FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

UNIDAD ACADEMICA SANTA CRUZ

Facultad de Ciencias y Tecnologa.

Ingeniera de Telecomunicaciones

SEPTIMO SEMESTRE

SYLLABUS DE LA ASIGNATURA
ELECTRONICA DE POTENCIA

Elaborado por: Ing. Jos Jaime Barrancos Quiroz

Gestin Acadmica II/2007

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
1
 FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

UNIDAD ACADEMICA SANTA CRUZ

VISION DE LA UNIVERSIDAD

Ser la Universidad lder en calidad educativa.

MISION DE LA UNIVERSIDAD

Desarrollar la Educacin Superior Universitaria con calidad y

competitividad al servicio de la sociedad.

Estimado (a) estudiante;

El syllabus que ponemos en tus manos es el fruto del trabajo
intelectual de tus docentes, quienes han puesto sus mejores
empeos en la planificacin de los procesos de enseanza
para brindarte una educacin de la ms alta calidad. Este
documento te servir de gua para que organices mejor tus
procesos de aprendizaje y los hagas mucho ms productivos.
Esperamos que sepas apreciarlo y cuidarlo.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
2
 FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

SYLLABUS

I.- DETALLE DE LA ASIGNATURA

Asignatura: Electrnica de Potencia

Cdigo: ITT - 425

Requisito: ITT - 324

Carga Horaria: 80 horas

Horas tericas 60 horas

Horas practicas 20 horas

Crditos: 4

II. OBJETIVOS GENERALES DE LA ASIGNATURA.

Al finalizar el curso el alumno ser capaz de reconocer componentes de la Electrnica de

Potencia; adems de analizar y disear subsistemas electrnicos de uso comn en la electrnica.

Asimismo determinaremos el funcionamien-to de los dispositivos semiconductores de potencia

como parte fundamental de los sistemas de distribucin y control elctricos.
Evaluar los diferentes elementos de un sistema de potencia a partir de sus componentes
semiconductores.
Implementar y poner en marcha un proyecto de aplicacin.

III. PROGRAMA ANALITICO DE LA ASIGNATURA.

UNIDAD 1: INTRODUCCION.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
3
 FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

TEMA 1. Conceptos bsicos.

1.1. Introduccin.
1.2. Conmutacin.
1.3. Resea histrica de la electrnica de potencia.
1.4. Ondas senoidales, frecuencia y fase.
1.5. Valor RMS.
1.6. Formas bsicas de la conversin de energa elctrica.
1.7. Convertidores.
1.7.1 Convertidor de CA a CA.
1.7.2 Convertidor de CD a CD.
1.7.3 Ciclo convertidor.

UNIDAD II: DISPOSITIVOS DE POTENCIA.

TEMA 2. Diodos de potencia.

2.1 Introduccin.
2.2 Caractersticas de diodos.
2.3 Rectificadores monofsicos.
2.4 Rectificador monofsico de onda completa.
2.5 Rectificador de puente completo.
2.6 Con transformador y derivacin central.
2.7 Circuitos trifsicos (polifsicos).
2.8 Rectificadores multifase en estrella.
2.9 Rectificadores trifsicos en puente.
2.10 Diseo de circuitos rectificadores.
2.11 Utilizacin de Leds con CA.
2.12 Disipadores.

TEMA 3. Dispositivos de cuatro capas. Tiristores.

3.1. Introduccin.
3.2. Caractersticas. Smbolos, trminos y definiciones de SCRs.
3.3. Tipos de tiristores.
3.4. Tiristores de control de fase.
3.5. Tiristores de conmutacin rpida.
3.6. Tiristores de desactivado por compuerta.
3.7. Tiristores de conduccin inversa.
3.8. Otros tiristores.
3.9. Corriente de sostenimiento y corriente de accionamiento.
3.10. Operacin en tiristores.
3.11. Analoga de un SCR con dos transistores.
3.12. Mtodos de encendido de un SCR.
3.13. El Triac.
3.14. Optoacopladores.
3.15. El Diac.
3.16. El Quadrac .
3.17. Circuitos de disparo.

TEMA 4. Otros dispositivos.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
4
 FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

4.1. Comparadores de voltaje

4.2. Circuitos temporizadores
4.3. Transistores de potencia

UNIDAD III. CONTROLADORES Y CONMUTACION.

TEMA 5. Rectificadores y Controladores.

5.1. Introduccin.
5.2. Operacin del convertidor operado por fase.
5.3. Semiconvertidores monofsicos.
5.4. Convertidores monofsicos.
5.5. Convertidores trifsicos.
5.6. Mejoras al factor de potencia.
5.7. Diseo de circuitos convertidores.

TEMA 6. Controladores de voltaje AC.

6.1. Introduccin.
6.2. Principios del control on/off.
6.3. Principio del control de fase.
6.4. Controladores monofsicos y trifsicos.
6.5. Controladores de media onda.
6.6. Controladores trifsicos de onda completa.
6.7. Cicloconvertidores.
6.7.1. Monofsicos.
6.7.2. Trifsicos.
6.8. Controladores de voltaje de AC con control PWM.
6.9. Diseo de circuitos de controladores de voltaje AC.

TEMA 7. Tcnicas de conmutacin de tiristores.

7.1. Introduccin.
7.2. Conmutacin natural.
7.3. Conmutacin forzada.
7.4. Diseo de circuitos de conmutacin.
7.5. Varistores.

UNIDAD IV. MOTORES.

TEMA 8. Control de motores elctricos.

8.1. Motores de DC, caractersticas y operacin.

8.2. Motores asncronos, caractersticas y operacin.
8.3. Motores sncronos, caractersticas y operacin.
8.4. Motores de induccin, caractersticas y operacin.

IV.- ACTIVIDADES A REALIZAR EN LA COMUNIDAD.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
5
 FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

Consideramos que la formacin de nuestros estudiantes esta basada en tres pilares: Acadmico,
Investigativo y la Interaccin con la comunidad, denominando a esta triada el aprendizaje
productivo, que implica el desarrollo de procesos cognitivos superiores y complejos que son
superiores a los meramente de repeticin memorstica (conductivista), aplicacin de formulas y
algoritmos prefabrica-dos para la solucin del problema.
El enfoque que daremos es la construccin (constructivismo) del conocimiento combinando el trabajo
de aula y laboratorio (Universidad) con el trabajo de campo (comunidad) en condiciones que estarn
estructuradas por la naturaleza y caractersticas de cada proyecto y materia.
El trabajo social comunitario de la Universidad esta dirigido a los sectores ms deprimidos de la
sociedad y esta destinado a la:

Investigacin e identificacin de los problemas ms acuciantes de las comunidades ms

pobres.
Elaboracin de proyectos de desarrollo comunitario para dar solucin a los problemas
detectados, considerando una gestin financiera con instituciones nacionales e internacionales
que apoyan con recursos.
Implementacin de los respectivos proyectos.

La ejecucin de diferentes programas de interaccin social y la elaboracin e implementacin de

proyectos de desarrollo comunitario derivados de dichos programas confiere a los estudiantes,
quienes son, sin dudas, los ms beneficiados con esta iniciativa, la posibilidad de:

Desarrollar sus prcticas pre-profesionales en condiciones reales y tutorados por sus docentes
con procesos acadmicos de enseanza y aprendizaje de verdadera aula abierta.
Trabajar en equipos, habitundose a ser parte integral de un todo que funciona como unidad,
desarrollando un lenguaje comn, criterios y opiniones comunes y plantendose metas y
objetivos comunes para dar soluciones en comn a los problemas.
Realizar investigaciones multidisciplinarias en un momento histrico en que la ciencia atraviesa
una etapa de diferenciacin y en que los avances tecnolgicos conllevan la aparicin de nuevas y
ms delimitadas especialidades.
Desarrollar una mentalidad, crtica y solidaria, con plena conciencia de nuestra realidad nacional.

El trabajo a realizar en esta asignatura es de apoyo a iniciativas que requieran mayor compromiso
con las sociedades deprimidas, donde la relacin materia problema social sea ms directo y un
desempeo mas visible .

i.- Tipo de asignatura para el trabajo social

Directamente vinculada

ii.- Resumen de los resultados del diagnstico realizado para la deteccin de los problemas a
resolver en la comunidad.

De acuerdo a informacin obtenida por los estudiantes de nuestra Universidad, las unidades
educativas pblicas en colegios secundarios del departamento tienen un dficit en la enseanza
de las matemticas y un ndice alto de reprobacin, especialmente reflejado en el ingreso a la
universidad.

iii.- Nombre del proyecto

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
6
 FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

Elaborar una base de datos con los proyectos de desarrollo sostenible requeridos por los
sectores mas deprimidos.

iv.- Contribucin de la asignatura al proyecto

Se realizara el levantamiento de la informacin, considerando grupos focales, de funcionarios de

la Prefectura del Dpto., Alcaldas, Organizaciones Sociales para recuperar las necesidades de la
poblacin mas necesitada y traducirlo en un proyecto de grado, que aportara a la Base de Datos
que la universidad tendr para orientar los proyectos de las diferentes carreras.

v.- Actividades a realizar durante el semestre para la implementacin de los proyectos.

Detallamos en el cuadro adjunto

Nombre del proyecto: Apoyo a iniciativas de la carrera

Trabajo a realizar por Localidad, aula o Incidencia social Fecha
los estudiantes laboratorio
Directamente vinculado Colegios secunda- Investigacin grupo focal Antes del 1er parcial
rios fiscales (est.)
Directamente vinculado Colegios secunda- Investigacin grupo focal Antes del 2do parcial
rios fiscales. (prof)
Directamente vinculado Aula Informe de conclusiones Antes del Ex. Final

V. EVALUACIN DE LA ASIGNATURA. El examen final consistir en la presentacin y

defensa de un proyecto que se realizar a lo
PROCESUAL O FORMATIVA. largo de todo el semestre.
Cada uno de estos exmenes tendr una
En todo el semestre se realizarn preguntas calificacin entre 0 y 50 puntos.
escritas, exposiciones de temas, trabajos
prcticos adems de las actividades 1 evaluacin parcial
planificadas para las Brigadas UDABOL. Fecha
Nota
Estas evaluaciones tendrn una calificacin
entre 0 y 50 puntos.

PROCESO DE APRENDIZAJE O
SUMATIVA.

Se realizarn dos evaluaciones parciales con

contenidos tericos y prcticos, incluyendo la
evaluacin del avance del Proyecto Final.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
7
 FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

Apuntes

2 evaluacin parcial
Fecha
Nota

Examen final
Fecha
Nota

V. BIBLIOGRAFIA.

BASICA

Martnez, Salvador, Electrnica de

potencia, Ed. Prentice Hall. 2006.
(Signatura topogrfica: 621.381 M36 c.2)

COMPLEMENTARIA

Maloney Electrnica Industrial., Ed.

Prentice-Hall. 1992
Boylestad R., Electrnica. Teora de
Circuitos, Ed. Prentice Hall, 1999.
Boylestad R., Fundamentos de
Electrnica, Ed. Prentice Hall, 1998.
Grainger John J.,. Stevenson, William D.
Power System Anlisis, McGraw-Hill.
2000.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
8
VII. PLAN CALENDARIO

SEMANA ACTIVIDADES OBSERVAC.

TEMA 1. Introduccin
30 de julio al 4 de agosto
6 al 11 de agosto TEMA 1. Introduccin
13 al 18 de agosto TEMA 2. Dispositivos de Potencia
20 al 25 de agosto TEMA 2. Dispositivos de Potencia
27 de agosto al 1 de sept TEMA 3. Dispositivos de 4 capas
3 al 8 de septiembre TEMA 3. SCR EVAL PARC I
10 al 15 de septiembre Tema 3.- TRIAC Presentacin de notas
10 al 15 de septiembre Tema 3.- GTO
17 al 22 de septiembre TEMA 4, Otros Dispositivos
24 al 29 de septiembre TEMA 4. Otros Dispositivos
1 al 6 de octubre TEMA 4. Otros Dispositivos
8 al 13 de octubre TEMA 4. Otros Dispositivos
15 al 20 de octubre TEMA 6. UPS
22 al 27 de octubre TEMA 6. UPS de alta
EVAL PARC 2
potencia
29 de oct al 3 de nov TEMA 6. Controladores de Voltaje AC Presentacin de notas
29 de oct al 3 de nov TEMA 7 Controladores
5 al 10 de noviembre TEMA 8. Circuitos de Conmutacin
12 al 17 de noviembre TEMA 8. Circuitos de Conmutacin
19 al 24 de noviembre TEMA 9, Motores
26 de nov al 1 de dic TEMA 9, Motores
3 al 8 de diciembre DISCUSIN PROYECTOS FINALES
10 al 15 de diciembre IMPLEMENTACIN PROYECTOS FINALES Examen final
17 al 21 de diciembre Examen final
extraordinario
17 al 21 de diciembre Presentacin de notas
 PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD
WORK PAPER # 1
UNIDAD O TEMA: INTRODUCCION
TITULO: Electrnica de Potencia. Dispositivos
FECHA DE ENTREGA:
PERIODO DE EVALUACIN: Primera Etapa
Introduccin
Electrnica de Potencia es la parte de la
electrnica que estudia los dispositivos y los
circuitos electrnicos utilizados para modificar
las caractersticas de la energa elctrica,
principalmente su tensin y frecuencia. Esta
rama de la electrnica no es reciente, aunque
se puede decir que su desarrollo ms
espectacular se produjo a partir de la
aparicin de los elementos semiconductores,
y ms concretamente a partir del ao 1957,
cuando Siemens comenz a utilizar diodos
semiconductores en sus rectificadores.
El dispositivo que marca un antes y un
despus es sin duda el Tiristor (SCR),
Semiconductor Controlled Rectifier, cuyo
funcionamiento se puede asemejar a lo que
sera un diodo controlable por puerta. A partir
de aqu, la familia de los semiconductores
crece rpidamente: Como los Transistores
Bipolar (BJT) Bipolar Junction Transistor;
MOSFET de potencia; Tiristor bloqueable por
puerta (GTO), Gate turn-off Thyristor; IGBT,
Insulate Gate Bipolar Transistor; etc. gracias a
los cuales, las aplicaciones de la electrnica
de potencia se han multiplicado.
Una nueva dimensin de la electrnica de
potencia aparece cuando el control de los
elementos de potencia se realiza mediante la
ayuda de sistemas digitales,
microprocesadores, microcontroladores, etc.
Esta combinacin deriv en una nueva
tecnologa, que integra en un mismo
dispositivo, elementos de control y elementos
de potencia. Esta tecnologa es conocida
como Smart-Power y su aplicacin en la
industria, automovilstica, telecomunicaciones,
etc. tiene como principal inters la disipacin
de elevadas potencias en superficies
semiconductoras cada vez ms pequeas.
El trmino Electrnica de Potencia, cubre una
amplia serie de circuitos electrnicos en los
cuales el objetivo es controlar la transferencia
de energa elctrica. Se trata por tanto de una
disciplina comprendida entre la Electrotecnia
y la Electrnica. Su estudio se realiza desde
dos puntos de vista: el de los componentes y
el de las estructuras.
Durante los aos ochenta se consiguieron
bastantes avances, tales como reduccin de
la resistencia en conmutacin de los
transistores MOSFETs, aumento de la
tensin y la corriente permitida en los GTOs,
desarrollo de los dispositivos hbridos
MOSBIPOLAR tales como los IGBTs, as
como el incremento de las prestaciones de los
circuitos integrados de potencia y sus
aplicaciones.
Se imponen los dispositivos MOSFETs, ya
que poseen una mayor velocidad de
conmutacin, un rea de operacin segura
ms grande y un funcionamiento ms sencillo,
en aplicaciones de reguladores de alta
frecuencia y precisin para el control de
motores.
Los GTOs son empleados con mucha
frecuencia en convertidores para alta
potencia, debido a las mejoras en los
procesos de diseo y fabricacin, que
reducen su tamao y mejoran su eficiencia.
Aparecen los IGBTs, elementos formados
por dispositivos Bipolares y dispositivos MOS,
estos dispositivos se ajustan mucho mejor a
los altos voltajes y a las grandes corrientes
que los MOSFETs y son capaces de
conmutar a velocidades ms altas que los
BJTs.
Los IGBTs pueden operar por encima de la
banda de frecuencia audible, lo cual, facilita la
reduccin de ruidos y ofrece mejoras en el
control de convertidores de potencia. A
mediados de los aos ochenta aparecen los
dispositivos MCT que estn constituidos por
unin de SCRs y MOSFETs.
En la dcada de los noventa los SCRs van
quedando relegados a un segundo plano,
siendo sustituidos por los GTOs.
Se incrementa la frecuencia de conmutacin
en dispositivos MOSFETs e IGBTs, mientras
que los BJTs son gradualmente
reemplazados por los dispositivos de potencia
anteriores. Los C.I. (circuitos integrados) de
potencia tienen una gran influencia en varias
reas de la electrnica de potencia.
Para concluir, decir que tecnolgicamente se
tiende a fabricar dispositivos con mayores
velocidades de conmutacin, con capacidad
para bloquear elevadas tensiones, permitir el
paso de grandes corrientes y por ltimo, que
tengan cada vez, un control ms sencillo y
econmico en consumo de potencia. En la
figura 1.1 se pueden observar las limitaciones
de los distintos dispositivos semiconductores,
en cuanto a potencia controlada y frecuencias
de conmutacin. Dispositivos que pueden
controlar elevadas potencias, como el Tiristor
(100000 KVA) estn muy limitados por la
frecuencia de conmutacin (0.5 KHz), en el
lado opuesto los MOSFETs pueden
conmutar incluso a frecuencias de hasta 1000
KHz pero la potencia apenas alcanza los 10
KVA, en la franja intermedia se encuentran los
BJTs (300 KVA y 10 KHz), los GTOs
permiten una mayor frecuencia de
conmutacin que el Tiristor, 1 KHz con control
de potencias de unos 2000 KVA, por ltimo
los IGBTs parecen ser los mas ideales para
aplicaciones que requieran tanto potencias
como frecuencias intermedias.
En la figura 1.2 se pueden apreciar algunas
de las principales aplicaciones de los distintos
semiconductores, a lo largo de su historia, as
como las cotas de potencia y frecuencias de
conmutacin alcanzadas y su previsible
evolucin futura, Destacar la utilizacin de
SCRs en centrales de alta potencia; los GTO
s para trenes elctricos; Mdulos de
Transistores, mdulos de MOSFETS, IGBTs
y GTOs para sistemas de alimentacin
ininterrumpida, control de motores, robtica
(frecuencias y potencias medias, altas), etc.
 Fig 1. 2 Aplicaciones generales de los semiconductores en la industria.

CUESTIONARIO WORK PAPER No. 1

1. Qu estudia la Electrnica de potencia?

2. Cules son los dispositivos de potencia ms empleados y por qu?.
3. Qu condiciones y caractersticas debe tener los dispositivos de potencia?
4. Realice la comparacin de los diferentes dispositivos por la frecuencia y potencia que pueden
manejar.
5. En qu consiste la tecnologa Smart Power.
6. Qu caractersticas tcnicas tienen: Diodo de potencia, BJT de potencia, SCR, Diac, Triac,
GTO, IGBT y MOSFET de potencia?
7. Definir aplicaciones especficas de los dispositivos de potencia en el rea de
Telecomunicaciones.
 PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

WORK PAPER # 2

UNIDAD O TEMA: DISPOSITIVOS DE POTENCIA

TITULO: Diodos de potencia

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Primera Etapa

EL DIODO DE POTENCIA Los diodos de potencia se caracterizan porque

en estado de conduccin, deben ser
capaces de soportar una alta
Definicin, simbologa y composicin
intensidad con una pequea cada de
tensin. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte
tensin

negativa de nodo con una pequea

intensidad de fugas.

Uno de los dispositivos ms importantes de

los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes
limitaciones: son dispositivos unidireccionales,
no pudiendo circular la corriente en sentido
contrario al de conduccin. El nico
procedimiento de control es invertir el voltaje
entre nodo y ctodo.
El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede

ver en la parte superior, donde:
VRRM: tensin inversa mxima
VD: tensin de codo.
Los diodos, conocidos generalmente como
rectificadores, son puertas de una sola va. Ellos
lo permiten el paso de la corriente
Los diodos pn son uniones de dos materiales
semiconductores extrnsecos tipos p y n, por
lo que tambin reciben la denominacin de
unin pn. Hay que destacar que ninguno de
los dos cristales por separado tiene carga
elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de
electrones y protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el p
como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una
difusin de electrones del cristal n al p (Je).
Formacin de la zona de carga espacial
Al establecerse estas corrientes aparecen
cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe diferentes
denominaciones como zona de carga
espacial, de agotamiento, de deplexin, de
vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de
difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en
los cristales a ambos lados de la unin. Sin
embargo, la acumulacin de iones positivos
en la zona n y de iones negativos en la zona
p, crea un campo elctrico (E) que actuar
sobre los electrones libres de la zona n con
una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y
terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir
que aparece una diferencia de tensin entre
las zonas p y n. Esta diferencia de potencial
(V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si
los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una

vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los
cristales est mucho ms dopado que el otro,
la zona de carga espacial es mucho mayor.

Al dispositivo as obtenido se le denomina

diodo, que en un caso como el descrito, tal
que no se encuentra sometido a una
diferencia de potencial externa, se dice que
no est polarizado. Al extremo p, se le
denomina nodo, representndose por la letra
A, mientras que la zona n, el ctodo, se
representa por la letra C (o K).
Aplicaciones del diodo de potencia
De entre las mltiples aplicaciones del diodo
de potencia destacamos el Generador de
escalera.
Generador de escalera
Este generador de escalera esta constituido
por detector de pico de media onda de gran
constante de tiempo seguido de un sistema
de descarga con un PUT (programado a 9[v]).
Los escalones tienen una duracin igual al
periodo de la tensin de red, permitindonos
un periodo de control de aproximadamente
0,26 seg. Es decir 13 escalones de 20mS,
que es el periodo de la red, la cantidad de
escalones varia con la tensin de alterna
aplicada al diodo y con la resistencia seguida
de este.

El estudiante deber ampliar esta informacin, consultando el captulo 3 del libro base de la
asignatura: Electrnica de Potencia de Muhamad Raschid (existente en la Universidad)

CUESTIONARIO WORK PAPER No. 2

1.- Cuales son los parmetros mas importantes en un diodo de potencia?, explicar
2.- Que es el tiempo de recuperacin inversa del diodo?
3.- Cuales son las carctersticas estticas de un diodo de potencia?, explicar
4.- Cuales son las carctersticas dinmicas de un diodo de potencia?, explicar
5.- Cuales son las carctersticas trmicas de un diodo de potencia?, explicar
5.- A partir de una hoja de datos tcnicos de un diodo de potencia. Extraer los diferentes datos y
explicar.
6.- Mostrar 3 aplicaciones de Diodos de Potencia.
 PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD
WORK PAPER # 3
UNIDAD O TEMA: DISPOSITIVOS DE POTENCIA
TITULO: Transistor BJT de potencia
FECHA DE ENTREGA:
PERIODO DE EVALUACIN: Segunda Etapa
Transistor Bipolar, BJT
El transistor bipolar es conocido como un
elemento amplificador de seal. En el
contexto de los componentes electrnicos de
Potencia, es usado como un dispositivo de
conmutacin, ya que, dispone de las
caractersticas que lo convierten en un
conmutador casi ideal.
A diferencia del transistor bipolar normal, en el
cual, la zona de trabajo ms importante es la
lineal, en el transistor de potencia los estados
ms importantes de funcionamiento son
saturacin y corte. Estos dos estados se
corresponden con los estados cerrado y
abierto del conmutador ideal.
Fig. 2.12. Transistor de Potencia. Simbologa
Los transistores bipolares de alta potencia se
utilizan fundamentalmente para trabajar con
frecuencias por debajo de 10KHz y son muy
efectivos hasta en aplicaciones que requieran
1.200 V y 400 A como mximo.
Caractersticas del transistor bipolar.
El funcionamiento y utilizacin del transistor
de potencia es idntico al del transistor
normal, teniendo como caracterstica especial
la capacidad de soportar altas tensiones e
intensidades y por tanto elevadas potencias a
disipar.
Los parmetros a tener en cuenta en el
transistor bipolar son:
IC = Intensidad mxima que puede circular
por el Colector
VCE0 = Tensin de ruptura de colector con
base abierta, (mxima tensin C-E
que se puede aplicar en extremos del
transistor sin provoca la ruptura)
Pmax = Potencia mxima
Tensin en sentido directo
Corriente de fugas
Frecuencia de corte
VCBO = Tensin de ruptura colector - base
con base abierta
 VEBO = Tensin de ruptura emisor - base
con base abierta
VCEOSUS = Tensin de ruptura por un
aumento excesivo de la corriente de colector
y de la tensin C E.
En funcin de la polarizacin B-E, se pueden
definir otras caractersticas:
En relacin con los parmetros definidos
anteriormente, se puede decir que la VCEmx
depende esencialmente de tres factores que
son:
La polarizacin base - emisor.
El gradiente de tensin (dV/dt).
La estructura interna del transistor
(tecnologa de fabricacin).
Los transistores bipolares de potencia
presentan durante la conmutacin un
fenmeno complejo conocido como efecto de
segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha
se denomina primera ruptura, la segunda
ruptura se puede definir como la ruptura de la
unin debido a efectos trmicos localizados
(creacin de puntos calientes).
VCEO = Tensin de ruptura colector
emisor, con base abierta.
VCER = Tensin colector emisor con
resistencia de base especificada.
VCEX = Tensin colector emisor con
circuito especificado entre base emisor.
VCEV = Tensin colector emisor con
tensin especificada entre base emisor.
VCES = Tensin colector emisor con unin
base emisor cortocircuitada.
La primera ruptura se debe a un aumento
excesivo de la tensin C-E. Sin embargo, la
ruptura secundaria se produce cuando la
tensin C-E y la corriente de colector
aumentan excesivamente, de tal forma que
sta ltima se concentra en una pequea
rea de la unin de colector polarizado
inversamente. La concentracin de corriente
forma un punto caliente (falta de uniformidad
en el reparto de la corriente) y el dispositivo
se destruye trmicamente. Este tipo de
ruptura podr presentarse tanto en turn on
como en turn off.
La figura 2.13 muestra la caracterstica
tensin - intensidad de un transistor NPN
bipolar de potencia. Al igual que en uno de
pequea potencia, se pueden distinguir tres
zonas:
 Activa,
Corte
Saturacin.
Fig. 2.13. Caracterstica V - I de un transistor NPN bipolar de potencia.
rea de Funcionamiento seguro (SOA).
Los datos proporcionados por la curva de
salida incluida en las hojas de caractersticas
suministradas por el fabricante del dispositivo,
en las que se muestran los valores de la
corriente IC en relacin con la tensin colector-
emisor VCE, no son suficientes para conocer si
el transistor BJT se encuentra trabajando en un
punto seguro, sin sobrepasar los lmites
trmicos. Para ello se suministra la curva SOA
(Safe Operating Area). Esta curva est definida
por aquellos puntos que cumplen que el
producto IC VCE no sobrepase la mxima
potencia disipable permitida por el transistor
elegido, es decir, definen el rea de
funcionamiento seguro del transistor.
En la figura 2.18 adems de la curva para un
funcionamiento continuo del transistor, se
encuentran otras curvas similares, con un rea
mayor. Estas curvas indican el funcionamiento
seguro del transistor cuando trabaja en
conmutacin en los tiempos establecidos por la
grfica.
Zona 1: (IC(mx) continuous). Representa el
mximo valor de corriente que puede circular
por el colector para una tensin colector
emisor dada. El funcionamiento del transistor
con corrientes mayores puede dar lugar a la
ruptura del mismo.
Zona 2: (DC operation dissipation limites).
Este tramo indica la mxima disipacin de
potencia del dispositivo. Es la zona en la cul
el producto de IC y VCE proporciona la
disipacin mxima del dispositivo. Si esta
curva es sobrepasada se producen
sobrecalentamientos y la destruccin del
transistor.
Zona 3: (IS/B limited). Es el lmite permitido
para evitar la destruccin del dispositivo por el
fenmeno de ruptura o avalancha secundaria.
Zona 4: (VCEO(mx)). El ltimo tramo es el
lmite debido a la tensin de ruptura primaria
del transistor e indica la mxima tensin que
puede soportar el dispositivo en estado de
bloqueo
 Fig. 2.18. Curva S.O.A. del transistor de potencia BDY58R, para TC = 25C. (Cortesa de RCA
Bipolar Power Devices)

Proteccin del BJT. Esta realimentacin positiva puede causar la

destruccin del dispositivo.
Sobre intensidades.
Los fusibles no se pueden utilizar para
Las sobre intensidades estn asociadas al proteger el BJT, ya que, la accin del
periodo de saturacin del transistor. Cuando transistor es mucho ms rpida que la del
aumenta la corriente IC si la tensin VCE es fusible.
elevada, la disipacin de potencia se
incrementa y se puede llegar a alcanzar la Sobre tensiones
mxima temperatura de la unin.
Las sobre tensiones estn asociadas al
estado de corte del transistor bipolar. En este
Conforme la corriente IC aumenta, la potencia
estado se debe prestar especial atencin a la
disipada aumenta y por tanto tambin la
posibilidad de ruptura primaria del dispositivo,
temperatura; la resistencia interna del
tambin llamada ruptura por avalancha
transistor RCE disminuye (resistencia con
(cuando se sobrepasa la tensin mxima
coeficiente negativo de temperatura), por lo
permitida). Las cargas minoritarias aceleradas
que circular ms corriente por el dispositivo
por el campo de la unin, producido por la
se disipar ms potencia que provocar un
polarizacin inversa, colisionan rompiendo las
nuevo aumento del calor y as sucesivamente.
uniones y produciendo ms cargas, las cuales
tambin son aceleradas, producindose una
realimentacin y la conduccin final del
dispositivo.

Transitorios
Los transitorios de corriente y de tensin son
eliminados de la misma forma para los
transistores como para cualquier otro tipo de
dispositivo semiconductor.
Las inductancias limitan el tiempo de
variacin de la corriente y los condensadores
limitan el tiempo de variacin de la tensin.
Las redes snubber en serie estn constituidas
por una bobina LS y se usan para limitar el
tiempo de subida de la corriente del transistor
dic/dt en el paso a conduccin.
Si la corriente IC crece muy rpidamente,
conforme decrece la tensin VCE puede
darse el fenmeno de ruptura secundaria.
El valor de la inductancia LS puede ser
calculado a partir de la relacin.
La inductancia LS se coloca en serie con la
fuente de alimentacin Vcc.
Para cargas inductivas, durante el paso a
corte la tensin VCE no debe incrementarse
muy rpidamente a medida que la corriente
de colector decae, ya que, tambin podra
El estudiante deber ampliar esta
informacin, consultando el captulo 4 del libro
base de la asignatura: Electrnica de
Potencia de Muhamad Raschid (existente en
la Universidad)
CUESTIONARIO WORK PAPER No. 3
1.- Cules son los parmetros que
caracterizan al transistor BJT de potencia?
2.- Generalmente los transistores de potencia
funcionan entre corte y saturacin, de manera
que deben conmutar, alternadamente, entre
las dos zonas de trabajo. Por qu es
necesario disminuir los tiempos de
conmutacin del transistor de potencia?
3.- Defina y caracterice las zonas de trabajo
del BJT de potencia
4.- Explique las diferentes protecciones a
tener en cuenta con el BJT de potencia.
5.- Muestre 2 aplicaciones del BJT de
potencia.

darse el fenmeno de ruptura secundaria.

Una red snubber en paralelo, formada por un

condensador soluciona este inconveniente.
Sabiendo que al final del paso a corte VCE =
Vcc y que se puede calcular el valor del
condensador
 PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

WORK PAPER # 4

UNIDAD O TEMA: DISPOSITIVOS DE POTENCIA

TITULO: Dispositivos de cuatro capas

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Etapa Final

DEFINICION:

Un tiristor es uno de los tipos ms importantes

de los dispositivos semiconductores de
potencia. Los tiristores se utilizan en forma
extensa en los circuitos electrnicos de
potencia. Se operan como conmutadores
biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor. Para
muchas aplicaciones se puede suponer que
los Tiristores son interruptores o
conmutadores ideales, aunque los tiristores
prcticos exhiben ciertas caractersticas y
limitaciones. Pero en esta ocasin solo
estudiaremos al SCR y GTO.

Fig. 1 Smbolo del tiristor y estructura pnpn

SCR
SIMBOLOGIA Y COMPOSICIN:
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de
cuatro capas de estructura pnpn con tres
uniones pn tiene tres terminales: nodo
ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el
smbolo del tiristor y una seccin recta de tres
uniones pn. Los tiristores se fabrican por
difusin.
PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO Y
CURVAS:
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo
con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3
tienen polarizacin directa o positiva. La unin
J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una
pequea corriente de fuga del nodo al
ctodo. Se dice entonces que el tiristor est
en condicin de bloqueo directo o en estado
desactivado llamndose a la corriente fuga
corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje
nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor
lo suficientemente grande la unin J2
polarizada inversamente entrar en ruptura.
Esto se conoce como ruptura por avalancha y
el voltaje correspondiente se llama voltaje de
ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1
y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un
movimiento libre de portadores a travs de las
tres uniones que provocar una gran corriente
directa del nodo. Se dice entonces que el
dispositivo est en estado de conduccin o
activado.
La cada de voltaje se deber a la cada
ohmica de las cuatro capas y ser pequea,
por lo comn 1V. En el estado activo, la
corriente del nodo est limitada por una
impedancia o una resistencia externa, RL, tal
y como se muestra en la fig. 2.
Fig.2 Circuito Tiristor y caracterstica V - I
La corriente del nodo debe ser mayor que un
valor conocido como corriente de enganche
IL, a fin de mantener la cantidad requerida de
flujo de portadores a travs de la unin; de lo
contrario, al reducirse el voltaje del nodo al
ctodo, el dispositivo regresar a la condicin
de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es
la corriente del nodo mnima requerida para
mantener el tiristor en estado de conduccin
inmediatamente despus de que ha sido
activado y se ha retirado la seal de la
compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica
caracterstica v-i comn de un tiristor.
Una vez que el tiristor es activado, se
comporta como un diodo en conduccin y ya
no hay control sobre el dispositivo. El tiristor
seguir conduciendo, porque en la unin J2
no existe una capa de agotamiento de vida a
movimientos libres de portadores. Sin
embargo si se reduce la corriente directa del
nodo por debajo de un nivel conocido como
corriente de mantenimiento IH , se genera
una regin de agotamiento alrededor de la
unin J2 debida al nmero reducido de
portadores; el tiristor estar entonces en
estado de bloqueo. La corriente de
mantenimiento es del orden de los
miliamperios y es menor que la corriente de
enganche, IL.
Esto significa que IL>IH . La corriente de
mantenimiento IH es la corriente del nodo
mnima para mantener el tiristor en estado de
rgimen permanente. La corriente de
mantenimiento es menor que la corriente de
enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con
respecto al del nodo, la unin J2 tiene
polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3
tienen polarizacin inversa.
Esto es similar a dos diodos conectados en
serie con un voltaje inverso a travs de ellos.
El tiristor estar en estado de bloqueo inverso
y una corriente de fuga inversa, conocida
como corriente de fuga inversa IR, fluir a
travs del dispositivo.
Activacion del tiristor

Un tiristor se activa incrementndola corriente

del nodo. Esto se puede llevar a cabo
mediante una de las siguientes formas.

Trmica. Si la temperatura de un tiristor es

alta habr un aumento en el nmero de pares
electrn-hueco, lo que aumentar las
corrientes de fuga. Este aumento en las
corrientes har que 1 y 2 aumenten.
Debido a la accin regenerativa ( 1+ 2)
puede tender a la unidad y el tiristor pudiera
activarse. Este tipo de activacin puede Fig.3 Efectos de la corriente de compuerta
causar una fuga trmica que por lo general se sobre el voltaje de bloqueo directo.
evita.

Luz. Si se permite que la luz llegue a las APLICACIONES:

uniones de un tiristor, aumentaran los pares Tiene variedad de aplicaciones entre ellas
electrn-hueco pudindose activar el tiristor. tenemos:
La activacin de tiristores por luz se logra
permitiendo que esta llegue a los discos de
silicio. Controles de relevador.

Alto voltaje. Si el voltaje directo nodo a Circuitos de retardo de tiempo.

ctodo es mayor que el voltaje de ruptura
directo VBO, fluir una corriente de fuga Fuentes de alimentacin reguladas.
suficiente para iniciar una activacin
Interruptores estticos.
regenerativa. Este tipo de activacin puede
resultar destructiva por lo que se debe evitar. Controles de motores.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del Recortadores.
voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de
carga de las uniones capacitivas puede ser Inversores.
suficiente para activar el tiristor. Un valor alto
de corriente de carga puede daar el tiristor Cicloconversores.
por lo que el dispositivo debe protegerse
Cargadores de bateras.
contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican
el dv/dt mximo permisible de los tiristores. Circuitos de proteccin.
Corriente de compuerta. Si un tiristor est Controles de calefacctin.
polarizado en directa, la inyeccin de una
corriente de compuerta al aplicar un voltaje Controles de fase.
positivo de compuerta entre la compuerta y
las terminales del ctodo activar al tiristor.
Conforme aumenta la corriente de compuerta,
se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y
como aparece en la fig.3
Se emplean en la rectificacin controlada y en
Una aplicacin comn del SCR es en un
todas las tcnicas de potencia que se
regulador cargador de batera.
emplean para modificar toda la
representacin de la energa elctrica. Otra aplicacin del SCR que se describir se
Unas cuantas aplicaciones del SCR pueden muestra en la siguiente figura, el cual es un
ser un interruptor esttico, un sistema de sistema de iluminacin de emergencia de una
control de fase, un cargador de bateras, un sola fuente que mantendr la carga en una
controlador de temperatura, y un sistema de batera de 6 V para asegurar su disponibilidad
luces de emergencia y brindar tambin energa cd a una lmpara
Un interruptor esttico serie de media onda se elctrica si hay una interrupcin elctrica..
muestra en la figura . Si el interruptor se cierra
como se muestra en la figura , circular una
corriente de compuerta durante la parte
positiva de la seal de entrada, disparando al
SCR.

TIPOS DE SCR:
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente
por difusin. La corriente del nodo requiere
de un tiempo finito para propagarse por toda
el rea de la unin, desde el punto cercano a
la compuerta cuando inicia la seal de la
compuerta para activar el tiristor. Para
controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el
tiempo de desactivacin, los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del
comportamiento de activacin y
desactivacin, en general los tiristores pueden
clasificarse en nueve categoras:
1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutacin rpida
(SCR).
3. Tiristores de desactivacin por
compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional
(TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa
(RTC).
6. Tiristores de induccin esttica
(SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio
activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-
CTH)
9. Tiristores controlados por MOS
(MCT)
COMENTARIOS: Un SCR
1. Se activa cuando el voltaje VD que lo
alimenta excede VBO
2. Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo
nivel se controla por la cantidad de
corriente iG, presente en el SCR
3. Se desactiva cuando la corriente iD
que fluye por l cae por debajo de IH
4. Detiene todo flujo de corriente en
direccin inversa, hasta que se supere
el voltaje mximo inverso.
5. Es un interruptor casi ideal.
6. Rectificador fcilmente controlable.
7. Relativa rapidez
GTO
Fig 4.Smbolo y Estructura del GTO
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Tiristor de apagado de puerta. Es un tiristor de
potencia. La puerta tiene influencia sobre el
resto de las uniones y eso permite el apagado
por la puerta.
La tpica forma de onda de la corriente de
compuerta de un tiristor GTO de alta potencia
se muestra en la fig.5. Un tiristor GTO
requiere una mayor corriente de compuerta
para encendido que un SCR comn. Para
grandes aparatos de alta potencia se
necesitan corrientes de compuerta del orden
de 10 A o ms. Para apagarlos se necesita
una gran pulsacin de corriente negativa de
entre 20 y 30s de duracin. La pulsacin de
corriente negativa debe ser de un cuarto a un
sexto de la corriente que pasa por el aparato.
CARACTERSTICAS TCNICAS:
Las caractersticas son idnticas a las del
SCR.
El disparo se realiza mediante una VGK >0
El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
Las caractersticas de apagado son un poco
diferentes. Cuando un voltaje negativo es
aplicado a travs de las terminales gate y
ctodo, la corriente en el gate (ig), crece.
Cuando la corriente en el gate alcanza su
mximo valor IGR, la corriente de nodo
comienza a caer y el voltaje a travs del
dispositivo (VAK), comienza a crecer. El
tiempo de cada de la corriente de nodo (IA)
es abrupta, tpicamente menor a 1 s. Despus
de esto, la corriente de nodo vara
lentamente y sta porcin de la corriente de
nodo es conocido como corriente de cola.
APLICACIONES:
Las aplicaciones del GTO son las mismas que
el tiristor SCR
COMENTARIOS:
La ventaja del bloqueo por puerta es que no
se precisan de los circuitos de bloqueo
forzado que requieren los SCR.
La desventaja es que la corriente de puerta
tiene que ser mucho mayor por lo que el
generador debe estar mas dimensionado.
El GTO con respecto al SCR disipa menos
potencia.
TRIAC
Un TRIAC (TRIode for Alternative Current) es
un SCR bidireccional que se comporta como
TRIAC con acoplado ptico (opto coupler
TRIAC)
Los TRIACs acoplados pticamente combinan
un diodo emisor de luz (LED) con un TRIAC
foto-detector (foto-TRIAC) dentro de un mismo
encapsulado opaco con un esquema
mostrado en la figura. Al no existir conexin
elctrica entre la entrada y la salida, el acoplo
es unidireccional (LED al foto-TRIAC) y
permite un aislamiento elctrico entre ambos
dispositivos de hasta 7500 V (typ). Adems,
algunos foto-TRIAC incluyen una circuito de
deteccin de paso por cero que permite
El transistor UJT o de uni-unin
dos SCR en paralelo e invertidos, de tal
manera que este dispositivo puede controlar
corriente en cualquier direccin.
Normalmente, tiene una tensin de ruptura alta
y el procedimiento normal de hacer entrar en
conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso
de disparo de puerta (positivo o negativo). La
figura a muestra su smbolo y la figura b su
modelo equivalente basado en dos SCR
conectados en oposicin.
Ejemplos tpicos de TRIACS: BT136 (de 5 A) y
el BT138 (16A) de Philips y la serie MAC de
Motorola con corrientes de 8A (MAC97-8)
hasta 350 A (MAC224A4).
sincronizar seales de la red elctrica con
seales de control del LED para ajustar el
ngulo de conduccin.
Como ejemplo de estos circuitos se encuentra
el MOC3009 (Motorola) que necesita una
corriente en el LED de 30mA para disparar el
foto-TRIAC o el MOC3021 (Motorola) que
nicamente requiere l0mA. Cuando el LED
est apagado, el foto-TRIAC est bloqueado
conduciendo una pequea corriente de fuga
denominada IDRM (peak-blocking current).
Cuando el diodo conduce, dispara al foto-
TRIAC pudiendo circular entre l00 mA y 1A. Al
no ser un dispositivo que soporte grandes
niveles de potencia, el propio foto-TRIAC en
muchos casos acta sobre el control de un
TRIAC de mucho mayor potencia, tal como se
indica en la figura 12.20. En este circuito, una
seal digital (por ejemplo, una seal de un
microcomputador) activa el opto-acoplador que
a su vez activa el TRIAC de potencia conectado
a la red elctrica; el valor de R est
comprendido entre 50Q y 500Q.
El transistor de uni-unin (unijunction transistor)
o UJT est constituido por dos regiones
contaminadas con tres terminales externos:
dos bases y un emisor. En la figura aparece la
estructura fsica de este dispositivo. El emisor
est fuertemente dopado con impurezas p y la
regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la
resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia
interbase, es elevada (de 5 a 10KQ estando el
emisor abierto). El modelo equivalente
representado en la figura b est constituido por
un diodo que excita la unin de dos
resistencias internas, R1 y R2, que verifican
RBB = R1+ R2. Cuando el diodo no conduce, la
cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar
como

intrnseca.

El modelo de este dispositivo utilizando

En donde VB1B2 es la diferencia de tensin
entre las bases del UJT y es el factor de
divisin de tensin conocido como relacin
transistores se muestra en la figura c, cuya
estructura es muy similar a un diodo de cuatro
capas. Cuando entra en conduccin los
transistores la cada de tensin en R1 es muy
baja. El smbolo del UJT se muestra en la figura
d.

El estudiante deber ampliar esta informacin, consultando el captulo 5 del libro base de la
asignatura: Electrnica de Potencia de Muhamad Raschid (existente en la Universidad)

Preguntas Work Paper 4.

1.- Explique que son los dispositivos de cuatro capas..

2.- Detalle el funcionamiento de un SCR, un GTO y un TRIAC
3.- Cmo funciona un UJT?
4.- Cmo funciona un opto triac?
5.- Muestre aplicaciones de: SCR, GTO, TRIAC y OPTO TRIAC

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

 DIFS #1
UNIDAD O TEMA: CONVERSORES
TITULO: Conversor DC - DC
FECHA DE ENTREGA:
PERIODO DE EVALUACIN: Primera Etapa
CONVERSOR DC-DC
Los conversores conmutados en alta
frecuencia son circuitos de potencia donde los
semiconductores de potencia, conmutan a una
frecuencia mucho mayor que la de variacin de
las formas de onda de entrada y salida del
conversor. Esto permite emplear filtros pasa-
bajos para eliminar los componentes
armnicos no deseados. No podemos usar la
inversin de la forma de onda de entrada
para bloquear los semiconductores, como se
hace con los conmutados por la red. Los
interruptores debern entonces controlarse al
conducir y bloquear.
Los conversores DC-DC forman parte de este
grupo de convertidores, ya que controlan el
flujo de energa entre dos sistemas de
continua. Ejemplos de aplicacin son: fuentes
CONCLUSIONES (debern sintetizar la opinin del grupo):
de alimentacin CC (Switch Mode Power
Supplies, SMPS) para equipamiento
electrnico, control de mquinas elctricas de
corriente continua, etc.
Apoyndose en los sitios WEB recomendados,
en la bibliografa de la materia u otra
bibliografa especializada, buscar informacin
acerca de los siguientes conversores:
Conversor Buck y Conversor Boost
Modo de conduccin continua
Modo de conduccin discontinua
Lmite entre ambos modos
Sitios WEB recomendados
www.comunidadelectronicos.com
www.todoelectronica.com
www.aprenderelectronica.tk
COMENTARIOS (debern sintetizar la opinin del grupo)

GRUPO (mximo cinco integrantes):

AP. PATERNO AP. MATERNO NOMBRES FIRMA
 PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

DIFS #2

UNIDAD O TEMA: MOTORES

TITULO: Control de motores elctricos

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Segunda Etapa

En un motor de corriente continua, el sentido Motores de DC, caractersticas y

de giro, determina el signo de la tensin en operacin.
sus bornes. Motores asncronos, caractersticas y
La mquina de corriente continua puede operacin.
funcionar como motor cuando consume Motores sncronos, caractersticas y
energa o como generador cuando cede operacin.
energa a la red, dependiendo de la polaridad Motores de induccin, caractersticas y
en sus bornes. operacin.
La Electrnica de Potencia sirve para Sitios WEB recomendados
controlar diversos tipos de motores, tales
como: motores paso a paso, unipolares, www.irf.com
veinticuatro pasos, entre otros (sncronos) y www.eupec.com
motores de induccin (asncronos). www.ijnfineon.com
www-us.semiconductorsphilips.com
Se formarn grupos de cinco estudiantes para www.mailingelectronica.com
investigar y debatir acerca de:

CONCLUSIONES (debern sintetizar la opinin del grupo):

COMENTARIOS (debern sintetizar la opinin del grupo)

GRUPO (mximo cinco integrantes):

AP. PATERNO AP. MATERNO NOMBRES FIRMA

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

DIFS #3

UNIDAD O TEMA: CONVERTIDORES DE POTENCIA

TITULO: Clasificacin de los convertidores

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Etapa Final

Los convertidores de potencia se pueden Contactor de corriente
clasificar segn el modo de conmutacin y Variador de corriente
segn el tipo de conversin. Rectificador
Los conversores de potencia se pueden Ondulador
clasificar segn el tipo de conversin de Convertidor de corriente
energa que realizan, independientemente del Convertidor de corriente bidireccional
tipo de conmutacin utilizada para su
Convertidor de frecuencia directo
funcionamiento. De ah que se puedan
Convertidor de frecuencia con circuito
encontrar:
intermedio

Basado en la bibliografa de la materia,

realizar un resumen de las caractersticas
fundamentales de cada uno de los tipos de
conversores. Se formarn grupos de hasta
cuatro estudiantes para realizar la exposicin
y debate.

CONCLUSIONES (debern sintetizar la opinin del grupo):

COMENTARIOS (debern sintetizar la opinin del grupo)

 FACULTAD DE INGENIERIA

GRUPO (mximo cinco integrantes):

AP. PATERNO AP. MATERNO NOMBRES FIRMA

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

VISITA TECNICA # 1

TITULO O TEMA: Dispositivos de Potencia

LUGAR: Hansa Ltda.
FECHA POSIBLE:5 de agosto de 2006
RECURSOS NECESARIOS:

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
 FACULTAD DE INGENIERIA

Los estudiantes debern tomar apuntes de la explicacin del Ing. Torrico, Jefe del rea de
automatizacin y control de la Empresa, adems de solicitar manuales y hojas tcnicas de los
diferentes dispositivos

OBJETIVOS:
Apreciar los dispositivos electrnicos de potencia en forma fsica.
Verificar las caractersticas tcnicas de los dispositivos.
Ver los dispositivos de potencia en funcionamiento.
Realizacin de mediciones tcnicas.

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

VISITA TECNICA # 2

TITULO O TEMA: Dispositivos de Potencia

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
 FACULTAD DE INGENIERIA

LUGAR: OMTEC.
FECHA POSIBLE:12 de agosto de 2006
RECURSOS NECESARIOS:
Los estudiantes debern tomar apuntes de la explicacin del Ing. Martn Rivera, Gerente
Propietario de la Empresa, adems de solicitar manuales y hojas tcnicas de los diferentes
dispositivos

OBJETIVOS:
Apreciar los dispositivos electrnicos de potencia en forma fsica.
Verificar las caractersticas tcnicas de los dispositivos.
Ver los dispositivos de potencia en funcionamiento.
Realizacin de mediciones tcnicas.

FORMA DE EVALUACION: Los estudiantes presentarn un informe de la visita

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A