ESTUDIANTES:

ARANDA RAMOS JOHANN SMITH

CALDERON CHAVEZ MADELIN STHEPHANIE

MAYHUA CAPCHA MARLON

DE LA CRUZ MUOZ YAMPIER DAYVI

OSORIO CHILQUILLO ELIZABETH ROSMERY

FECHA DE REALIZACIN: FECHA DE ENTREGA:

25/05/2017 29/05/2017

2
 Informe de la prctica 5
Contenido/ndice.

1. MARCO TERICO ........................................................................................................................... 5

1.1. EL TRANSISTOR ......................................................................................................................... 5
1.2. FUNCIONAMIENTO. .................................................................................................................. 5
1.3. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR ................................................................................... 6
1.4. DIFERENCIAS ENTRE EL TRANSISTOR PNP Y EL NPN. .................................................... 7
1.5. FORMULAS DEL TRANSISTOR ............................................................................................... 8
2. OBJETIVOS ..................................................................................................................................... 10
2.1. GENERAL ...................................................................................................................................10
2.2. ESPECFCOS .............................................................................................................................10
3. EQUIPOS Y MATERIALES. ......................................................................................................... 10
4. DESARROLLO EXPERIMENTAL ............................................................................................... 10
4.1. EXPERIMENTO 1: IDENTIFICACIN FSICA DEL TRANSISTOR ..................................... 10
4.2. EXPERIMENTO 2: POLARIZACIN DEL TRANSISTOR NPN. ...........................................12
4.3. EXPERIMENTO 3 : POLARIZACIN DEL TRANSISTOR PNP. ...........................................13
4.4. EXPERIMENTO 4 TRANSISTOR REGIN CORTE Y SATURACIN................................. 14
4.5. EXPERIMENTO 5 .......................................................................................................................17
5. OBSERVACIONES ....................................................................................................................... 32
6. CONCLUCIONES ......................................................................................................................... 32
7. RECOMENDACIONES ................................................................................................................ 33
8. REFERENCIAS ............................................................................................................................... 34
9. BIBLIOGRAFA .............................................................................................................................. 34

3
 PRCTICA N 5

TRANSISTOR BJT.

1. MARCO TERICO.

1.1. EL TRANSISTOR.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una

seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de transferencia). Actualmente se
encuentra prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

1.2. FUNCIONAMIENTO.

El transistor consta de un y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con

materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares: el
emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A
diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del
que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les
considera un elemento activo, a diferencia
delos resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin amplificada

de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo grada la corriente que circula a

4
travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para
que circule la carga por el colector, segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares
de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base
Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo,
y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base,
tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos
de esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son
emisor comn, colector comn y base comn.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,

MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente
en el terminal de puerta y grada la conductancia del canal entre los terminales de
Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado,
por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico
presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje.
De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin
amplificada de la tensin presente entre la compuerta y la fuente, de manera anloga al
funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a gran
escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios
cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias
capas superpuestas

1.3. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR.

Polarizar es aplicar las tensiones adecuadas a los componentes para que funcionen
correctamente.

Un polo P estar polarizado directamente si se conecta al positivo de la pila, el polo N

estar polarizado directamente si se conecta al polo negativo. El revs estara polarizado
inversamente.

5
 Hay una gama muy amplia de transistores, por lo que antes de conectar deberemos
identificar sus 3 patillas y saber si es PNP o NPN. En los transistores NPN se debe
conectar al polo positivo el colector y la base, y en los PNP el colector y la base al polo
negativo.

La unin BASE-EMISOR siempre polarizado directamente, y la unin COLECTOR

BASE siempre polarizado inversamente en los dos casos.

1.4. DIFERENCIAS ENTRE EL TRANSISTOR PNP Y EL NPN.

Fjate en los 2 tipos, la principal diferencia es que en el PNP la corriente de salida

(entre el emisor y colector) entra por el emisor y sale por el colector. Fjate que la flecha
en el smbolo "pincha a la base". Una regla para acordarse es que el PNP pincha (la p
del principio).

En el NPN la corriente entra por el colector y sale por el emisor, al revs. Si te fijas en
la flecha la flecha "no pincha a la base". Segn la regla NPN = no pincha (la N del
NPN). Con esta regla te acordars muy fcilmente si el smbolo es de un PNP o NPN.
Recuerda pincha PNP, no pincha NPN.

Otra cosa muy importante a tener en cuenta, es la direccin de las corrientes y las
tensiones de un transistor, sea NPN o PNP. Fjate en la siguiente imagen. En este caso
hemos puesto el emisor abajo y el colector arriba, no pasa nada es lo mismo, pero en
algunos esquemas te los encontrars de esta forma y es bueno verlos as tambin.

6
 Si te fijas, es fcil averiguarlas por intuicin con la flecha del smbolo. Si es PNP
lgicamente la I del emisor (IE) tendr la direccin del emisor, por que entra por l. Por
donde entran las corrientes estar el positivo de las tensiones. Si la corriente del emisor
entra por el emisor (PNP), la tensin emisor colector tendr el positivo por donde entre,
es decir en el emisor, y se llamar Tensin emisor-colector (Ve-c). Si la corriente entra
por el colector, o lo que es lo mismo sale por el emisor se llamara Tensin colector-
emisor (Vc-e) y la corriente saldr por el emisor. No te les que es muy fcil, solo tienes
que fijarte un poco, y no hace falta aprenderlas de memoria.

1.5. FORMULAS DEL TRANSISTOR.

En un PNP la corriente que entra es la del emisor, y salen la del colector + la corriente
de la base, pero al ser la de base tan pequea comparada con las otras dos, se puede
aproximar diciendo que IE = IC. En realidad, las intensidades en un transistor seran:

IE = IC + IB; para los 2 tipos de transistores. Fjate en la flecha del smbolo y las
deducirs.

Si nos dan 2 intensidades y queremos calcular la tercera solo tendremos que despejar.

Cmo seran las intensidades en corte? Pues todas cero.

Otro dato importante en un transistor es la ganancia, que nos da la relacin que hay
entre la corriente de salida IC y la necesaria para activarlo IB (corriente de entrada). Se
representa por el smbolo beta .

= IC / IB

La ganancia es realmente lo que se amplifica la corriente en el transistor. Por ejemplo,

una ganancia de 100 significa que la corriente que metamos por la base se amplifica, en
el colector, 100 veces, es decir ser 100 veces mayor la de colector que la de la base.
Como la de colector es muy parecida a la del emisor, podemos aproximar diciendo que
la corriente del emisor tambin es 100 veces mayor que la de la base.

En un transistor que tenga una ganancia de 10, si metemos 1 amperio por la base, por
el colector obtendremos 10 amperios. Como ves, el transistor tambin es un
amplificador. Pero OJO imagina que el transistor que tienes solo permite como mximo
5 amperios de salida, qu pasara si metemos 1 amperio en la base? Se
quemara!! porque no soportara esa corriente de 10A en el colector.

Tambin es muy importante saber que la corriente del colector depende del receptor
que tengamos conectado a la salida, entre el colector y el emisor. La corriente del
colector ser la que "chupe" ese receptor, nunca mayor. Si en el caso anterior el receptor
fuera una lmpara que solo consumiera 3 amperios no pasara nada, ya que entre el
emisor y el colector solo circularan los 3 amperios que demanda la lmpara. Fjate en el
siguiente circuito:

7
 La lmpara "chupa" 3 amperios, pues la corriente mxima que pasar entre emisor y
colector, o lo que es lo mismo la corriente que circular por el circuito de salida ser
3A, nunca ms de 3 Amperios, que es la que demanda la lmpara.

En ese circuito para que la lmpara luzca necesitamos meter una pequea corriente por
la base para activar el transistor. Si no hay corriente de base la lmpara no lucir, porque
el transistor acta como un interruptor abierto entre el colector y el emisor.

De todas formas hay que fijarse muy bien en las corrientes mximas que aguanta el
transistor que estemos usando para no quemarlo.

Otro dato importante es la potencia mxima que puede disipar el transistor. Segn la
frmula de la potencia: P = V x I, en el transistor sera:

P = Vc-e x Ic tensin colector-emisor por intensidad del colector.

Tenemos que saber la potencia total que tiene el receptor o los receptores que
pongamos en el circuito de salida para elegir un transistor que sea capaz de disipar esa
misma potencia o superior, de lo contrario se quemara.

En el caso del circuito anterior P = 3A x 6V = 18w, con lo cual el transistor para el

circuito deber ser de esa misma potencia, mejor un poco mayor.

Por ltimo hablemos de las tensiones. Todos los transistores cumplen que Vcb + Vbe =
Vce, es decir las tensiones de la base son iguales a la tensin de salida.

El circuito bsico de un transistor es el que ves a continuacin:

8
 La resistencia de base sera la de 20K (kilo ohmios) y la resistencia de 1K sera el
receptor de salida. Muchas veces se usa la misma pila para todo el circuito, como vers
ms adelante.

2. OBJETIVOS

2.1. GENERAL

Identificar al transistor como un dispositivo semiconductor, cuyo funcionamiento

depende del tipo de configuracin de polarizacin en que se conecte.

2.2. ESPECFCOS

Identificar las terminales del transistor bipolar (Emisor, Colector y Base).

Analizar el funcionamiento del transistor en configuracin base comn.

Trabajar el transistor bipolar NPN y PNP como conmutador con niveles lgicos.

3. EQUIPOS Y MATERIALES.

Fuente de alimentacin de CD. variable.

Osciloscopio con puntas de medicin.
Generador de funciones.
Fuente regulada de 0 a 30 V, y Multmetro digital.
Resistencias de varios valores 100 150 220 a 1/2 W.
Un transistor 2N3905.
Un transistor 2N3902.
Un transistor 2N2222.
Un potencimetro de 2500 a 2W.
Cuatro bateras de 1.5V.
Porta bateras para AA.
Tablilla de experimentacin (protoboard).

4. DESARROLLO EXPERIMENTAL.
4.1. EXPERIMENTO 1: IDENTIFICACIN FSICA DEL
TRANSISTOR.

Determinacin de las terminales del transistor:

La unin con polarizacin directa Base-Emisor tiene una resistencia relativamente baja
para un transistor NPN mientras que la unin con polarizacin inversa Base-Colector
con polarizacin inversa muestra una resistencia mucho mayor.

A) La unin con polarizacin directa se verifico segn se muestra en la siguiente figura:

9
B) La unin con polarizacin inversa Base-Colector se verifico segn se muestra en la
figura siguiente:

RESULTADOS:

TRANSISTOR DIAGRAMA VALOR

E-B 1560K
2N 2222 B-E 1480K

Adicionalmente se comprob con el Data Sheet del transistor, obteniendo una correcta
identificacin de los terminales.

10
 4.2. EXPERIMENTO 2: POLARIZACIN DEL TRANSISTOR NPN.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura .

b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la perilla
a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ; para cada
incremento de R1 mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor mximo del
potencimetro.

Ohms Ie (uA) Ic(uA)

500 175.23 1.85
1000 881.295 874.99
1500 593.858 589.84
2000 456.2 500.6
2500 362.5 359

11
c) Construya una tabla y grafique los resultados con ejes R1 vs IE y R1 vs IC.

1.5

Ie
1
Ic

0.5

0
0 500 1000 1500 2000 2500

4.3. EXPERIMENTO 3 : POLARIZACIN DEL TRANSISTOR PNP.

a) Construya el circuito que se muestra en la figura .

12
b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con
la perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 , a
cada incremento mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor mximo del
potencimetro.

Ohms Ie (uA) Ic(uA)

500 148 146
1000 810.61 808.7
1500 546.53 540
2000 412.19 406.5
2500 335.957 320.626

c) Ajuste el potencimetro R1 con la perilla a su valor mnimo, obtenga los

parmetros de polarizacin de emisor mxima, mida VEB, VCB y VCE, anote sus
resultados.

Ajustando el potencimetro a su valor mnimo se tiene:

TENSIN (V)
VEB -4.03
VCB -725.03
VCE 8.62

d) Retire la fuente V2 y obtenga el valor de ICBO.

retirando la fuente obtenemos un valor de 1.5 ma.

4.4. EXPERIMENTO 4 TRANSISTOR REGIN CORTE Y

SATURACIN.

a) Construya el circuito de la figura.

13
b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.

Se calcul previamente la resistencia de base y emisor respectivamente como: 360 y

13.33 .

c) Con el Multmetro mida el valor del voltaje VBE en los puntos A y B, el valor
del voltaje de salida VCE, el voltaje VBC y las corrientes IB e IC.
d) Anote sus lecturas y haga sus observaciones.
Los transistores pueden ser usados como switches para aplicaciones de cmputo y
control.
La red de la figura siguiente puede emplearse como un inversor en circuitos lgicos

Un diseo apropiado para el inversor requiere que el punto de operacin switchee desde
corte a saturacin a lo largo de la lnea de carga dibujada sobre la curva de salida de la
configuracin de Emisor-Comn.

14
Para el clculo de RB y RC para que el transistor switchee entre las regiones de corte y
de saturacin. Debemos considerar el VCEsat mnimo de nuestro transistor desde nuestra
data sheet.

Tomando un valor medio de 0.65v para VCEsat podemos calcular nuestra corriente ICsat
haciendo una malla en el circuito de salida teniendo entonces que

12v VRc VCEsat 0

VRC 12v VCEsat

VR 12v 0.65v 11.35v

C

11.35v
I Csat
RC

Para esto tambin debemos seleccionar un valor para nuestra corriente de saturacin
ICsat desde la hoja de datos de nuestro transistor. Como seleccionamos un valor de VCEsat
de 0.65v entonces nuestro valor de corriente se debe encontrar dentro del rango de
150mA a 500mA si seleccionamos un valor de 175mA podemos calcular el valor de Rc.
Por Ley de Ohm

VRC 11.35v
RC 64.86
ICsat 175mA

Ya que la configuracin en la cual se encuentra conectado este transistor es una

Configuracin de Emisor-Comn. Sabemos que para una Configuracin de Emisor-
Comn

Ic IB

Por lo tanto a partir de esta relacin podemos calcular una corriente IB correspondiente a
nuestra corriente de saturacin ICsat dada por:

IC
I 175mA

B

15
 El parmetro como sabemos lo podemos obtener de la hoja de datos de nuestro
transistor como hFE. Para el transistor 2N2222 este parmetro cae entre los valores
siguientes:

Como estamos en la regin de saturacin el valor de para VCEsat = 1v es de 50. Y con

este parmetro ya podemos calcular IB.

IC
I
175mA
3.5mA
B
50

Con este valor de IB calculado podemos hacer una malla en el circuito de entrada y
tendremos entonces que para cuando Vi=5v la siguiente ecuacin:

5v VRB VBE 0

Y como hemos visto en la unin Base-Emisor hay un diodo y por lo tanto el VBE es
aproximadamente 0.7v. y con ello podemos despejar el voltaje en RB.

VRB 5v VBE 5v 0.7v 4.3v

Y por Ley de Ohm conociendo nuestra IB en el punto de saturacin podemos calcular el

valor necesario para RB mediante Leyde Ohm.

VRB 4.3v
RB 1228 1.5k
I B 3.5mA

Con estos valores para RB y RC ahora si podemos conectar nuestro circuito y hacer las
pruebas solicitadas.

4.5. EXPERIMENTO 5

a) Construye el circuito que se muestra en la figura .

b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.
c) Alimente el circuito con el generador de seales ajustndolo a una onda tipo cuadrada
de 3 Hz de frecuencia y un valor de amplitud de 7 volts pico a pico.
d) Partiendo de la frecuencia de 3 Hz realice incrementos en el orden de 10 Hz hasta un
valor de 100 Hz.
16
e) Con el osciloscopio, para cada incremento de la frecuencia, observe y mida el voltaje
de salida colector emisor, observe el comportamiento del LED y explique lo que sucede.
f) Con el multmetro mida los voltajes VBE, Vc y las corrientes IB e IC para cada
incremento de frecuencia.

b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.

Se calcul previamente las resistencias de base y colectorrespectivamente como:

50 k. y 0.2 k.

c) Alimente el circuito con el generador de seales ajustndolo a una onda tipo cuadrada
de 3 Hz de frecuencia y un valor de amplitud de 7 volts pico a pico.

Alimentando al circuito con una seal cuadrada de 3 Hz de frecuencia y un valor de

amplitud de 7 volts pico a pico.

17
d) Partiendo de la frecuencia de 3 Hz realice incrementos en el orden de 10 Hz hasta un
valor de 100 Hz.

e) Con el osciloscopio, para cada incremento de la frecuencia, observe y mida el voltaje

de salida colector emisor, observe el comportamiento del LED y explique lo que sucede.

18
f) Con el multmetro mida los voltajes VBE, Vc y las corrientes IB e IC para cada
incremento de frecuencia.

19
5. OBSERVACIONES

Las medidas tanto experimentales como tericas no siempre van a ser

exactas, ya que influyen bastante los instrumentos de medida y las
operaciones correctas que hagamos.

Tengamos en cuenta que tanto los instrumentos de medida como los

componentes que se deben utilizar deben estar revisados y en su correcto
funcionamiento antes de realizar las correctas mediciones.

6. CONCLUCIONES

Al haber terminado la prctica se pudo comprobar que en la mayora de los datos que se
obtuvieron en lo clculos tienen una aceptable coincidencia con los datos medidos.

Practica 5

Este laboratorio nos permiti constatar toda la teora base para circuitos que
incluyen transistores.
Se pudo identificar los terminales, saber si el transistor era PNP o NPN, y
adems consultar la hoja del fabricante.

Practica 6

En esta prctica desarrollamos la polarizacin de diferentes circuitos que tienen

bondades muy importantes de acuerdo a su estructura, lo cual se hizo un anlisis de los
diferentes circuitos para comprender el correcto funcionamiento de los mismos.Esto
esta detallado en las partes: 11.1 , 11.2 , 11.3 del ndice.

Adicionalmente llegamos a las conclusiones:

La corriente del colector depende de la corriente de la base.

El transistor opera en tres estados: lineal, saturacin y corte. stos dependen

de Vce e Ic.

Si la tensin Vce es inferior a 0,4V ms cercano estar el transistor a la Zona

de Saturacin.

Si la corriente Ic tiende a cero, el transistor operar en la Zona de Corte.

El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por

corriente, es decir, una fuente de corriente que no es de valor fijo; sino que,
vara produciendo ms o menos corriente en la medida en que hay ms o
menos corriente en la base.
20
 El Transistor no acumula carga: Toda la corriente que entra a l debe salir.

El comportamiento fundamental del transistor es que genera una corriente en

el colector que es proporcional a la corriente que entra (NPN) o sale (PNP)
por la base, la constante de proporcionalidad se llama la Ganancia de
Ic
Corriente de Emisor Comn y se indica por .
Ib

Una vez logrados los objetivos de esta prctica, sabemos que los transistores
BJT pueden operar en uno de tres modos posibles: Corte (ambas uniones
polarizadas inversamente), Activo (Unin Base-Emisor polarizada
directamente y Unin Base-Colector polarizada inversamente) y Saturacin
(ambas uniones polarizadas directamente).

Para asegurar una operacin en el modo Activo, el voltaje del colector de un

transistor NPN debe mantenerse mas alto que el voltaje de base; mientras
que, para un transistor PNP, el voltaje del colector debe ser menor que el de
la base.

7. RECOMENDACIONES

Tener en cuenta el ensamblaje de los circuitos antes de colocar una fuente de tensin, ya
que el circuito podra quemarse, es por ello que es fundamental identificar los
terminales y el tipo de transistor a usar.

Usar el B del transistor real en los clculos tericos, para as poder aproximarnos ms al
valor real.

Se debe polarizar correctamente el transistor, ya que de esto depender su

funcionamiento en las diversas zonas de trabajo.

21
8. REFERENCIAS

Wikipedia; Polarizacin del transistor; Fecha de Consulta, 21 de Mayo del 2017

Enlace: http://es.wikipedia.org/wiki/Polarizacion_del_Transistorltaj

Luis Manzanedo; Resistencias; fecha de consulta, 20 de Mayo del 2017

Enlace: http://www.slideshare.net/luismanzanedo/el-transitor

9. BIBLIOGRAFA

A. S. Sedra and K. C. Smith: Microelectronic Circuits. Saunders Collegue

Publishing, Third Edition. 1991.

Ghausi, M.S.: Circuitos electrnicos discretos e integrados. Nueva editorial

Interamericana, 1987.

Schilling, D.L. and Belove.: Circuitos electrnicos discretos e integrados. 3 edicin,

McGraw-Hill, 1993.

22