MEMORIAS USADAS ACTUALMENTE Y A FUTURO PARA SISTEMAS

INFORMTICOS.

Msc. Ing. Jairo E. Mrquez D.

Este documento es una recopilacin y adaptacin de informacin segn normas

GPL, donde se citan las fuentes de consulta para efectos de verificacin y
reconocimiento de las mismas.

Introduccin

La memoria de un computador o cualquier dispositivo que efecte algn tipo de

clculo que requiera almacenar temporal o permanentemente informacin, es un
elemento o pieza lgica y fsica fundamental; pues para el caso que nos ocupa, un
sistema computacional, implica el almacenamiento de informacin en un tiempo
determinado. La memoria est relacionada directamente con los procesadores de
un equipo de cmputo, pues su gestin de informacin se hace con estos, al igual
que con los diversos dispositivos de entrada y salida.

Actualmente los sistemas de memoria, se han diversificado y a futuro, gracias a la

nanotecnologa, sus cambios sern radicales, pasando de un almacenamiento
molecular a uno de carcter atmico y cuntico. Existen diferentes formas de
almacenamiento, el analgico y el de estado slido (como la RAM, que es la ms
representativa), otras veces, se hace referencia a las formas de almacenamiento
masivo, tales como los discos pticos de diversa longitud de onda (CD, DVD, con
sus diversas variantes, los Blue Ray), y tipos de almacenamiento magntico, como
son los discos duros y otros dispositivos ms lentos que las memorias de estado
slido, pero de naturaleza permanente.

Jerarqua de la memoria

La memoria de un computador est dividida jerrquicamente, cuyo fundamento

radica principalmente en el almacenamiento y el tiempo de lectura escritura,
sumado a la tecnologa de acceso y lectura, tal como se muestra en las figuras de
la siguiente pgina.

En primera instancia estn los registros, se caracteriza porque es una memoria

de alta velocidad y poca capacidad; el cual est integrado en el microprocesador
del equipo de cmputo, que guarda transitoriamente la informacin. Los registros
estn de primero en la jerarqua de memoria, ya que estos son la manera ms
rpida para almacenar datos en el sistema. Los registros se miden bien sea por el
nmero de bits que almacenan; por ejemplo, un "registro de 8 bits" o por un
"registro de 32 bits".
Los registros generalmente se implementan en un banco de registros, es decir,
existe diversos tipos de registros, as:

1. Registros de datos: Se usan para guardar nmeros enteros. Poco usado.

2. Registros de memoria: se usan para guardar exclusivamente direcciones de
memoria. Se emplean en arquitectura de computadores tipo Harvard.
3. Registros de propsito general: Permiten guardar datos como direcciones.
La mayora de sistemas de cmputo actual los emplean.
4. Registros de coma flotante: se emplean para guardar datos en formato de
coma flotante. Los servidores de tipo general y los de altas prestaciones,
as como las supercomputadoras, basan su desempeo en este tipo de
registro.
5. Registros constantes: Se crean a partir de valores por hardware de slo
lectura. No es modificable.
6. Registros de propsito especfico: su funcin es guardar informacin
especfica del estado del sistema tanto de hardware como del propio
sistema operativo nativo, al igual que verifica los punteros de pila o el
registro de estado de procesos.

En segundo lugar se encuentra la memoria primaria; la cual est conectada

directamente con los procesadores del equipo, por lo que el tiempo de ejecucin
es extremadamente rpido. Cabe agregar que esta memoria tiene relacin directa
con el sistema operativo, pues los registros, direcciones de memoria y memoria
virtual, al igual que los diversos algoritmos que se requieren para gestionar las
tareas o procesos que se cargan a la memoria son clave para un buen
funcionamiento del equipo.

Fuente. Estructura de Acceso Directo a Memoria (DMA) (M). Consultado el 11 de marzo de 2017,
https://chsos20122910022.wordpress.com/2012/08/30/estructura-de-acceso-directo-a-memoria-
dma-m/
Existen otras memorias que se ubican ms internamente en el equipo, y son las
memorias cach. Se caracterizan por que son de muy alta velocidad entre 10 y
100 ms rpidas que la memoria primaria. Estas memorias estn relacionadas
directamente con los procesadores y buses que los interconectan segn la
arquitectura de estos. Por ejemplo, Intel y AMD manejan arquitecturas de cach
diferentes, aunque trabajan con cachs de tipo L1, L2 y L3, sus velocidades
difieren un poco, al igual que en la forma de gestionar la informacin intra-
procesador e inter-procesadores.

Cabe aclarar que las memorias cach son mucho ms rpidas, pero de mucho
menor capacidad para el almacenamiento de la informacin.

Como se aprecia en la siguiente figura, la tasa de velocidades es notoriamente

diferente segn el tipo de memoria utilizado.

Fuente. https://chsos20122910022.wordpress.com/2012/08/30/estructura-de-acceso-directo-a-
memoria-dma-m/

La memoria secundaria requiere de unos conectores llamados buses, que

permiten el acceso y almacenamiento de la informacin, al igual que el flujo de
datos entre sta y la memoria primaria. Esta informacin permanece en esta
memoria aun si el equipo se encuentra apagado. La memoria virtual hace uso de
esta memoria para ejecutar procesos en su tabla de paginacin, mxime cuando
la RAM requiere de ms recursos para cargar ms procesos que exige el sistema
operativo.

La memoria secundaria dispone de mayor capacidad de almacenamiento, pero es

mucho ms lenta que la memoria principal, cerca de 106 de veces. Es por ello que
la memoria virtual es mucho ms lenta que la memoria principal, por lo que no es
raro presenciar la ralentizacin del sistema operativo.

La memoria terciaria, normalmente se clasifica en este contexto, a todos los

dispositivos que se conectan de manera externa al computador para almacenar
y/o acceder a la informacin desde el sistema operativo del computador. Ejemplo
de ello son: las memorias flash, los discos duros USB, discos pticos, memorias
USB.

En esta misma lnea se habla del almacenamiento en red, que ha venido

tomando fuerza desde hace algunos aos, en pro del beneficio de subir
informacin y acceder a la misma a travs de internet o una red informtica en
general. Si vemos este servicio como cliente servidor, el almacenamiento es de
carcter terciario. Pero si lo vemos como servidor cliente, el almacenamiento es
de carcter secundario.

La arquitectura cliente-servidor es un modelo de aplicacin distribuida en el que las tareas se

reparten entre los proveedores de recursos o servicios, llamados servidores, y los demandantes,
llamados clientes. Tomado de: cliente servidor (8 de sep. De 2013), recuperado de:
https://es.wikipedia.org/wiki/Cliente-servidor.

Memoria Voltil, no voltil y dinmica

Las memorias tambin suelen ser clasificadas en funcin de su almacenamiento

en estado off on en el que se encuentre el computador. Es decir.

- Voltil: esta memoria requiere de alimentacin de energa elctrica para

garantizar que la informacin se est almacenando. Normalmente se
emplea en la memoria primaria o RAM. Una vez que se interrumpe la
energa, la informacin se pierde.

- No voltil: es lo opuesto a la anterior, la informacin puede estar

resguardada con o sin fluido de energa elctrica. Un ejemplo claro al
respecto, es la memoria ROM, presente en las memorias secundarias y
terciarias.
 - Dinmica: es un tipo de memoria voltil que requiere que el sistema
refresque de manera peridica la informacin almacenada, bien sea para
leerla o reescribirla sin modificacin alguna.

Memoria RAM

Iniciamos hablamos con la memoria RAM, cuyas siglas hacen referencia a

Random Access Memory, un tipo de memoria a la que se puede acceder de forma
aleatoria, es decir que se puede acceder a cualquier byte de la memoria sin pasar
por los bytes precedentes. Existen diferentes tipos de memoria, pero los tipos de
memoria RAM son los ms comunes en las computadoras y otros dispositivos
electrnicos.

Tomado de https://techinsider.ro/stiri/microsoft/windows/windows-7-ram-maxim-per-versiune-64-bit/

Tipos de memoria RAM

DRAM (Dynamic RAM)

VRAM (Vdeo RAM)
SRAM (Static RAM)
FPM (Fast Page Mode)
EDO (Extended Data Output)
BEDO (Burst EDO)
SDRAM (Synchronous DRAM)
DDR SDRAM SDRAM II (Double Data Rate SDRAM)
PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)
RAMBUS
 ENCAPSULADOS
SIMM (Single In line Memory Module)
DIMM (Dual In line Memory Module)
DIP (Dual In line Package)
Memoria Cach RAM Cach
RAM Disk

Existen dos tipos de memoria RAM:

1. DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica

2. SRAM (Static RAM), RAM esttica

La diferencia entre estos dos tipos de memoria RAM es que utilizan una tecnologa
diferente para almacenar los datos.

La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras
que la RAM esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace
ms rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son
voltiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconectan
de la alimentacin.

La memoria RAM es sinnimo de memoria principal, es aquella memoria

disponible para programas.

La memoria ROM (Read Only Memory) es aquella memoria que se utiliza para
almacenar los programas que realizan las tareas de arranque del ordenador y de
diagnsticos.

Ambos tipos de memoria (RAM y ROM) permiten el acceso aleatorio, sin embargo,
la memoria RAM es una memoria de lectura y escritura, y la memoria ROM es una
memoria de solo lectura.

DRAM [1]

DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinmica de

acceso aleatorio que se usa principalmente en los mdulos de memoria RAM y en
otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinmica, ya
que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo,
cada cierto perodo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad
de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todava
funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con
millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por
segundo. Es una memoria voltil, es decir cuando no hay alimentacin elctrica, la
memoria no guarda la informacin. Inventada a finales de los sesenta, es una de
las memorias ms usadas en la actualidad.

Memoria DRAM estndar, desde el ao 2011 aproximadamente, surge una nueva generacin de
memoria DRAM para dispositivos mviles y Tablet, acelerando la transmisin de datos a
velocidades de 12,8 GBps.

La celda de memoria es la unidad bsica de cualquier memoria, capaz de

almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construccin de la celda define el
funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un
transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento
bsico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y
sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y
desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la poca de los
semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices

de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas.
En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la
superficie de la pastilla de silicio formando reas que son visibles a simple vista.
En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las lneas horizontales
conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas filas y las lneas
verticales conectadas a los canales de los FET son las columnas.

Para acceder a una posicin de memoria se necesita una direccin de 4 bits, pero
en las DRAM las direcciones estn multiplexadas en tiempo, es decir se envan
por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por
el mismo entra la direccin de la fila y despus la de la columna. Las direcciones
se diferencian por medio de seales de sincronizacin llamadas RAS (del ingls
Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la entrada
de cada parte de la direccin.

Los pasos principales para una lectura son:

Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lgico.
Esto es posible ya que las lneas se comportan como grandes condensadores,
dada su longitud tienen un valor ms alto que la de los condensadores en las
celdas.

La memoria RAM, pertenece a la parte de lo que se llama el Hardware del dispositivo. Adems se
las pueden encontrar en las computadoras, celulares, tablets, consolas de videojuegos, etc. Sus
partes constituyentes tal como indican las figuras estn compuesta por chips de memoria.

Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la direccin
y la seal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan
y permitiendo la conexin elctrica entre las lneas de columna y una fila de
condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos
condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance
de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El
resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda
conectada a cada columna. El cambio es pequeo, ya que la lnea de columna es
un condensador ms grande que el de la celda.
El cambio es medido y amplificado por una seccin que contiene circuitos de
realimentacin positiva: si el valor a medir es menor que la mitad del voltaje de 1
lgico, la salida ser un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona
como un redondeo.

La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la
segunda parte de la direccin, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede
con la seal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O.
y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la
DRAM es destructiva.

La escritura en una posicin de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero

en lugar de leer el valor, la lnea de columna es llevada a un valor indicado por la
lnea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado
con una lnea gruesa en el grfico.

A-RAM

A-RAM (Advanced-Random Access

Memory) es un tipo de memoria DRAM
basada en celdas de un solo transistor.
Esta tecnologa ha sido inventada en la
Universidad de Granada (Espaa) en
colaboracin con el Centre National de la
Recherche Scientifique, CNRS (Francia).

La memoria A-RAM, a diferencia de las

memorias DRAM convencionales, no
necesita de ningn elemento extrnseco de almacenamiento de la informacin
(condensador de almacenamiento). Cada bit se almacena en un transistor
especialmente diseado. A medida que la tecnologa de circuitos semiconductores
evolucione hacia nodos por debajo de los 45nm [2], es de esperar que la
tecnologa convencional de almacenamiento no-voltil DRAM encuentre muy
limitada su capacidad de escalado. Alternativamente se han propuesto nuevos
conceptos de memoria basados en los efectos de cuerpo flotante de los
transistores de silicio-sobre-aislante (Silicon-on-insulator). Estas memorias
conocidas como memorias de un solo transistor (1T-DRAM) incluyen a las
tecnologas A-RAM, TT-RAM y Z-RAM [3].

DDR SDRAM [4]

En informtica, DDR (del ingls double data rate, en espaol doble tasa de
transferencia de datos) es una tecnologa que permite a ciertos mdulos de
memoria RAM compuestos por memorias sncronas (SDRAM), disponibles en
encapsulado DIMM, la capacidad de transferir simultneamente datos por dos
canales distintos en un mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR soportan una
capacidad mxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).

Mdulo de memoria DDR. Tomado de: http://pcinformations.blogspot.com.co/

Fueron primero adoptadas de sistemas equipados con procesadores AMD Athlon.

Intel con su Pentium 4 en un principio utiliz nicamente memorias RAMBUS, ms
costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD
basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar
memoria DDR, lo que le permiti competir en precio. Son compatibles con los
procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un front-side bus de 64 bits de
datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.

Comparacin grfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3 para estaciones de trabajo.
Se utiliza la nomenclatura PC-XXXX, dnde se indica el ancho de banda del
mdulo y pueden transferir un volumen de informacin de 8 bytes en cada ciclo de
reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de clculo para PC1600:

100 MHz x 2 datos por ciclo x 8 B = 1600 MB/s = 1 600 000 000 bytes por segundo

Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo
distintos:

Single memory channel: todos los mdulos de memoria intercambian

informacin con el bus a travs de un solo canal, para ello slo es necesario
introducir todos los mdulos DIMM en el mismo banco de slots.

Dual memory channel: se reparten los mdulos de memoria entre los dos bancos
de ranuras diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus
a travs de dos canales simultneos, uno para cada banco.

Comparacin grfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3 para computadoras porttiles.

DDR4 es una evolucin sobre DDR3 que ofrece mayor rendimiento, mayor
densidad, mayor fiabilidad y otras novedades de arquitectura, tales como un
consumo inferior al de DDR3. Fue lanzada en el ao 2014 en conjunto con los
chipsets y board compatibles. Para el ao 2015, los telfonos mviles ya
disponan de este tipo de memoria en su hardware.

Entre los inconvenientes conviene sealar la prdida de compatibilidad con

estndares de memoria anteriores porque son distintas a nivel de pin, lo que
obliga a cambiar la placa base. Esto es un factor para cualquier implementacin
de memorias RAM, no todas las actualizaciones van a funcionar o van a ser
compatibles con la board del equipo de cmputo.

DDR4 contra DDR3 Caractersticas [5]

La norma DDR4 contempla frecuencias de trabajo un 30% superior a DDR3. Si

la frecuencia mxima de trabajo de stas es de 2.133 MHz, en DDR4 se eleva a
3.200 MHz. Velocidades tericas porque unas y otras pueden funcionar a mayores
frecuencias mediante overclocking e incluso ya hay oferta de serie en DDR4 con
kits hasta 3.600 MHz y en mdulos simples a 4.266 MHz.

Con ello, el ratio de operaciones I/O capaces de realizar tambin es superior a

DDR3, hasta 4266 MT/s, en valores que han ido subiendo desde el original DDR.

La memoria DDR4 permite versiones de alimentacin de 1,35, 1,2, 1,1 y 1,05

voltios. Inferior a los 1,5 1,35 voltios estndar de DDR3 lo que permite rebajar el
consumo y permite aumentar la frecuencia a menores voltajes, manteniendo la
estabilidad. Adems, LPDDR4 para dispositivos mviles/porttiles ha diseado
especficamente para permitir un funcionamiento eficiente de la potencia en una
amplia gama de frecuencias, para rebajar an ms el consumo final y mejorar la
autonoma.

Los mdulos de memoria DDR4 SDRAM constante de 288 pines DIMM, con una
velocidad de datos por pin, que va de un mnimo de 1,6 GT/s hasta un mximo
estimado de 3,2 GT/s, esto hace que dispongan de un gran ancho de banda en
comparacin con las versiones anteriores.

Fuente. Board diseada bajo el esquema de memoria DDR4

https://www.techpowerup.com/forums/threads/corsair-releases-dominator-platinum-ddr4-3400mhz-
memory-kits.210965/

Tambin destacado el lmite mximo de la capacidad de memoria que podemos

instalar en una sola placa. Si DDR3 el mximo terico es de 128 GB, con DDR4 se
puede instalar hasta 512 Gbytes gracias a la mejora de la densidad de 4 a 8
Gigabit. Esto solo est reservado a grandes estaciones de trabajo profesionales.

DDR4 permite a los dispositivos tener operaciones independientes de activacin,

escritura, lectura o refresco de la informacin, y todas esas operaciones sern
autnomas segn los grupos con bancos de memoria, algo que mejora -
tericamente- la eficiencia y el rendimiento de este desarrollo.

DDR4 contra DDR3 Rendimiento

DDR4 hizo su aparicin en el despliegue de los microprocesadores Haswell-

E para equipos de sobremesa. A pesar de todas sus ventajas, pruebas
independientes de especialistas como Anantech en aplicaciones reales, revelaron
que la ventaja en rendimiento frente a DDR3 es apenas de unas dcimas.

Memorias DDR4. Fuente: http://www.muycomputer.com/2016/05/18/memorias-ddr4-gskill

La llegada al mercado de los Intel Skylake, trajo otra plataforma con soporte a
DDR4. Nuevas pruebas revelaron algo ms de diferencia sobre todo en algunas
aplicaciones profesionales. Pero fueron mnimas, no en todas las aplicaciones y
con un beneficio poco apreciable en el caso de ejecucin de videojuegos cuando
se utiliz DDR4 o DDR3 en el mismo equipo.

DDR4 contra DDR3 Precio

Como en toda nueva tecnologa que emerge, el precio de mdulos y kits DDR4 es
superior al de DDR3, en una media del 20-25% en mdulos con frecuencias
moderadas a 2.100 2.400 MHz, pero el precio baja muy rpido.

Cabe recalcar que el mayor precio de las memorias DDR4 no es lo nico que debe
preocupar al usuario sino la necesidad de adquirir una nueva placa base por la
incompatibilidad con las anteriores. Hay placas que ofrecen soporte para
ambas (especialmente en porttiles). Podra ser una solucin para una parte de
usuarios que quieran actualizar conservando sus mdulos DDR3 actuales.

En el ao 2016 sali al mercado la memoria RAM DDR4 de 128 GB, que consta
de un conjunto de 8 mdulos de 16 GB cada uno (8x16GB = 128GB) de la serie
Ripjaws V, unas memorias que funcionan con la velocidad de 3000MHz y un
voltaje de 1.35V y cuentan con una latencia de 14-14-14-34.

Tomado de. https://planetared.com/2016/01/gskill-muestra-sus-nuevas-memoria-ram-ddr4-de-128-gb/

Existe otra memoria cuya principal diferencia se encuentra en el aumento de la

frecuencia de reloj con la que trabaja, que el caso de nuevo kit de memorias
alcanza los 3200MHz, con una latencia CL14-14-14-34.
Una comparacin de los conjuntos de chips de memoria RAM que se pueden
encontrar en los ordenadores de hoy en da, incluyendo SDR, DDR, DDR2 y
DDR3 mdulos futuros:

Fuente.https://www.quora.com/What-is-the-difference-between-DDR-DDR2-DDR3-and-DDR4-RAM

DDR5

Es el nuevo estndar de memoria RAM que sustituye a la memoria DDR4. Primero

se emplea en servidores, y luego a los consumidores un el ao 2018
aproximadamente. Los mdulos DDR5 son alrededor de un 20% ms eficiente y
permiten configuraciones del doble de capacidad que la DDR4, de los cuales ya
existen mdulos de 128 GB.

Tomado de https://www.quora.com/What-is-the-difference-between-DDR-DDR2-DDR3-and-DDR4-RAM

La memoria DDR5 arregla algunas limitaciones de la memoria DDR4, en cuanto a

los requerimientos que tienen varios videojuegos de hoy y a futuro, en cuanto al
uso de la realidad virtual o pantallas 4K, que junto a la memoria GDDR de las
tarjetas grficas, va a permitir procesar gran cantidad de informacin.

Un ejemplo de este tipo de memoria es la tarjeta de video Radeon Hd 6850 1 Gb

Gddr5. Sus caractersticas tcnicas son:
 - GPU 960 Stream Processors
- 40 nm
- 775 MHz Reloj del GPU
- Interfaz PCI-Express 2.1
- Memoria 256 bit Bus de Memoria
- GDDR5 Tipo de Memoria
- Tamao 1 GB
- Soporte BIOS Legacy BIOS
- Pantallas Mxima 4 Salidas
- Salidas 1 x DVI-I
- 1 x DVI-D
- 1 x HDMI
1 x DisplayPort
- Resolucin
- API OpenGL 4.1
- DirectX 11
- Shader Model 5.0
- Caractersticas Tecnologa AMD CrossFire
- Tecnologa AMD Eyefinity
- Tecnologa AMD HD3D
- Enfriamiento Active Cooling
- Formato 2 ranuras ocupadas
- Consumo Energtico
- Sistema Operativo
- Requerimientos del Sistema 500 Watt Fuente de Alimentacin (Sugerido)
- 1024 MB mnimo de memoria
- 1 x Conector de Alimentacin AUX de 6-pines
- 2 x Conector de Alimentacin AUX de 6-pines se requiere para un sistema
CrossFireX?
- Un reproductor de CD-ROM or DVD-ROM para instarlar el software
- Se requiere una PC con una ranura PCI Express X16 disponible en el
motherboard.

GDDR6

Este tipo de memoria para tarjetas grficas est siendo desarrollado por Micron y
Samsung, y llegar al mercado en el 2018. Ofrece anchos de banda de 16 Gbps,
frente a los 10 de la GDDR5X actual. Adems, van a consumir un 20% menos de
energa.

HBM3

Todava no est disponible en el mercado la memoria HBM2 de AMD, que muy

probablemente estrenen las nuevas GPU Vega de AMD este ao cuando sean
presentadas. La HBM3 no llegar hasta 2019 o 2020, y el primero en hacer uso de
estas memorias ser AMD, en su arquitectura Navi. Este tipo de memoria ofrecer
el doble de densidad de memoria en el mismo espacio con respecto a HBM2, y
adems duplicar el ancho de banda, con lo que el consumo de energa se
reduce.

La propuesta de esta arquitectura a diferencia de la GDDR, es de tipo vertical tal

como se muestra en las figuras.

Fuente. http://www.pcworld.com/article/2922599/amd-talks-up-high-bandwidth-memory-that-will-power-its-
next-gpus-pokes-nvidia-too.html

SIPP: Es el acrnimo ingls de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en

Lnea Simple).
Consiste en un circuito impreso (tambin llamado mdulo) en el que se montan
varios chips de memoria RAM, con una disposicin de pines correlativa (de ah su
nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan
con las ranuras o bancos de conexin de memoria de la placa base del ordenador,
y proporciona 8 bits por mdulo. Se us en sistemas 80286 y fueron reemplazadas
por las SIMM, ms fciles de instalar y que proporcionan 8 o 32 bits por mdulo
(segn si son de 30 o de 72 contactos).

SIMM: (siglas de Single In-line Memory Module),

Es un formato para mdulos de memoria RAM
que consisten en placas de circuito impreso sobre
las que se montan los integrados de memoria
DRAM. Estos mdulos se insertan en zcalos
sobre la placa base. Los contactos en ambas
caras estn interconectados, esta es la mayor
diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs.
Fueron muy populares desde principios de los 80
hasta finales de los 90, el formato fue
estandarizado por JEDEC bajo el nmero JESD-
21C.

fig. SIMM de 30 pines y 72 pines (tercera y cuarta

desde arriba).

Su gran ventaja es que elimina casi la mitad de la

placa madre, convierte los conectores en
independientes del formato de chip de memoria
utilizado, y aporta ms seguridad a la hora del
mantenimiento y las ampliaciones. Vienen adems nominados en Bytes en lugar
de en bits como los chips de memoria. Las primeras placas requieren insertarlos a
presin, pero al poco se generaliza el formato actual de insercin por giro.

El factor de forma de memoria RAM utilizado en PC es una presentacin de los

mdulos de memoria que fue utilizado en los sistemas cuyos buses de datos eran
de 32 bits o menos. A partir del uso de buses de 64 bits han sido reemplazados
por los DIMM, que son el nuevo factor de forma estndar para los mdulos de
memoria usados en ordenadores personales, en los que la capacidad de
almacenamiento ya se mide en gigabytes.

Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits para datos y un bit para
chequeo, o control, de paridadad, en 9 chips de memoria RAM dinmica) como
memoria de ocho bits sin paridad.

DIMM: [6] (sigla en ingls de dual in-line memory module, traducido como mdulo
de memoria en lnea doble)

Son mdulos de memoria RAM utilizados en las computadoras personales. Se

trata de un pequeo circuito impreso que contiene circuitos integrados de
memoria, y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los mdulos
DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines)
separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de
modo que los de un lado estn unidos con los del otro.

Los mdulos DIMM comenzaron a reemplazar a los SIMM como el tipo

predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium tomaron
dominio del mercado.

Un DIMM puede comunicarse con la cach a 64 bits (y algunos a 72 bits), a

diferencia de los 32 bits de los SIMM.

El hecho de que los mdulos en formato DIMM sean memorias de 64 bits, explica
por qu no necesitan emparejamiento. Los mdulos DIMM poseen circuitos de
memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84
contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos. Adems de ser de
mayores dimensiones que los mdulos SIMM (130x25 mm), estos mdulos
poseen una segunda muesca que evita confusiones.

Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su
insercin, gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector.

Tambin existen mdulos ms pequeos, conocidos como SO DIMM (DIMM de

contorno pequeo), diseados para computadoras porttiles. Los mdulos SO
DIMM slo cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y
con 77 contactos en el caso de las memorias de 32 bits.

Especificacin de los mdulos DIMM

- DIMM de 168 contactos, SDR SDRAM (tipos: PC66, PC100, PC133...).

- DIMM de 184 contactos, DDR SDRAM (tipos: PC1600 (DDR-200), PC2100

(DDR-266), PC2400 (DDR-300), PC2700 (DDR-333), PC3000 (DDR-366),
PC3200 (DDR-400), PC3500 (DDR-433), PC3700 (DDR-466), PC4000
(DDR-500), PC4300 (DDR-533), PC4800 (DDR-600); hasta 1 GiB por
mdulo).

- DIMM de 240 contactos, DDR2 SDRAM (tipos: PC2-3200 (DDR2-400),

PC2-3700 (DDR2-466), PC2-4200 (DDR2-533), PC2-4800 (DDR2-600),
PC2-5300 (DDR2-667), PC2-6400 (DDR2-800), PC2-8000 (DDR2-1000),
PC2-8500 (DDR2-1066), PC2-9200 (DDR2-1150) y PC2-9600 (DDR2-
1200); hasta 4 GiB por mdulo).

- DIMM de 240 contactos, DDR3 SDRAM (tipos: PC3-6400 (DDR3-800),

PC3-8500 (DDR3-1066), PC3-10.600 (DDR3-1333), PC3-13.300 (DDR3-
1666), PC3-14.400 (DDR3-1800), PC3-16.000 (DDR3-2000); hasta 4 GiB
por mdulo).

Mdulos de memoria en formato DIMM (dos mdulos SDRAM PC133). Fuente http://karla-
garcia0.webnode.es/news/arquitectura-de-computadores/

Correccin de errores

Los ECC DIMM son aquellos que tienen un mayor nmero de bits de datos, los
cuales son usados por los controladores del sistema de memoria para detectar y
corregir errores. Hay multitud de esquemas ECC, pero quizs el ms comn es el
Corrector de errores individuales-Detector de errores dobles (SECDED) que usa
un byte extra por cada palabra de 64 bits. Los mdulos ECC estn formados
normalmente por mltiplos de 9 chips y no de 8 como es lo ms usual.

Organizacin

La mayora de mdulos DIMM se construyen usando "x4" (de 4) los chips de

memoria o "x8" (de 8) con 9 chips de memoria de chips por lado. "X4" o "x8" se
refieren a la anchura de datos de los chips DRAM en bits.

En el caso de los DIMM x4, la anchura de datos por lado es de 36 bits, por lo
tanto, el controlador de memoria (que requiere 72 bits) para hacer frente a las
necesidades de ambas partes al mismo tiempo para leer y escribir los datos que
necesita. En este caso, el mdulo de doble cara es nico en la clasificacin.

Para los DIMM x8, cada lado es de 72 bits de ancho, por lo que el controlador
de memoria slo se refiere a un lado a la vez (el mdulo de dos caras es de doble
clasificacin).

Filas de los mdulos

Las filas no pueden ser accedidas simultneamente como si compartieran el

mismo camino de datos. El diseo fsico de los chips [DRAM] en un mdulo DIMM
no hace referencia necesariamente al nmero de filas.

Las DIMM frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o de "doble lado",
refirindose a la ubicacin de los chips de memoria que estn en uno o en ambos
lados del chip DIMM. Estos trminos pueden causar confusin ya que no se
refieren necesariamente a cmo estn organizados lgicamente los chips DIMM o
a qu formas hay de acceder a ellos.

Por ejemplo, en un chip DIMM de una fila que tiene 64 bits de datos de
entrada/salida, solo hay conjunto de chips [DRAM] que se activan para leer o
recibir una escritura en los 64 bits. En la mayora de sistemas electrnicos, los
controladores de memoria son diseados para acceder a todo el bus de datos del
mdulo de memoria.

En un chip DIMM de 64 bits hecho con dos filas, debe haber dos conjuntos de
chips DRAM que puedan ser accedidos en tiempos diferentes. Slo una de las
filas puede ser accedida en un instante de tiempo desde que los bits de datos de
los DRAM son enlazados para dos cargas en el DIMM.

Las filas son accedidas mediante seales chip select (CS). Por lo tanto para un
mdulo de dos filas, las dos DRAM con los bits de datos entrelazados pueden ser
accedidas mediante una seal CS por DRAM.
RIMM [7]

Esta memoria conocida como Rambus Inline Memory Module (Mdulo de Memoria
en Lnea Rambus), designa a los mdulos de memoria RAM que utilizan una
tecnologa denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los
aos 1990 con el fin de introducir un mdulo de memoria con niveles de
rendimiento muy superiores a los mdulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133
MHz disponibles en aquellos aos.

Los mdulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas
frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa
metlica que recubre los chips del mdulo. Se basan en un bus de datos de 16
bits y estn disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700),
400 MHz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tena un
rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un
rendimiento similar al de un mdulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10
veces peores que la DDR.

Mdulo de memoria Rambus.

Inicialmente los mdulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores

basados en Intel Pentium 4. Rambus no manufactura mdulos RIMM si no que
tiene un sistema de licencias para que estos sean manufacturados por terceros
siendo Samsung el principal fabricante de stos.

A pesar de tener la tecnologa RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la

tecnologa SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo
de esta tecnologa no tuvo gran aceptacin en el mercado de PC. Su momento
lgido tuvo lugar durante el periodo de introduccin del Pentium 4 para el cual se
disearon las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos
ms econmicos decidi lanzar placas base con soporte para SDRAM y ms
adelante para DDR RAM desplazando esta ltima tecnologa a los mdulos RIMM
del mercado que ya no ofrecan ninguna ventaja.
DDR2: [8] es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de
tecnologas de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas
implementaciones de la DRAM.

Mdulo DDR2 de 1 GB con disipador

Los mdulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida
y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda
potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a
200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200
MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que
dentro de las memorias hay un pequeo buffer que es el que guarda la
informacin para luego transmitirla fuera del mdulo de memoria. En el caso de la
DDR convencional este buffer trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1
slo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4
bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin
necesidad de aumentar la frecuencia real de los mdulos de memoria.

Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR
convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las
DDR2 no es fcil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda
almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido
a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo
de trabajo por parte de los mdulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes
de poder enviar la informacin.

Caractersticas

Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate),
que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia
del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro
transferencias.
Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios
y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energa en aproximadamente el 50 por
ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2,5.

Terminacin de seal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminacin

integrada" u ODT) para evitar errores de transmisin de seal reflejada.

Estndares

Mdulos
Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de
memoria DIMM con 240 pines y una localizacin con una sola ranura. Las tarjetas
DIMM son identificadas por su mxima capacidad de transferencia, llamado ancho
de banda.

Nota: DDR2-xxx indica la velocidad de reloj efectiva, mientras que PC2-xxxx indica
el ancho de banda terico (aunque suele estar redondeado). El ancho de banda se
calcula multiplicando la velocidad de reloj efectiva por ocho, ya que la DDR2
(como la DDR) es una memoria de 64 bits, hay 8 bits en un byte, y 64 es 8 por 8 y
por ltimo por 2 (doble tasa de transferencia), esto se empez a usar para mostrar
la velocidad de transferencia frente a las memorias "Rambus" que eran ms
rpidas en sus ciclos de reloj operacin, pero solo eran de 16 bits

Algunos fabricantes etiquetan sus memorias DDR2-667 como PC2-5400 en vez de

PC2-5300. Al menos un fabricante ha reportado que esto refleja pruebas
satisfactorias a una velocidad ms rpida que la normal.

Variante GDDR2

El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnologa GDDR2 fue la

tarjeta grfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin embargo, es importante aclarar que
la memoria "DDR2" usada en las tarjetas grficas (llamada oficialmente GDDR2)
no es DDR2, sino un punto intermedio entre las DDR y DDR2. De hecho, no
incluye el (importantsimo) doble ratio del reloj de entrada/salida, y tiene serios
problemas de sobrecalentamiento debido a los voltajes nominales de la DDR. ATI
Technologies (ahora AMD) posteriormente ha desarrollado an ms el formato
GDDR, hasta el GDDR3, que es ms parecido a las especificaciones de la DDR2,
aunque con varios aadidos especficos para tarjetas grficas.

Tras la introduccin de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950
volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra usaba GDDR2 con una velocidad de 450
MHz (en comparacin con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la 5800
Ultra).

La Radeon 9800 Pro de ATI con 256 MiB de memoria (no la versin de 128 MiB)
usaba tambin GDDR2, porque esta memoria necesita menos pines que la DDR.
La memoria de la Radeon 9800 Pro de 256 MiB slo va 20 MHz ms rpida que la
versin de 128 MiB, principalmente para contrarrestar el impacto de rendimiento
causado por su mayor latencia y su mayor nmero de chips. La siguiente tarjeta, la
Radeon 9800 XT, volvi a usar DDR, y posteriormente ATI comenz a utilizar
GDDR3 en su lnea de tarjetas Radeon X800 hasta la mayora de la serie Radeon
HD 4000.

Actualmente, las tarjetas de nueva generacin usan el formato GDDR5; por parte
de ATi, las tarjetas de alto rendimiento, algunas series HD4000 (solo la hd4870,
hd4890 y la hd4770), las gamas medio-altas de las series HD5000 y HD6000,
utilizan GDDR5. Por parte de Nvidia, las tarjeta grficas de gama alta de las series
400 y 500.

Integracin

DDR2 se introdujo a dos velocidades iniciales: 200 MHz (llamada PC2-3200) y 266
MHz (PC2-4200). Ambas tienen un menor rendimiento que sus equivalentes en
DDR, ya que su mayor latencia hace que los tiempos totales de acceso sean hasta
dos veces mayores. Sin embargo, la DDR no ha sido oficialmente introducida a
velocidades por encima de los 266 MHz. Existen DDR-533 e incluso DDR-600,
pero la JEDEC ha afirmado que no se estandarizarn. Estos mdulos son,
principalmente, optimizaciones de los fabricantes, que utilizan mucha ms energa
que los mdulos con un reloj ms lento, y que no ofrecen un mayor rendimiento.

Actualmente, Intel soporta DDR2 en sus chipsets 9xx. AMD incluye soporte DDR2
en procesadores de la plataforma AM2 introducidos en el 2006.

Los DIMM DDR2 tienen 240 pines, mientras que los de DDR tienen 184 y los de
SDR 168.

DDR3: [9] es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de

tecnologas de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas
implementaciones de la SDRAM.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer
transferencias de datos ms rpido, y con esto permite obtener velocidades de
transferencia y velocidades de bus ms altas que las versiones DDR2 anteriores.
Sin embargo, no hay una reduccin en la latencia 1, la cual es proporcionalmente
ms alta. Adems la DDR3 permite usar integrados de 512 MiB a 8 GiB, siendo
posible fabricar mdulos de hasta 16 GiB. Tambin proporciona significativas
mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una
disminucin global de consumo elctrico.

Se prev que la tecnologa DDR3 puede ser dos veces ms rpida que la DDR2 y
el alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opcin para la
combinacin de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2,
4 y 6 ncleos por microprocesador). Las tensiones ms bajas del DDR3 (1,5 V
frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solucin trmica y energtica ms eficientes.

Estos son los estndares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:

GDDR3: La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnologa
completamente distinta, ha sido usada durante varios aos en tarjetas grficas de
gama alta como las series GeForce 6x00 ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada
como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como
"DDR3".

1
Recuerde que la latencia en las memorias RAM hace referencia a los retardos producidos en el acceso a los
diferentes componentes de esta. Estos retardos influyen en el tiempo de acceso a la memoria por parte de la
CPU, el cual se mide en nanosegundos.
DDR4 SDRAM: [10] es una abreviatura de double data rate type four synchronous
dynamic random-access memory es un tipo de memoria de acceso aleatorio
(Memoria RAM) de la familia de las DRAM usadas ya desde principios de 1970 y
sucesora de la DDR3 SDRAM, no es compatible con versiones anteriores por
diferencias en los voltajes, interfaz fsica y otros factores, tienen un gran ancho de
banda en comparacin con sus versiones anteriores, su lanzamiento fue en el ao
2012.

Sus principales ventajas en comparacin con DDR2 y DDR3 son una tasa ms
alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en
comparacin con DDR3 de 800M a 2.133MT/s. La tensin es tambin menor a sus
antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR33) DDR4 tambin
apunta un cambio en la topologa descartando los enfoques de doble y triple canal,
cada controlador de memoria est conectado a un mdulo nico.

VRAM [11]

Memoria grfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo

de memoria RAM que utiliza el controlador grfico para poder manejar toda la
informacin visual que le manda la CPU del sistema. La principal caracterstica de
esta clase de memoria es que es accesible de forma simultnea por dos
dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe informacin en ella,
mientras se leen los datos que sern visualizados en el monitor en cada momento.
Por esta razn tambin se clasifica como Dual-Ported.

En un principio (procesadores de 8 bits) se llamaba as a la memoria slo

accesible directamente por el procesador grfico, debiendo la CPU cargar los
datos a travs de l. Poda darse el caso de equipos con ms memoria VRAM que
RAM (como algunos modelos japoneses de MSX2, que contaban con 64 KiB de
RAM y 128 KiB de VRAM).

Qu elementos influyen en el uso de memoria VRAM? La respuesta se resume

en los siguientes puntos:

1. La resolucin que se vaya a utilizar: Actualmente los juegos se

renderizan con una profundidad de color de 32 bits por pxel, lo que se
traduce si se juega a 1080p un slo fotograma ocupa 8,3 MB, resultado de
multiplicar 32 x 1.920 x 1.080. Si se sube la resolucin a 4K la cifra
aumenta a 33,2 MB por fotograma.

2. Antialiasing: El suavizado de bordes tambin influye en la cantidad de

memoria de vdeo utilizada, ya que se necesita una mayor cantidad de
pxeles para cubrir y disimular los dientes de sierra y ello aumenta, por
tanto, el consumo de VRAM.

Esto quiere decir, en esencia, que se debe considerar una mayor cantidad de
memoria de vdeo si se va a jugar en altas resoluciones y a utilizar suavizado de
bordes. Tambin se debe tener en cuenta que actualmente el desarrollo de los
juegos tiende a un mayor uso de memoria de vdeo y que, por tanto, la
misma juega un papel muy importante.

En las tarjetas grficas actuales de gama alta, como las GTX 980-970 y Radeon
R9 290X-290, se cuenta con 4 GB de VRAM, que es un requisito indispensable,
ya que con estas soluciones grficas se utiliza alta resolucin y niveles de calidad
ultra que consumen una gran cantidad de memoria de vdeo. No es recomendable
la compra de estas tarjetas grficas si se va a jugar a resoluciones inferiores a los
2K o 1080p en algunos ttulos concretos.

En sntesis, esta memoria se encarga exclusivamente de almacenar datos

referentes a grficos, mientras una aplicacin grfica los solicite, esto permite que
la memoria principal RAM, se mantenga disponible para otros procesos. Aunque
hay que tener en cuenta que mientras la V-RAM no sea solicitada, esta se utilizara
como RAM por la computadora.

Tipos

SAM (serial access memory): el mdulo SAM (usualmente en la forma de un

registro linear) no es cambiado por los clculos y contiene los datos que van a ser
utilizados por el RAMDAC. Esto lo convierte en memoria secuencial, que al
contrario de la RAM de datos slo puede ser evaluada sucesivamente (de un
modo similar a una casete). La SAM puede seleccionarse mucho ms
rpidamente que la RAM, pues en principio no necesita clculos de
direccionamiento.

WRAM (Window RAM): es un tipo de VRAM equipada con lneas separadas de

lectura y escritura, que ofrece sin embargo tiempos rpidos de acceso y es barata
de producir. Por ejemplo, las tarjetas grficas Matrox MGA Millennium y la Number
Nine Revlution 3D "Ticket to Ride" usan WRAM.

SGRAM (Synchronous Graphics RAM): es una tecnologa relacionada con la

SDRAM single-ported. Accesos simultneos de lectura y escritura no son posibles.
Ofrece extensas funciones grficas (por ejemplo lecturas y escrituras bloque a
bloque) y altas frecuencias de reloj.

MDRAM (Multi-bank DRAM): est desarrollado como bancos de memoria

independientes, que estn conectados a un bus comn. Con esa estructura es
posible un alto grado de paralelismo. La tarjeta grfica Hrcules Dynamite 128
(GPU: TSENG ET6000) tiene 4 MB MDRAM.

CDRAM (Cache DRAM): es una mezcla de memoria esttica (SRAM) y memoria

dinmica (DRAM). Similar a la cach de los modernos procesadores, en la
CDRAM los datos frecuentemente usados se almacenan en la rpida SRAM, lo
que incrementa el rendimiento.

3D RAM: es un desarrollo de Mitsubishi consistente en mdulos de memoria que

adems integran una Unidad aritmtico lgica. Esto permite que algunas
operaciones grficas (por ejemplo test de Z-Buffer) puedan ejecutarse
directamente en la memoria grfica. Se puede encontrar este tipo de memoria en
los UltraSparc de Sun Microsystems.

GDDR-SDRAM (Graphics Double Data Rate SDRAM): es una memoria grfica

basada en DDR SDRAM, que se caracteriza por sus tiempos optimizados de
acceso y las altas frecuencias de reloj, es el tipo ms comn de memoria grfica a
da de hoy.

RAM extendida: En la actualidad, es frecuente ver equipos PC con la tarjeta

grfica incorporada en placa base o en el propio procesador, que en lugar de
disponer de un banco propio de memoria, se les asigna parte de los bancos de
memoria de la RAM de procesador. Suelen ser equipos orientados a tareas
ofimticas o servidores, donde la rapidez de los grficos no es algo crucial, como
en las estaciones CAD o los equipos para videojuegos. No obstante, pueden
presentar velocidades mayores que las de la anterior generacin de tarjetas
grficas.

RAMDAC [12]

Esta memoria denominada como Random Access Memory Digital-to-Analog

Converter (RAMDAC o convertidor digital-analgico de RAM), es la encargada de
transformar las seales digitales con las que trabaja el computador en una salida
analgica que pueda ser interpretada por el monitor, tal como se ilustra en la
siguiente figura.

Fuente. http://www.karbosguide.com/hardware/module7b1.htm

Est compuesto de tres DACs rpidos con una pequea SRAM usada en
adaptadores grficos para almacenar la paleta de colores y generar una seal
analgica (generalmente una amplitud de voltaje) para posteriormente mostrarla
en un monitor a color.

El nmero de color lgico de la memoria de pantalla es puesto en las direcciones

de entrada de la SRAM para seleccionar un valor de la paleta que aparece en la
salida de la SRAM. Este valor se descompone en tres valores separados que
corresponden a los tres componentes (rojo, verde, y azul) del color fsico deseado.
Cada componente del valor alimenta a un DAC separado, cuya salida analgica va
al monitor, y en ltima instancia a uno de sus tres caones de electrones (o sus
equivalentes en las pantallas sin tubo de rayos catdicos).

Memoria RAMDAC. Fuente http://www.datuopinion.com/ramdac

La longitud de una palabra en el DAC oscila generalmente en un rango de 6 a 10

bits. La longitud de la palabra de la SRAM es tres veces el de la palabra del DAC.
La SRAM acta como una tabla de bsqueda de color (Color LookUp Table o
CLUT en ingls). Tiene generalmente 256 entradas (lo que nos da una direccin
de 8 bits). Si la palabra del DAC es tambin de 8 bits, tenemos 256 x 24 bits de la
SRAM lo que nos permite seleccionar entre 256 a 16777216 colores posibles para
la pantalla. El contenido de la SRAM puede cambiar mientras que la pantalla no
est activa (durante los tiempos de blanqueo de la pantalla).

La SRAM puede usualmente ser puenteada y cargar los DACs directamente con
los datos de pantalla, para los modos de color verdadero. De hecho ste es el
modo habitual de operar del RAMDAC desde mediados de los 90, por lo que la
paleta programable se conserva como una prestacin heredada para asegurar la
compatibilidad con el viejo software. En la mayora de tarjetas grficas modernas,
puede programarse el RAMDAC con altas frecuencias de reloj en modos de color
verdadero, durante los cuales no se usa la SRAM.

En los modernos PC, los RAMDAC VGA estn integrados en el chip de vdeo, que
a su vez puede ir montado en tarjetas de ampliacin o directamente en la placa
madre del PC, como chip independiente o formando parte del chipset de la placa
(como ocurre con numerosos chipsets de Intel o NVIDIA), incluso de la propia
CPU (un chip de Cyrix). El propsito original del RAMDAC, proporcionar unos
modos grficos basados en CLUT, se utiliza raramente hoy en da, habiendo sido
sustituido por los modos true color. A medida que ganan popularidad y
prestaciones las pantallas TFT, LCD y otras tecnologas de pantallas digitales,
ms obsoleta se vuelve la parte DAC de los RAMDAC.

SRAM [13]

Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Esttica de Acceso Aleatorio

es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria
DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras est alimentada, sin necesidad
de circuito de refresco. Sin embargo, s son memorias voltiles, es decir que
pierden la informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica.

No debe ser confundida con la SDRAM (Syncronous DRAM).

Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la
memoria pueden ser escritas o ledas en cualquier orden, independientemente de
cual fuera la ltima posicin de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se
almacena en cuatro transistores, que forman un biestable. Este circuito biestable
tiene dos estados estables, utilizados para almacenar (representar) un 0 o un 1.
Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el acceso al biestable
durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM tpica utilizar seis
MOSFET para almacenar cada bit. Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos
de SRAM, que utilizan ocho, diez, o ms transistores por bit.1 2 3 Esto es utilizado
para implementar ms de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos
de memoria de video.

Un menor nmero de transistores por celda, har posible reducir el tamao de

esta, reduciendo el coste por bit en la fabricacin, al poder implementar ms
celdas en una misma oblea de silicio.

Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los
casos de tres transistores4 5 o uno solo se estara hablando de memoria DRAM,
no SRAM.

El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que

controla los dos transistores de acceso M5 y M6, quienes controlan si la celda
debe ser conectada a los buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir
datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no es
estrictamente necesario disponer de ambos buses, se suelen implementar para
mejorar los mrgenes de ruido.

A diferencia de la DRAM, en la cual la seal de la lnea de salida se conecta a un

capacitador, y este es el que hace oscilar la seal durante las operaciones de
lectura, en las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar dicha
seal, mientras que la estructura simtrica permite detectar pequeas variaciones
de voltaje con mayor precisin. Otra ventaja de las memorias SRAM frente a
DRAM, es que aceptan recibir todos los bits de direccin al mismo tiempo.

El tamao de una memoria SRAM con m lneas de direccin, y n lneas de datos

es 2m palabras, o 2m n bits.

Modos de operacin de una SRAM

Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operacin: standby, en el cual
el circuito est en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los datos
son ledos desde la memoria, y writing o en fase de escritura, durante el cual se
actualizan los datos almacenados en la memoria.

Reposo: Si bus de control (WL) no est activado, los transistores de acceso M5 y

M6 desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por
M1 M4 mantendrn los datos almacenados, en tanto dure la alimentacin
elctrica.
Lectura: Se asume que el contenido de la memoria es 1, y est almacenado en Q.
El ciclo de lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lgico, y luego
activa WL y los transistores de control. A continuacin, los valores almacenados
en Q y Q se transfieren a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y
ajustando BL a travs de M1 y M5 al 0 lgico. En el caso que el dato contenido en
la memoria fuera 0, se produce el efecto contrario: BL ser ajustado a 1 y BL a 0.

Escritura: El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de

datos. Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a 1 y BL a 0, mientras que para un
1, basta con invertir los valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus
WL, y el dato queda almacenado.

Aplicaciones y usos

La memoria SRAM es ms cara, pero ms rpida y con un menor consumo

(especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando
es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o
ambos. Debido a su compleja estructura interna, es menos densa que DRAM, y
por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos,
como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales.

Frecuencia de reloj y potencia: El consumo elctrico de una SRAM vara

dependiendo de la frecuencia con la cual se accede a la misma: puede llegar a
tener un consumo similar a DRAM cuando es usada en alta frecuencia, y algunos
circuitos integrados pueden consumir varios vatios durante su funcionamiento. Por
otra parte, las SRAM utilizadas con frecuencia baja, tienen un consumo bastante
menor, del orden de micro-vatios.

Usos de las SRAM

Como producto de propsito general:

Con interfaces asncronas como chips 32Kx8 de 28 pines (nombrados XXC256), y

productos similares que ofrecen transferencias de hasta 16Mbit por chip.

Con interfaces sncronas, principalmente como caches y otras aplicaciones que

requieran transferencias rpidas, de hasta 18Mbit por chip.

Integrados en chip:

- Como memoria RAM o de cache en micro-controladores.

- Como cache primaria en microcontroladores, como por ejemplo la familia
x86.
- Para almacenar los registros de microprocesadores.
- En circuitos integrados.
- En FPGAs y CPLDs.

Usos integrados en productos

Las SRAM se utilizan en sistemas cientficos e industriales, electrnica del

automvil, y similares. Tambin se pueden encontrar en prcticamente todos los
productos de uso cotidiano que implementen una interfaz electrnica de usuario.
Tambin se puede encontrar memorias SRAM en los computadores personales,
estaciones de trabajo, routers y la gran mayora de perifricos.

Uso de aficionados

Los que trabajan en electrnica prefieren las memorias

SRAM, debido a su sencilla interfaz, ya que es mucho
ms fcil trabajar con SRAM que con la DRAM, al no
existir ciclos de refresco, y poder acceder directamente a
los buses de direccin y de datos en lugar de tener que
utilizar multiplexores. Adems, las SRAM solo necesitan
tres buses de control: Chip Enable (CE), Write Enable
(WE), y Output Enable (OE). En el caso de las SRAM
sncronas, se tiene adems la seal de reloj (CLK).
Tipos de SRAM

SRAM no voltiles: Las memorias SRAM no voltiles (NVRAM) presentan el

funcionamiento tpico de las RAM, pero con la caracterstica distintiva de que los
datos almacenados en ellas son preservados aun cuando se interrumpe la
alimentacin elctrica. Se utilizan en situaciones donde se requiere conservar la
informacin almacenada sin necesidad de alimentacin alguna, normalmente
donde se desea evitar el uso de bateras (o bien no es posible).

SRAM asncrona: Las SRAM asncronas estn disponibles en tamaos desde 4Kb
hasta 32Mb.7 Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en
equipos de comunicaciones, como switches, routers, telfonos IP, tarjetas DSLAM,
y en electrnica de automocin.

Por tipo de transistor: Transistor Bipolar de Unin o BJT (de tipo TTL o ECL)
muy rpidos, pero con un consumo muy alto.

MOSFET (de tipo CMOS) consumo reducido, los ms utilizados actualmente.

Por funcin:

Asncronas independientes de la frecuencia de reloj.

Sncronas todas las operaciones son controladas por el reloj del sistema.

Memoria FRAM [14]

La memoria FRAM (RAM Ferroelctrica) es una

memoria de estado slido, similar a la memoria
RAM, pero que tiene un funcionamiento ms
parecido a las antiguas memorias de ferrita.

Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un

microscpico condensador, contiene dentro
molculas que preservan la informacin por medio
de un efecto ferroelctrico.

Caractersticas

- Tiempo de acceso corto: debido a su funcionamiento, tienen velocidades

(del orden de la centena de nanosegundos) que las habilitan para trabajar
como memoria principal con la mayora de los microprocesadores.
 - Lectura destructiva: como todas las memorias ferroelctricas, la lectura es
destructiva. Esto no representa un problema, ya que el chip se encarga de
reescribir los datos luego de una lectura.

- No voltiles: su funcionamiento hace prescindibles los refrescos y la

alimentacin para la retencin de datos.

- Encapsulados: se consiguen hoy en da tanto en variedades para trabajo en

paralelo (para conectar a un bus de datos) como en serie (como memoria
de apoyo).

Memoria de solo lectura [15]

La memoria de slo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en ingls de

read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y
dispositivos electrnicos, que permite slo la lectura de la informacin y no su
escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energa.

Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de

manera rpida o fcil. Se utiliza principalmente para contener el firmware
(programa que est estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco
probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el
funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha el
ordenador y realizan los diagnsticos.

En su sentido ms estricto, se refiere slo a mscara ROM -en ingls, MROM- (el
ms antiguo tipo de estado slido ROM), que se fabrica con los datos
almacenados de forma permanente y, por lo tanto, su contenido no puede ser
modificado de ninguna forma. Sin embargo, las ROM ms modernas, como
EPROM y Flash EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar
varias veces, aun siendo descritos como "memoria de slo lectura" (ROM). La
razn de que se las contine llamando as es que el proceso de reprogramacin
en general es poco frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se permite la
escritura en lugares aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la
ROM, los dispositivos reprogramables son ms flexibles y econmicos, por lo cual
las antiguas mscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a
partir de 2007.

Como la ROM no puede ser modificada (al menos en la antigua versin de

mscara), solo resulta apropiada para almacenar datos que no necesiten ser
modificados durante la vida de este dispositivo. Con este fin, la ROM se ha
utilizado en muchos ordenadores para guardar tablas de consulta, utilizadas para
la evaluacin de funciones matemticas y lgicas. Esto era especialmente
eficiente cuando la unidad central de procesamiento era lenta y la ROM era barata
en comparacin con la RAM. De hecho, una razn de que todava se utilice la
memoria ROM para almacenar datos es la velocidad, ya que los discos siguen
siendo ms lentos. Y lo que es an ms importante, no se puede leer un programa
que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la
BIOS, o el sistema de arranque oportuno del PC normalmente se encuentran en
una memoria ROM.

Fuente: http://www.fastweb.it/web-e-digital/che-cos-e-e-a-cosa-serve-la-memoria-rom/

No obstante, el uso de la ROM para almacenar grandes cantidades de datos ha

ido desapareciendo casi completamente en los ordenadores de propsito general,
mientras que la memoria Flash ha ido ocupando este puesto.

Velocidad
 - Velocidad de lectura: Aunque la relacin relativa entre las velocidades de
las memorias RAM y ROM ha ido variando con el tiempo, desde el ao
2007 la RAM es ms rpida para la lectura que la mayora de las ROM,
razn por la cual el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la
memoria RAM, desde donde es leda cuando se utiliza.

- Velocidad de escritura: Para los tipos de ROM que puedan ser modificados
elctricamente, la velocidad de escritura siempre es mucho ms lenta que
la velocidad de lectura, pudiendo requerir voltaje excepcionalmente alto,
movimiento de jumpers para habilitar el modo de escritura, y comandos
especiales de desbloqueo. Las memorias Flash NAND logran la ms alta
velocidad de escritura entre todos los tipos de memoria ROM
reprogramable, escribiendo grandes bloques de celdas de memoria
simultneamente, y llegando a 15 MB/s. La RAM Tiene una capacidad
Mxima de 128 MB UCV.

Memoria flash [16]

Esta memoria es derivada de la memoria EEPROM, y permite la lecto-escritura de

mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la
tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de
funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia, que
slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de
programacin. Se trata de la tecnologa empleada en los dispositivos pendrive.

Este tipo de memoria ofrece caractersticas como gran resistencia a los golpes,
bajo consumo y por completo silenciosas, ya que no contiene ni actuadores
mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor
determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su
ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que est orientado.
Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado
de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln, dependiendo de
la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su
borrado.

Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para
almacenar los 0s 1s correspondientes. Actualmente hay una gran divisin entre
los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de
archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias
basadas en ORNAND.

Los sistemas de archivos para estas memorias estn en pleno desarrollo aunque
ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR,
evolucionado a JFFS2 para soportar adems NAND o YAFFS, ya en su segunda
versin, para NAND. Sin embargo, en la prctica se emplea un sistema de
archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extrable.

Otra caracterstica ha sido la resistencia trmica de algunos encapsulados de

tarjetas de memoria orientadas a las cmaras digitales de gama alta. Esto
permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o
glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 C
hasta los 85 C.

Las aplicaciones ms habituales son:

El llavero USB que, adems del almacenamiento, suelen incluir otros servicios
como radio FM, grabacin de voz y, sobre todo como reproductores porttil de
MP3 y otros formatos de audio.

Las PC Card

Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografa
digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos.
Existen varios estndares de encapsulados promocionados y fabricados por la
mayora de las multinacionales dedicadas a la produccin de hardware.

Funcionalidades

Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un
transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente
slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas
tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por
celda variando el nmero de electrones que almacenan.

Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-

Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS
con un conductor (basado en un xido metlico) adicional localizado o entre la
puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos
en otra puerta (FG Floating Gate) o alrededor de la FG conteniendo los
electrones que almacenan la informacin.

Memoria flash de tipo NOR:

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los

electrones se encuentran en FG, modifican
(prcticamente anulan) el campo elctrico que
generara CG en caso de estar activo. De esta
forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0,
el campo elctrico de la celda existe o no.
Entonces, cuando se lee la celda poniendo un
determinado voltaje en CG, la corriente elctrica
fluye o no en funcin del voltaje almacenado en
la celda. La presencia/ausencia de corriente se
detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En
los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para
controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos
adecuadamente.

Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite
el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se
coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo
elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar
(poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar
estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso
de tunelado mecnico cuntico (leer sobre el efecto tnel cuntico). Esto es,
aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones,
convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abrir el terminal
sumidero, para que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que
provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un
voltaje tan alto.

Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en
ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques
enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta
razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM
convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es
necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido.

Memorias flash de tipo NAND: Las

memorias flash basadas en puertas lgicas
NAND funcionan de forma ligeramente
diferente: usan un tnel de inyeccin para la
escritura y para el borrado un tnel de
soltado. Las memorias basadas en NAND
tienen, adems de la evidente base en otro
tipo de puertas, un coste bastante inferior,
unas diez veces de ms resistencia a las
operaciones pero slo permiten acceso
secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las
memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin
embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de
memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se
borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la
creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB
o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.

Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND

Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de

las memorias tradicionalmente valorados.

La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante

mayor en las memorias NAND.
El coste de NOR es mucho mayor.
El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su
modificacin.
 En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto
destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben
modificar bloques o palabras completas.
La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a
NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte).
La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s
por pgina en NAND.
La velocidad de borrado para NOR es de 1 ms por bloque de 64 KB
frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND.
La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta,
es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene
bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND
que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden
bloques marcados como errneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero

carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad
imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se
busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo.

Tarjetero flash

Un tarjetero flash es un perifrico que lee o escribe en memoria flash.

Actualmente, los instalados en ordenadores (incluidos en una placa o mediante
puerto USB), marcos digitales, lectores de DVD y otros dispositivos, suelen leer
varios tipos de tarjetas.

Memoria flash 3D. Su creador Toshiba, se apoyan en la tecnologa BiCS, de la compaa, y

permite almacenar dos bits de datos en cada transistor, con lo que cada chip puede alcanzar
una capacidad de almacenamiento de hasta 16 GB. Tomado de
http://computerhoy.com/noticias/hardware/toshiba-presenta-memoria-flash-3d-mas-densa-del-
mercado-26245
Sistemas de archivos para memorias flash

Disear un sistema de archivos eficiente para las memorias flash se ha convertido

en una carrera vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos (NOR y NAND) son
tipos de memoria flash, tienen caractersticas muy diferentes entre s a la hora de
acceder a esos datos. Esto es porque un sistema de ficheros que trabaje con
memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND y, a
su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la
memoria de tipo NOR.

Las memorias Flash o SSD (solid state disck o en estado slido), que se estn imponiendo a los
discos duros tradicionales tienen un problema. Las celdas en las que se almacenan los datos van
degradndose con el tiempo y esto depende de una accin muy concreta: la escritura y el borrado
de informacin. Los ingenieros de Macronix han creado un mtodo para aumentar el nmero de
ciclos que puede soportar una memoria flash de 10.000 a 100 millones. Era de dominio pblico que
el calor incrementaba la longevidad de las celdas, pero haba que tener el chip a 250 grados
durante cuatro horas.

Fsicamente era imposible que sobreviviera una memoria flash a esa prueba de temperatura. La
solucin de Macronix consiste en que los chips se calienten a s mismos y lo hagan nicamente
sobre determinadas reas. Los dispositivos tendrn un nuevo diseo para acoplar unos
calentadores en el interior, que actuarn para alargar la vida til del almacenamiento. Fuente:
http://www.abc.es/tecnologia/20121203/abci-memoria-flash-macronix-201212031257.html

Cada uno de estos procesos es un ciclo y las memorias flash pueden soportar
hasta 10.000 de ciclos. En este punto se deterioran y no pueden almacenar
informacin. Por tanto, a medida que se borren datos y se vuelvan a rellenar las
celdas con otros nuevos menos capacidad de almacenamiento se conservar.

Un ejemplo podra ser un recolector de basura. Esta herramienta est

condicionada por el rendimiento de las funciones de borrado que, en el caso de
NOR es muy lento y, adems, un recolector de basura NOR requiere una
complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseo del sistema de
archivos. Comparndolo con los sistemas NAND, que borran mucho ms
rpidamente, estas limitaciones no tienen sentido.

Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques

errneos que pueden existir en NAND pero no tienen sentido en los sistemas NOR
que garantizan la integridad. El tamao que deben manejar unos y otros sistemas
tambin difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en cuenta. Se
deber disear estos sistemas en funcin de la orientacin que se le quiera dar al
sistema.

Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organizacin

interna de las memorias flash son JFFS (Journaling Flash File System) y YAFFS
(Yet Another Flash File System), ExFAT es la opcin de Microsoft.

Antecedentes de la memoria flash

Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la
computacin. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores
empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de
ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto.

Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las

clasificamos en funcin de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es
decir, memorias de slo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de
lectura/escritura.

Memorias de slo lectura.

ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramacin de

sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes
de forma masiva.

PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es

electrnico. Se puede grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a
diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricacin. Permite una
nica grabacin y es ms cara que la ROM.

Memorias de sobre todo lectura.

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir

varias veces de forma elctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es
completo y a travs de la exposicin a rayos ultravioletas (de esto que suelen
tener una pequea ventanita en el chip).
 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede
borrar selectivamente byte a byte con corriente elctrica. Es ms cara que la
EPROM.

Memoria flash: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el

borrado bloque a bloque y es ms barata y densa.

Memorias de Lectura/Escritura (RAM)

DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en

la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario
un proceso de refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM.

SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando

biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms
rpidas que las DRAM y ms caras.

El futuro del mundo de la memoria flash es bastante alentador, ya que se tiende a

la ubicuidad de las computadoras y electrodomsticos inteligentes e integrados y,
por ello, la demanda de memorias pequeas, baratas y flexibles seguir en alza
hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en caractersticas
como en coste. En apariencia, esto no pareca muy factible ni siquiera a medio
plazo ya que la miniaturizacin y densidad de las memorias flash estaba todava
lejos de alcanzar niveles preocupantes desde el punto de vista fsico. Pero con la
aparicin del MEMRISTOR (contraccin de las palabras "memoria" y "resistor") el
futuro de las memorias flash comienza a opacarse.

Un memristor, es un nuevo dispositivo de circuito electrnico. Aunque la resistencia a la memoria

es fundamental para toda la materia, tales dispositivos no son prcticos, excepto cuando se
fabrican a escala nanomtrica. (Cortesa: S. Williams)

El desarrollo de las memorias flash es, en comparacin con otros tipos de

memoria es sorprendentemente rpido, tanto en capacidad como en velocidad y
prestaciones. Sin embargo, los estndares de comunicacin de estas memorias,
de especial forma en la comunicacin con los PC son notablemente inferiores, lo
que puede retrasar los avances conseguidos.

Memristor flexible

El memristor es un componente elctrico pasivo de dos terminales no-lineales, que

relaciona la vinculacin de la carga elctrica con un flujo magntico. La operacin
de los dispositivos tipo RRAM est conectada con el concepto de memristor, en la
que hipotticamente se opera de la siguiente manera: la resistencia elctrica del
memristor no es constante sino que depende de la historia de la corriente que ha
fluido previamente a travs del dispositivo; es decir, la resistencia actual depende
de la cantidad de carga elctrica que ha fluido, y en qu direccin, a travs de l
en el pasado. [17] El dispositivo recuerda su historia, la llamada propiedad de no-
volatilidad. [18] Cuando el suministro de energa elctrica es desconectado, el
memristor recuerda su resistencia ms reciente, hasta que vuelva a ser
encendido. [19] [20]

En la actualidad, los memristores estn destinados a aplicaciones en memorias

nanoelectrnicas, lgica computacional y para arquitecturas computacionales
neuromrficas/neuromemristivas. [21] Esto implica que se espera que para el 2018
salgan al mercado los primeros dispositivos memristores que le hagan
competencia de las memorias DRAM y flash, entre otros.

Aunque los Memristores an estn en una fase de I&D, la memoria flash seguir
especializndose, aprovechando las caractersticas propias en cuanto a diseo y
construccin para funciones concretas. Supongamos una Arquitectura Harvard
para un pequeo dispositivo parecido a una extinta PDA; la memoria de
instrucciones estara compuesta por una memoria de tipo ORNAND (empleando la
tecnologa MirrorBit de segunda generacin) dedicada a los programas del
sistema, esto ofrece velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura en
modo rfaga con un costo energtico nfimo, que implementa una seguridad por
hardware realmente avanzada; para la memoria de datos se puede emplear
sistemas basados en puertas NAND de alta capacidad a un precio realmente
asequible. Slo queda reducir el consumo de los procesadores para PC actuales y
se dispondr de un sistema de muy reducidas dimensiones con altas prestaciones
que hoy en da sera la envidia de la mayora de los ordenadores de sobremesa.

Cualquier dispositivo con datos crticos emplear las

tecnologas basadas en NOR u ORNAND si se tiene
en cuenta que un fallo puede hacer inservible un
terminal de telefona mvil o un sistema mdico por
llegar a un caso extremo. Sin embargo, la electrnica
de consumo personal seguir apostando por las
memorias basadas en NAND por su reducido costo y
gran capacidad, como los reproductores porttiles de
MP3, reproductores de DVD porttiles. La reduccin
del voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la ms reducida), adems, de un
menor consumo, permite alargar la vida til de estos dispositivos. Con todo, los
nuevos retos sern los problemas que sufren hoy en da los procesadores por su
miniaturizacin y altas frecuencias de reloj de los microprocesadores.

Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante
CVS (Concurrent Version System) y cdigo abierto permiten un desarrollo
realmente rpido, como es el caso de YAFFS2, que, incluso, se ha conseguido
varios patrocinadores y hay empresas realmente interesadas en un proyecto de
esta envergadura. La integracin con sistemas inalmbricos permitir unas
condiciones propicias para una mayor integracin y ubicuidad de los dispositivos
digitales.

En la actualidad TDK est fabricando discos duros estndar con memorias flash
NAND que van de 128 GB a 500 GB, con un tamao similar al de un disco duro de
2,5 pulgadas, similares a los discos duros de los porttiles con una velocidad de
33,3 Mb/s en adelante. El problema de este disco duro es que, al contrario de los
discos duros convencionales, tiene un nmero limitado de accesos. Samsung y
Kingston tambin han desarrollado memorias NAND que superan los 500 GB, tal
como se expone ms abajo en este mismo apartado.

Por ejemplo, Apple present en el 2010 una versin de la computadora porttil

MacBook Air, cuyo disco en aquel entonces de estado slido era de 256 Gb,
actualmente (2017) se puede conseguir actualmente con un disco de 500 GB
 MacBook Air. Tomado de: http://www.ispazio.net/abbiamo-rilevato-che-utilizzi-adblocker

Una de las caractersticas ms resaltantes de este equipo es que no tiene disco

duro con partes mviles, sino una memoria flash, lo que la hace una mquina ms
rpida, ligera y ms delgada. Esta es caracterstica puntual de los equipos
porttiles que tienen SSD tal como se observa en la siguiente figura:

En la actualidad diferentes marcas de equipos porttiles ya se venden con

memoria de estado slido o flash que ya superaron el Terabyte acercndose al
Petabyte. El problema actual son los altos costos de esta tecnologa.

Un ejemplo del desarrollo de las SSD, lo dio Samsung en el 2016, en la que sac
al mercado memorias SSD de 16TB, con la posterior disminucin en los precios
para las unidades de 250 y 500 GB. El nuevo avance en cuanto a disminucin de
tamao y peso, lo representa la memoria PM971-NVMe de Samsung, que logra
almacenar hasta 512GB de memoria flash NAND, un controlador y memoria RAM
en un slo chip BGA que cuenta con dimensiones de 20x16x1.5 mm y un peso de
1 g, que puede ser montada directamente en placas para porttiles o tablets.

Las velocidades de esta memoria llega hasta los 1.5 Gbps en lectura y de 900
Mbps en escritura, que triplica el rendimiento de una unidad SSD SATA comn.
Chasis abierto de un disco duro tradicional (izquierda). Aspecto de un dispositivo SSD indicado
especialmente para computadoras porttiles (derecha). Tomado de:
https://es.wikipedia.org/wiki/Unidad_de_estado_s%C3%B3lido

Para el ao 2017 y 2018, la memoria se producir con chips de 20 nm NAND, con

la incorporacin de 4 GB de RAM LPDDR4 que acta como memoria cach.

En trminos de tamao, la diferencia de esta tecnologa con las anteriores es

abismal, tal como se ilustra en la siguiente figura:

Tomado de: https://www.xataka.com/componentes/la-nueva-memoria-ssd-de-512gb-de-samsung-

se-encoge-y-ahora-solo-pesa-1-gramo

En el mercado existen otras opciones de discos SSD de 10 y 13 TB, por lo que se

establece que la escalabilidad tecnolgica va a proseguir, esto siempre y cuando
el costo vaya disminuyendo. Por ejemplo, el coste del modelo de 13 TB es de
cerca a los 19.000 dlares en el 2016, es decir, por GB se paga 1,46 dlares.
Cabe destacar que la unidad SSD de 15,36TB es otra alternativa comercial con el
nuevo diseo de chips 3D V-NAND de Samsung, esta est disponible en
capacidades de 480 y 960 GB, 1,92, 3,84 y 7,68 TB, siendo sta ltima la que
tambin llega con este lanzamiento a un precio cercano a los 6000 dlares.

HDD Seagate de 12TB con helio

Aunque los SSD estn conquistando el mercado gradual e inexorablemente, an

hay sitio para las unidades de disco duro tradicionales, que se mantienen en el
mercado con nuevos avances.

En el 2017 sali al mercado las nuevas Seagate Enterprise Capacity v7, de 3,5
pulgadas con una capacidad de 12 TB, que supera a las SSD.

Las nuevas unidades de Seagete cuenta con tecnologa de helio, pero esa
sptima generacin tambin ha pulido diversas caractersticas para reducir el
nmero de errores, el impacto de la vibracin en componentes internos al igual
que la seguridad y resistencia de estos dispositivos.

En ellas tambin se va a encontrar tecnologas que hacen que el consumo

energtico en estado de inactividad sea menor y n nuevo sistema llamado
PowerBalance, que permite a los operadores de centros de datos balancear el
consumo de las unidades y el rendimiento en IOPS (Input/Output operations per
second).

Las unidades cuentan con tasas de transferencia sostenidas mximas de 261

MB/s, muy lejos de las unidades SSD NVMe M.2 que pueden llegar a multiplicar
por 10 esas tasas. Aun as este tipo de productos estn destinados a otros
escenarios totalmente distintos, solo queda esperar a que esas capacidades
lleguen tambin a unidades para el usuario final y no solo para la empresa.

El precio de las unidades de 10 TB es del orden de los 500 dlares, por lo que se
ha de esperar que los nuevos modelos tengan un costo ms elevado.
 Tomado de: http://www.taringa.net/posts/info/19814443/Seagate-se-rie-de-los-SSD-y-presenta-
HDD-de-12TB-con-helio.html

Crossbar Memory

Es una tecnologa que logra velocidades de transferencia compatibles con las

DRAM, pero en menor tiempo y con altas densidades de flujo de informacin. El
nombre de Crossbar hace referencia a la empresa que la est desarrollando,
donde trabaja su creador Wei Lu.

Los primeros chips con memoria de alta densidad se ubican en el rango de los 16
GB en tan solo 144 mm2. Su construccin se basa en el uso de estructuras a
nanoescala con dos capas de electrodos, que permiten almacenar informacin en
las uniones hechas de silicio.
Imagen de la estructura fsica de la memoria crossbar. Tomado de
https://www.xataka.com/componentes/crossbar-memory-40-veces-mas-densa-que-las-memorias-
actuales

Esta tecnologa es una de las alternativas a futuro en cuanto a su longevidad, en

comparacin a las memorias basadas en arquitecturas 3D. Tanto las memorias
3D, las Crossbar y las de tipo Memristor son las opciones para la siguiente
dcada, donde la nanotecnologa juega un papel fundamental en ello.

RaceTrack [22]

IBM est investigando y diseando un dispositivo, an en fase experimental,

denominado RaceTrack. Al igual que los SSD, son memorias no voltiles basadas
en nanohilos compuestos por nquel, hierro y vrtices que separan entre s los
datos almacenados, lo que permite velocidades hasta cien mil veces superiores a
los discos duros tradicionales, segn apunta la propia IBM.

Chip de memoria prototipo de IBM. Supera a cualquier sistema de memoria actual en cuanto a
velocidad, capacidad y durabilidad. Fuente de la imagen. http://www.bbc.com/news/technology-
16047098

En la siguiente imagen se muestra un comparativo de los tipos de memoria

existentes, en desarrollo y a futuro.
Tomado de: https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/51143/000110465913015897/a13-
6155_28k.htm

Memoria Hologrfica [23]

Antes de hablar de la memoria holografa, toca hablar del holograma, que es

bsicamente una tcnica ptica, que consiste en registrar la imagen de un objeto
mediante la interseccin de dos haces de rayo lser, que se aplican sobre el
objeto, de forma ortogonal hasta cubrir sus dimensiones tridimensionales. Las
interferencias producidas se plasman de manera redundante sobre la superficie y
en el interior de un soporte o volumen (generalmente fotopolmeros o cristal). 2

La holografa forma parte del comn de muchos videojuegos disponibles en el mercado. En la que
cada vez se acerca la tecnologa a recrear imgenes de alta calidad

2
NA.
La memoria hologrfica o almacenamiento de datos hologrficos es una nueva y
potente tecnologa dentro del rea del almacenamiento de datos de gran
capacidad actualmente dominada por el convencional almacenamiento de datos
pticos y magnticos, estos dispositivos se basan en bits individuales que son
almacenados magnticamente o a travs de cambios pticos en la superficie del
soporte de grabacin. La memoria hologrfica supera estas limitaciones grabando
la informacin a lo largo de todo el soporte y es capaz de almacenar mltiples
imgenes en la misma zona usando luz y ngulos diferentes.

Adicionalmente, mientras que los soportes que almacenan datos pticos y

magnticos graban un bit de informacin en una vez de forma lineal, los
hologrficos son capaces de grabar y leer millones de bits en paralelo, que
permiten tasas de transferencia de datos superiores a los alcanzados a travs de
medios pticos de almacenamiento.

La memoria hologrfica captura la informacin usando un patrn de inferencia

ptica con un denso material ptico fotosensitivo. La luz de un slo lser se divide
en dos haces de luz, uno de referencia y otro de seal; para su almacenamiento
se usa un modulador de luz espacial codificando la seal de los datos. A causa del
cruce entre ambos haces, se forma un patrn de inferencia ptica, generando un
cambio qumico o fsico en el soporte fotosensitivo; los datos obtenidos son
representados en un patrn ptico de pxeles oscuros y luminosos.

El almacenamiento de datos en tres dimensiones podr guardar informacin en un espacio ms

pequeo, y ofrecer tiempos de transmisin de datos mucho ms rpidos. Veremos a continuacin
cmo ser la memoria hologrfica en los prximos aos y lo que costar crear una versin para
ordenador de este sistema de almacenamiento de alta densidad. Figura tomada de
http://www.ordenadores-y-portatiles.com/memoria-holografica.html

Ajustando el ngulo del haz de referencia, longitud de ondas, o posicin media,

una multitud de hologramas (tericamente, varios miles) pueden ser almacenados
en un nico soporte. Las limitaciones tericas de la densidad de almacenamiento
en este medio son aproximadamente de decenas de Terabits (1 Tb = 1024
Gigabits/Gb, 1024 Megabits/Mb = 1 Gigabyte/GB) por centmetro cbico. En 2006,
InPhase se anunci una capacidad de almacenamiento de alrededor de 500
Gb/in2 [24], que en la actualidad se ha triplicado aproximadamente esta capacidad.

Los datos almacenados son ledos a travs de la reproduccin del mismo haz de
referencia usado para crear el holograma. La luz del haz de referencia es
enfocada en el material fotosensitivo, iluminando el patrn de inferencia apropiado,
se produce una difraccin de luz en el patrn de inferencia, proyectndolo sobre el
lector. El lector es capaz de leer los datos en paralelo, alrededor de un milln de
bits a la vez. Se pueden acceder a los archivos de un disco hologrfico en menos
de 200 milisegundos. [25]

La memoria hologrfica puede proporcionar a las empresas un potente mtodo

para archivar informacin en formatos no regrabables o de una sola escritura
impidiendo as que la informacin sea sobreescrita o borrada.

A continuacin un cuadro comparativo que presenta, a modo de resumen, las

diferencias entre los distintos sistemas de almacenamiento. Slo la memoria
temporal o memoria RAM es ms rpida en cuanto a tiempo de acceso (160
Mb/seg.) y tiene mayor tasa de transferencia que los dispositivos hologrficos,
pero carece de la capacidad para almacenar permanentemente. [26]

Los fabricantes creen que dicha tecnologa puede proporcionar un

almacenamiento de datos seguros durante 50 aos, por encima de muchos
soportes actuales. Por el contrario la tecnologa de los lectores de datos
evoluciona rpidamente pudiendo alargar la duracin del soporte 50 aos ms.
[27]

La holografa todava tiene que resolver algunas cuestiones pendientes. Se est

investigando cmo conseguir un equilibrio entre la funcionalidad del rayo de
referencia y su tamao, demasiado grande an si se piensa desde un punto de
vista comercial.

El otro punto dbil son los materiales de grabacin. Existen dificultades para
conseguir cristales y fotopolmeros de gran tamao y/o espesor. En el caso de los
cristales se exige que ese tamao vaya acompaado de una buena calidad ptica
[Boyles, 2000].

Otras desventajas que tienen los actuales productos de almacenamiento

hologrfico son:

El precio

Alto costo comercial, que lo hace todava no competitivo.

Es una nueva herramienta que sustituira a las anteriores sin posibilidad de

compatibilidad.

Su capacidad de almacenamiento y reproduccin sin prdida de calidad

vendrn dadas por el tipo de material. Debe no ser voltil para que el
holograma perdure.

El material utilizado debe ser econmicamente competitivo (caresta del

producto).

La regrabacin

No es posible actualizar datos sin regrabar todo el holograma. La tcnica

hologrfica no permite modificar slo una parte del holograma dada su
caracterstica de redundancia. No hay que olvidar que todo lo registrado en el
soporte tiene intensidad, ngulo y forma de grabacin, no se puede regrabar
por partes. Este inconveniente se est solventando con los hologramas
multiplexados. No obstante, se sigue trabajando en la obtencin de grabadoras
y reproductores hologrficos que tengan un tamao y un precio competitivos en
el mercado.

Por su novedad, todava no hay normas que regulen los soportes de

grabacin hologrficos ni que permitan el intercambio entre instrumentos de
grabacin.

La capacidad de almacenar datos en cualquier formato, esttico y en movimiento,

abre para los hologramas numerosas aplicaciones relacionadas con el mundo de
la documentacin. Como documentos capaces de albergar informacin, la
holografa es especialmente til para determinadas temticas. Un ejemplo de esto
es la NTT (Nippon Telephone & Telegraph) que desarroll una tecnologa
hologrfica para grabar 30 horas de imgenes en movimiento en un soporte de
cristal del tamao de una ua [Enteleky, 2003]. Y tambin el trabajo realizado por
el MIT Media Lab Spatial Imaging Group, que trabaja con el holovideo (video
electrohologrfico) en tiempo real.

Entre otros aspectos este equipo trabaja, desde 1990, programas para mejorar el
holovideo y la compresin hologrfica de banda ancha para transmitir a travs de
red [Lucente, 1998]. En medicina, antropologa y arquitectura, la holografa se
utiliza tanto para el diseo como para la muestra de maquetas [Orazem, 1992].

Otras posibles aplicaciones de los sistemas hologrficos de almacenamiento de

datos seran las comunicaciones de satlite, el reconocimiento de transmisiones
areas, las bibliotecas digitales de alta velocidad, el almacenamiento masivo para
vehculos tcticos y el procesamiento de imgenes para propsitos mdicos,
militares y/o de video.

Prototipos de sistemas hologrficos de informacin

Los esfuerzos llevados a cabo, desde los comienzos hasta el presente, nos
muestran la evolucin tecnolgica y el inters que existe por almacenar
hologrficamente la informacin.

Durante la dcada de los 70 se tuvo una orientacin documental ms definida

(sustitucin de microformas por hologramas, almacenamiento de documentacin
cartogrfica, etc.). A partir de los aos 80 importa ms el formato de la informacin
(imagen, sonido, etc.). El objetivo es almacenar hologrficamente todo tipo de
informacin. Ya en los 90, la holografa se utiliz para todo tipo de sistemas de
seguridad y autentificacin.

La biblioteca hologrfica. Considerada como la biblioteca del futuro, este

proyecto de la dcada de los 70 tuvo lugar en Tianjin Microform Technique
Corporation, y constaba de un ordenador y un scanner pequeo para fichas. El
scanner mostrara, imprimira y enviara informacin bibliogrfica de la ficha a
travs del ordenador. El problema era el costo. Era necesario desarrollar
tcnicas para obtener fichas, a gran escala y ms baratas, y tambin un lector
de libros informtico.

Prototipo HRMR (Human Read/Machine Read) [Maugh, 1979 en Nelson].

Propuesto en la empresaHarrisIntertype Corp., de Melbourne. Se trata de un
subsistema del sistema de memoria masiva de microfilm que combina el
almacenamiento hologrfico de datos digitales y de imgenes en el mismo
medio. Estas caractersticas, junto con la capacidad y densidad de
almacenamiento, permitan guardar y recuperar informacin cartogrfica
[Nelson, Vander Lugt y Zech, 1974].

Sistema de recuperacin de informacin hologrfico. Esta experiencia

sovitica tuvo lugar a finales de los aos 70 y demostr que se reduca el
tiempo de bsqueda y que era asequible para el usuario. Las descripciones
que elaboraba el VINITI mensualmente se almacenaban hologrficamente. La
bsqueda se realizaba a travs de matrices hologrficas, de manera similar a
como se hacan las fichas perforadas, y se grababan en microhologramas.
Estas matrices enlazaban con los datos de localizacin de los documentos
incluidos en el fichero inverso.
 Holografia en el aire.Tomado de: http://www.nferias.com/servicios-audiovisuales/alqtecnology-
iris-produccion-s-a/

Almacenamiento hologrfico para el reconocimiento ptico de huellas

digitales. Se est llevando a cabo en el National Institute of Standards and
Technology (NIST). Las huellas digitales se graban mediante un SLM (Spatial
Light Modulator) y se transforman mediante el mtodo Fourier en hologramas
tridimensionales. Posteriormente, y a travs de una red neuronal, se
diferencian las huellas con un proceso de coincidencia muy minucioso.

Todos estos experimentos utilizaban en mayor o menor medida la holografa.

Pero realmente no se puede hablar de un almacenamiento hologrfico sino
hasta la dcada de los 90.

Sistema digital total de Stanford (1994). Se trata del primer sistema

completamente automatizado de almacenamiento hologrfico de datos,
concretamente de imgenes, con banda sonora. Se demostr que podan
usarse componentes electrnicos y pticos del mercado, y se aplic una nueva
tcnica de codificacin que procesaba las seales digitales de manera que se
reduca el "ruido" y aumentaba la capacidad de almacenamiento [Heanue en
Orlov 2000].

La naturaleza de la tolerancia del ruido en el almacenamiento hologrfico de datos

nace para subsanar los problemas asociados con las fuentes de ruido. Adems,
fue el primer estudio efectuado sobre tasas de error en la transferencia de datos
(ruido). Este sistema se compona de un medio de almacenamiento que, consista
en un cristal de litio niobado con una pelcula de hierro. Se divida la superficie en
C ejes en un ngulo de 45 grados. Como los hologramas grabados con
anterioridad podan borrarse con los que se grabaran despus, se incluy un
esquema de grabacin que permita almacenar de manera eficiente un gran
nmero de pginas con una difraccin igual. La tcnica de codificacin consista
en escribir una secuencia de pixeles offon en el SLM para representar el 0, y
de onoff para el 1.

Sistema completamente automatizado Siros [InPhase] Fue sta la primera

demostracin de un sistema de almacenamiento hologrfico controlado
completamente de manera electrnica y automtica. La arquitectura electrnica
del sistema se bas en un tecnologa de bus y un conjunto de herramientas
reprogramables denominadas, manera lgica, "puertas programadas por
campo" (FPGA,FieldProgrammable Gate Array).

Una vez que se ha demostrado que la grabacin, recuperacin y organizacin de

informacin almacenada en hologramas son posibles, la investigacin se centra
fundamentalmente en las unidades y soportes de lectura y escritura de esos
hologramas y en la manera de procesar y codificar los datos para su grabacin.

Tipos de memorias hologrficas

Una vez conocida la tcnica de la holografa aplicada al almacenamiento de datos

cmo puede sta aplicarse al campo de la informacin y la documentacin? No
se trata de la imagen de un libro, sino de su contenido. Para ello nos
aprovechamos de la capacidad de la holografa para almacenar objetos
tridimensionales.

Todo sistema hologrfico de grabacin se basa en la multiplexacin, que permite

incluir en un mismo soporte o volumen ms de un holograma; utiliza una de las
caractersticas del almacenamiento hologrfico, la recuperacin asociativa.

Si se buscaran en un dispositivo de almacenamiento convencional todos los

registros que comparten una determinada caracterstica, recuperaramos el
registro en la RAM, y la bsqueda se realizara con un programa de aplicacin que
mirara en todos y cada uno de los documentos. Con el almacenamiento
hologrfico, este proceso puede llevarse a cabo en la propia memoria.

En lugar de reconstruir pginas de datos con un rayo de

referencia, el patrn de datos que nos interese se coloca en
el SLM, y se enfoca al punto de almacenamiento concreto
con el haz de seal. Todos los rayos de referencia se usan
para almacenar los hologramas de esa pila, y se
reconstruyen. La intensidad de cada rayo es proporcional a
la correlacin entre el patrn de datos original almacenado y
el patrn de datos del rayo de seal que examina. Una vez
que el haz de referencia enfoca, en un "plano de correlacin", a un conjunto, el
ngulo del haz de referencia ser el que corresponda para que puedan
identificarse los hologramas pertinentes. El rayo de referencia puede reconstruir
los hologramas fuera de la cmara. El proceso de bsqueda y recuperacin puede
durar unos 5 milisegundos.

El sistema de multiplexacin utilizado es lo que diferenciar los tipos de memorias

hologrficas [Psaltis, 2001].

Memoria de acceso aleatorio hologrfico (HRAM)

En las HRAM (Holographic RandomAccess Memory), los rayos de referencia y

de datos (objeto) se dirigen a un volumen que contiene mltiples localizaciones de
almacenamiento. Los rayos pticos se dirigen muy rpidamente con escneres
pticos no mecnicos, la mayora de estos los cuales utilizan un deflector
acsticoptico o un SLM de cristal lquido unidimensional. Un sistema HRAM
puede leer hologramas desde cualquier localizacin en una secuencia
esencialmente aleatoria.

Una de las escenas favoritas de Star Wars, es la proyeccin hologrfica que realiza R2-D2. Fuente
de imagen http://www.enter.co/chips-bits/gadgets/este-proyector-de-hologramas-de-star-wars-
causaria-sensacion/

La fotosensibilidad de la mayora de los cristales fotorefractivos es relativamente

baja, por lo que la velocidad de grabacin est ligeramente por debajo que la de
lectura. Adems, resulta casi imposible cambiar el estado de un solo pixel de un
holograma. Se podra sustituir un determinado holograma dentro de una pila de
hologramas, pero el proceso no es sencillo.
Por lo tanto, un sistema HRAM no es realmente un sistema de memoria de
lecturaescritura, sino ms bien una memoria de un borrado y mltiples lecturas.

Este sistema se ajusta a aquellas aplicaciones que requieran almacenar gran

cantidad de datos casi permanentes y con una alta rapidez de lectura y
transferencia. Algunos ejemplos seran, el almacenamiento de pelculas, copias de
servidores web.

Un inconveniente del sistema es que el nmero de localizaciones a las que tiene

acceso est limitado a la ptica de la direccin del rayo lser.

Memoria hologrfica modular compacta

Se trata de una alternativa que mejora los sistemas HRAM. La memoria

hologrfica modular compacta toma el mismo conjunto de pixeles para la
grabacin y la recuperacin, en el y del soporte de grabacin. Se dirige a la misma
localizacin volviendo sobre los pasos de la trayectoria que ha seguido el rayo
lser, lo que devuelve la direccin original de la seal, al SLM. Esto permite utilizar
lentes ms baratas o incluso no tener que utilizarlas. Si cada pxel del SLM es a la
vez modulador y detector lumnico, todo el dispositivo de almacenamiento se
podra reducir y elaborar sin partes mviles y se compondra de varios mdulos
(ver figura).

Cada mdulo tiene un aspecto parecido a una memoria RAM, pero con la sutil
diferencia de que puede almacenar 25 hologramas, segn demostraron en la
empresa Caltech. Para contrarrestar la erosin en el cristal fotorefractivo, se le
aade a cada pxel la orden de que, peridicamente, detecte y refresque los
hologramas. Esto permitira que el sistema fuera ms flexible y no obligara a tener
hologramas de manera permanente, y se podran borrar hologramas de un grupo
de ellos.
En un sistema modular, el costo por megabyte depende de un conjunto de pixeles
"inteligentes" y dos ngulos compactos dirigidos (uno para el haz de escritura y
otro para el de lectura). Se puede recuperar de manera asociativa, pero hay que
aadirle otro detector por mdulo aumentando el nmero de pixeles mientras se
mantiene el costo del conjunto detector y el ngulo baja, lo cual es la clave para
poner en marcha esta arquitectura.

Discos hologrficos 3D

Esta opcin se centra ms en los materiales de almacenamiento. El disco se

compone de una capa de un milmetro de espesor. Los hologramas se almacenan
en cada ubicacin de la superficie del disco. Estas localizaciones se organizan a lo
largo de las pistas radiales. Con el movimiento del cabezal se selecciona la pista y
la rotacin del disco le da acceso a cada pista.

Se puede utilizar la multiplexacin por ngulo en los hologramas multiplexados

sobre un disco hologrfico, igual que en la arquitectura HRAM. No obstante, el
escner de ngulo necesitara un cabezal de lectura muy grande y pesada como
para poder obtener un acceso rpido a los hologramas de las diferentes pistas
radiales. Para que esto no pase, se puede utilizar un rayo convergente o esfrico
como rayo de referencia. Esto permitira tener un rayo de referencia de ngulos
simultneamente en todas las pistas, y no de una en una. Esto aumentara
sensiblemente la velocidad de lectura.
General Electric desarrollo una grabadora de discos pticos hologrficos capaz de escribir 500 GB
de datos en un disco del mismo tamao fsico que un DVD, aproximadamente a la misma velocidad
que la tecnologa Blue Ray. Tomado de. http://www.marisolcollazos.es/noticias-
informatica/?p=3597

Adems los discos hologrficos permiten sistemas de lectura y regrabacin o de

solo lectura. En el primer caso, los sistemas WORM incorporan un SLM
convirtiendo el cabezal de lectura en uno de lectura/escritura. En este caso el
proceso de grabacin se basa en las reacciones qumicas de los fotopolmeros,
que son el material de grabacin de los discos 3D.

Las aplicaciones ROM son similares a las de la HRAM, pelculas, audio, juegos de
ordenador y dems informacin de slo lectura [Psaltis, 2001].

El cuadro siguiente compara estas tcnicas; sin embargo, hay que hacer constar
que se trata de prototipos que an estn en fase de experimentacin y mejora.
Discos Hologrficos Verstiles (HVD)

Parten de los hologramas de color [GarcaSantiago, 2000] y los estudios sobre

ellos han variado, al igual que las compaas investigadoras. InPhase se funda en
el ao 2000 con la fusin de las empresas Lucent Technologies Venture, New
Venture Partners LLC, Signal Case, Madison Dearborn Patners, Hitachi Maxwell
Ltd., Imation Corporation y New Technology Partners. InPhase deba mostrar su
sistema hologrfico de grabacin de video Tapestry a finales de 2003. Se espera
que las capacidades de almacenamiento en los discos Tapestry de una sola
escritura, alcancen los 100 Gb, con una tasa de transferencia de 20 Mbps [11].

Un holograma se diferencia bsicamente de una fotografa normal en que no slo registra la

distribucin de intensidades de la luz reflejada, sino tambin la de fases. Es decir, la pelcula es
capaz de distinguir entre las ondas que inciden en la superficie fotosensible hallndose en su
amplitud mxima, de aquellas que lo hacen con amplitud mnima. Esta capacidad para diferenciar
ondas con fases distintas se logra interfiriendo un haz de referencia con las ondas reflejadas.
Tomado de: http://www.cienciafacil.com/Hologramas.html
La empresa japonesa Optware ha conseguido la primera grabacin y reproduccin
del mundo, de pelculas en un disco hologrfico transparente y quiere sacar al
mercado HVD (Holographic Versatile Disc) Players, Readers yWriters en el ao
2006 para el uso de las grandes empresas. Unas versiones ms baratas saldrn al
mercado en el 2007.

La empresa ha desarrollado un sistema hologrfico colineal de almacenamiento de

datos, que utiliza un lser verde de 532 nm para poder leer los datos hologrficos
de un disco de 12 cm. Los dos rayos, el de referencia y el del objeto, interfieren
entre s dentro de la capa de grabacin del disco y guardan los datos. Debajo de
esa capa hay otra capa ms, preformateada, que guarda los datos servo y que
se lee con un lser rojo. Esto permite hacer un seguimiento preciso del disco.

Entre la capa de datos y la de servo se encuentra un espejo que refleja el lser

verde, pero que es transparente para el lser rojo. Este espejo es capaz de parar
la disipacin de la luz dentro del disco, que podra causar un aumento en el ruido y
baja calidad de la seal.

Para las empresas estos aparatos costarn aproximadamente 20000 dls e

inicialmente se utilizaran HVD de 200 Gb, que costarn 100 dls cada uno.

Sistema de lectura de 1Gb y 100 Mb de capacidad, de Stanford y Siros

Para los medios con espesor (p. ej. el litio niobado), la capacidad geomtrica de
los 90 grados est limitada, generalmente, por la dinmica y el ruido del soporte
ms que por las interferencias de la multiplexacin. En cambio los medios planos
(ej. los fotopolmeros), no tienen esta limitacin y el nmero de hologramas que se
pueden superponer en una localizacin est determinado por el nmero de grados
de libertad disponibles para la multiplicacin.

Imagen hologrfica, en la que se destaca el color e imagen realista.

Una multiplexacin angular en la geometra de transmisin no permite una
suficiente densidad de almacenamiento de los datos, por lo que son necesarias
otras tcnicas de multiplicacin. Por eso DARPA fund el consorcio PRISM que ha
utilizado medios de almacenamiento con espesor (tambin denominados
volmenes) y grabado con lser pulsado, con lo que ha obtenido grandes logros,
junto con los esfuerzos de la empresa Polaroid y su filial Aprilis. Y para grabar,
mientras el disco estaba en constante rotacin, se present una nueva tcnica de
multiplexacin basada en un rayo de referencia que modula su fase.

Desarrollo, modelado, animacin 2D y 3D para feria internacional IMOCOM. Pantalla hologrfica

2.4m x 1.10m con soportes y base mimetizada. Tomado de:
http://davincipublicidadymedios.com/work/pantallas-holograficas/

Este sistema se compone de una cmara de video digital y un visualizador de

cristal lquido IBM que le sirven como detectores, ms un componedor de pginas.
Un disco hologrfico de fotopolmero est en constante rotacin en un eje, sobre el
que recibe los pulsos. Con la sincronizacin electrnica, se pueden dirigir las
diferentes posiciones angulares; las radiales necesitan un dispositivo que mueva
el disco y el eje verticalmente [Orlov, 2000].

El Tratamiento documental de los hologramas

Toda la documentacin artsticomusical, mdica, qumica, arquitectnica,

etctera, ha conseguido aprovecharse de las ventajas de la tridimensionalidad que
permite la holografa. Ya en los aos 60 se vio el potencial educativo de la
holografa, lo que motiv a Upatnieks y Leith del Departamento de Ingeniera
elctrica de la Universidad de Michigan y al Instituto de Investigacin
Medioambiental de Michigan (ERIM), a construir el primer modelo de lector de
hologramas bibliotecario. ste, parecido a una televisin o a un lector de
microformas, constaba de una pantalla en la que apareca la imagen localizada en
la pelcula. El rayo lser de baja potencia se refleja fuera de los espejos de la caja
para reconstruir la imagen virtual que se encuentra almacenada en la pelcula
dentro de la caja. As, da la sensacin de que el objeto se encuentra tras la
pantalla.
Desde la perspectiva del tratamiento de hologramas, la conservacin vendr
totalmente determinada por el soporte material, los que hemos considerado en
este artculo como los que se encuentran an en fase muy experimental. Otra
posibilidad es que se trate de un electroholograma, en cuyo caso estaramos
hablando de datos generados y almacenados por ordenador. Para su
organizacin, conservacin y recuperacin, hay que tener en cuenta otros
aspectos. En su descripcin formal se consignar el tipo de onda utilizada para la
grabacin, el tipo de soporte hologrfico, el tipo de holograma, si es master u
original, y entre otras caractersticas. D'Alleyrand elabor en 1977 ciertas reglas de
catalogacin para la Biblioteca de Investigacin del Museo de la Holografa y tras
la clausura del museo en 1992, la coleccin y el trabajo de catalogacin pasaron al
MIT. Para la entrada principal, si el holograma no es el resultado de una tcnica
innovadora y tampoco trata de un tema original, su entrada se har por ttulo.

En cualquier otro caso el encabezamiento principal ser la nueva tcnica o el/la

autor/a del holograma. En estos casos el soporte material del holograma era
todava una pelcula y no el ya comentado cubo, con excepcin del caso del ICG.
Aunque sin referencia explcita, tambin las AngloAmerican Cataloging Rules
(AACR II) permiten hacer referencia en notas a reproducciones hologrficas en
caso de documentacin musical y describir stas realizando adaptaciones
(Harrassowitz).

Para la clasificacin de los hologramas, OCLC propuso en 1988 unas normas para
materiales bidimensionales y tridimensionales. Dentro de la categora "r" de
artefactos tridimensionales y objetos que aparecen en forma real, se encuentra
concretamente en el subgrupo "r" de objetos naturales.

Para la recuperacin tanto de hologramas como de electrohologramas, ya a

finales de la dcada de los 70 y principios de los 80 se da la solucin en la antigua
U.R.S.S [Zakharchenko, 1980] mediante la organizacin de ficheros inversos.
Estos sistemas de informacin hologrficos estn constituidos por un grabador y
equipo grfico con un procesador electrnico.

El equipo grfico o visualizador hologrfico est conectado con el procesador

electrnico para buscar y posteriormente visualizar las holografas. El sistema de
informacin hologrfico mantiene un sistema de ficheros inversos con los nmeros
de orden de todos los documentos del archivo y las coordenadas para localizar
cada holograma en el archivo de imgenes hologrficas.

Para realizar la bsqueda mediante descriptores, el fichero inverso localiza los

nmeros de orden que responden a un determinado descriptor y de ah pasa a la
localizacin en el fichero de imgenes hologrficas. En este caso se recupera uno
o varios hologramas en el soporte fsico; una mejora a este sistema sera el uso de
hologramas generados por ordenador lo que permitira una mayor rapidez no ya
de localizacin sino de recuperacin y visin.

Futuro

Compaas arraigadas como Sony, IBM, NASA, etctera, ya utilizan esta tcnica
para mejorar la localizacin y recuperacin de informacin y as obtener ms y
mejores imgenes. Empresas como Aprillis, BellLabs, InPhase... son ejemplos
del inters que ya ha despertado la holografa, y muestran los esfuerzos que las
empresas estn haciendo para obtener resultados que ya empiezan a llegar al
mercado.

Como conclusin de este tema se infiere que el almacenamiento hologrfico

puede ofrecer muy interesantes posibilidades y promete ser la solucin ms
efectiva a nivel de costo, para las exigencias de almacenamiento de archivos
multimedia o de cualquier otra nueva tecnologa. Esta nueva tecnologa ptica
permite almacenar informacin digital, como los hologramas tridimensionales;
Tambin almacenar y recuperar los datos como patrones bidimensionales de luz,
o pginas, en un volumen tridimensional de cristal sensible a la luz, y proporcionan
la base de la tecnologa del almacenamiento hologrfico. Los datos se organizan
en pginas en lugar de en bits individuales, y con el uso de las capas se consigue
mayor velocidad y un menor control por parte del sistema operativo del ordenador.
Esto significa que es muy factible manejar el control de un sistema operativo de
disco, y que puede controlarse la demanda informtica para gestionar imgenes o
multimedia.

Esta tecnologa se basa en las tcnicas de almacenamiento hologrfico de

volmenes fotorefractivos (PVHS); es decir, utiliza luz en lugar de electricidad,
como con la fibra ptica, lo que la hace extremadamente rpida y un medio
potencialmente porttil. Los aparatos de almacenamiento hologrfico seran una
buena eleccin para los sistemas que necesitan acceso aleatorio rpido para
grabar y mostrar un video digital, y para sistemas de procesamiento y transaccin
de alto rendimiento a bajo costo, pues permite acceso rpido a la informacin
almacenada.

Habr que saber cmo conservar, catalogar y clasificar hologramas en las

bibliotecas del futuro, un futuro cada da ms presente. Los datos hologrficos no
supondrn tanto problema en relacin con su tratamiento puesto que se trata de
documentos digitales en formato audiovisual, textual, etctera, pero s en relacin
con su cantidad. Disponemos de un medio para almacenar grandes volmenes de
informacin, con acceso rpido y en formato 3D, que servir para realizar
bsquedas de informacin en bases de datos voluminosas y consecuentemente
las bases de datos que consultemos tambin cambiarn e incluirn descriptores,
texto completo y diferentes objetos (por ejemplo, huellas digitales).

La transformacin tambin tendr lugar en el

campo de la edicin electrnica con revistas,
enciclopedias, mapas y hasta video juegos,
en los que las memorias hologrficas harn
que estos productos sean an ms potentes.
Las posibilidades multimedia con un soporte
hologrfico estn menos limitadas por la
velocidad de acceso a los datos, las
transferencias y el almacenamiento.

Los discos hologrficos pueden llegar a ser los sustitutos del DVD, pero todava se
carece del material fotopolmero que tenga un espesor suficiente. Pese a todo, las
memorias hologrficas y su tecnologa son indudablemente las candidatas a ser la
nueva generacin de sistemas de almacenamiento, sobre todo ahora que se estn
consiguiendo grandes avances en lo que a materiales hologrficos se refiere.
Como el logrado por el Lawrence Berkeley National Laboratory (LBNL), la
Universidad de California y el Instituto de Microelectrnica de Madrid (IMM) del
Consejo Superior de Investigaciones Cientficas que ha conseguido que las
memorias hologrficas sean tambin regrabables.

Telfono conceptual que maneja el principio hologrfico, proyectando en el espacio las

aplicaciones, donde el usuario interacta directamente con ellas.

Cada vez necesitamos almacenar ms cantidad de informacin, sobre todo si

estas copias de seguridad incluyen a todo lo que se encuentra en Internet. Los
archivos electrnicos pueden verse desbordados sin la existencia de nuevos
sistemas de almacenamiento cada vez ms pequeos y potentes.

Es un hecho que en breve plazo en el mundo de la documentacin, la holografa

va a ser de gran ayuda a la hora de almacenar informacin, aunque de momento,
no se haya podido resolver el tema de grabar terabytes y hasta petabytes en un
soporte hologrfico y hacer modificaciones posteriores. [28]

Hybrid Memory Cube, de Intel y Micron

Hybrid Memory Cube est siendo desarrollado por Intel y Micron desde el ao
2011. Actualmente ya hay en el mercado algunos prototipos funcionales con tasas
de transferencia de 1 Tbps, con un uso energtico hasta siete veces ms bajo que
los sistemas actuales. Este tipo de memoria es cercano en cuanto a funcionalidad
a la memoria DDR4, pues es 10 veces ms rpido que la memoria DDR3.

En qu consiste Hybrid Memory Cube [29]

La memoria actual utiliza un buffer que acta como un cajn por el cual pasa todo
el contenido que la memoria ha de tratar. Una vez que la informacin est en ese
buffer cada chip de memoria se encarga, por su propia cuenta, de seleccionar qu
informacin seleccionar y almacenar. Este aspecto es lo que cambia Hybrid
Memory Cube. Ofrece un ancho de banda que va de 160Gb/s a 320 Gb/s.
La HMC se basa en la tecnologa DDR, pero aprovecha una matriz 3D de filas conectadas por
TSVs (a travs del silicio) con un controlador lgico integrado en la oblea. El Cubo entonces se une
directamente a la CPU en lo que Micron llama una configuracin de "corto alcance". Tomado de:
https://www.extremetech.com/computing/167368-hybrid-memory-cube-160gbsec-ram-starts-
shipping-is-this-the-technology-that-finally-kills-ddr-ram

Supongamos ahora que en vez de tener los chips de memoria uno junto a otro los
apilamos todos juntos, de forma que estn muy cerca, uno encima de otro, y
puedan comunicarse muy rpidamente entre ellos. Se tiene una pequea torre de
chips de memoria en bruto.

La idea de Intel, adems de modificar la estructura bidimensional de la memoria

(que los chips estn uno al lado del otro) y cambiarla a una tridimensional (chips
montados uno encima del otro) es aadir una capa encargada de operar con la
informacin de entrada y enviarla a cada chip de memoria, tal como se observa en
la figura. Con esto se olvida que los chips de memoria tengan que buscar qu
informacin almacenar, ahora habr una capa que estar encargada de mandarles
la informacin.

Una implementacin hipottica HMC utiliza para la memoria y la vinculacin de dos procesadores.
Tomado de. https://www.extremetech.com/computing/167368-hybrid-memory-cube-160gbsec-ram-
starts-shipping-is-this-the-technology-that-finally-kills-ddr-ram
En el Hybrid Memory Cube se aade un intermediario que es el encargado de la
gestin de la memoria RAM, a dnde va cada grupo de bits que se quiere
almacenar en cada momento. Con esto en mente, Micron afirma que pueden
conseguir un ancho de banda 15 veces mayor que el de una memoria RAM actual,
un rendimiento 20 veces mayor y un 90% menos de espacio fsico.

PRAM o PCRAM

Existen distintos nombres para definir a la memoria de cambio de fase: PRAM o

PCRAM (Phase Change RAM), OUM (Ovonic Unified Memory) o CRAM
(Calcogenic RAM), pero las siglas ms habituales son PCM (Phase Change
Memory).

Es una propuesta desarrollada por la empresa IBM. Une lo mejor de la memoria

Flash no voltil y la rapidez de la memoria RAM en un slo componente, con lo
que se podr crear una memoria cache ultra rpida para un smartphone, lo que
incluso permitira almacenar todo el sistema operativo en una PCM, haciendo que
el dispositivo mvil funcione en slo unos pocos segundos.

Este sistema se basa en una estructura amorfa y una de estado cristalino de la

PCM, es decir, que no es construida a partid de silicio, sino de cristal calcgeno,
que se caracteriza por cambias su estructura de vidrio a un conglomerado amorfo,
cuando se le somete a calor.

Chip PCM de Samsung. Tomado de: http://news.softpedia.com/news/Intel-ST-Microelectronics-to-

Double-Phase-Change-Memory-PCRAM-Chips-Density-77939.shtml

Este tipo de memoria, permite almacenar datos dependiendo del voltaje aplicado,
es decir, con voltaje alto "1", con voltaje bajo "0", pero IBM ha encontrado que al
calentar los materiales se puede tener acceso a ms estados y no slo "on" y "off",
por lo que se ha descubierto la manera de dar seguimiento y codificar estas
variantes, lo que permite leer y almacenar hasta 3 bits de datos por celda. [30]
Con este diseo tan radical de memoria, su velocidad se estima que ser hasta 50
veces ms rpidas que las memorias Flash, incluso va a igualar la rapidez de la
memoria RAM, soportando ms de 10.000 ciclos de grabacin, es decir, tres
veces ms que la Flash no voltil, sin que se pierdan datos si se corta el
suministro de energa. Adems, tarda ms tiempo en degradarse. Tericamente
se estima que puede alcanzar los 100 millones de ciclos de escritura.

Proyecto de sistema de memoria basado en ADN

Como se ha observado a lo largo de este documento, existen diversas propuestas

para el desarrollo de memorias de cmputo ms avanzadas que las que existen
actualmente. Por ejemplo, emplear cristales de cuarzo, que ofrece tericamente
una capacidad de almacenamiento cercano a los 360TB por 13.800 millones de
aos. Ahora, surge un proyecto impulsado por Microsoft, en la que busca
almacenar un exabyte (1018) en cadenas de ADN por hasta 10.000 aos.

No es desconocido que el ADN porta toda la informacin codificada de un ser vivo,

por lo que no es nada descabellada la idea de Microsoft, mxime cuando un
exabyte de informacin puede caber perfectamente en 1 mm3 de ADN. Bajo este
criterio, el desarrollo del proyecto toma 10 millones de hebras de ADN sinttico, en
la que se puede almacenar en un mm3 hasta 1018 Bytes de datos por un periodo
de tiempo que va de 1.000 hasta 10.000 aos, que lo convierte en uno de los
mtodos ms llamativos para el almacenamiento seguro de datos a muy largo
plazo, como la historia de toda la civilizacin humana.

En el ao 2015 se dio inicio a las primeras pruebas del proyecto, en la que se

logr almacenar informacin codificada que posteriormente fue recuperada al
100%. Con este resultado Microsoft le ha apuntado a invertir los recursos
necesarios para llevar este experimento a la siguiente fase empleando mayor
cantidad de ADN sinttico bajo unas condiciones determinadas in vitro. An falta
resolver el problema de la lectura y escritura de informacin, donde la parte de
escribir informacin parece superada gracias a un dispositivo creado por Twist
Bioscience. El problema es la lectura, ya que la nica forma que existe para leer
secuencias de ADN fue creado hace ms de 20 aos y al da de hoy tiene un
precio de ms de 1.000 dlares por base. [31]

Faltan muchos aos para que se pueda presenciar las primeras implementaciones
de esta tecnologa, pues an falta desarrollar los dispositivos y equipos en general
que permitan leer y escribir datos directamente sobre el ADN sinttico, incluso
crear otro tipo de ADN que maneje ms pares de bases.
Una de las grandes ventajas de utilizar el ADN para almacenar informacin, es que no se necesita
usar electricidad. Imagen tomada de: https://www.xataka.com/investigacion/adn-como-metodo-
para-almacenar-1-000-000-000-tb-asi-es-el-ambicioso-proyecto-de-microsoft

Existen otros proyectos paralelos al que est desarrollando Microsoft, como el que
est desarrollando el Instituto Europeo de Bioinformtica [32]. Otra fuente de
informacin que asevera que se puede almacenar hasta 7000 TB en un gramo de
ADN, se puede consultar en [33].

Memoria atmica

La creacin de memorias atmicas no es nueva, pues viene desarrollndose

desde hace ms de 30 aos, cuyo pionero fue en su momento la empresa IBM,
con el proyecto Mil pies.

Chip de memoria atmica. Tomado de: https://www.xataka.com/componentes/el-almacenamiento-

atomico-deja-parcialmente-en-ridiculo-a-cualquier-disco-duro-actual
En el ao 2016, un grupo de investigadores de la Universidad de Delft, demostr
mediante un dispositivo de almacenamiento a escala atmica, guardar cerca de
500 Tb por pulgada cuadrada, una cifra que no tiene comparacin con ningn
sistema de almacenamiento actual. Una limitante con la que se han topado, es
que la velocidad de lectura y escritura son muy bajas, en comparacin con otros
sistemas de lectura- escritura convencional. Hay otro problema adicional con este
dispositivo, y es que el disco duro atmico no puede funcionar a temperatura
ambiente, y debe estar encapsulado al vaco a una temperatura de -196 C.

La densidad de almacenamiento lograda es realmente asombrosa, y lo normal en

unidades de disco duro "de alta gama" es rondar el terabit por pulgada cuadrada.
Como referencia, la empresa Micron anunciaba que sus memorias 3D NAND
tienen una densidad de 2,77 Tbits por pulgada cuadrada. [34]

Gracias a los avances en nanotecnologa, se est superando paulatinamente el

proceso de produccin, el cual es complejo, lento y engorroso. La construccin de
este tipo de memoria se hace con tomos de cloro en una superficie de cobre para
obtener una rejilla de cuadrados, tal como se muestra en la figura, que permite
detectar huecos cuando hay un tomo que no est. El funcionamiento de escritura
y lectura se realiza mediante un conjunto de agujas moleculares que terminan en
un tomo, las cuales se encuentran acopladas a varios microscopios de fuerza
atmica. Con este dispositivo se mueven los tomos de un lugar a otro en un
espacio molecular restringido.

3D Xpoint

Es un nuevo tipo de memoria no voltil desarrollada por Intel y Micron, que es

aproximadamente 1000 veces ms rpida que la arquitectura NAND y 10 veces
ms rpida que la DRAM. Tan radical como suena esta tecnologa, es importante
tener algo en mente de las tecnologas actualmente vigentes, que se resumen en
el siguiente cuadro:

Fuente de consulta: https://www.extremetech.com/extreme/211087-intel-micron-reveal-xpoint-a-

new-memory-architecture-that-claims-to-outclass-both-ddr4-and-nand
La tecnologa que usa 3D Xpoint es posible gracias a que omite el uso de
transistores, basndose exclusivamente en un material que es capaz de cambiar
los bits de baja resistencia a un estado de alta resistencia. El diseo del
entramado es una especie de ajedrez tridimensional, que permite que los datos se
almacenen y se recuperen de forma individual a una gran velocidad. [35]

Las primeras versiones ya se encuentran en el mercado nicamente para centros

de datos de grandes empresas. Por consiguiente, esta tecnologa no llegar aun a
las masas por varios aos.

En la siguiente grfica, se muestra una comparacin de las tecnologas actuales

versus 3D XPonit. Por lo que su incursin en el mercado est garantizada.

Mientras NAND utiliza la carga elctrica y el bloque de direccionamiento para

almacenar datos, 3D XPoint utiliza resistencia elctrica y direccionable por bit. [36]
Las celdas de datos individuales no necesitan un transistor, por lo que la densidad
de embalaje ser similar a NAND y un orden de magnitud mejor que la DRAM. [37]

La variante de memoria USB del futuro

La U Transfer, una futurista memoria USB que permite transferir archivos

directamente a otra memoria USB sin necesidad de una computadora. Este
dispositivo, tendra una pantalla para visualizar los documentos a transferir y
solamente se tendra que insertar otra memoria en la entrada del dispositivo y
listo. As de fcil y rpido. [38]

Disco duro de un tamao atmico

La empresa IBM en el ao 2017, ha publicado un logro cientfico sin precedentes

en la historia de la computacin, y es la de poder conservar un bit de informacin
en un nico tomo mediante un proceso que resume como la creacin del "imn
ms pequeo del mundo". [39] Para este proyecto de investigacin, se emple
electricidad y Holmio, un elemento que cuenta con un poderoso campo magntico,
que permite registrar informacin en sistema binario en tomos, que
posteriormente pudieron ser ledos.

Actualmente, los sistemas de almacenamiento informtico necesitan

aproximadamente 100.000 tomos para conservar un bit de informacin. [39] Con
este tipo de avances en computacin cuntica, da a entrever que dentro de muy
poco tiempo, va a estar al servicio de la sociedad, generando un cambio sin
precedentes en materia de tecnologa. Sus implicaciones en trminos
computacionales no tienen comparacin con los sistemas actuales, esto entendido
en el sentido que el almacenamiento atmico no tiene lmite alguno.

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