Cap1 .

Introducerea in nanoelectronica
In primul rand, nanoelectronica este o tehnologie de realizare a circuitelor
integrate in care dimensiunile elementelor se masoara in nanometri(1 i
100 nanometri).

Acest concept nu este unul nou, discutndu-se despre el nc din anul

1959. Pe atunci, fizicianul Richard Feynman vorbete n discursul su
There's Plenty of Room at the Bottom despre posibilitatea manipulrii
directe a atomilor. Termenul de nanotehnologie a fost utilizat pentru
prima dat n anul 1974 de ctre Norio Taniguchi.

Reducerea aceasta la scara nano , ofera componentelor niste avantaje :

proprietati inbunatatite (viteza de comutare mai mare, un numar mai mare

de conexiuni si posibilitatea integrarii intr-un singur cip a circa 8- 900
milioane de tranzistoare- (un punct scris pe o hartie cu un creion contine
aproape 2 milioane de tranzistoare care au un pret mai scazut decat un
bob de orez!).Microprocesorul Intel Penryn contine 820 de milioane de
tranzistoare ,fiecare comutand intre 2 stari de circa 300 miliarde de ori intr-
o secunda.
 Vedere prin microscop a unui circuit integrat

functinalitati noi cipurile se pot integra cu senzori tactili, de presiune sau

alte marimi fizice si sisteme transmisie/receptie pentru comunicatii. De
exemplu, un telefon mobil, sau iPhone

noi proprietati : de exemplu flexbiliatea grafenei care permite realizarea

telefoanelor mobile flexibile,sau proprietati cu mult imbunatatite fata de
materialele clasice.

Nanoelectronica este cel mai dezvoltat domeniu al nanostiintelor, care

reprezinta o piata de cel putin 300 miliarde dolari anual. Beneficiile sunt
evidente deoarece nanoelectronica produce singura 10 % din PIB-ul global.

Tehnologia modern pune accentul pe miniaturizare. Cel mai important

exemplu este reprezentat de electronic, acolo unde se tinde tot timpul la
miniaturizarea tranzistorului, permind utilizarea unui numr imens de
tranzistoare/cip.
n ceea ce privete aplicaiile n care se utilizeaz, putem enumera :
calculatoare , memorii , optoelectronice , display-uri , componente
cuantice, producerea de energie , medicina , etc.

Capitolul 2
Capacitatea cantitativ numit i capacitate chimic i capacitate
electrochimic reprezint o cantitate introdus pentru prima dat de
Serge Luryi (1988).
n cel mai simplu exemplu, dac facei un condensator cu plci paralele n
care una sau ambele plci au o densitate sczut a strilor , atunci
capacitatea nu este dat de formula normal pentru condensatoarele cu
plci paralele. n schimb, capacitatea este mai mic, ca i cum ar fi fost un
alt condensator n serie. Aceast a doua capacitate, legat de
densitatea strilor plcilor, este capacitatea cuantic.
Capacitatea cuantic este deosebit de important pentru sistemele cu
densitate redus, cum ar fi un sistem electronic bidimensional pe o
suprafa sau interfa semiconductor sau un grafen .

Atunci cnd un voltmetru este utilizat pentru msurarea unui dispozitiv

electronic, acesta nu msoar destul de bine potenialul electric pur (numit
i potenialul Galvani ). n schimb, acesta msoar potenialul
electrochimic , numit i "diferena de nivel fermi", care este
diferena total liber de energie pe electron, incluznd nu numai energia
electric potenial, ci i toate celelalte fore i influene asupra electronului
(cum ar fi energia cinetic din Funcia de und ). De exemplu, o
jonciune pn n echilibru, exist un potenial de galvani (potenial
ncorporat) peste jonciune, dar "tensiunea" pe ea este zero (n sensul c
un voltmetru ar msura zero tensiune).
ntr-un condensator, exist o relaie ntre sarcin i
tensiune, . Aa cum am explicat mai sus, putem mpri tensiunea
n dou buci: potenialul galvani i orice altceva.
ntr-un condensator tradiional din metal-izolator-metal, potenialul galvani
este singura contribuie relevant. Prin urmare, capacitatea poate fi
calculat ntr-un mod direct folosind legea lui Gauss .
Cu toate acestea, dac unul sau ambele plci de condensatoare este
un semiconductor , atunci potenialul galvani nu este neaprat singura
contribuie important la capacitate. Pe msur ce crete ncrctura
condensatorului, placa negativ se umple cu electroni, care ocup stri de
energie mai nalt n structura benzii, n timp ce placa pozitiv pierde
electroni, lsnd n urm electroni cu stri de energie redus n structura
benzii. De aceea, ca ncrcri sau descrcri ale condensatoarelor,
tensiunea se schimb la o rat diferit de diferena de potenial galvani.
n aceste situaii, nu se poate calcula capacitatea doar prin analizarea
geometriei globale i prin utilizarea legii lui Gauss. De asemenea, trebuie s
inei cont de efectul de golire / band de golire, legat de densitatea
strilor plcilor. Efectul de umplere a banda / golirea banda modifica
capacitatea, imitand oa doua capacitate in serie. Aceast capacitate se
numete capacitate cantitativ , deoarece este legat de energia unei
funcii de und cuantice a unui electron.
Unii oameni de tiin se refer la acelai concept ca i capacitatea
chimic , deoarece este legat de potenialul chimic al electronilor .
Ideile care stau la baza capacitantei cuantice sunt strns legate de
ecranarea lui Thomas-Fermi .
Capacitatea cuantic i densitatea strilor de grafen

Numrul de stri electronice disponibile la nivelul Fermi determin

caracteristicile de transport ale dispozitivelor electronice. O nelegere
solid a densitii strilor este, prin urmare, crucial pentru interpretarea
proprietilor electronice pe care le prezint un sistem dat. n gazele
electronice bidimensionale (2D) n heterostructurile semiconductoare, au
fost efectuate experimente mapnd densitatea strilor direct prin
capacitatea cuantic n anii 1980 [1 (i referinele [6-12]), i astzi sunt
instrumente standard de caracterizare Pentru aceste structuri. Mai recent,
spectrul energetic al nanotuburilor de carbon a fost observat experimental
n msurtorile capacitii cuantice [3].

Se preconizeaz c o foaie infinit de un strat de grafin unic va arta o

densitate liniar a strilor care dispare la punctul de neutralitate a sarcinii
[4]. Rezultatele experimentale ale msurtorilor de conductan
contrasteaz ns cu aceast predicie teoretic, prezentnd o
conductivitate minim de ordinul lui 4 (e2 / h), care indic o densitate finit
a purttorului de sarcin [5, 6]. Din moment ce termenul cuantic al
capacitii ofer o imagine asupra densitii strilor, att studiile teoretice
[7, 8], ct i cele experimentale [9-11] ale capacitii cuantice au fost
efectuate pentru grafen n ultimii ani. Toate msurtorile arat o valoare
nenuloas a densitii strilor la punctul Dirac, care este n mod obinuit
interpretat ca provenind din fluctuaiile poteniale ale foii de grafen. Aici
discutm experimente pe o panglic de grafen cu un singur strat i
analizm datele ntr-o manier consecvent, fr a face presupuneri
teoretice despre densitatea strilor.

Contextul teoretic

Un condensator clasic este alctuit din dou plci de conducte bine dirijate
dispuse n paralel unul cu cellalt i separate printr-un strat dielectric de o
anumit grosime. Capacitatea sa poate fi calculat lund n considerare
parametrii materiali i geometrici ai sistemului. Dac densitatea strilor de
pe una din plci este finit, totui, adugarea unui transportor de sarcin
cost energia cinetic datorit schimbrii nivelului Fermi. Deoarece aceast
energie suplimentar necesit reducerea capacitii totale a sistemului,
densitatea strilor se reflect direct ntr-un termen suplimentar de
capacitate. Aa cum este prezentat n seciunea transversal din figura 1
(a), un dispozitiv cu grafenie localizat local poate fi privit ca un condensator
de plac, cu o singur plac fiind electrodul porii de sus i cellalt fiind
foaia de grafen.
Figura 1.
(a) Seciune transversal schematic a unui eantion de grafen cu capac de
sus. Fulgul de grafen (negru) este contactat cu electrozi de aur (portocaliu)
i acoperit parial de o poarta de sus de alumin / auriu (gri / rou).
(B) Diagrama schematic a electrostaticelor structurii care indic
schimbarea potenialului electrochimic ntre electrodul porii de sus i foaia
de grafen.
(C) Schema circuitului sistemului msurat.

Capacitatea total dintre poart i gazul de electroni poate fi derivat din

electrostatica care descrie sistemul . O prejudecat aplicat finit - | e | VTG
introduce o diferen n potenialul electrochimic al electrodului metalic de
vrf metalic, M i al grafenului, G. Aa cum este reprezentat n figura 1
(b), ea const n energia Fermi EF n grafen, potenialul electrostatic pe
dielectric obinut prin rezolvarea ecuaiei lui Poisson i cele dou funcii de
lucru i W ale grafenului i, respectiv, metalului. Diferena efectiv
potenial este, prin urmare, dat de
Ecuaia
 (1)

Unde ns este densitatea purttorului de ncrcare n stratul de grafen, d

este grosimea stratului dielectric, iar termenul constant include diferena
funciei de lucru a celor dou materiale, care poate fi neglijat pentru
analiz cu condiia ca aceasta s fie independent de tensiunea la poart .
Ecuaia de difereniere fa de ns d o expresie pentru capacitatea pe
unitate de suprafa,
Ecuaia

(2)

Unde al doilea termen din partea dreapt poate fi identificat ca fiind

inversul capacitii geometrice pe unitatea de suprafa Cg/A. Cellalt
termen are dimensiunile unei capaciti i este invers proporional cu
densitatea strilor D(EF)=dns/dEF Cantitatea este aa numita
capacitate cuantic pe unitatea de suprafa Cq / A [12], care descrie o
scdere efectiv a capacitii totale a eantionului. Deoarece este conectat
n serie la Cg, capacitatea cantitativ va domina capacitatea total dac va
avea valori mai mici dect Cg.

Configurarea msurtorilor

Temperatura pentru toate msurtorile a fost de 1,7 K, obinut la o

temperatur variabil 4He cryostat. Pentru caracterizarea de baz a
dispozitivului s-au efectuat msurtori de transport utiliznd tehnici
standard de blocare n plus fa de msurtorile cu capacitate cuantic.
Pentru acesta din urm, mrimea semnalului ateptat a fost de ordinul mai
multor fF i, prin urmare, a fost necesar o rezoluie ridicat de msurare.
Deoarece frecvenele pot fi msurate cu o precizie ridicat, am folosit un
circuit LC i am nregistrat schimbri n fresa frecvenei de rezonan.
Figura 1 (c) prezint modelul de circuit al configuraiei noastre, oscilatorul
constnd dintr-un inductor (L = 100 H) plasat la temperatura camerei n
paralel cu capacitatea de configurare C. Principala contribuie la C provine
din cablarea criostatului Cu o capacitate Ccables340pF pentru cablurile
coaxiale. n paralel cu aceasta, legtura de serie a Cg i Cq formeaz
capacitatea de eantionare Cs.

n timpul msurtorilor, o amplitudine de oscilaie de 20 mV a fost

meninut n rezonator printr-o micare extern. Frecvenele auto-
rezonante rezultate au fost de 850-900 kHz, iar sensibilitatea relativ
pentru schimbrile de frecven a fost f2.5107. Convertit la
modificrile de capacitate, o precizie de ordinul a 170 aF a fost realizabil
cu aceast configuraie.

Exemplu de fabricatie

Exfoliarea mecanic standard de fulgi de grafit a fost utilizat pentru a

obine grafenul cu straturi reduse pe substratul Si/SiO2 .Pentru a exclude
capacitile excesive de la poarta din spate, substratul de siliciu a fost
dezosat. Fulgi cu un strat au fost identificai utiliznd un microscop optic i
au fost efectuate msurtori ulterioare de microscopie a forei atomice
(AFM), precum i spectroscopia Raman pentru a verifica natura lor cu un
singur strat. Prin litografia cu fascicul de electroni i evaporarea ulterioar a
Cr / Au (2 nm / 40 nm) s-au definit contacte electrice. Tabelele de grafen
s-au structurat prin gravarea cu ioni reactivi i o poarta de sus a modelului
a fost depus dup oa treia etap de litografie cu fascicul de electroni. Ca
dielectric pentru poarta de sus, am folosit Al2O3, care a fost obinut n
cicluri de depunere de 1 nm de aluminiu, urmat de o perioad de 3
minute de presiune crescut a oxigenului n camera de depunere,
conducnd la oxidarea complet a filmului subire Al. Grosimea oxidului
rezultat din patru astfel de cicluri este de aproximativ 12 nm. Depunerea Ti
/ Au (5 nm / 50 nm) n aceeai camer de evaporare a format electrodul de
poart. Figura 2 (a) afieaz o imagine AFM a dispozitivului msurat
pentru aceast lucrare.

Figura 2.

(a) Imaginea microscopic a forei atomice a dispozitivului studiat aici.

Electrozii sunt colorai corespunztor schemei din figura 1 (a).

(B) Rezistena n dou puncte obinut n msurtorile de transport.

rezultate si discutii

Figura 2 (b) prezint o msurare a transportului pe dou terminale, luat

cu o deviaie curent de 1 nA. Punctul Dirac este vizibil ca maxim de
rezisten i doar uor deplasat de la zero la tensiunea maxim a porii.
Deoarece nu cunoatem grosimea exact i constanta dielectric a oxidului
de aluminiu, putem estima numai capacitatea geometric a porii de sus a
fi g6fFm2. Folosind aceast estimare, pentru dispozitiv este extras o
mobilitate de 20003000cm2Vs1.

Modificarea frecvenei fazei de rezonan fres n funcie de tensiunea de

intrare VTG aplicat este prezentat n figura 3 (a). Un maxim este observat
aproape de tensiunea la poarta zero, care coincide cu maximul din curba
de transport (figura 2 (b)) i, prin urmare, marcheaz punctul Dirac. La
densiti mari de transport, frecvena de rezonan atinge o valoare
constant, indicnd influena dominant a capacitii cablului. Suntem
interesai de schimbarea relativ a fres i de aceea definim magnitudinea
mf(VTG)/f0 , cu f0 fiind frecvena de fond independent de tensiune
(vezi scala din dreapta n figura 3 (a)).
Figura 3. (a) Frecvena de rezonan ca funcie a VTG de tensiune maxim
utilizat.
(B) Schimbarea capacitii totale determinat din msurtorile de frecven
de la litera (a).
(C) Relaia dintre energia Fermi i tensiunea de la poarta de sus, dedus
din ecuaia (7).
Diferitele curbe (linii negre) sunt obinute pentru valori diferite ale Cg (de
la curba cea mai exterioar la cea mai interioar: 4.8, 5.8 and 6.8fFm 2).
Curba punctat arat dependena teoretic preconizat pentru o foaie de
grafin perfect curat. Pentru a compensa deplasarea punctului Dirac ctre
tensiunile negative, axa orizontal n (a), (b) i (c) este deplasat cu 0,3 V.

Pentru a determina modificrile din capacitatea cuantic de la msurarea

frecvenei, trebuie luat n considerare schema de circuit. Departe de
punctul Dirac, ne ateptm ca Cq s fie prea mare pentru a afecta
capacitatea total, ceea ce este dat de Ccables + Cg n aceast limit.
Capacitatea total a circuitului echivalent din figura 1 (d) poate fi scris ca
Ecuaia

Unde termenul din afara parantezelor ptrate este constant la toate

tensiunile de la poarta de sus i numai termenul interior variaz, provocnd
schimbarea capacitii C (VTG). Aceast expresie care descrie C poate fi
simplificat la Cg2 / (Cg + Cq).
Condiia de rezonan a unui circuit LC poate fi extins pentru variaii mici
C ale capacitii, producnd C = -2 (Ccables + Cg) f / f0. Aplicarea
acestei relaii la datele de frecven determin curba afiat n figura 3 (b).
Un minim este vizibil la punctul de neutralitate a sarcinii i se observ o
cretere a C cu densitate n cretere. n acest regim, capacitatea cuantic
domin semnalul. Trecerea la o valoare constant a capacitii la tensiunile
mari de la poarta de sus indic faptul c Cq este neglijabil peste 1V.
Combinarea celor dou expresii pentru C coreleaz capacitatea cuantic
cu capacitatea cablului, capacitatea geometric i frecvena msurat:
Ecuaia

Unde =Cg/2Ccables. Aceast ecuaie conine numai parametri experimentali

i va fi folosit mai trziu pentru a deduce densitate .

Pentru a extrage densitatea strilor ca funcie a energiei Fermi, axa de

tensiune a porii de sus trebuie transformat n energie. Pentru a evita
ipotezele a priori cu privire la densitatea strilor, nu folosim dispersia
liniar, ci ncepem cu configuraia electrostatic descris de ecuaia (1).
Densitatea purttorului de sarcin ns este obinut prin integrarea densitii
strilor peste toate energiile ntre punctul Dirac i energia Fermi EF i
poate fi substituit pentru a da

Aa cum am artat mai sus, att capacitatea geometric Cg, ct i

capacitatea cuantic Cq introduc aceast expresie. Schimbarea energiei
Fermi pentru o anumit modificare a tensiunii de la poarta superioar
poate fi aadar scris
Ecuaia

Relaia dintre capacitile implicate i frecvena msurat identificat

anterior poate fi inclus n ecuaia (6). O expresie a energiei Fermi, care
depinde de tensiunea de intrare top-utilizat, este obinut prin integrarea
peste VTG:
Ecuaia:

Unde VD este tensiunea de poart la punctul Dirac. Aici, capacitatea

geometric este singurul parametru pe care dispozitivul nu-l permite s
determinm din date direct. Cu toate acestea, putem estima de la
geometria condensatorului plcii paralele (aa cum sa fcut mai sus pentru
a deduce mobilitatea suportului de sarcin) s fie Cg6fFm2. n plus fa
de dispozitivul cu band, a fost utilizat o bar Hall cu dou straturi
amplasat pe acelai cip pentru a determina densitatea purttorului de
sarcin de la msurtorile Hall. A fost obinut o capacitate geometric de
Cg5.8fFm2 prin aceast metod. Deoarece cele dou valori sunt
comparabile, estimarea pentru parametrul liber Cg pare rezonabil.

Ecuaia (7) poate fi aplicat acum la datele care asum un anumit Cg. n
figura 3 (c), energia Fermi obinut este reprezentat grafic n funcie de
tensiunea maxim a porii pentru trei valori diferite ale Cg, precum i
pentru o foaie de grafenie ideal (curba punctat). Aa cum era de
ateptat, o cretere a EF | Cu VTG | Este observat. Acest efect este
puternic la tensiuni mici. Saturaia (nefisic) la | VTG |> 1 V indicat n
figura 3 se datoreaz capacitii cablului dominant. Pentru toate curbele
experimentale, energia Fermi la o anumit tensiune pe poarta de sus este
sub valoarea teoretic estimat. Deoarece zgomotul din msurarea
frecvenei duce la o eroare n relaia EF (VTG) extras din msurare, se face
o analiz de eroare. Precizia este estimat presupunnd o distribuie a
densitii de probabilitate Gaussian pentru schimbarea relativ a frecvenei
f/f . Limea sa este dat de variaia zgomotului n m, obinndu-se
=2.5107. Barele de eroare prezentate n figura 3 (c) sunt mici n
comparaie cu incertitudinea dat de parametrul Cg.

Ecuaiile (4) i (7) ne permit acum s convertim datele din figura 3 (b)
ntr-un grafic. Rezultatul este prezentat n figura 4 pentru diferite
valori Cg ntre 4,8 i 6,8 fF m2. Pentru comparaie, linia ntrerupt din
figura 4 afieaz densitatea teoretic a strilor grafenului perfect curat dat
de . n special, la energii joase, se constat o mare
discrepan ntre experiment i teorie. n locul creterii liniare ncepnd de
la zero, o valoare aproape constant este
meninut n intervalul dintre EF=50meV. Se observ o cretere a
numrului de state ctre energii mai mari. Cu toate acestea, deoarece
raportul semnal / zgomot scade rapid, deoarece valoarea msurat este
constant la densitile transportoarelor mari, erorile din extras devin
foarte mari n afara intervalului limitat de zonele gri din figura 4. Limea
maxim la jumtatea maxim a Probabilitatea funciei de densitate
a fost utilizat pentru a determina barele de eroare prezentate n grafic
Figura 4. Densitatea strilor ca funcie a energiei Fermi. Liniile negre solide
arat datele experimentale care asum diferite Cg (de la cea mai exterioar
la cea mai interioar curb: 4.8, 5.8 i 6.8 fF m 2). Barele de eroare sunt
indicate i densitatea teoretic ateptat a strilor pentru o foaie de grafen
perfect curat este tras ca linie ntrerupt. Fereastra de prtinire definit
n figura 3 este reprezentat cu linii punctate, iar amplitudinea tulburrii
este indicat de arcul rou.

Densitatea zero a strilor observate n jurul punctului de neutralitate a

sarcinii indic un numr finit de stri. Acest lucru este posibil n prezena
fluctuaiilor poteniale locale n foaia de grafen. Din partea plat a densitii
strilor din figura 4, putem estima o amplitudine caracteristic a
fluctuaiilor de 100 meV. Comparnd rezultatele noastre cu msurtorile de
transport pe nanofibrele de grafen [18-22] i prin scanarea experimentelor
tranzistorului cu electroni pentru tuneluri [23], gsim un acord bun.
Deoarece aceste probe nu au fost acoperite cu un dielectric, spre deosebire
de proba utilizat n experimentul nostru, putem deduce c oxidul de
poart nu a induce o mare cantitate de tulburare suplimentar n
dispozitivul nostru de grafen.
concluzii

Am efectuat msurtori de transport i capacitate pe o foaie de grafen cu

un singur strat. Prin configurarea msurtorilor, utiliznd un circuit
rezonant am putea msura capacitatea cu o sensibilitate foarte ridicat.
Densitatea strilor ca funcie a energiei Fermi a fost determinat din datele
experimentale. Ca principalele rezultate, am extras o densitate constant a
strilor n jurul punctului Dirac i am determinat
dimensiunea potenialului de tulburare s fie 100 meV, comparabil cu
alte studii.

Sa demonstrat recent c reducerea fluctuaiilor tulburrii (de exemplu, prin

utilizarea diferitelor substraturi [24, 25] mbuntete dramatic semnalul
de capacitate cuantic i chiar permite investigarea formrii nivelului
Landau n msurtori de capacitate [26-28].

Cap 3

Capacitatea cuantic: O perspectiv din fizic

La Nanoelectronica

Motivat de dorina de a depi performanele dispozitivelor convenionale

pe baz de semiconductori, eforturile intense s-au desfurat n ultimii ani,
urmrind s reduc n continuare scara electronic i, probabil, s
construiasc circuite electrice funcionale ntregi pe nanostructuri
eterogene singulare. Folosind att experimente avansate, ct i
instrumente de calcul, multe aspecte ale nanoelectronicii au fost urmrite
de grupuri de cercetare de pe tot globul. Cteva aplicaii promitoare
includ stocarea energiei, 1,2 electronice flexibile, 3 tranzistoare cu efect de
cmp, 4-6 fotovoltaice, 7,8 printre multe altele. n acest articol, subliniem
un bloc de construcie fundamental al viitoarelor dispozitive de
nanoelectronic i de stocare a energiei: nanocapacitors.1-3 Cea mai
simpl configuraie manual a unui condensator este sistemul de metal-
dielectric-metal subire. Cnd o tensiune V este aplicat peste electrozii
metalici, cantitatea de ncrcare per unitate de zon Q stocat n oricare
dintre electrozii este Q = CgeoV. Electrostaticile convenionale, prin
invocarea legii lui Gauss, indic cu uurin c, n configuraia de metal-
dielectric-metal subire, Cgeo 1 / d. Aici d este grosimea dielectricului i
este permitivitatea dielectric. Cderea de tensiune pe dispozitiv este
"tradiional" considerat a fi n ntregime in interiorul dielectricului,
deoarece electrozii metalici ecranul perfect ecran cmp electric n interiorul
lor. Bazndu-se pe expresia pentru "Cgeo", o cale evident de a institui
capaciti nalte este de a folosi dielectrice nanometrice fabricate din
materiale cu permiivitate mare. Prin urmare, n nanoelectronica unde
dimensiunile dielectrice sunt cteva straturi atomice, se ateapt capaciti
foarte mari. Cu toate acestea, experimentele cu izolaii subiri de oxid cu
defecte minime sau defecte par s nu ndeplineasc ateptrile
electrostaticelor clasice. Capacitatea straturilor subiri SrTiO3 i Ta2O5, de
exemplu, nu corespunde cu prediciile prin multe ordini de mrime.9-11
Fraza de captur - "stratul mort" este adesea folosit pentru a indica
prezena unui mare capacitate n serie Capacitatea geometric pentru a
explica fenomenologic deficitul de capacitate observat. Paradoxul de mai
sus a determinat numeroase grupuri de cercetare s investigheze efectele
factorilor extrinseci cum ar fi defectele, impuritile i limitele granulelor n
apropierea interfeelor metal-izolatoare. Cu toate acestea, reexaminrile
recente ale acestui fenomen au subliniat faptul c originea stratului mort
poate fi intrinsec n natur i c chiar i nanosistemele perfect construite
fr defecte vor nclca scalarea prezis de electrostatica clasic (vezi
referina 12 i referinele din aceasta). Prin abandonarea noiunii c
electrozii metalici ecranul perfect cmpul electric, ambele principii ,
calculele i teoria fundamental a teoriei cuantice ofer o explicaie c
capacitatea de diminuare a nanocapacitorilor se datoreaz n parte
existenei straturilor de ncrcare bidimensional atomic subire ntre
interfeele metal-dielectrice.12-15 Electronii strini (guri) provin de la
ecranarea imperfect Electrodul metalic provocnd un cmp de
depolarizare opus vectorului de polarizare din interiorul dielectricului. n
consecin, polarizarea suprimat conduce la reducerea anulrii liniilor de
cmp i la reducerea capacitii CG (vezi figura 1a). Capacitatea CG
rezultat se comport ca i cum valoarea geometric Cgeo este n serie cu
o capacitate suplimentar, numit capacitate cuantic CQ; adic,

n general, CQ are mai multe ordine de mrime mai mare dect

capacitatea geometric Cgeo; Prin urmare, efectele sale sunt observate
numai n nanoelectronica unde capacitatea geometric este de asemenea
comparabil. Dup cum reiese din paragrafele precedente, datorit
efectelor mecanice cuantice, condensatoarele la scar nanometric pot
prezenta caracteristici bogate neprevzute de teoria electrostatic clasic.
n restul acestui articol, vom mai elabora lucrri recente privind aspectele
unice ale capacitii cuantice i domeniile de cercetare emergente.

CAPACITATEA QUANTUM NEGATIV

n mod superficial, modelul capacitii de serie din Eq. 1 pare s sugereze
c capacitatea cuantic va avea ntotdeauna tendina de a diminua
capacitatea total CG. Cu toate acestea, subliniind importana strii
mecanice cuantice a interfeei electrod-dielectrice, Stengel i colab. 14 au
artat c capacitatea global poate fi foarte bine mbuntit, stabilind un
efect negativ al stratului negativ unde CQ este negativ. Utiliznd
instrumente computaionale inteligente bazate pe teoria modern a
polarizrii, 17 au artat c n cazul filmului Pt (metal) - BaTiO3 (dielectric) -
Pt (metalic), capacitatea total este mai mare dect valoarea capacitii
geometrice a lui BaTiO3 deoarece Ecranarea imperfect la interfeele
metal-dielectrice favorizeaz polarizarea mai degrab dect suprim-o (vezi
figura 1b). n plus fa de lucrrile recente efectuate de Stengel i colab.,
14 exist mai multe studii privind capacitatea cuantic negativ care
predomin cazul specific al sistemelor Pt-BaTiO3 menionate n paragraful
precedent. Dintre multe altele, capacitatea negativ cuantic apare la
interfeele heterostructurilor GaAs / AlGaAs dopulate cu modulaie,
suprafeele unor nanofire ultrathine i suprafeele cilindrice ale
nanotuburilor de carbon.18-20 Acum este n general acceptat faptul c
capacitatea cuantic provine de la schimbarea substanelor chimice
potenial al electronilor

Fig. 1. Diagrame schematice ale unei capaciti de metal-izolator-metal n

care apare capacitatea de cuantum datorat ecranrii imperfecte la
interfeele metal-izolator. (A) Efectul duntor al capacitii cuantice care
cauzeaz un cmp de depolarizare E! D n plus fa de cmpul aplicat care
creeaz dipoli n interiorul izolatorului. Polarizarea dipolilor este notat de
vectorul P! . Cmpul de depolarizare suprim dipolii care determin valori
de capacitate mai mici dect se ateapt de la electrostatica clasic. (B)
Efectul invers al capacitii cuantice, unde se gsete capacitate negativ
cuantic la interfeele metal-izolator. Aici, polarizarea n izolator este
mbuntit de cmpul E! D determin o cretere net a capacitii. Figura
adaptat din Ref. 16.
 cu n funcie de densitatea suportului de ncrcare (1 / Ae2) dl / dn, unde
A este aria seciunii transversale a electrozilor metalici.15,21-25 Potenialul
chimic al electronului depinde direct de corelaia de schimb Energic
funcional - un termen energetic care tinde s menin rotirea electronilor
n direcie paralel i s se coreleze unul cu cellalt. Amplificarea observat
n CG este, prin urmare, o semntur de dl / dn negativ. Din punct de
vedere istoric, motivaia fizic de a examina att magnitudinea, ct i
semnul lui dl / dn n interfeele twodimensionale sa datorat legturii sale cu
efectul Quantum-Hall.18 n acest sens, conceptul de capacitate negativ
cuantic a fost considerat solid -state comunitatea de fizica pentru mai
mult de 30 de ani. Cu toate acestea, aplicaiile practice pentru
nanoelectronic au aprut abia recent. Ultimii ani au vzut un interes
substanial n descoperirea unui spectru suplimentar de materiale care
prezint capaciti mari anormale.1,14,26,27 Pe lng filmele Pt-BaTiO3-Pt
menionate, alte 14 sisteme includ C-Cu2O-Cu subire Co-axial nanofire1
i heteroarcturi LaAlO3 / SrTiO3.26,27 n cazul unui condensator coaxial
coaxial C-Cu2O-Cu, Cu (srm interioar) i C (coaj) acioneaz ca straturi
conductoare i Cu2O acioneaz ca Un strat dielectric separator.1
Nanofirele de baz-coaj sunt formate printr-o combinaie de reacie
hidrotermic i depunere chimic de vapori. Stratul de oxid este format
prin recoacere termic, n timp ce carbonul amorf exterior este format dup
 Fig. 2. (a, b) Imaginile cu microscopie electronic de scanare a
condensatoarelor coaxiale cu Cu-Cu2O-C asamblate. Nanofirele au fost
gravate parial pentru a expune miezul de cupru. Diametrul lor exterior i
diametrul interior sunt de 120 nm, 60 nm i respectiv 100 nm, respectiv 45
nm. Barele de scal de 1000 nm sunt incluse n figuri. (C) Rspunsul
capacitii la frecvena AC aplicat. Inseria din (c) corespunde
O configuraiile nanofirelor Cu-Cu2O-C. Figura de curtoazie a lui P. M.
Ajayan ca n Ref. 1.

depunerea chimic de vapori. Imaginile cu microscopie electronic de

scanare a nanofirelor care au fost parial dezbrcate pentru a expune
miezul de cupru sunt prezentate n Fig. 2a. Capacitatea msurat la
frecvenele nalte din Fig. 2b este de aproximativ dou ori valoarea
calculat pe baza unui model de capacitate clasic. Folosind calcule
mecanice cuantice i abordarea neechilibrat a funciei Green, Liu i colab.
1 au artat c aceast capacitate neobinuit de mare poate fi atribuit
capacitii negative cuantice negative a interfeei metal-dielectrice.

MBUNTIREA CAPACITII PRIN STRAIN MECANIC

O nou dezvoltare interesant referitoare la capacitatea cuantic este c
valoarea sa poate fi reglat potenial prin deformri mecanice - aa cum a
propus recent de Hanlumyaung et al.28 Considerm un strat de electroni
bidimensional cu o densitate electronic sczut. ntr-o imagine
semiclastic, distana ntre particule poate fi definit ca rs? N> 1/2, unde n
este densitatea purttorului. Deoarece aceast distan este influenat de
tulpina mecanic, se poate raionaliza faptul c aceast capacitate
cuantic, care depinde de distribuia electronilor, este o funcie a tensiunii
mecanice. A fost explorat posibilitatea reglrii capacitii cuantice a
nanotubului de carbon coaxial cu ajutorul calculului ab initio.28
Configuraia modelului este prezentat n Fig. 3a. O nanotub (10,0) este
coaxial nchis de o band metalic. Banda este separat de nanotuburi
printr-un izolator de SiO2. Folosind o combinaie a teoriei legturii strnse
cu densitate funcional i a unei inegalane, abordarea funciilor Green,
29-31, capacitatea de cuantic datorat distribuiei ncrcrii pe suprafaa
nanotubului este calculat i prezentat n Fig. 3b.28

Fig. 3. (a) Un model simplificat de nanotub de carbon cu gaze coaxiale.

Miezul nanotubului este conectat la sol, n timp ce acesta este nchis de o
band metalic. Izolatorul de separare este SiO2. (B) Capacitate cuantic
n funcie de densitatea purttorului n la niveluri diferite de tulpini axiale.
Figura de curtoazie a lucrrilor autorilor n Ref. 28.

Figura 3b demonstreaz clar c capacitatea cuantic poate fi controlat

mecanic de la valori foarte mari pozitive la foarte mari.28 Nanotuburile sunt
comprimate sau ntinse axial aa cum este indicat n etichetele din figur.
La nivelele adecvate de dopaj, tensiunea axial poate schimba substanial
valorile capacitii cuantice i poate chiar s schimbe semnul de la pozitiv
mare la negativ (i invers). Deoarece nivelul tulpinilor trece de la
compresiune mic la traciune, densitatea electronic scade datorit
creterii suprafeei tubului cilindric. La o densitate electronic suficient de
sczut, contribuia schimbului domin partea kinetic a capacitii.
Interaciunea dintre dopajul i energia schimbtoare funcional joac un
rol crucial n determinarea att a semnului ct i a magnitudinii capacitii
cuantice. Se poate msura experimental efectele tulpinii asupra capacitii
cuantice? O tehnic plauzibil pentru a detecta o astfel de mare capacitate
negativ / pozitiv cuantic este de a modifica aparatul din Ref.18 care
studiaz un cmp electric penetrant ntre dou straturi ncrcate
bidimensionale. O pereche de straturi de grafen se poate fixa pe materiale
piezoelectrice pentru a simula tulpini, n timp ce porile mici pot fi ataate
pentru a aduga / elimina electroni n sistem. Trebuie respectate semnale
puternice privind raportul dintre variaia diferenial a cmpului electric al
porii i cmpurile de penetrare. Aa cum sa discutat n Ref.18, raportul
depinde direct de capacitatea cuantic. Fig. 2. (a, b) Imaginile cu
microscopie electronic de scanare a condensatoarelor coaxiale cu Cu-
Cu2O-C asamblate. Nanofirele au fost gravate parial pentru a expune
miezul de cupru. Diametrul lor exterior i diametrul interior sunt 120 nm,
60 nm i 100 nm, respectiv 45 nm. Barele de scal de 1000 nm sunt
incluse n figuri. (C) Capacitate
Rspuns la frecvena AC aplicat. Inseria din (c) corespunde configuraiilor
nanofirelor Cu-Cu2O-C. Figura de curtoazie a lui P. M. Ajayan ca n Ref. 1.
Fig. 3. (a) Un model simplificat de nanotub de carbon cu gaze coaxiale.
Miezul nanotubului este conectat la sol, n timp ce acesta este nchis de o
band metalic. Izolatorul de separare este SiO2. (B) Capacitate cuantic
n funcie de densitatea purttorului n la niveluri diferite de tulpini axiale.
Figura de curtoazie a lucrrilor autorilor n Ref. 28 lucrri de autori n Ref.
28.

REZUMAT
Condensatoarele sunt o component critic n nanoelectronic.
Nanocapacitorii prezint efecte de dimensiuni puternice n care, att din
punct de vedere cantitativ ct i calitativ, efectele cuantice conspir s
ncalce ceea ce se ateapt de la electrostatica clasic. O reexaminare
atent a mecanicii cuantice cu mai multe corpuri la scar nanometric
arat c capacitatea global poate fi, de fapt, mai mic sau mai mare dect
ceea ce se ateapt din electrostatice, n funcie de semnalul capacitii
cuantice. Prin experimente i calcule numerice, s-au descoperit de curnd
noi heterostructuri care afieaz o capacitate anormal de mare - care au
fost atribuite capacitii cuantice negative. ntr-una din lucrrile noastre
recente, am susinut c att semnul, ct i valoarea capacitii cuantice pot
fi eventual reglate de tulpini externe mici. Acest lucru permite
mbuntirea performanelor unui condensator obinuit, chiar i pentru a
inversa efectul dimensiunilor duntoare ale unei capaciti cuantice
pozitive. Anticipm capacitatea cuantic care va aprea ca o direcie
viitoare interesant n aria larg a nanoelectronicii, unde dispozitivele
viitoare ar putea necesita o chimie bine adaptat la interfee.
REALIZRI
Este o plcere s recunoatem colaborrile cu Xiaobao Li, Gang Shi, Zheng
Liu i Pulickel M. Ajayan. Finanarea de la FSN Grants CMMI 0969086 i
1161163 este apreciat.