SCR

El SCR (Silicon Controled Rectifier / Rectificador controlado de silicio) es

undispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal.

El smbolo y estructura del SCR se muestran en la

figura.

Analizando los diagramas:

A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

Funcionamiento bsico del SCR

El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCRpara comprender su

funcionamiento.

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 ycolector de Q1), se producen dos

corrientes: IC2 = IB1.

IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de
Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base deltransistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms
corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y encendido del SCR.

Los parmetros del SCR son:

- VRDM: Mximo voljaje inverso de cebado (VG = 0)

- VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Mxima corriente directa permitida.
- PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
- VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
PARAMETROS ELECTRICOS DEL SCR
A continuacin encontramos las siguientes siglas nos indicaran los parmetros elctricos de los
SCR en cada uno de sus pines y su sensibilidad as como los volts y los amperios que pueden
llegar a soportar su encapsulado. Vase la tabla 1.1 y la tabla 1.2

-VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)

- VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Mxima corriente directa permitida.
- PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
- VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
DIAC: Control de potencia en corriente alterna (AC)

El DIAC es un diodo de disparo

bidireccional, especialmente diseado para
dispararTRIACs y Tiristores (es un dispositivo
disparado por tensin). Tiene dos terminales:
MT1 y MT2. Ver el diagrama.

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados
en formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor
de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto.
El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga.
La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.

Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra

en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente
en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase. La curva
caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que

cuando:

- +V o - V es menor que la tensin de

disparo, el DIAC se comporta como un
circuito abierto
- +V o - V es mayor que la tensin de
disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito

Sus principales caractersticas son:

- Tensin de disparo
- Corriente de disparo
- Tensin de simetra (ver grafico anterior)
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIACs se
fabrican con capacidad de
disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)
TRIAC

Un TRIAC o Trodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la

familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que
el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran

dos SCR en anti paralelo.

Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y
ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo puerta.

PARAMETROS DEL TRIAC

VALORES MAXIMOS (2N6071A,B - MOTOROLA)

CARACTERISTICAS ELECTRICAS (2N6071A,B - MOTOROLA)

DEFINICIN DE LOS PARMETROS DEL TRIAC

VDRM (Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el mximo

valor de tensin admitido de tensin inversa, sin que el triac se dae.

IT(RMS) ( Corriente en estado de conduccin) = en general en el grafico se

da la temperatura en funcin de la corriente.

ITSM (Corriente pico de alterna en estado de conduccin (ON)) = es la

corriente pico mxima que puede pasar a travs del triac, en estado de
conduccin. En general seta dada a 50 o 60 Hz.
 I2t (Corriente de fusin) = este parmetro da el valor relativo de la energa
necesaria para la destruccin del componente.

PGM (Potencia pico de disipacin de compuerta) = la disipacin

instantnea mxima permitida en la compuerta.

IH (Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la

cual el triac volver del estado de conduccin al estado de bloqueo.

dV/dt (velocidad critica de crecimiento de tensin en el estado de

bloqueo) = designa el ritmo de crecimiento mximo permitido de la
tensin en el nodo antes de que el triac pase al estado de conduccin.
Se da a una temperatura de 100C y se mide en V/ms.

tON (tiempo de encendido) = es el tiempo que comprende la permanencia

y aumento de la corriente inicial de compuerta hasta que circule la
corriente andica nominal.

El transistor de Unijuntura (UJT)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para
SCR y TRIACs.

El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se
muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est compuesto

solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de
impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al
cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones
libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta
cuando el diodo del emisor no conduce.
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR.

En la grfica de la figura 12.22 sedescribe las caractersticas elctricas de este

dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (V E) con la corriente de
emisor (IE).

Se definen dos puntos crticos:

punto de pico o peak-point (Vp, Ip) y
punto de valle o valley-point (Vv, Iv),
ambos verifican la condicin de
dVE/dIE = 0.

Estos punto a su vez definen

tresregiones de operacin: regin
de corte, regin
de resistencia negativa y regin de
saturacin, que se detallan a
continuacin: