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Tecsup - PFR Dispositivos y Circuitos Electrnicos I
ndice
Unidad I: DIODOS SEMICONDUCTORES
1. El Diodo Semiconductor ................................................................................ 1

2. Diodo pn o Unin pn ..................................................................................... 2
3. Polarizacin directa ....................................................................................... 3
4. Polarizacin inversa ...................................................................................... 4
5. Curva caracterstica del diodo ........................................................................ 6
6. Modelos matemticos ................................................................................... 8
7. Tipos de diodos semiconductores ................................................................... 8
7.1 Diodo avalancha ................................................................................ 9
7.2 Fotodiodo .......................................................................................... 9
7.2.1 Principio de operacin.......................................................... 10
7.2.2 Composicin ....................................................................... 10
7.3 Diodo Gunn ..................................................................................... 11
7.4 Diodo lser ...................................................................................... 11
7.5 Diodo LED ....................................................................................... 13
7.5.1 Tecnologa LED/OLED .......................................................... 14
7.5.2 Aplicaciones ........................................................................ 16
7.5.3 Conexin ............................................................................ 18
7.6 Diodo PIN ........................................................................................ 19
7.6.1 Fotodiodo PIN ..................................................................... 19
7.6.2 Conmutador........................................................................ 19
7.7 Diodo Schottky ................................................................................ 19
7.7.1 Funcionamiento .................................................................. 20
7.7.2 Caractersticas..................................................................... 20
7.8 Diodo tnel ...................................................................................... 21
7.9 Diodo Varicap .................................................................................. 22
7.10 Diodo Zener..................................................................................... 22
7.10.1 Smbolo esquemtico ........................................................... 23
8. Diodos de seal .......................................................................................... 24
9. Diodos de conmutacin ............................................................................... 25
10. Diodos de alta frecuencia ............................................................................ 25
11. El Diodo de potencia ................................................................................... 25
11.1 Caractersticas estticas .................................................................... 27
11.1.1 Parmetros en bloqueo ........................................................ 27
11.1.2 Parmetros en conduccin ................................................... 28
11.1.3 Modelos estticos del diodo .................................................. 28
11.2 Caractersticas dinmicas .................................................................. 29
11.2.1 Tiempo de recuperacin inverso ........................................... 29
11.2.2 Influencia del TRR en la conmutacin ................................... 31
11.2.3 Tiempo de recuperacin directo ............................................ 31
11.2.4 Disipacin de potencia ......................................................... 32
11.2.5 Caractersticas trmicas ....................................................... 33
Dispositivos y Circuitos Electrnicos I Tecsup - PFR
11.3 Proteccin contra sobreintensidades ................................................... 34

11.3.1 Principales causas de sobreintensidades ................................ 34
11.3.2 rganos de proteccin ......................................................... 34
11.3.3 Parmetro I2t ...................................................................... 34
Unidad II: APLICACIONES CON DIODOS
1. Rectificador de media onda.......................................................................... 37

1.1 Anlisis del circuito (diodo ideal) ........................................................ 37
1.2 Polarizacin directa (Vi > 0) .............................................................. 37
1.3 Polarizacin inversa (Vi < 0) [editar] .................................................. 37
1.4 Tensin rectificada............................................................................ 38
2. Rectificador de onda completa ..................................................................... 40
2.1 Rectificador con dos diodos ............................................................... 40
2.2 Tensin de entrada positiva ............................................................... 41
2.3 Tensin de entrada negativa ............................................................. 41
2.4 Puente de Graetz o Puente Rectificador .............................................. 42
2.5 Tensin rectificada............................................................................ 42
3. Multiplicador de tensin ............................................................................... 43
4. Limitador.................................................................................................... 45
5. Recortador sin polarizar ............................................................................... 45
6. Recortador polarizado ................................................................................. 46
7. Formas de onda .......................................................................................... 47
7.1 Aplicaciones con circuitos Recortadores .............................................. 49
Unidad III: EL TRANSISTOR
1. Transistor de unin bipolar .......................................................................... 51

1.1 Estructura ........................................................................................ 52
1.2 Funcionamiento ................................................................................ 53
1.2.1 Control de tensin, carga y corriente ..................................... 54
1.2.2 El Alfa y Beta del transistor ................................................... 54
1.3 Tipos de Transistor Bipolar de Juntura ................................................ 55
1.3.1 NPN.................................................................................... 55
1.3.2 PNP .................................................................................... 56
1.3.3 Transistor Bipolar de Heterojuntura ....................................... 56
1.4 Regiones operativas del transistor ...................................................... 57
1.4.1 Regin activa ...................................................................... 57
1.4.2 Regin inversa..................................................................... 57
1.4.3 Regin de corte ................................................................... 58
1.4.4 Regin de saturacin ........................................................... 58
1.5 Historia ............................................................................................ 58
1.6 Teora y modelos matemticos .......................................................... 59
1.6.1 Modelos para seales fuertes ................................................ 59
1.6.2 Modelos para seales dbiles ................................................ 61
2. Funciones principales del Transistor.............................................................. 62
2.1 Funciones tipos ................................................................................ 62
2.2 Condiciones de funcionamiento .......................................................... 63
3. Tipos de transistor ...................................................................................... 64

3.1 Fototransistor .................................................................................. 64
3.2 Transistor de unin unipolar .............................................................. 65
4. Transistores y electrnica de potencia .......................................................... 65
4.1 El transistor frente a la vlvula termoinica ........................................ 65
4.2 Transistores de baja potencia ............................................................ 66
4.3 Transistores de potencia ................................................................... 67
4.4 Curva caracterstica del transistor ...................................................... 67
4.4.1 Curva Caracterstica del Transistor en la entrada .................... 67
4.4.2 Curva caracterstica a la salida del transistor .......................... 68
4.4.3 Comparacin con el diodo .................................................... 70
5. Potencia disipada por el transistor ................................................................ 74
6. Caractersticas Tcnicas de un transistor ...................................................... 74
6.1 Corriente y potencia mximas ........................................................... 75
6.2 Factor de ajuste ............................................................................... 75
6.3 Otro parmetro ................................................................................ 75
6.4 Problemas ....................................................................................... 76
7. El Transistor como Interruptor ..................................................................... 78
7.1 Ejemplo de circuito del Transistor como Interruptor ............................ 81
8. Circuito con polarizacin de emisor .............................................................. 83
9. Excitadores para los LED ............................................................................. 85
9.1 Transistor con polarizacin de base como excitador para el LED ........... 86
9.2 Transistor con polarizacin de emisor como excitador para el LED ........ 87
9.3 Comparacin de los dos circuitos ....................................................... 88
10. El transistor como fuente de corriente .......................................................... 89
10.1 Problemas ....................................................................................... 91
11. Polarizacin por divisor de tensin ............................................................... 96
11.1 Anlisis aproximado.......................................................................... 98
12. Circuito de polarizacin con 2 fuentes de tensin .........................................100
13. Aplicaciones con Transistores PNP ..............................................................102
14. Otros tipos de polarizacin .........................................................................106
15. Circuito de polarizacin de base ..................................................................107
15.1 Circuito de polarizacin con realimentacin de emisor ........................108
16. Circuito de polarizacin con realimentacin de colector .................................110
17. Tipos de encapsulados de transistores.........................................................113
18. El transistor Darlington ..............................................................................115
Unidad IV: FUENTES DE ALIMENTACION REGULADAS
1. Fuentes de alimentacin reguladas .............................................................117

1.1 Funcionamiento ..............................................................................117
1.2 Necesidad de regulacin ..................................................................118
2. Regulador paralelo ....................................................................................118
2.1 Clculo de la resistencia limitadora Rs. (ver esquema del regulador con
Diodo Zener) ..................................................................................120
2.2 Reguladores transistorizados ............................................................121
2.2.1 Regulador con Zener y transistor .........................................121
2.2.2 Estabilizador de tensin ......................................................122
2.2.3 Regulador con diodo Zener y transistor de paso ....................122
3. Fuente de Alimentacin Regulada con transistor .......................................... 123

3.1 Descripcin del circuito regulador ..................................................... 123
3.2 La auto-regulacin .......................................................................... 124
3.3 Fuente cortocircuitable .................................................................... 125
Unidad V: FUENTES REGULADAS CON CIRCUITOS INTEGRADOS
1. Consideraciones prcticas .......................................................................... 128

1.1 El Transformador ............................................................................ 128
1.2 El Condensador Electroltico ............................................................. 129
1.3 El Regulador .................................................................................. 129
2. Regulacin de tensin bsico ..................................................................... 132
3. Regulador fijo con mayor tensin de salida ................................................. 132
4. Regulador de tensin de salida con zener ................................................... 133
5. Tensin de salida ajustable con un C.I. regulador fijo................................... 134
6. Fuente de corriente fija ............................................................................. 134
7. Fuente de corriente ajustable ..................................................................... 135
8. fuentes de alimentacin de potencia ........................................................... 136
8.1 Fuente Regulada Simtrica Dual y variable........................................ 137
8.2 Fuente Regulada Simtrica Dual y variable........................................ 137
9. Fuente de alimentacin reguladas con circuitos integrados y tensin de
salida variable .......................................................................................... 139
9.1 El Circuito Integrado LM317 ............................................................ 139
9.1.1 Fuente con regulador de tensin con regulador variable
LM317 .............................................................................. 140
10. Fuente de Alimentacin Regulada con C.I. con Diodos de Proteccin ............. 142
11. Fuente regulada en tensin y corriente ....................................................... 143
12. El circuito a723 ....................................................................................... 144
Unidad VI: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO: FET
1. La curva caracterstica del FET ................................................................... 148

2. Caractersticas de salida ............................................................................ 150
3. Caractersticas de transferencia .................................................................. 151
4. Resistencia del canal RDS .......................................................................... 151
5. Amplificadores con FET (transistor efecto de campo) Amplificador surtidor
comn ..................................................................................................... 152
6. Autopolarizacin ....................................................................................... 152
7. Amplificador seguidor de ctodo Amplificadores con FET (transistor efecto de
campo) .................................................................................................... 153
8. Encapsulado de los transistores ms populares............................................ 154
9. Hojas de caractersticas de los FET ............................................................. 155
10. El mosfet................................................................................................. 156
10.1 FET de metal xido semiconductor (Mosfet) .................................... 156
10.2 Mosfet de empobrecimiento ............................................................ 156
10.3 Mosfet de enriquecimiento .............................................................. 156
10.4 Funcionamiento .............................................................................. 157
10.4.1 Estado de corte ................................................................. 157
10.4.2 Conduccin lineal ...............................................................157

10.4.3 Saturacin .........................................................................158
10.4.4 Modelos matemticos .........................................................158
10.5 Aplicaciones ....................................................................................158
10.6 Smbolo esquemtico de un Mosfet de acumulacin canal N ...............160
10.7 Funcionamiento en la regin de corte ...............................................160
10.8 Funcionamiento en la regin hmica .................................................161
10.9 Funcionamiento en la regin de saturacin ........................................163
11. Transistor de compuerta aislada - IGBT .......................................................166
11.1 Caractersticas ................................................................................166
12. Conclusin ................................................................................................171
Unidad VII: DISPOSITIVOS DE POTENCIA
1. Tiristores ..................................................................................................173
1.1 El diodo Shockley ............................................................................173
2. Caracterstica tensin-intensidad .................................................................174
3. EJEMPLO DE aplicacin: Detector de Sobretensin .......................................175
4. SCR (Silicon Controlled Rectifier).................................................................175
5. Caracterstica tensin Intensidad ................................................................176
6. Mtodos DE conmutacin ...........................................................................176
7. Aplicaciones del SCR ..................................................................................178
8. Modelo de tiristor de dos transistores ..........................................................179
9. Activacin del tiristor .................................................................................180
9.1 Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO). ..............................180
9.2 Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC) ..........................................181
9.3 Rectificadores controlados de silicio activados por luz (LASCR) ............182
10. SCS (Silicon Controlled Switch) ...................................................................182
11. El DIAC.....................................................................................................183
12. El TRIAC ...................................................................................................184
13. Aplicaciones del tiristor ..............................................................................187
14. Transistor monounion (UJT) .......................................................................187
15. Transistor monounin programable .............................................................188
Unidad VIII: OPTOELECTRNICA
1. Clasificacin de los dispositivos optoelectrnicos ..........................................191

1.1 Conversin de energa elctrica a energa radiante .............................192
1.2 Conversin de energa radiante a energa elctrica .............................192
2. Fotoresistencia ..........................................................................................194
2.1 Las clulas de sulfuro de cadmio ......................................................194
2.2 Fotodiodo .......................................................................................195
3. Fototransistor ............................................................................................196
3.1 Construccin de los fototransistores ..................................................197
3.2 Funcionamiento ..............................................................................198
4. LCD ..........................................................................................................199
4.1 Importantes factores a considerar al evaluar un monitor LCD..............202
5. Optoacopladores .......................................................................................203
5.1 Tipos ............................................................................................. 203

5.2 Encapsulados ................................................................................. 204
5.3 Funcionamiento del optoacoplador ................................................... 204
5.4 Optoacoplador con fototransistor ..................................................... 205
6. Bibliografa ............................................................................................... 207
Tecsup PFR Dispositivos y Circuitos Electrnicos I
UNIDAD I
DIODOS SEMICONDUCTORES
1. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en

una nica direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-
V) consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se
comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un
circuito cerrado con muy pequea resistencia elctrica.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que

son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.
Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De
Forest.
Figura 1. Tipos de Diodos Rectificadores
1
Dispositivos y Circuitos Electrnicos I Tecsup PFR
2. DIODO PN O UNIN PN
Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos

tipos p y n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que
destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya
que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga
neta es 0).
Figura 2. Formacin de la zona de carga espacial.
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p

(Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga
espacial, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin.
Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos

en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres
2
de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr

a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de

tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms
dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el

descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa,
se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo,
representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa
por la letra C (o K).
A (p) C K (n)
Representacin simblica del diodo pn
Figura 3. Smbolo de un Diodo.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el

diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
3. POLARIZACIN DIRECTA
Figura 4. Diodo en Polarizacin Directa
3
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga

espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin;
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo
positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas
condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la

diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega
hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.
4. POLARIZACIN INVERSA
Figura 5. Polarizacin Inversa del Diodo.
4
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo

positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin
en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y
como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n,
los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su
electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la
capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de
+1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la

zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con
lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido

al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver
semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente
(del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems,
existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como
su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del
diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para
obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de
la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los
electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la
corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.
5
5. CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO
Figura 6. Tensin umbral, de codo o de partida (V ).
Figura 7. Tensin Inversa de un Diodo.
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa

coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado.
Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va

reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la
nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la
6
barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de

tensin se producen grandes variaciones de la intensidad.
Corriente mxima (Imax )
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse

por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is )
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo

por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
Corriente superficial de fugas
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin
inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que
al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr )
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el

efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente

inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados)
En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la

corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones
se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con
electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin,
chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado
es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este
fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados).
Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de

carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la
tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d
sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En
estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de
7
valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones

de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales,

como los Zener, se puede producir por ambos efectos.
6. MODELOS MATEMTICOS
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William

Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y
la diferencia de potencial es:
Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de

tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A)
q es la carga del electrn cuyo valor es 1.6 * 10 19
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y
que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el
silicio).
El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden

de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).
Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos
ms sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelan
las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados
modelos de continua o de Ram-seal que se muestran en la figura. El ms
simple de todos (4) es el diodo ideal.
7. TIPOS DE DIODOS SEMICONDUCTORES
Diodo avalancha.
Fotodiodo.
Diodo Gunn.
Diodo lser.
Diodo LED (e IRED).
Diodo p-i-n.
Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky.
Diodo Shockley (diodo de cuatro capas).
Diodo tnel o diodo Esaki.
8
Diodo Varicap.
Diodo Zener.
7.1 DIODO AVALANCHA
De Wikipedia, la enciclopedia libre:
Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseado

especialmente para trabajar en tensin inversa. En estos diodos, poco
dopados, cuando la tensin en polarizacin inversa alcanza el valor de la
tensin de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de
conduccin por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo
elctrico incrementando su energa cintica, de forma que al colisionar
con electrones de valencia los liberan; stos a su vez, se aceleran y
colisionan con otros electrones de valencia liberndolos tambin,
producindose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la
corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensin.
El diodo Zener est tambin diseado para trabajar en inversa, aunque

el mecanismo de ruptura es diferente al aqu expuesto.
7.1.1 PROTECCIN
La aplicacin tpica de estos diodos es la proteccin de circuitos

electrnicos contra sobretensiones. El diodo se conecta en
inversa a tierra, de modo que mientras la tensin se mantenga
por debajo de la tensin de ruptura slo ser atravesado por la
corriente inversa de saturacin, muy pequea, por lo que la
interferencia con el resto del circuito ser mnima; a efectos
prcticos, es como si el diodo no existiera. Al incrementarse la
tensin del circuito por encima del valor de ruptura, el diodo
comienza a conducir desviando el exceso de corriente a tierra
evitando daos en los componentes del circuito.
7.1.2 FUENTES DE RUIDO DE RF
Los diodos avalancha generan ruido de radio frecuencia; son

comnmente utilizados como fuentes de ruido en equipos de
radio frecuencia. Tambin son usados como fuentes de ruido en
los analizadores de antena y como generadores de ruido
blanco.
7.2 FOTODIODO
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN,

sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su
funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se
producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la
9
luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas

fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin
muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo.
Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente
de oscuridad.
7.2.1 PRINCIPIO DE OPERACIN
Un fotodiodo es una unin P-N o estructura P-I-N. Cuando

una luz de suficiente energa llega al diodo, excita un electrn
dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la
absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a
una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados
de la unin por el campo de la zona de agotamiento,
produciendo una fotocorriente.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero

trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los
portadores de carga fotogenerados el ser multiplicados en la
zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia
interna, que incrementa la respuesta del dispositivo.
7.2.2 COMPOSICIN
Figura 8. Fotodiodo.
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un

factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar
compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda
de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda
hasta aprox. 1,8 m); o de cualquier otro material
semiconductor.
10
Material Longitud de onda (nm)
Silicio 1901100
Germanio 8001700
Indio galio arsnico (InGaAs) 8002600
sulfuro de plomo <1000-3500
Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en

el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y
20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno
lquido.
Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo

de selenio de una superficie amplia.
7.3 DIODO GUNN
Un diodo Gunn es un generador de microondas y no un rectificador

como el comn de los diodos. Esta conformado por un semiconductor que
genera el llamado "efecto Gunn". Usualmente se usan placas de arseniuro
de galio (GaAs) a las cuales al aplicar una tensin elctrica (mayor a los
3,3 voltios/cm.) que presenta resistencia negativa.
Combinado con circuitos resonantes es utilizado para generar oscilaciones

de muy alta frecuencia en el rango comprendido entre los 5 y 140GHz.
Los diodos Gunn son parte esencial de la mayora de los hornos

microondas modernos.
7.4 DIODO LSER
El diodo lser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED

pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. A veces se los
denomina diodos lser de inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD.
Cuando un diodo convencional o LED se polariza en directa, los huecos de

la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la
11
zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que

circula por el diodo. Si los electrones y huecos estn en la misma regin,
pueden recombinarse cayendo el electrn al hueco y emitiendo un fotn
con la energa correspondiente a la banda prohibida .Esta emisin
espontnea se produce en todos los diodos, pero slo es visible en los
diodos LED que tienen una disposicin constructiva especial con el
propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material
circundante, y una energa de la banda prohibida coincidente con el
espectro visible; en el resto de diodos, la energa se disipa en forma de
radiacin infrarroja.
En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden coexistir un

breve tiempo, del orden de milisegundos, antes de recombinarse, de
forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por casualidad por
all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada es decir, al
producirse la recombinacin el fotn emitido tendr igual frecuencia,
polarizacin y fase que el primer fotn.
En los diodos lser, el cristal semiconductor tiene la forma de una lmina

delgada logrndose as una unin p-n de grandes dimensiones, con las
caras exteriores perfectamente paralelas. Los fotones emitidos en la
direccin adecuada se reflejarn repetidamente en dichas caras
estimulando a su vez la emisin de ms fotones, hasta que el diodo
comienza a emitir luz lser, que al ser coherente debido a las reflexiones
posee una gran pureza espectral.
Figura 9. Diodo Laser
Un diodo LASER empaquetado. Atrs, un centavo como escala.
Figura 10. Diodo Laser Aplicacin
12
7.5 DIODO LED
Figura 11. Tipos de Diodos Led
Un LED, siglas en ingls de Light-Emitting Diode (diodo emisor de luz) es

un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz cuasi-monocromtica,
es decir, con un espectro muy angosto, cuando se polariza de forma
directa y es atravesado por una corriente elctrica. El color, (longitud de
onda), depende del material semiconductor empleado en la construccin
del diodo, pudiendo variar desde el ultravioleta, pasando por el espectro
de luz visible, hasta el infrarrojo, recibiendo stos ltimos la
denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode).
El funcionamiento fsico consiste en que, un electrn pasa de la banda de

conduccin a la de valencia, perdiendo energa. Esta energa se
manifiesta en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una
direccin y una fase aleatoria.
El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una

cubierta de plstico de mayor
resistencia que las de vidrio que
usualmente se emplean en las
A (p) C K (n)
lmparas incandescentes. Aunque el
plstico puede estar coloreado, es slo
por razones estticas, ya que ello no
Representacin simblica del diodo LED
influye en el color de la luz emitida.
Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta con diferentes
partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede
ser bastante complejo.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la

corriente que atraviesa el LED; el voltaje de operacin va desde 1,5 hasta
2,2 voltios aproximadamente, y la gama de intensidades que debe circular
por l va desde 10 hasta 20 mA en los diodos de color rojo, y de 20 a 40
mA para los otros LEDs.
El primer LED que emita en el espectro visible fue desarrollado por el

ingeniero de General Electric Nick Holonyak en 1962.
13
7.5.1 TECNOLOGA LED/OLED
En corriente continua (CC), todos los diodos emiten una cierta

cantidad de radiacin cuando los pares electrn-hueco se
recombinan, es decir, cuando los electrones caen desde la
banda de conduccin (de mayor energa) a la banda de
valencia (de menor energa). Indudablemente, la frecuencia
de la radiacin emitida y, por ende, su color, depender de la
altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre las
bandas de conduccin y valencia), es decir, de los materiales
empleados. Los diodos convencionales, de silicio o germanio,
emiten radiacin infrarroja muy alejada del espectro visible.
Sin embargo, con materiales especiales pueden conseguirse
longitudes de onda visibles. Los LED e IRED, adems tienen
geometras especiales para evitar que la radiacin emitida sea
reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que
sucede en los convencionales.
Figura 12. Led de Colores
Compuestos empleados en la construccin de LED.
Long. de
Compuesto Color
onda
Arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo 940nm
Arseniuro de galio y aluminio

Rojo e infrarrojo 890nm
(AlGaAs)
Rojo, naranja y
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) 630nm
amarillo
14
Fosfuro de galio (GaP) Verde 555nm
Nitruro de galio (GaN) Verde 525nm
Seleniuro de zinc (ZnSe) Azul
Nitruro de galio e indio (InGaN) Azul 450nm
Carburo de silicio (SiC) Azul 480nm
Diamante (C) Ultravioleta
Silicio (Si) En desarrollo
Los primeros diodos construidos fueron los diodos infrarrojos y

de color rojo, permitiendo el desarrollo tecnolgico posterior la
construccin de diodos para longitudes de onda cada vez
menores.
En particular, los diodos azules fueron desarrollados a finales de

los 90 por Shuji Nakamura, aadindose a los rojos y verdes
desarrollados con anterioridad, lo que permiti, por
combinacin de los mismos, la obtencin de luz blanca. El diodo
de seleniuro de zinc puede emitir tambin luz blanca si se
mezcla la luz azul que emite con la roja y verde creada por
fotoluminiscencia. La ms reciente innovacin en el mbito de
la tecnologa LED son los diodos ultravioletas, que se han
empleado con xito en la produccin de luz blanca al emplearse
para iluminar materiales fluorescentes.
Tanto los diodos azules como los ultravioletas son caros

respecto de los ms comunes (rojo, verde, amarillo e
infrarrojo), siendo por ello menos empleados en las aplicaciones
comerciales.
Los LED comerciales tpicos estn diseados para potencias del

orden de los 30 a 60 mW. En torno a 1999 se introdujeron en
el mercado diodos capaces de trabajar con potencias de 1 W
para uso continuo; estos diodos tienen matrices
semiconductoras de dimensiones mucho mayores para poder
soportar tales potencias e incorporan aletas metlicas para
disipar el calor (ver conveccin) generado por efecto Joule. En
2002 se comercializaron diodos para potencias de 5 W, con
eficiencias en torno a 60 lm/W, es decir, el equivalente a una
15
lmpara incandescente de 50 W. De continuar esta progresin,

en el futuro ser posible el empleo de LED en la iluminacin.
El comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED

(LED orgnicos), fabricados con materiales polmeros orgnicos
semiconductores. Aunque la eficiencia lograda con estos
dispositivos est lejos de la de los diodos inorgnicos, su
fabricacin promete ser considerablemente ms barata que la
de aquellos, siendo adems posible depositar gran cantidad de
diodos sobre cualquier superficie empleando tcnicas de
pintado para crear pantallas a color.
7.5.2 APLICACIONES
Figura 13. Antiguo display LED de una calculadora.
Figura 14. Una pequea linterna a pilas con LEDs.
Figura 15. Pantalla de LEDs en el Estadio de los Arkansas

Razorbacks.
16
Figura 16. La pantalla en Freemont Street en Las Vegas es

actualmente la ms grande del mundo.
Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del

siglo XX en mandos a distancia de televisores, habindose
generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos
de aire acondicionado, equipos de msica, etc. y en general
para aplicaciones de control remoto, as como en dispositivos
detectores.
Los LED se emplean con profusin en todo tipo de indicadores

de estado (encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin
(de trnsito, de emergencia, etc.) y en paneles informativos (el
mayor del mundo, del NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y
est en Times Square, Manhattan). Tambin se emplean en el
alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles,
calculadoras, agendas electrnicas, etc., as como en bicicletas
y usos similares. Existen adems impresoras LED.
El uso de lmparas LED en el mbito de la iluminacin

(incluyendo la sealizacin de trfico) es previsible que se
incremente en el futuro, ya que aunque sus prestaciones son
intermedias entre la lmpara incandescente y la lmpara
fluorescente, presenta indudables ventajas: larga vida til, una
menor fragilidad y una mejor disipacin de energa. Asimismo,
para el mismo rendimiento luminoso, producen luz de color,
mientras que los hasta ahora utilizados, tienen un filtro, lo que
reduce notablemente su rendimiento.
Los White LEDs son el desarrollo ms reciente. Un intento muy

bien fundamentado para sustituir las bombillas actuales por
dispositivos mucho ms eficientes desde un punto de vista
energtico.
17
Tambin se utilizan en la emisin de seales de luz que se

trasmiten a travs de fibra ptica.
7.5.3 CONEXIN
La diferencia de potencial vara de acuerdo a las

especificaciones relacionadas con el color y la potencia
soportada.
En trminos generales puede considerarse:
Rojo = 1 V
Rojo alta luminosidad = 1,9V
Amarillo = 1,7V a 3V
Verde = 2,4V
Verde alta luminosidad = 3,4V
Naranja = 2,4V
Blanco brillante = 3,4V
Azul = 3,4V
Azul 430nm = 4,6V
Blanco = 3,7V
Luego mediante la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia

adecuada para la tensin de la fuente que utilicemos.
El trmino I, en la frmula, se refiere al valor de corriente para

la intensidad de luminosa que necesitamos. Lo comn es de 10
para LEDs de baja luminosidad y 20mA para LEDs de alta
luminosidad; un valor superior puede inhabilitar el LED o
reducir de manera considerable su tiempo de vida.
Otros LEDs de una mayor capacidad de corriente conocidos

como LEDs de potencia (1w, 3w, 5w,etc), pueden ser usados a
150mA, 350mA, 750mA o incluso a 1,000 mA dependiendo de
las caractersticas opto-elctricas dadas por el fabricante.
Cabe recordar que tambin pueden conectarse varios en serie,

sumndose las diferencias de potencial en cada uno.
Tambin se pueden hacer configuraciones en paralelo, aunque

este tipo de configuraciones no son muy recomendadas para
diseos de circuitos con LEDs eficientes.
18
7.6 DIODO PIN
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia

semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N
(estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la
capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad
() o bien por una capa n de alta resistividad ().
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
Conmutador de RF
Resistencia variable
Protector de sobretensiones
Foto detector
7.6.1 FOTODIODO PIN
El fotodiodo PIN es uno de los fotodetectores ms comunes,

debido a que la capa intrnseca se puede modificar para
optimizar su eficiencia cuntica y margen de frecuencia.
7.6.2 CONMUTADOR
El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas.

Tiene capacidad para manejar alta potencia
7.7 DIODO SCHOTTKY
Figura 17. Diodo Schottky
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor

del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que
proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin
directa e inversa (menos de 1ns en dipositivos pequeos de 5 mm de
dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como
tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o
sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima
necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito
abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms
bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para
que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste
opere de igual forma como lo hara regularmente.
19
7.7.1 FUNCIONAMIENTO
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar

fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa,
pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro
el dispositivo.
El diodo Schottky est constituido por una unin metal-

semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin
convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por
los diodos normales.
As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo

semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el
cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N,
solamente los portadores tipo N (electrones mviles) jugaran
un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar
la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que
tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la
operacin del dispositivo ser mucho ms rpida.
7.7.2 CARACTERSTICAS
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de

muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en
circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen

una tensin umbral valor de la tensin en directa a partir de
la cual el diodo conduce de 0,6 V, los diodos Schottky tienen
una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V
emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de
clulas solares con bateras de plomo cido.
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad

de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas
cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo
Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se
necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su
poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa,
otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta
gama para que la corriente que vuelve desde el motor al
variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus
facultades.
El diodo Schottky se emplea en varios tipos de lgica TTL. Por

ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de
20
conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto

que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da
una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS
permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras
que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottly TTL
con la misma potencia.
7.8 DIODO TNEL
Figura 18. Smbolo del Diodo tnel.
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la

cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia
diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-
tensin.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como

componente activo (amplificador/oscilador).
Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que

descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un
efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de
agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es
su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de
polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede
funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable.
Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para
aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres
de los efectos de la radiacin.
21
7.9 DIODO VARICAP
Figura 19. Smbolo del diodo varicap.
El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de

diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la
anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la
tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin,
aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del
diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por
tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La
tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de

TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los
osciladores controlados por voltaje (Oscilador controlado por tensin).
En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al

aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la
impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja
la potencia incidente.
7.10 DIODO ZENER
Figura 20. Fotografa de un Diodo Tener.
22
Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que

funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha
o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de
tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes
variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.
7.10.1 SMBOLO ESQUEMTICO
El diodo Zener se representa en los esquemas con el siguiente

smbolo: en cambio el diodo normal no presenta esa curva en
las puntas
Resistencia Tener.- Un diodo zener, como cualquier diodo,

tiene cierta resistencia interna en sus zonas P y N; al circular
una corriente a travs de ste se produce una pequea cada
de tensin de ruptura.
En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la

zona zener, un aumento en la corriente producir un ligero
aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo,
generalmente de una dcima de voltio.
Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales

prcticamente constante en un amplio rango de intensidad y
temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello,
este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o
reguladores de la tensin tal y como el mostrado en la figura.
Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se

puede lograr que la tensin en la carga (RL) permanezca
prcticamente constante dentro del rango de variacin de la
tensin de entrada VS.
Figura 21.
Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que

calcular primero cul puede ser su valor mximo y mnimo,
despus elegiremos una resistencia R que se adecue a nuestros
clculos.
23
Donde:
1. Rmin es el valor mnimo de la resistencia limitadora.

2. Rmax es el valor mximo de la resistencia limitadora.
3. Vsmax es el valor mximo de la tensin de entrada.
4. Vsmin es el valor mnimo de la tensin de entrada.
5. Vz es la tensin Zener.
6. ILmin es la mnima intensidad que puede circular por la
carga, en ocasiones, si la carga es desconectable, ILmin
suele tomar el valor 0.
7. ILmax es la mxima intensidad que soporta la carga.
8. Izmax es la mxima intensidad que soporta el diodo Zener.
9. Izmin es la mnima intensidad que necesita el diodo zener
para mantenerse dentro de su zona zener o conduccin en
inversa (1mA).
La resistencia que elijamos, debe estar comprendida entre los

dos resultados que hemos obtenido.
La resistencia de carga del circuito (RL) debe cumplir la

siguiente frmula:
Los diodos Zener generan ruido. Por esa caracterstica, son

usados en los generadores de ruido y puentes de ruido.
8. DIODOS DE SEAL
Los diodos de seal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la

seal, dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital
formando parte de puertas lgicas y circuitos equivalentes, Son de baja
potencia. Las caractersticas de estos diodos son:
Tensin inversa (Vr), hasta 75 V como mximo. - Corriente directa (If),

100 mA. - Potencia mxima (P/tot), 200 milivatios (mW).
El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura, de plstico o vidrio, estando

los dos terminales de conexin situados en los extremos. Sobre el cuerpo deber
estar marcado el hilo de conexin que corresponde al ctodo, mediante un anillo
situado en las proximidades de ste.
24
9. DIODOS DE CONMUTACIN
Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar

con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida
y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a
estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo
que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se
encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de
un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en
sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR
inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja
potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.
10. DIODOS DE ALTA FRECUENCIA
Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que

deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos
por segundo). Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusin (Cd)
entre las dos zonas semiconductoras que forman la unin P-N, cuando stas
estn polarizadas en sentido directo.
Smbolos de Diodos
Figura 22. Smbolos de diferentes tipos de Diodos.
11. EL DIODO DE POTENCIA
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los

diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y
ctodo.
25
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben

ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin.
En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa
de nodo con una pequea intensidad de fugas.
Figura 23. Curva de un Diodo de Potencia
El diodo responde a la ecuacin:
La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:
VRRM: tensin inversa mxima

VD: tensin de codo.
A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo,

las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
1. Caractersticas estticas
Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).

Parmetros en conduccin.
Modelo esttico.
2. Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso (trr).

Influencia del trr en la conmutacin.
Tiempo de recuperacin directo.
3. Potencias
Potencia mxima disipable.

Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
26
4. Caractersticas trmicas
5. Proteccin contra sobreintensidades
11.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS
Figura 24. Caractersticas Estticas de los Diodos de Potencia.
11.1.1 PARMETROS EN BLOQUEO
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede

ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin
peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede

ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de
forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que

puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10
minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola

vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las
caractersticas del mismo.
27
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que

soporta el diodo en estado de bloqueo.
11.1.2 PARMETROS EN CONDUCCIN
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la

mxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180 que el
diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aqulla que puede ser

soportada cada 20 ms, con una duracin de pico a 1 ms, a
una determinada temperatura de la cpsula (normalmente
25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo

pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con
una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el

diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin.
11.1.3 MODELOS ESTTICOS DEL DIODO
Figura 25. Recuperacin inversa del diodo
Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos

estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos
facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el
modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano,

reservando modelos ms complejos para programas de
simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser
proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en
las libreras del programa.
28
11.2 CARACTERSTICAS DINMICAS
11.2.1 TIEMPO DE RECUPERACIN INVERSO
Figura 26. Recuperacin inversa del diodo
El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no

se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra
conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N
est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la
aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la
corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del
paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten
que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante.
La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta
despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el
que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin
la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un
tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de
pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van
desapareciendo el exceso de portadores.
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre

desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico
negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico

negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido
a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en
inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico
negativo de la intensidad hasta el 10% de ste.
29
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.
Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y

representa el rea negativa de la caracterstica de
recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado

"SF".
Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de

un tringulo:
De donde:
Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer

uno de los dos siguientes casos:
Para ta = tb trr = 2ta

Para ta = trr tb = 0
En el primer caso obtenemos:
Y en el segundo caso:
30
11.2.2 INFLUENCIA DEL TRR EN LA CONMUTACIN
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:
Se limita la frecuencia de funcionamiento.

Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de
recuperacin inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de

recuperacin rpida.
Figura 27. Recuperacin directa del diodo
Factores de los que depende trr:
A mayor IRRM menor trr.

Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el
diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto
mayor ser trr.
11.2.3 TIEMPO DE RECUPERACIN DIRECTO
tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que

transcurre entre el instante en que la tensin nodo-ctodo se
hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en
el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa

y no suele producir prdidas de potencia apreciables.
31
11.2.4 DISIPACIN DE POTENCIA
Potencias
Potencia mxima disipable (Pmx)
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar,

pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el
diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia
de trabajo.
Potencia media disipada (PAV)
Es la disipacin de potencia resultante cuando el

dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se
desprecia la potencia disipada debida a la corriente de
fugas.
Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el

dispositivo, como:
Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta:
Y como:
es la intensidad media nominal
es la intensidad eficaz al cuadrado
Nos queda finalmente:
Generalmente el fabricante integra en las hojas de

caractersticas tablas que indican la potencia disipada por
el elemento para una intensidad conocida.
32
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que

relacionen la potencia media con la intensidad media y el
factor de forma (ya que el factor de forma es la
intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)
Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en

estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.
11.2.5 CARACTERSTICAS TRMICAS
Temperatura de la unin (Tjmx)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos

hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos
evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos

da la "operating temperature range" (margen de
temperatura de funcionamiento), que significa que el
dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de
temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y
otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo

cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele
dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el

encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el
fabricante se puede calcular mediante la frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx
Siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia

mxima disipable.
33
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo

y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la
propagacin se efecta directamente sin pasar por otro
medio (como mica aislante, etc.).
11.3 PROTECCIN CONTRA SOBREINTENSIDADES
11.3.1 PRINCIPALES CAUSAS DE SOBREINTENSIDADES
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la

presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier
causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en
el caso de alimentacin de motores, carga de condensadores,
utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura

enorme en la unin, que es incapaz de evacuar las caloras
generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de
cortocircuito (avalancha trmica).
11.3.2 RGANOS DE PROTECCIN
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia

elevada o total son poco numerosos y por eso los ms
empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo
"ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del

metal de que estn compuestos y tienen sus caractersticas
indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por
esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de
corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.
11.3.3 PARMETRO I2T
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el

intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en
amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya

que as ser el fusible el que se destruya y no el diodo.
34
Figura 28. Caractersticas de los Diodos Rectificadores.
35
ANOTACIONES
.............................................................................................................................
.............................................................................................................................
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36

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Tecsup - PFR Dispositivos y Circuitos Electrnicos I

Unidad I: DIODOS SEMICONDUCTORES

1. El Diodo Semiconductor ................................................................................ 1

11.3 Proteccin contra sobreintensidades ................................................... 34

Unidad II: APLICACIONES CON DIODOS

1. Rectificador de media onda.......................................................................... 37

Unidad III: EL TRANSISTOR

1. Transistor de unin bipolar .......................................................................... 51

3. Tipos de transistor ...................................................................................... 64

Unidad IV: FUENTES DE ALIMENTACION REGULADAS

1. Fuentes de alimentacin reguladas .............................................................117

3. Fuente de Alimentacin Regulada con transistor .......................................... 123

Unidad V: FUENTES REGULADAS CON CIRCUITOS INTEGRADOS

1. Consideraciones prcticas .......................................................................... 128

Unidad VI: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO: FET

1. La curva caracterstica del FET ................................................................... 148

10.4.2 Conduccin lineal ...............................................................157

Unidad VII: DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Unidad VIII: OPTOELECTRNICA

1. Clasificacin de los dispositivos optoelectrnicos ..........................................191

5.1 Tipos ............................................................................................. 203

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que

Figura 1. Tipos de Diodos Rectificadores

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos

Figura 2. Formacin de la zona de carga espacial.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p

A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va

Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos

de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de

Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el

Representacin simblica del diodo pn

Figura 3. Smbolo de un Diodo.

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el

Figura 4. Diodo en Polarizacin Directa

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

Figura 5. Polarizacin Inversa del Diodo.

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido

5. CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO

Figura 6. Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

Figura 7. Tensin Inversa de un Diodo.

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa

Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va

barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de

Corriente mxima (Imax )

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse

Corriente inversa de saturacin (Is )

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo

Corriente superficial de fugas

Tensin de ruptura (Vr )

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente

Efecto avalancha (diodos poco dopados)

En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la

Efecto Zener (diodos muy dopados).

Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de

valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales,