doar ca tensiunea la care apare prima strapungere
este VCEO < VCE < VCB 0 .
In cadrul convertoarelor de putere(invertoare,choppere) tranzistorul
lucreaza in regim de comutatie ,trecand succesiv din starea de conductie
cvasisaturat in starea blocat si invers. Pentru ca tranzistorul sa nu se
distruga este necesar ca punctual sau (M) de functionare in timpul
comutatiei sa se mentina in cadrul ariei de functionare sigure (SOA)(safe-
operating area)
area).Aria
Aria de functionare sigura se defineste in planul
caracteristicei de iesire I C = f (VCE ) |I = ct si este data de foaia de catalog a
B

tranzistorului.
Marimile care delimiteaza
delimitea a SOA sunt
s nt prezentate
pre entate in fig.6
fig 6 si sunt
s nt prezentate
pre entate
in scara logaritmica:

F ig .6
 Pd = I C VCE , log aritmand log Pd = log I c + log VCE
Unii p ro d uc ato ri d au c arac teris tic ele T B la intrarea in c o nd uc tie
F BS O A(F o rward Bias ed S afe O p erating Area), res p ec tive la ies irea d in
c o nd uc tie(b lo c are) R BS O A(R evers e Bias ed S afe O p erating Area)
p rezentate in fig. 7
 Protectia tranzistoarelor de putere care au in colector
sarcina inductiva
Se considera circuitul din figura 8:

IC
IB > (saturatie)
SAT
EC VCE + ea = 0 VCE = EC + ea
DACA : L = 20H, toff = 0.1s, IC = 1A
di 1A
ea = L = 20 = 200V
dt 0.1s
VCE = EC + ea = EC + 200V (1)
P resup unand tranzisto rul T in co nd uctie la saturatie,sarcina L,R va fi
p arcursa d e un curent I C .C and tranzisto rul T co muta invers, ad ica se
b lo cheaza, se intrerup e circulatia curentului. Ind uctia sarcinii se va o p une
di
variatiei generice d e curent e a = L . P o laritatea acestei tensiuni este
dt
p rezentata in fig 8. Din relatia 1 se o b serva ca valo area tensiunii VCE p o ate
d eveni d estul d e mare si p o ate d istruge tranzisto rul d ac a nu sunt luate
masuri d e p ro tectie p entru tranzisto r .Un c ircuit d e p ro tectie este d at in
fig.9:
La trecerea tranzistorului din saturat in blocat se deschide dioda D si
curentul I C , mentinut de L, va fi comutat de pe tranzistor pe D:
+E
EC V = E +V
CE max C D
IC In continuare curentul descreste exponential in timp dupa legea :
t
LR
L,R VD
D L
i = I C e R

EC
T V CE
OBSERVATIE
Relatiile care stau la baza determinarii tensiunii pe un condensator
Fig.9 respective a curentului printr-o inductanta sunt:

t

V C ( t ) = V + (V 0 V ) e
R C

t
L
L
i ( t ) = I + ( I 0 I ) e R

A nularea c urentului p rin s arc ina s e fac e intr-un tim p d e anulare:
L
a  3
R
D ac a rezis tenta R a s arc inii es te p rea m ic a ,tim p ul d e anulare p o ate
d eveni inac c ep tab il d e lung. S unt s ituatii in c are la o no ua c o m and a d e
c o nd uc tie a tranzis to rului T ,cc urentul d e s arc ina treb uie s a fie zero .P
P entru
m ic s o rarea tim p ului d e anulare s e fo lo s es te s c hem a d in figura 10:
+E C

D VD
IC -
L ,R
R R
+
EC
T V CE

F ig . 1 0
 L
 3
R + R1
a

VCE m ax = E C + V D + R1I C < V CE 0

Trebuie mentionat faptul ca dioda D din ambele scheme trebuie sa fie

rapida.
Daca se doreste o scadere mai pronuntata a timpului de anulare a
curentlui se foloseste schema 11:
+E C

D VD
IC
L ,R Z VZ VCE = EC + VD + VZ
EC
T V CE

F ig .1 1
Este absolut obligatoriu introducerea lui D pentru a evita conductia lui
Z(dioda Zener) ca dioda obisnuita la saturarea lui T.Timpul de anulare a
curentului
l i prin
i bobina
b bi este maii mici deoarece
d tensiunea
i pe Z ramane
constanta pe toata durata descarcarii energiei inmagazinate in c.m a lui L
si astfel energia disipata pe Z rezulta mai mare in aceeasi unitate de timp
decat pe rezistenta R1 .
Un alt circuit folosit este prezentat in fig.12:

+E C

V C E m ax = V Z1
IC E C < V Z1 < V C E 0
L ,,R Z

T V CE VZ E C

F ig .1 2
 Tranzistorul bipolar avand in colector un T.I.
(transformator de impulsuri)

Astfel de situatii se intalnesc la etajele finale a dispozitivelor de

comanda cu tiristoare in surse de comutatie,
comutatie in invertoare si convertoare
cu tranzistoare. T.I. este un transformator ce are in primar o tensiune
rectangulara sau un impuls de tensiune. Se da schema din fig.13:
 + EC

(- ) + + (- )

V 1 n1 n2 R S V2
(+) - - (+ ) +EC
IC
VCE V1 L1 n1
2
T RS' = RS
iL n2
F ig .1
13 iC iR
K
Fig 14
Fig.14
Intrucat T lucreaza saturat-blocat ,tranasformatorul se alimenteaza in
impulsuri.Considerand transformatorul ideal circuitul echivalent este dat in fig.14.
 L1 =inductanta primarului transformatorului cu secundarul in gol
R ' S =rezistenta
de sarcina din secundar reflectat in primar.Contactul K
modeleaza tranzistorul T. Ne propunem sa vedem cum variaza in timp
marimile din figuri . +EC
1. T: saturat > k inchis:
n1 V1 n n
V1 = EC = V2 = 2 V1 = 2 EC 2
n2 V2 n1 n1 V1 L1 n1
V E n
2
RS' = RS
iC = iL + iR (2) iR = 1' = C 2 (3)
RS RS n1 iL n2
V1 = L1
diL di E E
= EC L = C iL ( t ) = C t + A iC iR
dt dt L1 L1
K
Presupunem ca pentru t=0 iL(0) = A= 0
Fig.14
V1 = EC

V2 = n2 EC
n1 EC n2
2
t = t1 = 0 iC (t ) =
iL (t ) = 0
RS n1
EC n2
2
iR (t ) =
RS n1
dupa acest moment curentul prin ciruit se mod ifica dupa legea :
2
E n E
iC ( t ) = C 2 + C t
R S n1 L1

V 1

EC
t1 t2 t
A
V 2
n2
EC
n1

B t
iC
2
EC n2
C
RS n1

t
F ig .1 5
 2. La momentul t 2 blocam tranzistorul T, K deschis.Curentul iC se
anuleaza, curentul iL va fi deviat pe RS' determinand o tensiune V1 cu
polaritatea
l it t dindi paranteze.
t
iC = 0
n1 2
V1 = RS' iL = RS ( ) iL
n2
Cu originea de timp la t2 : t
R S'
L

t
EC R S' EC t
iL (t ) = I L e
L
R
; dar
d
E
IL = C iL (t ) = e = e L
;
L1 L1 L1
De unde avem:
EC n1
2

R S n1 2
( ) t
R S n1 2
( ) t
V1 ( t ) = RS e
L1 n 2
= Ae L1 n 2

L1 n2
R S n1 2 R S n1 2
n2 EC n1 ( ) t ( ) t
V 2 = V1 = RS e
L1 n 2
= Be L1 n 2

n1 L1 n2
2
E C n1 EC
iC ( t ) = + = C
RS n2 L1

Fenomenul aparitiei unei tensiuni cu polaritatea inversa, la comutatia
inversa a tranzistorului se numeste oscilatie inversa.
Valoarea maxima a tensiunii
2
E n
V1 max = C RS 1
RS n2
Aceasta oscilatie inverse mareste tensiunea pe tranzistor :
2
E n
VCE max = EC + C 1
L1 n2
Daca aceatsa tensiune depaseste VCE 0 schema trebuie prevazuta cu circuit
de protectie.
EC
Valoarea maxima iL max = acest curent produce magnetizarea
L1
miezului
i l i sii la
l cresterea
t sa creste
t sii inductnata
i d t t prin
i miez.
i
Daca iL max atinge o astfel de valoare a.i. miezul se satureze, efectul de
transformator dispare si curentul de collector creste foarte mult
conducand la distrugerea tranzistorului si totodata se anuleaza si
tensiunea din secundar.