Sunteți pe pagina 1din 20

S.D.

Anghel - Electronică

3 TRANZISTORUL BIPOLAR

William Shockley – fizician american, laureat al premiului Nobel în 1956 împreună cu


J. Bardeen şi W.H Brattain. Au pus la punct tehnologia tranzistorului.

3.1 Structura şi caracteristicile statice


Tranzistorul bipolar este o structură de trei zone semiconductoare extrinseci (pnp
sau npn) realizată într-un cristal semiconductor. Ea este prezentată schematic în
fig.3.1a şi ceva mai aproape de structura reală în fig.3.1b. Fiecare zonă are un
contact ohmic cu câte un terminal exterior. Cele trei terminale se numesc emitor
– E, bază – B şi colector – C. Denumirile sugerează funcţia pe care o
îndeplineşte fiecare dintre cele trei zone: emitorul este furnizorul principal de
sarcini electrice, colectorul colectează sarcinile electrice iar baza poate controla
cantitatea de sarcină care ajunge la colector. După acelaşi criteriu, cele două
joncţiuni se numesc emitoare, respectiv colectoare.
B
baza

p p
E p n p C
emitor colector

n
(n) (p) (n)
jonctiune jonctiune
emitoare colectoare
a b
Fig.3.1
O astfel de structură se numeşte bipolară deoarece la conducţia electrică
participă sarcini electrice de ambele polarităţi, goluri şi electroni, cu contribuţii
diferite la curent în funcţie de tipul de tranzistor. În funcţie de ordinea zonelor,
tranzistorii bipolari pot fi de tip pnp sau npn. Simbolurile lor sunt prezentate în
fig.3.2.
E C

B B

C E
pnp npn
Fig.3.2
45
3 Tranzistorul bipolar

Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are două


particularităţi:
• emitorul este mult mai puternic dopat decât baza
• lărgimea fizică a bazei este mult mai mică decât lungimea de difuzie a
purtătorilor majoritari din emitor (aprox. 10µm)
Pentru a exista conducţie electrică între emitor şi colector, joncţiunea
emitoare trebuie polarizată în sens direct iar joncţiunea colectoare în sens invers.
Un circuit de polarizare a joncţiunilor unui tranzistor de tip pnp este prezentat în
fig.3.3a. În practică polarizarea joncţiunilor se face cu o singură sursă de
alimentare.
C
IC

RC p
ICBo αIE
IC
EC p B
IB n n
IB
p
EE
IE p
RE

IE
E
a b
Fig.3.3
În fig.3.3b se poate observa modul în care purtătorii de sarcină din
semiconductor contribuie la formarea curenţilor exteriori măsurabili: curentul de
emitor - IE, curentul de colector – IC şi curentul de bază – IB. Trebuie să subliniem
încă odată faptul că la curentul prin tranzistor participă purtători de ambele
polarităţi, în timp ce la curenţii exteriori participă exclusiv electronii de conducţie
din metal.
Golurile, care sunt purtătorii majoritari în emitor, sunt accelerate în
câmpul de polarizare directă a joncţiunii emitoare şi, în marea lor majoritate, vor
traversa baza şi vor fi preluate de câmpul electric de polarizare inversă a
joncţiunii colectoare. Fracţiunea din curentul de emitor care contribuie la
formarea curentului de colector este notată cu α. α se numeşte factor de curent
şi valorile lui sunt foarte apropiate de 1: α ≅ 0,97 − 0,99 . Datorită slabei dopări a
bazei şi a lărgimii ei foarte mici, doar o mică parte din golurile care pleacă din

46
S.D.Anghel - Electronică

emitor se vor recombina cu electronii din bază. Curentul αIE împreună cu


curentul de purtători minoritari, ICBo, care traversează joncţiunea colectoare
polarizată invers, vor forma curentul de colector, IC. Astfel, pot fi scrise
următoarele relaţii între curenţii măsurabili:
I E = IC + I B (3.1)

I C = αI E + I CBo (3.2)
Înlocuind expresia curentului de emitor (3.1) în relaţia (3.2) şi exprimând
curentul de colector, se obţine:
α I
IC = I B + CBo (3.3)
1−α 1−α
Coeficientul de multiplicare a curentului de bază se notează cu β şi se
numeşte factor de amplificare statică (sau factor de amplificare a curentului
continuu) şi este supraunitar:
α
β= (3.4)
1−α
Astfel, dependenţa curentului de colector de curentul de bază poate fi
exprimată sub forma:
I C = βI B + (1 + β )I CBo (3.5)
Relaţia (3.5) indică dependenţa intensităţii curentului de colector de
intensitatea curentului de bază. De aici se poate vedea că tranzistorul bipolar
este un element activ comandat în curent. Deoarece curentul de purtători
minoritari ICBo este foarte mic (sub 1µA), în practică se poate folosi cu bună
aproximaţie relaţia I C ≅ βI B .
Ecuaţiile (3.1), (3.2) şi (3.4) descriu funcţionarea tranzistorului în curent
continuu (regimul static) şi, împreună cu legile lui Kirchhoff, permit calcularea
valorilor rezistenţelor din circuitul exterior de polarizare, precum şi a punctului
static de funcţionare caracterizat de patru parametrii: UBEo, IBo, UCEo şi ICo.
Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol dacă unul dintre
terminalele sale va face parte atât din circuitul de intrare cât şi din cel de ieşire.
De regulă, terminalul respectiv este conectat la borna de potenţial nul (masa
circuitului). Astfel, există trei conexiuni posibile ale tranzistorului într-un circuit:
• conexiunea emitor comun – fig.3.4a
• conexiunea bază comună – fig.3.4b
• conexiunea colector comun – fig.3.4c

47
3 Tranzistorul bipolar

a b c
Fig.3.4
Cele trei conexiuni au parametrii de intrare, ieşire şi de transfer diferiţi.
Dintre ele, cea mai folosită este conexiunea emitor comun şi de aceea în
continuare ne vom axa în principal asupra ei, analizând-o atât în regim static cât
şi în regim dinamic.
IC

IB UCE
U BE

Fig.3.5
Mărimile de intrare şi cele de ieşire pentru conexiunea emitor comun sunt
prezentate în Fig.3.5. Modificarea valorii oricăreia dintre ele conduce la
modificarea celorlalte trei. Datorită acestui lucru nu mai putem vorbi despre o
singură caracteristică volt-amperică, cum a fost în cazul diodei, ci de familii de
caracteristici statice de intrare, ieşire şi de transfer.
Pentru conexiunea emitor comun mărimile de control, cu ajutorul cărora
le modificăm pe celelalte, sunt curentul de bază, IB, şi tensiunea dintre colector şi
emitor, UCE. De aceea ele vor fi considerate variabilele independente iar
tensiunea dintre bază şi emitor, UBE, şi curentul de colector, IC, vor fi variabilele
dependente.
Într-o reprezentare calitativă, familiile de caracteristici statice ale
conexiunii emitor comun sunt arătate în fig.3.6.
Astfel, familiile de caracteristici statice sunt următoarele:
• U BE = f (I B ) U , caracteristica de intrare
CE = const.

• I C = f (U CE ) I , caracteristica de ieşire
B = const .

• I C = f (I B ) U , caracteristica de transfer în curent


CE = const.

• U BE = f (U CE ) I , caracteristica de transfer invers în tensiune


B = const .

48
S.D.Anghel - Electronică

IC

IB

ICBo IB = 0
IB UCE

UCE IB

UBE
Fig.3.6
O altă caracteristică importantă a tranzistorului bipolar este caracteristica
de transfer în tensiune, pe baza căreia se definesc şi regimurile posibile de
funcţionare ale lui. În fig.3.7a este prezentată o schemă posibilă pentru trasarea
acestei caracteristici iar în fig.3.7b este arătat aspectul ei.
EC = +5V
UCE [V]
Rc
1 kΩ blocat
5
zona
IC activa
Rb
UCE = Uies
Uin 10 kΩ
saturat
0 - +5V UBE UCEsat 0,1 - 0,2V

0 0,65 U BE [V]

a b
Fig.3.7
Discuţia asupra comportării tranzistorului se poate face dacă considerăm
comportamentul celor două joncţiuni asemănător comportamentului unor diode.
Vom numi în continuare joncţiunea emitoare drept dioda emitor, DE, iar
joncţiunea colectoare drept dioda colector, DC.
Pentru tensiuni UBE mai mici decât tensiunea de deschidere a diodei
emitor, între emitor şi colector nu poate circula nici un curent, căderea de
tensiune pe rezistenţa Rc este nulă şi UCE = Ec. În acest interval de tensiuni de
intrare tranzistorul este blocat, între colector şi emitor el acţionând ca un
întrerupător deschis. Odată cu creşterea tensiunii de intrare, dioda emitor se va
49
3 Tranzistorul bipolar

deschide şi va permite “curgerea” electronilor între emitor şi colector peste dioda


colector polarizată invers. Tensiunea UCE va începe să scadă foarte rapid,
deoarece creşte căderea de tensiune pe Rc, în condiţiile în care tensiunea de
alimentare, Ec, este păstrată constantă (Ec = IcRc + UCE). Curentul de colector va
creşte şi tensiunea UCE se va micşora până când se ajunge în regimul de saturaţie
(cantitatea de sarcină disponibilă nu este nelimitată) în care ambele diode, emitor
şi colector, sunt în stare de conducţie. Acest regim de lucru se numeşte saturat.
În regimul saturat tensiunea între colector şi emitor este foarte mică,
U CE ≅ 0,1 − 0,2V . Ea se numeşte tensiune colector-emitor de saturaţie, UCEsat.
Zona de tranziţie dintre regimurile blocat şi saturat se numeşte zona activă. În
zona activă curentul de colector şi tensiunea de ieşire pot fi controlate de către
tensiunea de intrare şi implicit de către curentul de bază.
Putem sintetiza regimurile de funcţionare ale tranzistorului bipolar în
felul următor:
• regimul blocat DE şi DC - blocate,
IC = 0, UCE = Ec
• regimul în zona activă DE – conducţie, DC – blocată,
I C ≠ 0, U CE = 5 → 0,2V
• regimul saturat: DE şi DC – conducţie,
I C ≠ 0, U CE = 0,1 − 0,2V = U CEsat
Regimul de funcţionare în zona activă este folosit atunci când tranzistorul
se află într-o schemă de prelucrare a semnalelor, de amplificare sau generatoare
de oscilaţii armonice. Atunci când tranzistorul trece foarte rapid prin zona activă,
lucrând între starea de blocare şi cea de saturaţie şi invers, se spune despre el că
lucrează în regim de comutaţie (în circuitele digitale, de exemplu).
Regimurile de funcţionare ale tranzistorului bipolar pot fi vizualizate şi pe
graficul reprezentând familia de caracteristici IC = IC(UCE), aşa cum se poate
observa în fig.3.8.
IC UCE = Pmax
IC
SATURATIE

P > Pmax
IB

ZONA ACTIVA

IB = 0
BLOCARE

0 UCE
Fig.3.8
50
S.D.Anghel - Electronică

Printre parametrii caracteristici ai unui tranzistor se află şi puterea


maximă pe care el o poate disipa fără a atinge temperaturi la care s-ar distruge.
Produsul ICUCE nu poate depăşi această valoare care este diferită în funcţie de
tipul de tranzistor. Zona în care puterea disipată pe tranzistor ar fi mai mare decât
puterea maximă admisă este şi ea vizualizată pe reprezentarea grafică din fig.3.8.

3.2 Polarizarea tranzistorului bipolar


3.2.1 Polarizarea cu divizor de tensiune în bază
Pentru a funcţiona în zona activă şi a fi folosit într-o schemă de amplificare de
exemplu, joncţiunile tranzistorului bipolar trebuie polarizate în curent continuu
astfel încât joncţiunea emitoare să fie polarizată direct iar joncţiunea colectoare să
fie polarizată invers. Polarizarea se face de la o singură sursă de alimentare,
existând mai multe scheme folosite în acest scop. Una dintre cele mai utilizate
scheme de polarizare în curent continuu este cea cu divizor de tensiune în baza
tranzistorului, schemă prezentată în fig.3.9.
+EC

R1` Rc

I1 IC
IB
UCE
I2 IE
UBE

R2 RE

Fig.3.9
Practic, problema se pune în felul următor: cunoaştem tipul de tranzistor
folosit şi dorim polarizarea joncţiunilor sale astfel încât el să lucreze într-un
anumit punct static de funcţionare. Evident, se cunoaşte şi tensiunea de
alimentare folosită. Pentru calcularea valorilor rezistenţelor din circuitul de
polarizare se folosesc pe de o parte ecuaţiile de legătură dintre curenţii care intră
şi ies din tranzistor, în care se poate neglija influenţa curentului ICBo mult mai mic
decât ceilalţi curenţi:
I C ≅ βI B (3.6)

I E = IC + I B (3.7)

IC ≅ I E (3.8)
51
3 Tranzistorul bipolar

şi pe de altă parte, ecuaţiile pe care le scriem pe baza aplicării legilor lui


Kirchhoff în circuitul de polarizare:
E c = I C RC + U CE + I E RE (3.9)

E c = I 1 R1 + I 2 R2 (3.10)

I1 = I 2 + I B (3.11)
I 2 R2 = U BE + I E RE (3.12)
Desigur, pare destul de complicată rezolvarea unui sistem de şapte ecuaţii
în care s-ar putea să avem mai mult decât şapte necunoscute. Practic însă lucrurile
se pot simplifica dacă ştim cam în ce domenii de valori trebuie să se încadreze
valorile rezistenţelor din circuitul de polarizare. Iată care sunt acestea:
• R1, zeci – sute de kΩ
• R2, kΩ –zeci de kΩ
• Rc < 10kΩ
1 Ec
• RE ≅ , sute de Ω - kΩ
10 I C
Valorile rezistenţelor R1 şi R2 sunt mai mari decât ale celorlalte pentru a
consuma cât mai puţin curent de la sursa de alimentare, dar totodată ele trebuie să
asigure polarizarea bazei astfel încât joncţiunea emitor să fie în stare de conducţie
(uzual 0,65V pentru Si).
Valoarea rezistenţei RE trebuie să fie cât mai mică posibil pentru a
consuma cât mai puţin. Teoretic ea poate să lipsească şi emitorul să fie conectat
direct la masă. Practic însă ea este necesară pentru stabilizarea termică a
punctului static de funcţionare. Vom vedea acest lucru peste câteva paragrafe.
Valoarea rezistenţei din colectorul tranzistorului, Rc, reprezintă şi sarcina
tranzistorului atunci când acesta lucrează ca element activ în circuitele de
amplificare sau prelucrare de semnale. Valoarea ei maximă este limitată de
condiţia de conducţie a tranzistorului. Pentru o valoare prea mare, căderea de
tensiune pe ea poate fi atât de mare la un curent de colector mic încât să nu
permită trecerea tranzistorului în stare de conducţie.
De cele mai multe ori, pentru a putea rezolva sistemul de ecuaţii al
circuitului de polarizare vom fi nevoiţi ca valoarea uneia dintre rezistenţe să o
alegem pe baza observaţiilor de mai sus.
Să aplicăm aceste reguli de calcul a valorilor rezistenţelor dintr-un circuit
de polarizare în curent continuu a tranzistorului bipolar pe un exemplu concret.
Presupunem că avem un tranzistor cu β = 100, pe care dorim să-l polarizăm în
curent continuu astfel încât el să lucreze în zona activă având IC = 2mA, UCE =
5V şi UEB = 0,65V. Tensiunea de alimentare este EC = 10V.
Neglijând curentul rezidual prin joncţiunea bază-colector, din ecuaţia
(3.6) putem calcula curentul de bază:
52
S.D.Anghel - Electronică

I 2 ⋅ 10 −3
IB = C = = 2 ⋅ 10 − 5 A = 20µA
β 100
Cunoscând curentul de bază, din ecuaţia (3.7) calculăm curentul de emitor:

I E = I C + I B = ( 2 ⋅ 10 −3 + 0,02 ⋅ 10 −3 ) A = 2,02mA
Rezistenţa de emitor o putem calcula din relaţia recomandată anterior:
1 Ec 1 10
RE ≅ = = 495Ω
10 I C 10 2,02 ⋅ 10 −3

Din ecuaţia (3.9) calculăm valoarea rezistenţei din colectorul tranzistorului:


E − U CE − I E RE 10 − 5 − 2,02 ⋅ 10 −3 495
RC = C = = 2000Ω = 2kΩ
IC 2 ⋅ 10 − 3
Potenţialul bazei faţă de masă, VB = I2R2, putem să-l calculăm din ecuaţia (3.12):

V B = U BE + I E R E = 0,65 + 2,02 ⋅ 10 −3 ⋅ 495 = 1,65V


Alegând pentru rezistenţa R2 valoarea:
R2 = 10kΩ
se poate calcula valoarea curentului I2:
V 1,65
I2 = B = A = 0,165mA
R2 10 ⋅ 10 3
În sfârşit, din ecuaţiile (3.10) şi (3.11) poate fi calculată valoarea rezistenţei R1:
E C − I 2 R2 E C − V B 10 − 1,65
R1 = = = = 0,0457 ⋅ 10 6 Ω = 45,7 kΩ
I1 I2 + I B − 6
(165 + 20) ⋅ 10
Având în vedere valorile standardizate ale rezistenţelor de uz general, vom alege
următoarele valori pentru cele patru rezistenţe de polarizare ale tranzistorului: RC
= 2kΩ, RE = 500Ω, R1 = 47kΩ şi R2 = 10kΩ.

Ecuaţia (3.9) poate fi rescrisă în modul următor:


U CE Ec
IC = − + (3.13)
Rc + RE Rc + RE
în care mărimile variabile sunt IC şi UCE, celelalte fiind constante. Ea reprezintă
ecuaţia dreptei de sarcină în curent continuu şi va determina poziţia punctului
static de funcţionare, aşa după cum se poate vedea în fig.3.10.

53
3 Tranzistorul bipolar

IC dreapta de alte puncte statice de


sarcina in c.c. functionare posibile
Ec
Rc +RE

punct static de functionare


Ico IBo (dat)

UCE
0 UCEo Ec

Fig.3.10
Din ea se poate observa că dacă tensiunea de alimentare şi valorile
rezistenţelor de polarizare sunt constante, poziţia punctului static de funcţionare
poate fi schimbată modificând mărimea curentului de bază. Aşadar, punctul static
de funcţionare al tranzistorului se mai poate defini ca fiind intersecţia dintre
dreapta de sarcină în curent continuu şi caracteristica de ieşire corespunzătoare
unui curent de bază prestabilit.

3.2.2 Stabilizarea termică a punctului static de funcţionare


Conductibilitatea electrică a materialelor semiconductoare este puternic
dependentă de temperatura mediului în care acestea lucrează. O variaţie de
temperatură determină o variaţie relativă mult mai mare a densităţii de purtători
minoritari decât variaţia relativă a densităţii de purtători majoritari. De aceea, în
cazul tranzistorului bipolar, o creştere a temperaturii va determina o creştere
relativă semnificativă a curentului rezidual (curent de purtători minoritari) prin
joncţiunea bază colector, ICBo. Conform relaţiei (3.2) aceasta va determina
creşterea curentului de colector care, la rândul ei va determina o creştere
suplimentară a temperaturii joncţiunii, după care fenomenul se repetă ca o reacţie
în lanţ, rezultând fenomenul de ambalare termică. Procesul poate fi sintetizat în
următoarea diagramă:

T ICBo IC T ICBo ......

Sigur că dacă temperatura ambiantă se va micşora fenomenul încetează.


Aceste variaţii de temperatură vor determina şi instabilitatea punctului static de
funcţionare, care este definit şi de curentul de colector, IC.
Pentru stabilizarea termică a punctului static de funcţionare prezenţa
rezistenţelor RE şi R2 în circuitul de polarizare a tranzistorului este obligatorie.
Rolul lor în acest proces poate fi observat pe baza schemei simplificate prezentate
în fig.3.11.

54
S.D.Anghel - Electronică

IC

VB = const.
U BE IE

R2 RE

Fig.3.11
Prezenţa divizorului de tensiune în baza tranzistorului asigură un potenţial
relativ constant al bazei acestuia în raport cu masa, rezistenţele fiind mult mai
puţin sensibile la variaţiile de temperatură decât semiconductorii. Neglijând
contribuţia curentului de bază, vom avea IC = IE. Aceasta însemnă că o creştere a
curentului de colector, datorată creşterii temperaturii, va determina o creştere
asemănătoare a curentului de emitor şi implicit o creştere a căderii de tensiune pe
rezistenţa RE. Deoarece potenţialul bazei faţă de masă este constant, tensiunea pe
joncţiunea emitor va trebui să scadă. Scăderea lui UBE va determina scăderea
curentului de emitor, deci şi a celui de colector şi fenomenul se atenuează.
Procesul poate fi sintetizat în următoarea diagramă:
T ICBo IC IE R E UBE IC
De fapt, prezenţa rezistenţei RE în circuitul de polarizare determină o
reacţie negativă în curent continuu. Ce este reacţia în general şi reacţia negativă
în particular vom vedea ceva mai târziu.
3.2.3 Polarizarea prin curentul de bază
Polarizarea joncţiunilor tranzistorului se poate realiza şi fără divizor de tensiune
în bază, folosindu-ne de existenţa curentului de bază. O astfel de schemă de
polarizare este prezentată în fig.3.12
+EC

R1` Rc

IC
IB
UCE

UBE IE

RE

Fig.3.12

55
3 Tranzistorul bipolar

Din sistemul de ecuaţii (3.6) – (3.12), ecuaţiile (3.10) şi (3.12) vor fi


înlocuite cu ecuaţia:
E c = I B R1 + U BE + I E RE (3.14)

Deoarece curentul de bază este foarte mic (µA sau zeci de µA), valoarea
rezistenţei R1 trebuie sa fie de câteva sute de kΩ sau chiar 1 MΩ, pentru a avea pe
ea o cădere de tensiune care să asigure un potenţial pe bază capabil să deschidă
joncţiunea bază-emitor. Avantajul acestei modalităţi de polarizare este acela că,
în absenţa rezistenţei R2, impedanţa de intrare este mai mare (în regim de variaţii
rezistenţele R1 şi R2 apar conectate în paralel la masă – ne vom convinge de acest
adevăr ceva mai târziu). Dezavantajul este o stabilitate mai mică la variaţiile de
temperatură datorită absenţei rezistenţei R2.

3.2.4 Importanţa curentului de bază


În ecuaţiile (3.9) – (3.12), scrise pentru schema de polarizare din fig.3.9, am
neglijat curentul de bază, IB, în raport cu cel de colector şi cel de emitor. În multe
situaţii practice erorile provocate de această aproximaţie sunt neglijabile. Dacă
însă tranzistorul se află în conducţie puternică, intensitatea curentului de bază
ajunge la câteva zeci de µA şi influenţa sa asupra punctului static de funcţionare
nu mai poate fi neglijată. Această afirmaţie poate demonstrată pe baza schemei
concrete de polarizare cu divizor de tensiune în bază prezentată în fig.3.13.

+EC = 12V

Rc
R1` 39kΩ
2,4kΩ

IB

I
VB

RE
R2 10kΩ 600 Ω

Fig.3.13
Dacă IB = 0, atunci potenţialul faţă de masă al bazei este:
R2
VB = Ec = 2,45V
R1 + R2
Dacă IB = 5 µA, atunci potenţialul faţă de masă se va micşora cu:
56
S.D.Anghel - Electronică

∆VB = I B R1 = 0,195V
o valoare care în primă aproximaţie poate fi neglijată.
Dacă IB = 50 µA, atunci potenţialul faţă de masă se va micşora cu:
∆VB = I B R1 = 1,95V
o valoare care de data aceasta nu mai poate fi neglijată.
Rămâne deci la latitudinea proiectantului când poate neglija influenţa
curentului de bază asupra punctului static de funcţionare şi când nu.

3.3 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar


Am văzut că tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol (vezi fig.3.5
pentru conexiunea emitor comun). În multe aplicaţii practice, la intrarea
cuadrupolului se aplică un semnal variabil în timp (în particular el poate fi şi un
semnal sinusoidal), tranzistorul fiind polarizat deja în curent continuu într-un
punct de funcţionare static. Astfel, peste potenţialele statice (fixe) se vor
suprapune şi potenţialele datorate câmpului variabil determinat de semnalul de
intrare. Tranzistorul va fi supus simultan la două regimuri de funcţionare: regimul
static, pe care l-am analizat anterior şi regimul dinamic.
Analiza regimului dinamic este o problemă complexă. Ea poate fi însă
simplificată dacă facem următoarele presupuneri:
• pe toată durată aplicării semnalului variabil la intrare, punctul de
funcţionare nu părăseşte porţiunea de caracteristică de transfer
corespunzătoare zonei active de funcţionare (fig.3.7b).
• pe această porţiune caracteristica de transfer este liniară.
Deci, modelul pe care-l vom prezenta în continuare este unul liniar.
În fig.3.14 este prezentat un tranzistor de tip npn în conexiune emitor
comun, privit ca un cuadrupol.
ICo ∆ic

∆ib IBo
UCEo ∆uce
∆ube
UBEo

Fig.3.14
Presupunem că el a fost polarizat în curent continuu într-un punct static de
funcţionare aflat în zona activă, caracterizat de valorile.: UBEo, IBo, UCEo şi ICo.
Presupunem de asemenea că la intrarea cuadrupolului apare la un moment dat o
variaţie a tensiunii dintre baza şi emitorul tranzistorului, ∆ube, datorată
semnalului aplicat. Sensul săgeţii ne indică faptul ca la momentul considerat
57
3 Tranzistorul bipolar

potenţialul variabil al bazei este mai mare decât cel al emitorului. Creşterea de
potenţial se adaugă potenţialului static al bazei, ceea ce determină o creştere a
curentului de bază cu valoarea ∆ib. Creşterea curentului de bază va determina
creşterea curentului de colector cu valoarea ∆ic şi variaţia corespunzătoare, ∆uce,
a tensiunii colector-emitor.
Vom considera, ca şi în cazul definirii parametrilor statici, drept variabile
independente curentul de bază şi tensiunea colector-emitor, astfel încât vom avea
funcţiile:
u be = u be (ib , u ce ) (3.15)
ic = ic (ib , u ce ) (3.16)
Diferenţiind cele două funcţii obţinem:
∂u be ∂u
∆u be = ∆ib + be ∆u ce (3.17)
∂ib ∂u ce
∂ic ∂i
∆ic = ∆ib + c ∆u ce (3.18)
∂ib ∂u ce
Pe baza ecuaţiilor (3.17) şi (3.18) se definesc parametrii h, sau
parametrii hibrizi, pentru regimul dinamic al tranzistorului bipolar:
∂u be
h11 = (3.19)
∂ib ∆uce =0

∂u be
h12 = (3.20)
∂u ce ∆ib =0

∂ic
h21 = (3.21)
∂ib ∆uce =0

∂ic
h22 = (3.22)
∂u ce ∆ib =0

Folosind aceşti parametrii, ecuaţiile (3.17) şi (3.18) devin:


∆u be = h11∆ib + h12 ∆u ce (3.23)

∆ic = h21∆ib + h22 ∆u ce (3.24)


Ecuaţia (3.23) are semnificaţia unei sume algebrice de tensiuni iar ecuaţia
(3.24) a unei sume algebrice de curenţi. Cele două ecuaţii reprezintă aplicarea

58
S.D.Anghel - Electronică

legilor lui Kirchhoff pe intrarea, respectiv pe ieşirea cuadrupolului – tranzistor.


Pornind de la ele poate fi construită schema electrică echivalentă din fig.3.15.

∆ib h11 ∆ic

-1
∆ube h12∆uce h21∆ib h22 ∆uce

Fig.3.15
Analizând acestă schemă şi cunoscând relaţiile de definiţie (3.19) – (3.22)
a parametrilor hibrizi, se pot stabili semnificaţiile fizice ale acestora. Le
menţionăm în continuare, împreună cu ordinele lor de mărime:
h11 – impedanţa de intrare cu ieşirea în scurtcircuit, sute Ω - kΩ
h12 – factorul de transfer invers în tensiune cu intrarea în gol, 10-3 – 10-4
h21 – factorul de amplificare dinamic în curent cu ieşirea în scurt, 101 – 102
−1
h22 – admitanţa de ieşire cu intrarea în gol, h22 ≈ 105 Ω
Pentru a nu rămâne cu impresia că tot ce am văzut până acum este doar o
teorie frumoasă, trebuie să menţionăm faptul că parametrii h sunt mărimi
caracteristice fiecărui tip de tranzistor şi că ei sunt precizaţi în cataloage de către
firmele producătoare. Cunoscând valorile lor concrete, pentru analizarea
regimului dinamic al unui circuit care conţine un tranzistor noi îl putem înlocui
cu schema din fig.3.15 rezultând o schemă echivalentă a întregului circuit.
Această schemă va conţine doar elemente de circuit simple (surse de curent şi
tensiune, rezistenţe, condensatori, bobine) a căror comportare o cunoaştem şi
putem face analiza teoretică a comportării circuitului.

3.4 Alte tipuri de tranzistori bipolari


3.4.1 Tiristorul (SCR – Silicon Controlled Rectifier)
Tiristorul este un dispozitiv multijoncţiune cu structura prezentată schematic în
fig.3.16a. Simbolul folosit în scheme este prezentat în fig.3.16b. Structura internă
a tiristorului ne sugerează prezenţa a două structuri complementare de tip
tranzistor, suprapuse astfel încât joncţiunile colectoare să fie comune. El are trei
terminale numite anod, catod şi poartă. Poarta este elementul de control al
funcţionării tiristorului. Ea poate fi polarizată sau nu.

59
3 Tranzistorul bipolar
jonctiuni
emitoare

A C
p n p n A C
anod catod

G
jonctiune G
colectoare poarta
a b

Fig.3.16
Dacă anodul este polarizat pozitiv faţă de catod iar poarta este
nepolarizată, joncţiunile emitoare sunt polarizate direct iar joncţiunea colectoare
este polarizată invers. Fiind polarizată invers, joncţiunea colectoare va prezenta o
rezistenţă mare trecerii purtătorilor de sarcină, astfel încât pentru valori mici ale
tensiunii dintre anod şi catod, UAC, curentul prin structura semiconductoare va fi
foarte mic. Pe măsură ce creşte tensiunea de polarizare UAC, creşte şi tensiunea
inversă pe joncţiunea colectoare şi, la o anumită valoare a acesteia, începe
multiplicarea în avalanşă a purtătorilor de sarcină. Aceasta are drept consecinţe:
• scăderea rezistenţei joncţiunii colectoare
• creşterea bruscă a curentului între anod şi catod
Pentru ca această creştere să nu fie necontrolată şi să ducă la distrugerea
structurii, în circuitul de polarizare a tiristorului trebuie conectată o rezistenţă de
limitare a curentului.
Tensiunea la care începe multiplicarea în avalanşă a purtătorilor de
sarcină se numeşte tensiune de străpungere, Ust. Caracteristica volt-amperică a
tiristorului fără polarizarea porţii este prezentată în fig.3.17, curba continuă.
IA
Ust - tensiune de strapungere

Ug2 >Ug1 Ug1 >Ugo


Ugo= 0

0 Ust2 Ust1 Usto UAC


Fig.3.17
Dacă pe poartă se aplică un potenţial pozitiv faţă de catod cu scopul
generării unui curent de poartă, tiristorul începe să conducă la tensiuni cu atât mai
mici cu cât potenţialul pozitiv al porţii este mai mare. Caracteristicile volta-
mperice vor urma traseele punctate din fig.3.17. Curentul de poartă este mult mai
mic decât curentul dintre anod şi catod, astfel încât cu un curent mic poate fi

60
S.D.Anghel - Electronică

controlată apariţia unui curent mare. Se poate deci concluziona că tiristorul este
un dispozitiv comandat în curent.
Străpungerea spaţiului dintre anod şi catod se mai numeşte aprindere sau
amorsare, prin similitudine cu ceea ce se întâmplă într-un tub de descărcare cu
gaz. După străpungere, potenţialul porţii nu mai are nici un efect asupra
curentului prin tiristor iar poarta îşi pierde rolul de electrod de comandă. De
aceea, pentru amorsare este suficient ca pe poartă să se aplice impulsuri scurte de
tensiune. “Stingerea” tiristorului se poate face numai prin micşorarea tensiunii de
polarizare UAC sau prin inversarea polarităţii ei.

Fig.3.18
Una dintre aplicaţiile cele mai frecvente ale tiristorului este redresarea
comandată. În fig.3.18a este prezentată o schemă simplă pentru această aplicaţie.
La intrarea circuitului se aplică o tensiune alternativă periodică, u, a cărei
amplitudine este mai mică decât tensiunea de străpungere. Pe poartă se aplică
impulsuri pozitive, uc, cu aceeaşi perioadă ca şi a semnalului comandat. Dacă în
momentele aplicării impulsurilor există corelaţia corespunzătoare între mărimea
tensiunii comandate şi amplitudinea impulsului de comandă, tiristorul se va
deschide şi prin circuit va începe să circule curentul i care urmăreşte forma
tensiunii u (admitem faptul ca nu avem elemente reactive care să producă
defazaj). La schimbarea polarităţii tensiunii de intrare curentul se va “stinge”.
Apoi, procesul se repetă periodic. Formele de undă ale celor trei semnale sunt
prezentate în fig.3.18b. Curentul prin circuit va avea forma unui semnal redresat
monoalternaţă cu un factor de umplere sub 50%. Mărimea factorului de umplere
poate fi modificată atât prin modificarea defazajului dintre semnalul de comandă
61
3 Tranzistorul bipolar

şi semnalul redresat cât şi a amplitudinii sale, astfel încât în momentul aplicării


unui impuls de aprindere să fie îndeplinită condiţia de amorsare.
O structură semiconductoare similară cu a tiristorului dar fără electrodul
de comandă (poartă) se numeşte dinistor sau diodă de comutaţie (Shockley).
Dioda de comutaţie intră în stare de conducţie numai sub acţiunea semnalului
aplicat între anod şi catod. Trecerea ei din stare de blocare în stare de conducţie şi
invers se face foarte rapid.

3.4.2 Triacul
În multe aplicaţii este nevoie de comanda bilaterală a unui semnal alternativ, atât
în alternanţa pozitivă cât şi în alternanţa negativă. Pentru aceasta este nevoie de
un dispozitiv asemănător tiristorului dar care să poată intra în conducţie în
ambele sensuri. Acesta poate fi realizat din două structuri antiparalele de tip
tiristor. Un astfel de dispozitiv se numeşte triac.
Simbolul unui triac şi caracteristica sa volt-amperică sunt prezentate în
fig.3.19. Datorită simetriei dispozitivului comanda se poate face cu orice fel de
polaritate a impulsurilor aplicate pe poartă. Curentul injectat în poartă modifică
caracteristica volt-amperică la fel ca la tiristor.
I

poarta terminal 1

terminal 2

Fig.3.19
O structură de tip triac fără poartă se numeşte diac. Intrarea sa în stare de
conducţie într-un sens sau altul este determinată doar de nivelul şi polaritatea
tensiunii aplicate între cele două terminale ale sale. Diacul poate fi folosit la
comanda “aprinderii” triacurilor. Una din schemele folosite în acest scop este
prezentată în fig.3.20.

R Rs
diac

triac
C

Fig.3.20
62
S.D.Anghel - Electronică

Condensatorul C se poate încărca prin rezistenţa R cu ambele polarităţi.


Când tensiunea pe el atinge valoarea necesară realizării străpungerii diacului,
acesta va injecta curent în poarta triacului care va intra la rândul său în stare de
conducţie.

3.4.3 Tranzistorul Schottky


La analiza regimurilor de funcţionare ale tranzistorului bipolar (vezi şi fig.3.7)
am constatat că dacă el se află în stare de saturaţie atunci U BE ≅ 0,7V iar
U CE ≤ 0,2V . Această situaţie este prezentată în fig.3.21 în care sunt notate
potenţialele faţă de emitor ale bazei şi colectorului tranzistorului. Se poate
observa imediat că joncţiunea bază-colector este polarizată direct cu o tensiune
cel puţin egală cu 0,5V.
+5V

1 kΩ

UBC= 0,5V
VC= 0,2V

10 kΩ
+5V
VB= 0,7V

Fig.3.21
Să ne amintim că în starea de blocare a tranzistorului, joncţiunea bază-
colector este polarizată invers. Când tranzistorul lucrează în regim de comutaţie
el trebuie să treacă cât mai rapid posibil dintr-o stare în alta (blocat – saturat –
blocat - …). La trecerea tranzistorului din starea de saturaţie în starea de blocare,
electronii din bază, unde sunt purtători minoritari, trebuie readuşi în colector,
unde sunt majoritari, iar golurile din colector trebuie readuse în bază. Procesul de
redistribuire a sarcinilor în vecinătatea joncţiunii nu se poate face instantaneu.
Timpul necesar trecerii dintr-o stare în alta se numeşte timp de comutaţie şi este
de dorit ca el să fie cât mai mic posibil. Cu cât tensiunea de polarizare directă a
joncţiunii bază-colector în regim de saturaţie este mai mică, cu atât numărul de
purtători de sarcină care trebuie redistribuiţi este mai mic şi timpul de comutaţie
se va micşora. Micşorarea tensiunii de polarizare directă a joncţiunii bază-
colector se poate face dacă între bază şi colector se realizează o structură
semiconductoare de tip diodă Schottky.
Un tranzistor cu o astfel de structură este tranzistorul Schottky (fig.3.22).
Prezenţa diodei Schottky nu va permite creşterea tensiunii de polarizare directă a
joncţiunii bază-colector în regim de saturaţie peste 0,35V, astfel încât timpul de
comutaţie din starea de saturaţie în starea de blocare se va micşora considerabil
iar viteza de comutaţie va creşte.

63
3 Tranzistorul bipolar

Fig.3.22

3.4.4 Fototranzistorul
Principiul de funcţionare a unui fototranzistor se bazează pe efectul fotoelectric
intern: generarea de perechi electron-gol într-un semiconductor sub acţiunea unei
radiaţiei electromagnetice cu lungimea de undă în domeniul vizibil sau
ultraviolet. Dacă semiconductorul este supus unei diferenţe de potenţial, atunci el
va fi parcurs de un curent a cărui intensitate va depinde de mărimea fluxului
luminos incident. Intensitatea lui poate fi mărită prin utilizarea proprietăţii
structurii de tranzistor de a amplifica curentul.
Fototranzistorul (fig.3.23a) este un tranzistor cu regiunea joncţiunii
emitor-bază expusă iluminării, astfel încât rolul diferenţei de potenţial dintre bază
şi emitor este jucat de fluxul luminos incident pe joncţiunea emitoare. Generarea
de perechi electron-gol contribuie la micşorarea barierei de potenţial a joncţiunii
şi deschiderea ei mai mult sau mai puţin, în funcţie de numărul de fotoni
incidenţi. Terminalul bazei poate lipsi sau, dacă există, el permite un control
suplimentar al curentului de colector.
+EC
IC dreapta de
sarcina

Rc Ec
Rc

IC Φ
UCE
Φ=0
0 Ec UCE
a b
Fig.3.23
Caracteristicile de ieşire ale unui fototranzistor sunt similare cu cele ale
unui tranzistor obişnuit, cu deosebirea că, în locul parametrului IB apare
iluminarea sau fluxul luminos (fig.3.23b).

64