COMPARACIN ENTRE LOS DIODOS DE PROPSITO GENERAL, DIODOS DE RECUPERACIN

RPIDA Y DIODOS SCHOTKY.

1. Diodo de propsito general o pequea seal:

Un diodo semiconductor de estado slido est constituido en dos partes, integradas por
cristales de silicio (Si) de diferente polaridad. Para obtener dos cristales semiconductores de
polaridad diferente es necesario doparlos durante el proceso de produccin del diodo,
aadindole a la estructura molecular de cada uno de esos cristales cierta cantidad de
impurezas pertenecientes a tomos de otros elementos qumicos (tambin
semiconductores), pero de valencias diferentes para cada una de las partes que formarn el
diodo, Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de
silicio, los dopantes ms comunes son elementos del Grupo III o del Grupo
V. Boro, Arsnico, Fsforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.

Para fabricar un diodo, primeramente uno de los cristales de silicio se dopa aadindole,
como impureza, un elemento qumico de valencia +3 (trivalente) como el galio (Ga), al final
del proceso se obtiene un semiconductor tipo-p, con polaridad positiva (P), que
presentar defecto o falta de electrones en la ltima rbita de los tomos de galio aadidos
como impurezas. En esas rbitas se formarn huecos en aquellos lugares que deban estar
ocupados por los electrones faltantes.

A continuacin, el otro cristal de silicio, que inicialmente es igual al empleado en el proceso

anterior, se dopa tambin durante el proceso de fabricacin del diodo, pero aadindole esta
vez impurezas pertenecientes a tomos de otro elemento qumico tambin semiconductor,
pero de valencia +5 (pentavalente), una vez finalizado este otro proceso de dopado se
obtiene un semiconductor tipo-n, con polaridad negativa (N), caracterizado por presentar
exceso de electrones libres en la ltima rbita de los tomos aadidos como impurezas.
[# de referencia de la cita].

Una de las principales caractersticas de un diodo de propsito general, o de pequea

seal, es que en estado de conduccin soportan alta cada de tensin con baja cada te
voltaje, en inverso soportan una fuerte tensin negativa de nodo con pequeas
corrientes de fuga, como podemos observar en la grfica.
Cuando est activo, asumimos que es un corto, ya que la cada sobre el mismo siempre
ser constante y muy pequea dentro de condiciones normales, ciertos factores como
la temperatura pueden cambiar drsticamente la curva normalizada, en inverso,
desplazndola hacia derecha, y en directo hacia la izquierda, esta elacin se aprecia en
la ecuacin de Shockley. [1]
 [# de referencia de la cita]

Para la ecuacin de la izquierda:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensin entre

sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 1012 ).
q es la carga del (electrn).
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann.
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
VD es la diferencia de tensin entre sus dos extremos. [2].

Para la grfica de la derecha:

Otras caractersticas, estticas y dinmicas son:

Estticas:
1. Polarizacin en inverso
2. Parmetros de conduccin
3. Modelo esttico
Dinmicas:

1. Parmetros de encendido
2. Parmetros de apagado
3. Influencia del tiempo de recuperacin en inverso o en la conmutacin [1*]
La activacin del diodo se da cuando se supera un voltaje de umbral entre 0,7 y 2,5 V para un
diodo de silicio, para los diodos de Germanio desde 0,3 V.
El paso de diodo activo a apagado se produce cuando un diodo est conduciendo con una
corriente , la zona de juntura estar saturada de carga, proporcional a la densidad de la misma
que circule por el cuerpo del diodo. Si aplicamos una (corriente en inverso), entonces
forzamos a que se anulen las cargas con velocidad , despus que la corriente pase por 0,
habr cargas que cambien el sentido de conduccin y conduzcan en inverso por un instante.
Hasta que llegan al

En inverso, se comporta idealmente como un circuito abierto y presenta una curva caracterstica
de tensin real e ideal, representa que en este estado no conduce, hasta cierto umbral, y que
como se observa, a medida que aumenta el V(-), corrientes de fuga tpicas aumentan hasta un
punto, dnde el diodo nuevamente conduce.

Ejemplo de funcionamiento de diodo ideal [3]

Dado que no se tienen condiciones ideales al momento de usar estos dispositivos, este
fenmeno posee una caracterstica dinmica llamada recuperacin inversa del diodo, que es
la principal caracterstica que abre la puerta a nuevas topologas y aplicaciones de estos
dispositivos, en principio esto es que cuando el diodo pasa a corte, la corriente
momentneamente se hace negativa.[4]
Dnde:

(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

corriente hasta llegar al pico negativo.

(tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de corriente hasta que
sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En
la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.

(tiempo de recuperacin inversa): es la suma de y . Representa el tiempo que

transcurre durante el apagado del diodo, en que la corriente alcanza su valor mximo (-) y
retornar hasta un 25% de dicho valor esto es alrededor de 25s para diodos de propsito
general y 5 s para diodos de FR (Fast- Recovery).

: Se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la

caracterstica de recuperacin inversa del diodo.

: Es el pico negativo de la intensidad.

: Es el pico negativo de la intensidad.

: El cambio de la en el tiempo por , que se denomina valor de pico negativo, y

mientras ms grande sea, mayor ser el hasta que desaparezca el exceso de cargas. [5]

Normalmente para un diodo de propsito general, el tiempo de recuperacin es admisible a

menos de 1KHz, en cambio en uno de recuperacin rpida a menos de 600KHz, la seal no
ha presentado an dicho fenmeno, por lo que la primera diferencia es el rango de frecuencias
al que puede operar cada uno. [6]
 [1]

2. Diodo de Recuperacin rpida:

Este dispositivo es ampliamente utilizado en alta frecuencia con corrientes bajas tiene los
mismos atributos que el rectificador de propsito general, salvo que su tiempo de
restablecimiento en inverso es mucho menor, en condiciones de laboratorio de 4, 8, 150, 200,
500ns, el tiempo de cruce, y sobre todo soporta ms frecuencia, gracias a que al tener rangos
de voltaje y corriente ms reducidos, son ampliamente utilizados, sobretodo en aplicaciones
dnde la velocidad de conmutacin tiene importancia crtica. O en aplicaciones que requieren
una amplia resistencia contra sobretensiones

Estos diodos abarcan especificaciones actuales de voltaje desde 50V hasta unos 3KV, y de
menos de un amperio hasta cientos de amperes, [7] son dispositivos auxiliares a los transistores
en el proceso de conversin de corriente continua a corriente alterna. Cada conmutador (GTO,
IGCT o IGBT) requiere de un diodo complementario (p. ej., la "libre circulacin" de potencia
reactiva) para permitir el funcionamiento del sistema convertidor de continua a alterna con
cargas inductivas.
Sin embargo, por lo general presentan unas prdidas en conduccin superiores a los Diodos
Rectificadores. [8]
 Curvas caractersticas de un diodo de
recuperacin rpida. [10]

3. Diodo schottky

A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unin PN, el diodo schottky tiene
una unin Metal-N.
Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada de voltaje cuando
estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4 voltios). El diodo Schottky est ms
cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor comn pero tiene algunas caractersticas que
hacen imposible su utilizacin en aplicaciones de potencia.

1. El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en sentido
de la flecha). Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay
procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la cantidad de
corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante grande y supera la
capacidad del diodo Schottky.

2. El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).

El proceso de rectificacin antes mencionado tambin requiere que la tensin inversa que tiene
que soportar el diodo sea grande. Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad
de aplicaciones en circuitos de alta velocidad como en computadoras. En estas aplicaciones se
necesitan grandes velocidades de conmutacin y su poca cada de voltaje en directo causa
poco gasto de energa. [11].
 [12]

La principal diferencia entre Schottky y diodo de propsito general es que un diodo Schottky se
hace de una unin de metal-semiconductor mientras que un diodo de PG est hecho de
un pn unin de dos semiconductores altamente dopados.

Diodos Schottky se utilizan para aplicaciones de fijacin de voltaje, y en situaciones donde la

eficiencia del circuito necesita ser maximizada (ya que tienen la mnima diferencia de potencial a
travs de ellos, se disipa menos energa). Por ejemplo, se utilizan en la construccin de clulas
solares. El smbolo de circuito para un diodo Schottky se muestra a continuacin:

En comparacin con el diodo de unin PN, tenemos las siguientes tablas:

[13]
 3. Diodos de Silicio y de Carburo de Silicio

La industria de los semiconductores tiene una historia de "ms pequeos, ms rpidos y ms

baratos". Rendimiento y reducir el costo del dispositivo mediante la reduccin del tamao del
empaquetado es esencial para casi todos los tipos de productos semiconductores. Para los
productos energticos, el rendimiento se mide por una mayor eficiencia y densidad de potencia,
mayor capacidad de manejo de potencia y mayor rango de temperatura de operacin. Dichas
mejoras dependen en gran medida de las caractersticas deseables de los componentes de
potencia utilizados, tales como conmutacin y prdidas, alta frecuencia de conmutacin,
caractersticas en un amplio rango de temperatura, temperatura de funcionamiento y alta tensin
de bloqueo. A medida que los componentes de potencia de silicio se aproximan a los lmites,
los materiales semiconductores compuestos, tales como carburo de silicio (SiC) y nitruro de
galio (GaN) proporcionan la capacidad de mejorar dramticamente estos parmetros. Hoy en
da, la necesidad de una mayor eficiencia en los productos finales es ms crtica que nunca.
Aunque los productos de energa de silicio continan viendo mejoras incrementales, los
dispositivos basados en materiales semiconductores compuestos son significativamente
mejores - en un gran nmero de casos no es posible con sus homlogos de silicio. Esto es cierto
para los componentes ms bsicos de la electrnica de potencia: diodos y transistores. Los
diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) han estado disponibles durante
ms de una dcada, pero no fueron comercialmente viables hasta hace poco. [14].

Los diodos de potencia de silicio de mayor rendimiento son diodos de barrera Schottky. No slo
los SBD tienen el tiempo de recuperacin inversa ms bajo (trr) comparado con los diversos
tipos de recuperacin rpida (recuperacin rpida epitaxial), recuperacin ultrarrpida y diodos
de recuperacin sper rpida, tambin tienen la cada de tensin directa ms baja (VF). Ambos
parmetros son esenciales para una alta eficiencia. La Tabla 1 muestra una comparacin de la
tensin de ruptura, VF y (trr) para diodos comnmente disponibles. Mientras que los diodos de
barrera de Schottky tienen la ventaja de bajas prdidas de avance y prdidas de conmutacin
insignificantes en comparacin con otras tecnologas de diodo, el estrecho gap de silicio limita
su uso a una tensin mxima de alrededor de 200 V. Los diodos de silicio que operan por encima
de 200 V tienen VF y Trr mayores.

El carburo de silicio es un semiconductor compuesto con caractersticas de potencia superior

al silicio, incluyendo un gap de banda aproximadamente tres veces ms grande, un campo de
ruptura dielctrico 10 veces ms alto y un coeficiente trmico tres veces mayor. Estas
caractersticas lo hacen ideal para aplicaciones de electrnica de potencia. Los dispositivos de
carburo de silicio tienen mayor tensin de ruptura, temperatura de funcionamiento y
conductividad trmica, as como un tiempo de recuperacin ms corto y una corriente inversa
menor que los diodos de silicio con voltaje de ruptura comparable. Estas caractersticas del
dispositivo equivalen a baja prdida, conversin de energa de alta eficiencia, disipadores de
calor ms pequeos, costos de refrigeracin reducidos y firmas de EMI ms bajas. El progreso
continuo en la elevacin de la temperatura de funcionamiento (250 C +) y la alta tensin de
bloqueo prometen nuevas aplicaciones excitantes tales como impulsin del motor en HEV / EV
y transformadores de estado slido. SiC ciertamente no es el nico material semiconductor
compuesto que se considera para la prxima generacin de energa

Los rectificadores Schottky de arseniuro de galio (GaAs) han estado disponibles desde la
dcada de 1990, pero slo han encontrado aceptacin limitada para las aplicaciones ms
exigentes debido a su mayor costo que el silicio. GaAs, el campo de rotura y la conductividad
trmica son menores que el carburo de silicio. Ms recientemente, los investigadores estn
llevando a cabo, con nitruro de galio (GaN) para aplicaciones en los transistores de potencia.
GaN tiene bandgap similar y constante dielctrica (por lo tanto, tensin de ruptura comparable)
a SiC. Tiene mayor movilidad de electrones pero slo de la conductividad trmica. Esta
tecnologa es temprana en su fase de desarrollo / comercializacin relativa al SiC. Actualmente
hay muchos ms dispositivos y proveedores de SiC. La Figura 1 muestra la reduccin de las
prdidas de conmutacin en comparacin con los diodos de recuperacin rpida basados en la
carga mnima de recuperacin inversa (Qrr) de SiC SBD durante el apagado. Con los diodos de
recuperacin rpida de silicio, el trr aumenta significativamente con la temperatura como se
muestra en la Figura 2. En contraste, los SBD de SiC mantienen un trr constante
independientemente de la temperatura. Esto permite el funcionamiento de SiC SBD a una
temperatura ms alta sin mayores prdidas de conmutacin. Las numerosas ventajas de
rendimiento de SiC SBD pueden resultar en dispositivos de potencia ms compactos y ms
ligeros con mayor eficiencia. SiC ha demostrado estabilidad a la temperatura en un amplio rango
de operacin, como se muestra en la Figura 3. Esto simplifica la conexin en paralelo de
mltiples dispositivos y evita el escape trmico.

Con todos estos beneficios, por qu el SiC no tuvo ms impacto en los nuevos productos? Una
razn es la mejora continua de los dispositivos de silicio, que beneficia

Desde tener una infraestructura -proceso, diseo de circuitos, equipos de produccin- que ha
sido ajustada por ms de cincuenta aos. Por el contrario, la tecnologa SiC todava est en su
infancia. El costo ms alto de los dispositivos de SiC ha sido una barrera para la mayora de las
aplicaciones comerciales. Esto se debe en gran parte al hecho de que el SiC es un material
mucho ms difcil de procesar que el silicio. Por ejemplo, la implantacin inica costosa se utiliza
para el dopaje debido a la baja velocidad de difusin del SiC. Se lleva a cabo un ataque con
iones reactivos (RIE) con un plasma a base de flor, seguido por un recocido en la Figura 2. El
tiempo de recuperacin inversa de un FRD de silicio puede duplicarse fcilmente con un
aumento de la temperatura de unin de slo 40C. Por el contrario, las SBD de carburo de silicio
son esencialmente planas en este mismo intervalo de temperaturas. Figura 1. Con un diodo de
barrera Schottky SiC (SBD), las prdidas de conmutacin se reducen en 2/3 en comparacin
con un diodo de recuperacin rpida de silicio (FRD). El Si FRD se utiliza para la comparacin
ya que tiene una clasificacin de voltaje comparable al SiC SBD.

Estas dificultades de procesamiento aumentan el costo y limitan los tipos de estructuras de

dispositivos que se pueden construir. Como resultado, el costo es alto y la disponibilidad
limitada. Sin embargo, el aumento en el inters y la adopcin en muchas aplicaciones se debe
principalmente a:

1. Reduccin de los costes de produccin;

2. Disponibilidad de transistores de SiC;

3. Un grupo ms amplio de proveedores;

4. El aumento de la energa verde en general, y la eficiencia de conversin de energa en

particular, impulsada por la legislacin y las demandas del mercado
Referencias:
1. Obtenido:
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.1.Diodos
_potencia.pdf
2. Obtenido de:
http://www.uv.es/~marinjl/electro/diodo.html
3. Obtenido de:
4. https://es.wikipedia.org/wiki/Ecuaci%C3%B3n_de_Shockley
5. Obtenido de:
https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
6. Obtenido de:
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_1.htm
7. Obtenido de:
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm
8. Obtenido de:
Hart, Daniel, Electrnica de potencia, Editorial Prentice Hall, Primera Edicin, Madrid,
2001.
9. Obtenido de:
http://www.abb.com/product/db0003db004291/c125739900722305c1256f18003c1401.
aspx?productLanguage=es&country=CO
10. Obtenido de:
http://yzpst-tech.com/product-1-2-5-2-fast-recovery-diode-es/138928
11. Obtenido de:
http://unicrom.com/diodo-schottky/
12. Obtenido de:
http://pediaa.com/difference-between-schottky-and-zener-diode/
13. Obtenido de:
http://www.radio-electronics.com/info/data/semicond/schottky_diode/characteristics-
specifications-parameters.php
14. Obtenido de:
http://www.rohm.com/documents/11303/41217/ROHM_SiC+Diodes_wp.pdf