Que es la electrnica?

La electrnica es una de las tantas ramas de la fsica y especialidad de la Ingeniera que se

encarga del control, conduccin y flujo de los electrones o cualquier partcula cargada
elctricamente

I. Sistemas electrnicos

Un sistema electrnico es un conjunto de circuitos que interactan entre s para obtener un

resultado

a) SEAL ANALGICA

La seal analgica es aquella que presenta una variacin continua con el tiempo, es decir, que a
una variacin suficientemente significativa del tiempo le corresponder una variacin
igualmente significativa del valor de la seal (la seal es continua).

Toda seal variable en el tiempo, por complicada que sta sea, se representa en el mbito de sus
valores (espectro) de frecuencia. De este modo, cualquier seal es susceptible de ser
representada descompuesta en su frecuencia fundamental y sus armnicos. El proceso
matemtico que permite esta descomposicin se denomina anlisis de Fourier.

Un ejemplo de seal analgica es la generada por un usuario en el micrfono de su telfono y

que despus de sucesivos procesos, es recibida por otro abonado en el altavoz del suyo.

Es preciso indicar que la seal analgica, es un sistema de comunicaciones de las mismas

caractersticas, mantiene dicho carcter y deber ser reflejo de la generada por el usuario. Esta
necesaria circunstancia obliga a la utilizacin de canales lineales, es decir canales de
comunicacin que no introduzcan deformacin en la seal original.

Las seales analgicas predominan en nuestro entorno (variaciones de temperatura, presin,

velocidad, distancia, sonido etc.) y son transformadas en seales elctricas, mediante el
adecuado transductor, para su tratamiento electrnico.

La utilizacin de seales analgicas en comunicaciones todava se mantiene en la transmisin

de radio y televisin tanto privada como comercial. Los parmetros que definen un canal de
comunicaciones analgicas son el ancho de banda (diferencia entre la mxima y la mnima
frecuencia a transmitir) y su potencia media y de cresta.
 b) SEAL DIGITAL

Una seal digital es aquella que presenta una variacin discontinua con el tiempo y que slo
puede tomar ciertos valores discretos. Su forma caracterstica es ampliamente conocida: la seal
bsica es una onda cuadrada (pulsos) y las representaciones se realizan en el dominio del
tiempo.

Sus parmetros son:

Altura de pulso (nivel elctrico)

Duracin (ancho de pulso)

Frecuencia de repeticin (velocidad pulsos por segundo)

Las seales digitales no se producen en el mundo fsico como tales, sino que son creadas por el
hombre y tiene una tcnica particular de tratamiento, y como dijimos anteriormente, la seal
bsica es una onda cuadrada, cuya representacin se realiza necesariamente en el dominio del
tiempo.

La utilizacin de seales digitales para transmitir informacin se puede realizar de varios

modos: el primero, en funcin del nmero de estados distintos que pueda tener. Si son dos los
estados posibles, se dice que son binarias, si son tres, ternarias, si son cuatro, cuaternarias y as
sucesivamente. Los modos se representan por grupos de unos y de ceros, siendo, por tanto, lo
que se denomina el contenido lgico de informacin de la seal.

La segunda posibilidad es en cuanto a su naturaleza elctrica. Una seal binaria se puede

representar como la variacin de una amplitud (nivel elctrico) respecto al tiempo (ancho del
pulso).

Resumiendo, las seales digitales slo pueden adquirir un nmero finito de estados diferentes,
se clasifican segn el nmero de estados (binarias, ternarias, etc.)y segn su naturaleza
elctrica(unipolares y bipolares).
 II. Semiconductores

Como la misma palabra indica, no son aislante ni conductores. Podemos definir los
semiconductores como aquellos materiales que se comportan como conductores, solo en
determinadas condiciones. Por eso se dice que estn en un punto intermedio entre los
conductores y los aislantes.

Por ejemplo, hay materiales que a partir de una cierta temperatura son conductores, pero por
debajo de esa temperatura, son aislantes.

Otros factores que pueden influir en la conductividad de los semiconductores son la presin,
presencia de un campo magntico o elctrico o una radiacin incidiendo sobre el semiconductor.

Tipos de semiconductores

1. Semiconductores intrnsecos

Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono
mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden
absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente
hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12
eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

El proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado
energtico correspondiente en la banda de conduccin a un hueco en la banda de valencia,
liberando as energa. Este fenmeno se conoce como "recombinacin". A una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo
que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Sea "n" la
concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas
positivas), se cumple entonces que:

ni = n = p

donde ni es la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y

del elemento en cuestin.

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):

ni(Si) = 1.5 1010cm-3

ni(Ge) = 2.4 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos
tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una
diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos
prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria
al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

2. Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de
impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado. Las impurezas debern formar parte de la estructura
cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

2.1 Semiconductor tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a

cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto
tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de carga libres
(en este caso negativos o electrones).

Cuando se aade el material dopante, aporta sus

electrones ms dbilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es tambin conocido como material
donante, ya que da algunos de sus electrones.

El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el

material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio
(Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de
valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o
antimonio (Sb), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese
tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como
resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y
los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de
valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada
electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el
material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

2.2 Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo

un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).

Cuando se aade el material dopante libera los

electrones ms dbilmente vinculados de los tomos
del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son
conocidos como huecos.

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres
electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se
incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres
enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn
libre.

As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la
red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son
aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los
huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas
de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.