SENSORES A BASE DE SILICIO

Un sensor basado en silicio incluye un sustrato, un elemento sensor, y un diafragma de

proteccin de montaje y que cubre el elemento sensor. El diafragma es una capa de silicio
que, en una realizacin preferida, incluye un dopante etch-stop (parada de grabado). La
capa de etch-stop est sellado al sustrato de modo que la capa cubre y monta el elemento
sensor al sustrato. El sensor se fabrica mediante la formacin de un rea del canal en una
superficie de un bloque de silicio (por ejemplo, un chip de silicio u oblea), el tratamiento
de la zona de cubeta con un dopante etch-stop (por ejemplo, boro), depositando un
elemento sensor en la cubeta dopada rea, sellando al menos la periferia de la zona de
cubeta dopada a una superficie de un sustrato (por ejemplo, vidrio) con el fin de encapsular
el elemento sensor y, a continuacin, el grabado de distancia regiones sin dopar del bloque
de silicio de modo que el rea de cubeta dopada permanece como una diafragma de
proteccin sellada al sustrato y que cubre el elemento sensor. Tambin es posible formar
una almohadilla de unin en regiones discontinuas no tratadas (por ejemplo, no dopadas)
de una capa de cubeta tratada con etch-stop de otra manera de modo que cuando se grabe,
la almohadilla de unin se expone para permitir la interconexin con circuitos electrnicos.
La capa permanece para montar la almohadilla de unin al sustrato.

LOS SENSORES DE SILICIO

Para aplicaciones de alta energa la eficiencia de deteccin est limitada por el espesor del
sensor de silicio, que convierte los fotones de rayos X en carga elctrica. Los sensores de
alta energa con el aumento de los espesores de los sensores de 1000 m compensan la
eficiencia de absorcin inferior de silicio a altas energas.
Todos los sensores de silicio se basan en la tecnologa del silicio bien establecida
DECTRIS' y disponible para todos los detectores DECTRIS de las familias detector
MYTHEN2 y Pilatus desde la MYTHEN2 a la PILATUS 6M. detectores de EIGER se
suministran con los sensores estndar 450 micras de silicio.

SENSORES DE ALTA ENERGA

Para una sensibilidad ptima a altas energas de rayos X de los sensores 1000 micras de
silicio disponen de eficiencia cuntica mejorada a energas por encima de 10 keV sin
comprometer la conocida operacin libre de ruido de los detectores de DECTRIS. Para
la radiacin de Mo y Ag Ka el sensor 1000 micras de silicio ofrece una excelente eficiencia
cuntica del 76% y 50%, respectivamente. La sensibilidad de rayos X mejorada
proporcionada por los sensores 1000 micras es ideal para todas las aplicaciones de alta
energa.

LOS SENSORES DE BAJO CONSUMO

Para aplicaciones de baja energa DECTRIS ofrece las 320 micras sensores, que permiten
a los umbrales de energa ms bajos posibles. detectores MYTHEN2 con 320 micras
sensores se ofrecen en dos longitudes de tira, 8 mm y 4 mm. La longitud de la tira 4 mm
permite una relacin ptima de seal a ruido para energas de rayos X tan bajas como Ti.
La Figura 1 muestra la eficiencia cuntica (QE) para el 320! M, 450 m y 1000 micras
sensores como una funcin de la energa. Los valores de QE se midieron en el laboratorio
PTB en BESSY II y perfectamente coinciden con los valores predichos por clculo. A altas
energas, por encima de 10 keV, la QE est limitado por el grosor del sensor y mejora de
forma significativa para los sensores ms gruesas.
La Tabla 1 da los valores de QE para los diferentes sensores en energas de rayos X
tpicamente utilizados.

Figura 1: eficiencia cuntica de 320, 450 y 1000 micras sensores medidos en el laboratorio
PTB en BESSY II.
La energa fotnica 320 m 450 m 1000 m
4,5 keV (Ti) 90% 90% 81%
5,4 keV (Cr) 94% 94 % > 80 %
8,0 keV (Cu) 97 % 98 % 96 %
12,4 keV (1a) 72 % 84 % 97 %
17,5 keV (Mo) 37 % 47 % 76 %
22,2 keV (Ag) 20 % 27 % 50%
Los rangos
320 450
de energa y 320 micras 1000 micras
micras micras
Umbral
Energa 4 mm 8 mm 8 mm 8 mm
Rango [keV]
4-40 5-40 6,6-40 7,4-40
 Theshold
Rango [keV] 3,5-20 4,5-20 5,5-20 6,0-20

Figura 2: eficiencia cuntica a energas tpicas de rayos X, y rangos de energa y de umbral

disponibles.

Sensores de temperatura de silicio

Sensores de temperatura a base de silicio son dispositivos hechos de la misma manera

como transistores y circuitos integrados. Una propiedad fsica primaria de sensores de
temperatura basados en silicio es su extrema estabilidad en el tiempo y sobre las
condiciones ambientales extremas. Esto es porque el silicio es un elemento inherentemente
estable, especialmente en su forma cristalina. La estructura cristalina que constituye un
sensor de temperatura basado en silicio es literalmente slida. Otra consideracin
importante de estos tipos de sensores es que estn fabricados utilizando procesos de
fabricacin altamente repetibles, utilizando tcnicas fotolitogrficas maquinaria y
totalmente automticas.

Los sensores de silicio, figura 8.18, son circuitos integrados que aprovechan la variacin
predecible del voltaje de la unin base-emisor (VBE) de los transistores bipolares para
realizar mediciones confiables y exactas de temperatura. Se caracterizan por su pequeo
tamao y son especialmente apropiados para aplicaciones de medicin y control de
temperatura en el rango de 55C a +150C. Adems, no requieren de etapas de
linealizacin, amplificacin ni compensacin externas debido a que incorporan en la
misma pastilla sus propios circuitos de procesamiento de seales.
Figura 8.18 Transductor de temperatura de silicio representativo. El dispositivo mostrado
(LM56), es fabricado por National Semiconductor (www.natsemi.com) detecta
temperaturas entre 55C y + 150C y ofrece una salida digital on-off.
La mayora de sensores de silicio proporcionan como salida un voltaje que vara
linealmente con la temperatura en grados Kelvin (K), Celsius (C) o Fahrenheit (F).
Algunos ejemplos representativos son el LM34, el LM35, el LM135 y el LM50, todos ellos
de National Semiconductor y con una sensibilidad nominal de 10mV por grado. El LM50,
en particular, tiene incorporado intencionalmente un offset DC de +500 mV para facilitar
la medicin de temperaturas negativas en sistemas de fuente sencilla. Tambin se dispone
de sensores con salida por corriente. Dos ejemplos representativos son el LM334 y el
AD590, cuyas sensibilidades tpicas son 1 mA/K y 1A/K, respectivamente.
La integracin de circuitos de procesamiento en los sensores de temperatura de silicio
elimina tambin, en muchos casos, la necesidad de comparadores o de convertidores A/D
externos para convertir la salida anloga a un nivel lgico o un cdigo digital. Los sensores
de salida por comparador, en particular, son muy tiles para detectar condiciones de falla,
impulsar calefactores o enfriadores, y otras aplicaciones de control y alarma. En la figura
8.19, por ejemplo, se muestra un sencillo circuito de control para un ventilador utilizando
un sensor de salida por comparador LM56. Los voltajes de referencia para los
comparadores internos son determinados por R1-R3.

En este caso, las salidas OUT1 (pin 7) y OUT2 (pin 6) se hacen bajas, respectivamente,
cuando se exceden el primer y segundo umbral de temperatura fijados. En el primer caso,
se energiza el ventilador de enfriamiento, mientras que en el segundo se produce una seal
de corte o shut down para impedir el dao del sistema. Tambin se dispone de sensores
monolticos inteligentes, con un nivel de integracin ms elevado, los cuales incluyen
convertidores AID, multiplexores, referencias de voltaje, entradas/salidas digitales, lgica
de deteccin de fallas, registros para el almacenamiento de datos e instrucciones, y otras

funciones.
Un ejemplo representativo de sensores de este tipo es el LM75, dotado de un convertidor
A/D delta-sigma de 9 bits, el cual proporciona una resolucin de 0,5C por bit para
mediciones de temperatura desde 25C hasta +150C. Tambin posee una interfaz digital
de dos hilos compatible con FC y una salida de drenado abierto, configurable como lnea
de interrupcin, que indica cuando los umbrales de temperatura programados han sido
excedidos. Adicionalmente, hay tres pines de seleccin que permiten direccionar hasta 8
sensores del mismo tipo sobre un mismo bus de dos hilos.

Sensores qumicos miniaturizados

Los sensores qumicos miniaturizados constituyen una parte importante de muchos

microsistemas y tienen como funcin la deteccin y cuantificacin de determinados
parmetros del ambiente que los rodea. As, juegan un papel esencial como la interfase
entre los sistemas electrnicos y el ambiente/usuario. En la actualidad, el proceso de
desarrollo de estos dispositivos y de los microsistemas en general es lento y costoso debido
a la gran diversificacin que existe tanto en las tecnologas como en los materiales
empleados en su fabricacin, lo que hace que sean realmente muy pocas las aplicaciones
existentes a nivel comercial. La introduccin de materiales polimricos para la
fabricacin de sensores qumicos de bajo coste, los cuales puedan ser fcilmente
procesados por tecnologas estndar empleadas en la fabricacin de microsistemas es una
alternativa muy interesante. En este sentido, dentro de este proyecto se pretende emplear
materiales polimricos hbridos organoinorgnicos de base de silicio para el desarrollo de
dispositivos sensores miniaturizados. La tecnologa sol-gel empleada para la fabricacin de
los mismos permite obtener materiales muy verstiles, con propiedades fsico-qumicas
particulares, las cuales se adecuan a una amplia variedad de aplicaciones.

El empleo de estos materiales en la fabricacin de sensores qumicos miniaturizados fiables

y de bajo coste, desde el transductor hasta el receptor selectivo, es muy atractiva, si tenemos
en cuenta lo siguiente. El esqueleto polimrico de los mismos es de xido de silicio, lo que
hace que puedan procesarse fcilmente sobre sustratos de silicio. Adems, dependiendo
de su componente orgnica, estos polmeros son compatibles con diferentes tcnicas de
microfabricacin estndar, como fotolitografa UV o ataque por iones reactivos (RIE), as
como con otras no convencionales como la litografa por nano impresin o la "soft
lithography". Igualmente, su matriz polimrica permite la inclusin de otros materiales
como nanopartculas o biomolculas, dando lugar a materiales nanoestructurados, lo que
amplia an ms el abanico de posibilidades para su empleo en la fabricacin de sensores.
Estos materiales son baratos y, a la luz de las propiedades indicadas, poseen un gran
potencial para el desarrollo de dispositivos sensores miniaturizados verstiles y de bajo
coste, los cuales puedan ser integrados en microsistemas.