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Qu es y cmo se utiliza un MOSFET?

Por
Antony Garca Gonzlez
-
Enero 4, 2016
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Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutacin y

amplificacin de seales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo
de Metal-xido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor, MOSFET) se debe a la constitucin del propio transistor.

En Panama Hitek hemos publicado antes sobre transistores, especficamente sobre los
BJT (Bipolar Jointed Transistor o Transistor de Juntura Bipolar):

El transistor BJT y su uso en la electrnica

Herramientas de control para Arduino: El BJT o Transistor de Unin
Bipolar (NPN y PNP)
El arte de escoger un buen transistor

Cuando hablbamos de los BJT, mencionamos que existen 2 tipos de transistores, los
NPN y los PNP y que cuentan con 3 terminales: la base, el colector y el emisor.
Los MOSFET poseen tambin 3 terminales: Gate, Drain y Source (compuerta,
drenaje y fuente). A su vez, se subdividen en 2 tipos, los MOSFET canal N y los canal
P.

Existen diferentes tipos de MOSFET, dependiendo de la forma cmo estn

construidos internamente. As, tenemos MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de
empobrecimiento, cada uno con su smbolo caracterstico. Sin embargo, para efectos
de este artculo simplemente consideraremos que los MOSFET de los que vamos a
hablar son de enriquecimiento, utilizando la simbologa antes presentada.

Ahora que conocemos la simbologa, tanto del BJT como del MOSFET podemos
establecer lo siguiente:

Ambos dispositivos son transistores

Ambos dispositivos tienen 3 terminales
Ambos dispositivos pueden funcionar como interruptores (o conmutadores)
y como amplificadores de seales
 Fsicamente, ambos dispositivos lucen iguales:

Ambos dispositivos pueden ser fsicamente idnticos si se consideran 2

modelos con el mismo encapsulado. Lo nico que hace la diferencia entre
ellos es el nmero de serie, a partir del cual podemos reconocer si se trata
de un BJT o un MOSFET.

Entonces cules son las diferencias entre un MOSFET y un BJT?

Debemos empezar mencionando la composicin interna de ambos. Un transistor est

constituido por elementos semiconductores, normalmente Silicio. Es aqu donde se
mencionan algunos conceptos como dopaje, impurezas, regiones n y p, entre otros.
Profundizar en este tema merece un post dedicado a ello. Por ahora, simplemente
presentaremos una representacin grfica de la estructura del MOSFET comparada a
la del BJT.
Como vemos, el MOSFET posee una composicin un poco ms complicada e incluye
adems de las regiones n y p, una capa de xido metlico, de donde proviene su
nombre. Sin embargo, la composicin interna del MOSFET no es lo que nos interesa
en este escrito. Nunca est de ms mencionar los conceptos tericos, por supuesto.

Los MOSFET son sumamente utilizados en electrnica digital, disciplina en la cual

han desplazado a los BJT a travs del tiempo. En un principio los transistores BJT
causaron una revolucin en el mundo de la electrnica, permitiendo lograr avances a
pasos agigantados en comparacin con los desarrollos que se daban en la poca
anterior al descubrimiento del transistor. El surgimiento del MOSFET fue posterior al
del BJT, pero las ventajas que ofrece su uso, especialmente en
la electrnica de microcontroladores, ha trazado una lnea divisoria entre las
aplicaciones donde se utiliza el BJT y aquellas donde es mejor utilizar un MOSFET.
Pero, qu es lo que hace la diferencia?

Hagamos una comparacin entre una aplicacin en la cual necesitamos conmutar una
carga sencilla, en este caso un motor. Utilizando un simulador, vamos a crear un
circuito que nos permite encender y apagar un Motor DC de 12 voltios y 1.5 amperios
con un microcontrolador. Podemos pensar en un Arduino o en un RoboTX Controller
de fischertechnik. Si se usa un RTC, la seal de control es de 9 voltios y entrega un
mximo de 250 mA. Si es un Arduino, la seal de control es de 5 voltios y entrega un
mximo de 40 mA.
Pensemos que el motor ser controlado por un Arduino, osea que para encender el
motor contamos con 5 voltios y 40 mA, lo cual es menos voltaje y menos corriente
que la que necesita el motor (12 voltios y 1.5 A, donde 1A = 1000 mA, as que
debemos entregar 5V y 1500 mA). Esto no significa que el Arduino no sea capaz de
encender el motor que queremos utilizar.

Para ello podemos utilizar MOSFET o BJT. Veamos cmo sera el circuito con BJT:

Para que el motor funcione debe estar conectado entre 12 Voltios y GND. Vemos que
una de las terminales del motor est conectada a 12V pero la otra est conectada al
transistor NPN (a travs del colector). El otro extremo del transistor (emisor) est
conectado a GND. Cuando se aplica una seal a la base del transistor, este se satura y
se transforma en un circuito cerrado, el cual conecta un terminal del motor a GND.
Esto permite que el motor empiece a funcionar, debido a que se cumple la condicin
donde un terminal est conectado a 12V y el otro a GND.

La seal aplicada a la base del transistor la proporciona el microcontrolador,

representado como una fuente de 5 voltios con un interruptor. El funcionamiento del
circuito lo podemos apreciar en la siguiente animacin:
Hemos logrado con una seal de 5 voltios mover un motor de 12 voltios que consume
1.5 amperios. Sin embargo, esto no significa que lo hemos logrado de la mejor forma
posible. Hagamos un anlisis de los voltajes y los flujos de corriente en el circuito.
Para ello utilizaremos instrumentos de medicin, ampermetros y voltmetros.
Se ha reemplazado la resistencia de base por una resistencia variable. Los medidores
utilizados pretenden comprobar que se cumplan las condiciones esenciales para este
circuito:

La corriente de base debe ser mnima, ya que esta corriente la

proporcionar el controlador. La funcin de un microcontrolador es entregar
seales de control (voltajes), no corriente. Entre menor sea la corriente de
base, ms eficiente ser el circuito de control.
La corriente de colector debe ser cercana a los 1.5 amperios que
consume el motor. El motor trabaja en condiciones ptimas cuando recibe
1.5 amperios, por lo cual se debe procurar que pueda recibir dicha cantidad
de corriente.
El voltaje en los terminales del motor debe ser lo ms prximo a 12
voltios
El voltaje colector-emisor debe ser lo ms cercano a 0 voltios, para evitar
cadas de voltaje que reduzcan el voltaje en los terminales del motor y para
reducir el consumo de potencia del motor.

Dentro de lo posible, el circuito de control debe comportarse de la siguiente forma:

Como vemos, un voltaje cercano a 12 voltios en las terminales del motor, una
corriente cercana a 1.5 amperios, un voltaje cercano a 0 voltios en el conmutador
(interruptor). 1.48 mV es 0.00148 voltios, es decir, casi cero. El transistor que
utilicemos debe ser como el interruptor de la animacin, con una cada de voltaje
insignificante.

Veamos las corrientes y las cadas de voltaje cuando utilizamos un circuito con un
transistor. Utilizaremos una resistencia de 1 K como resistencia de base.
De las 4 condiciones esenciales que se deben cumplir, solamente una es considerada
como adecuada (la corriente de base). Este circuito no es adecuado para el control del
motor. Podemos probar modificando el valor de la resistencia de base a un valor ms
alto o a un valor ms bajo y comparar los resultados.
Los resultados demuestran que el utilizar una resistencia de base de un valor bajo (en
este caso 100) mejora notablemente las condiciones del circuito de control con
respecto a los resultados obtenidos con un valor de resistencia alto (sea 1K o 2K).
Sin embargo, no podemos escoger un valor de resistencia al azar, ya que el valor de
100 que utilizamos provoca una corriente de base de 40mA, los cuales debe
proporcionar el microcontrolador. En el caso de Arduino, la corriente mxima que
podemos obtener de un pin digital, como ya dijimos, es de 40 mA, por lo
que Arduinopodra controlar perfectamente el motor (la corriente de base es 40,15
mA, lo cual es un valor tolerable).
An as, el Arduino como microcontrolador debe entregar seales de voltaje, no de
corriente. Someter el microcontrolador a una corriente de 40mA (una corriente
pequea) durante un periodo de tiempo terminar estropeando nuestro dispositivo. Y
ese es el problema con los BJT: requieren de una corriente de base para su
funcionamiento. Esta corriente termina unindose a la corriente de colector para
formar la corriente de emisor, la cual es la suma de ambas. Esto lo podemos observar
en los diagramas presentados (por ejemplo, 1.42 + 0.04015 = 1.46).

Si deseamos conmutar cargas de corrientes pequeas (menores a 2 amperios)

podemos utilizar los BJT. A medida que aumente la corriente de carga del dispositivo
que deseemos controlar, la corriente de base ir aumentando y llegar el momento
donde el propio BJT terminar daando el controlador al exigirle demasiada corriente.

Es aqu donde consideramos los MOSFET. A continuacin veremos un circuito

sencillo de conmutacin con un MOSFET.

Este circuito en teora es correcto, sin embargo en la prctica se acostumbra utilizar

una resistencia pull-down entre la compuerta y tierra. Esta resistencia debe ser de un

sirve para dar 5v a la compuerta ,y aunque sin ella no habria corto, actua como pull_down
para evitar tensiones parasitas
valor alto, ya que a travs de ella cruzar una corriente que se mantendr constante.
Entre mayor sea el valor de la resistencia pull-down, menor corriente de desperdiciar
y ms eficiente ser el circuito. El circuito correcto para un conmutador a base
de MOSFET es el siguiente:

Este circuito, por supuesto, cumple con su funcin.

Pero, qu tan eficiente es?. Despus de todo, con un BJT se logr una simulacin
exitosa, pero que en la prctica comprometera la integridad del microcontrolador.
Utilicemos nuevamente los medidores de voltaje y corriente para determinar si el
circuito utilizado es eficiente o no.
Vemos que se cumplen todas las condiciones necesarias para considerar
al MOSFET un buen conmutador. A qu se debe esto? El MOSFET no requiere de
una corriente en la compuerta, sino que se trata de un transistor conmutado por
voltaje, a diferencia del BJT que es un transistor conmutado por corriente. Esto hace
que este dispositivo sea el ms utilizado actualmente en electrnica digital.

En cuanto a los microcontroladores, estos podrn controlar cargas de altos voltajes y

corrientes significativas utilizando una seal de voltaje, sin tener que entregar una
corriente. En el diagrama mostrado, hay una pequea corriente de 500 microamperios
saliendo de la fuente de 5 voltios, lo cual es insignificante. Esta corriente se va a travs
de la resistencia de 10K. Si aumentamos este valor, la corriente que entregar el
microcontrolador ser an menor y el comportamiento del circuito no se ver
afectado.

Los MOSFET tienen tambin la ventaja de ser capaces de conmutar seales de alta
frecuencia, debido a un tiempo de conmutacin en el rango de los nanosegundos . La
desventaja es la incapacidad de manejar altos niveles de corriente. Para corrientes
altas el BJT siempre ser el mejor, aunque debemos recordar que entre mayor sea la
corriente de carga, ms aumenta la corriente de base. Para resolver este tipo de
situaciones se ha diseado un tipo especial de transistor conocido como IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor) el cual es una combinacin de un MOSFET y
un BJT, aprovechando las caractersticas de alta impedancia de entrada
del MOSFET y el manejo de corriente del BJT.

Los IGBT, sin embargo, merecen un post exclusivo para ellos, el cual planeamos
compartir con ustedes en el futuro. Al final, podemos concluir lo siguiente:

Qu es un MOSFET? Es un transistor, similar a un BJT en cuanto a

funciones pero diferente en cuanto a estructura interna y modo de
funcionamiento. Los BJT funcionan con seales de corriente, mientras que
los MOSFET funcionan con seales de voltaje, lo cual hace de los ltimos
la herramienta por excelencia para el control digital.
Para qu se utiliza un MOSFET? Estos dispositivos se utilizan en la
conmutacin de cargas de alta velocidad, dado su tiempo de respuesta
mnimo. Se utilizan para el control digital de cargas de mayor corriente y
mayor voltaje que los valores nominales que puede soportar un
microcontrolador. Son muy buenos en la amplificacin de seales
analgicas, especialmente en aplicaciones de audio. Al igual que los BJT,
poseen mltiples funciones en diferentes tipos de aplicaciones en el mundo
de la electrnica, de las cuales solo hemos estudiado la conmutacin y
apenas mencionado la amplificacin de seales.