2003 Rissons Angelique

7+6(
Prsente en vue de lobtention du titre de
'2&7(85
de
LCOLE NATIONALE SUPRIEURE DE LARONAUTIQUE ET DE

LESPACE
Spcialit : Optolectronique et Hyperfrquence
Par
$QJpOLTXH5,66216
&$5$&7e5,6$7,21(702'e/,6$7,21
2372e/(&7521,48('(',2'(/$6(5&$9,7e
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Soutenue le Mardi 14 Octobre 2003 devant la commission d examen compose de :
D. DECOSTER 3UpVLGHQW
J. LE BIHAN 5DSSRUWHXU
C. RUMELHARD 5DSSRUWHXU
V. BARDINAL-DELAGNES
J-C MOLLIER 'LUHFWHXUGH7KqVH
M. PEZ
5HPHUFLHPHQWV
C e travail de thse a t ralis au sein du groupe MOSE (Microondes et

Optolectronique pour Systmes Embarqus) de l cole Nationale Suprieure de
l Aronautique et de l Espace (SUPAERO) Toulouse sous la direction de Monsieur le
Professeur Jean-Claude MOLLIER, qui je tiens exprimer tout ma reconnaissance pour
m avoir encadr lors de mon stage de DEA et s tre dmen pour que je puisse poursuivre
cette tude en thse. Je le remercie trs chaleureusement pour m avoir accord autant de
confiance et m avoir donn got au travail de chercheur.
Je remercie Monsieur le Professeur Didier DECOSTER de l Universit de Lille pour m avoir
fait l honneur de prsider le jury de thse.
Je tiens galement exprimer toute ma gratitude Monsieur Jean LE BIHAN, Professeur de
l ENIB (Ecole Nationale d Ingnieur de Brest) et Monsieur Christian RUMELHARD,
Professeur du CNAM (Conservatoire National des Arts et Mtiers) de Paris, pour avoir bien
voulu donner de leur temps tre rapporteurs.
Je remercie Madame Vronique BARDINAL-DELAGNES, charge de recherches CNRS au
LAAS (Laboratoire d Analyse et d Architecture des Systmes) de Toulouse, pour sa lecture
attentive de mon manuscrit et pour l intrt qu elle a accord mon travail travers sa
participation au jury de thse.
Un remerciement tout particulier va Monsieur Mathias PEZ, Prsident et Directeur
Technique de D-Lightsys, pour l attention qu il a port ce travail et ses connaissances
techniques qu il a su faire partager, notamment dans le cadre du projet SHAMAN (Simulation
Hybride pour Application Multidomaine Analogique et Numrique). Je le remercie galement
d avoir participer au jury de thse.
Ce travail de thse s inscrit dans le cadre d une convention entre le SREA (Service de
Recherches et Etudes Amont de la DGA) et SUPAERO pour dvelopper l activit VCSEL au
sein du groupe MOSE. Je remercie vivement le SREA pour son soutien et en particulier notre
interlocuteur Monsieur Franois MURGADELLA.
D autre part, je remercie tous les partenaires du projet SHAMAN : Thales, Ipsis, Mentor
Graphics, Suplec, Tlcom Paris et le Laboratoire PHASE.
Je remercie galement Monsieur Yann BOUCHER, Matre de Confrences l ENIB de Brest,
pour nos changes sur l influence de la temprature dans le VCSEL.
Pour tous les travaux et discussions mens ensembles, je tiens exprimer ma profonde
gratitude et mon amiti Stphanie CONSTANT et Julien PERCHOUX. Tous les trois, nous
avons fait un vrai travail d quipe.
Je remercie Etienne PERRIN pour tout le temps qu il m a consacr, pour m avoir initi
l utilisation de l analyseur de rseau et du logiciel ADS sans oublier sa bonne humeur
quotidienne.
C est avec grand plaisir que je remercie Fabien DESTIC pour son attention et son aide en
optolectronique mais galement pour son accueil au sein du groupe.
Je tiens galement exprimer toute ma reconnaissance Francis FROIN et Thierry SOULET
pour m avoir fait part de leur savoir faire exprimental.
Comment ne pas exprimer ma reconnaissance et mon amiti pour tous le bons moments
passs ensemble aux doctorants Myriam KABA et Jean-Marc MARTIN, aux stagiaires avec
qui j ai partag le bureau Eneko GOYENAGA, Javier LABORDA, Almudena TRIGO, David
LOPEZ. Je peux ajouter cette liste les autres membres du groupe, Christophe CALIXTE,
ainsi que les doctorants et stagiaires de DEA successifs .
Enfin, un immense merci va mon entourage, mes parents, mes amis et surtout mon mari,
Jimmy, pour leur soutien et leur confiance.
Jimmy msi onpil pou tout sa ou f pou mwen, mwen ainm ou .

6200$,5(
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&+$3,75(
35e6(17$7,21 *e1e5$/( '(6 ',2'(6 /$6(5 &$9,7e 9(57,&$/( e0(77$17 3$5 /$
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I. LA DIODE LASER ....................................................................................................................15
I.1 mission de lumire 15
I.2 Fonctionnement en rgime Laser 17
I.3 Structures de diodes Laser 21
a) Double htrostructure 21
b) Confinement transversal 22
c) Laser contre raction distribue ( DFB, de l anglais Distributed Feed-Back ) 25
d) Diodes laser puits quantiques 27
II. LASER CAVIT VERTICALE .................................................................................................29
III. AVANTAGES DU VCSEL : COMPARAISON VCSEL / DIODE LASER CONVENTIONNELLE ......32
IV. DIFFRENTES STRUCTURES DE VCSEL ...............................................................................34
IV.1 Zone active puits quantiques 34
IV.2 Confinement lectrique 35
V. MATRICE DE VCSELS ..........................................................................................................38
VI. APPLICATIONS .....................................................................................................................40
VII. VCSELS AUX LONGUEURS D ONDES TLCOMS ................................................................42
VIII. RFRENCES .....................................................................................................................50
&+$3,75(
)21&7,211(0(17'89&6(/(702'e/,6$7,212372e/(&7521,48(
I. COMPORTEMENT OPTOLECTRONIQUE ...................................................................................57
I.1 Miroirs de Bragg 57
a) Comportement lectrique 57
b) Comportement optique 67
I.2 Cavit et zone active 70
II. QUATIONS D VOLUTION ANALOGIES ET DIFFRENCES AVEC UNE DIODE LASER
CONVENTIONNELLE ...................................................................................................................71
II.1 Laser conventionnel monomode 72
II.2 VCSEL 75
III. COMPRESSION DU GAIN .......................................................................................................77
IV. FACTEUR DE CONFINEMENT.................................................................................................79
V. NOMBRE DE PHOTONS ET DE PORTEURS EN RGIME STATIONNAIRE .....................................80
VI. RFRENCES........................................................................................................................84
&+$3,75(
&$5$&7e5,6$7,2167$7,48('89&6(/
I. CARACTRISATION STATIQUE ................................................................................................89
II. EFFETS THERMIQUES DANS LE VCSEL .................................................................................89
II.1 Comportement spectral 90
a) Matriau massif 90
b) Rflecteur de Bragg 90
c) Cavit vide 91
II.2 Influence de la temprature sur la puissance, le courant de seuil et la tension 93
III. TUDE EXPRIMENTALE DE COMPORTEMENT SPECTRAL ......................................................96
III.1 Description du banc de mesure 96
III.2 Rsultats exprimentaux 98
IV. TUDE DE LA PUISSANCE OPTIQUE MISE EN FONCTION DU COURANT DE POLARISATION ..100
IV.1 Conception du banc de mesure 100
a) Choix de la pr-polarisation 100
b) Banc de test. 102
IV.2 Comparaison des mesures en impulsion et en continu 104
IV.3 Variation du courant de seuil avec la temprature 105
V. MESURE DE LA CARACTRISTIQUE COURANT TENSION .......................................................108
VI. DISCUSSION .......................................................................................................................110
VII. RFRENCES ....................................................................................................................112
&+$3,75(
6&+e0$e/(&75,48(e48,9$/(173(7,76,*1$/'89&6(/
I. SCHMA QUIVALENT COMPORTEMENTAL ...........................................................................117
I.1 Rsistance des miroirs de Bragg 118
I.2 Capacits des miroirs de Bragg 119
I.3 Bilan sur les deux miroirs 119
I.4 Autres structures 120
II. INCLUSION DES PHNOMNES PARASITES ............................................................................122
III. LINARISATION DES QUATIONS D VOLUTION .................................................................124
IV. PARAMTRES DU SCHMA LECTRIQUE QUIVALENT DE LA CAVIT EN FONCTION DES
PARAMTRES INTRINSQUES DU VCSEL. ................................................................................127
V. ORDRES DE GRANDEURS DES PARAMTRES DU SCHMA QUIVALENT ................................132

VI. APPROCHE HYPERFRQUENCE : PARAMTRES S DE LA ZONE ACTIVE ................................135
VII. FONCTION DE TRANSFERT ................................................................................................137
VIII. RFRENCES ...................................................................................................................141
&+$3,75(
&$5$&7e5,6$7,21'<1$0,48('(9&6(/6(79$/,'$7,21'802'/(
I. MESURE DES COEFFICIENTS DE DISPERSION ET VALIDATION.................................................147
II. CARACTRISATION DE VCSELS EN BOTIER .......................................................................148
III. CARACTRISATION DE BARRETTES DE VCSELS ET MESURES SOUS POINTES .....................151
IV. BARRETTE AVEC ACCS PAR WIRE BONDING .....................................................................154
V. MISE EN VIDENCE ET MODLISATION DE LA DIAPHONIE ....................................................160
VI. BARRETTE ACCS COPLANAIRE DIRECT. ........................................................................163
VII. EXTRACTION DES PARAMTRES INTRINSQUES DU VCSEL. ............................................168

VIII. RFRENCES ...................................................................................................................170
&21&/86,21
7$%/('(6),*85(6
/,67('(6&20081,&$7,216
Introduction
,QWURGXFWLRQ
A vec la demande toujours croissante de dbit et de quantit d informations dans

les communications sur courtes et longues distances, les technologies
lectriques sont arrives en saturation : l augmentation inaltrable des frquences de
modulation et du nombre de canaux a t l origine de phnomnes parasites irrmdiables.
Une excellente alternative ce problme a t de substituer les fibres optiques aux
cbles lectriques grce des atouts tels que la rapidit de transmission et l insensibilit aux
rayonnements lectromagntiques.
C est depuis les annes 90 que nous assistons une croissance fulgurante des
transmissions optiques avec les liaisons transocaniques, la tlvision haut dbit, les rseaux
tlphoniques et informatiques, les interconnexions Toutes ces applications touchent aussi
bien le grand public que l industrie et la dfense. Cette volution est apparue grce aux
progrs technologiques des fibres optiques en terme de matriaux et de guidage de l onde
optique, ce qui a permis la diminution de l attnuation spectrale et de la dispersion
chromatique. En fonction de quoi les diodes laser monomodes mettant aux longueurs d onde
1,55 et 1,3 m et des photodiodes performantes et rapides ces longueurs d ondes ont t
conues, sans omettre tous les progrs techniques en matire de circuits lectroniques amont
et aval de la liaison.
Cet engouement pour les transmissions par porteuse optique a suggr l application du
multiplexage en longueur d onde (WDM : Wavelength Division Multiplexer) dans des
modules d mission parallle. Cette ide a alors suscit la conception de laser mission par
la surface pouvant tre monts en matrice ou en barrette et, de ce fait, capable d mettre
simultanment sur plusieurs canaux. Aprs quelques annes de recherches, ce n est que
depuis environ quinze ans que le laser cavit verticale mettant par la surface (VCSEL :
Vertical-cavity Surface-Emitting Laser) est apparu et depuis le milieu des annes 90 qu il fut
commercialis.
9
Introduction
Outre cet avantage d mission verticale, le VCSEL est une diode laser rapide, peu
consommatrice de puissance (faible courant de seuil) et avec un cot de fabrication trs faible
compar toutes les autres diodes laser grce l pitaxie par jets molculaires. En effet la
planarisation de la diode laser a permis une fabrication en srie du composant : sur un wafer
de 4 pouces, le constructeur peut faire crotre 100000 VCSELs. Les deux ala qui ont refrn
pendant plusieurs annes l utilisation des VCSELs dans les liaisons tlcoms sont la longueur
d onde d mission trop faible, la puissance optique mise trop faible et le comportement
multimode, ce qui a favoris l essor considrable de l utilisation du VCSEL dans les
transmissions haut dbit sur courtes et moyennes distances ( > 20 Gbps sur des distances de
10 cm quelques centaines de mtres).
Si depuis trois ans les VCSELs mettant 850nm arrosent le march des datacoms, ce
n est que depuis quelques mois que des constructeurs commercialisent un composant mettant
1300nm et il faudra encore attendre quelque temps avant de pouvoir acheter un composant
capable d mettre 1550nm. Mais l intrt conomique majeur de ce composant pousse les
entreprises trouver la solution miracle pour dvelopper la structure adquate et le procd de
fabrication en srie le moins coteux et ce le plus rapidement possible.
Paralllement, des travaux raliss sur des VCSELs mettant dans le bleu laissent
entendre des perspectives d une nouvelle gnration de lecteurs DVD, d imprimantes laser
Les VCSELs de puissance font galement l objet d intenses recherches : le watt en
fonctionnement continu est atteint depuis un an par des composants mettant 980nm de
100m de diamtre insr dans une cavit externe (VECSEL : Vertical External Cavity
Surface-Emitting Laser). Ces composants pourront tre utiliss comme source de pompage
d amplificateurs fibres dopes.
Toutes ces applications nous permettent alors de prvoir une utilisation trs tendue
des VCSELs notamment dans tous les domaines de l optolectronique.
C est ce concept qui nous a attir dans l tude et la modlisation du comportement

optolectronique de cette diode laser en s attachant plusieurs points importants comme les
quations d volution des porteurs et des photons, les caractristiques statiques avec la
contribution de la temprature, la modlisation et caractrisation dynamique du composant.
Ce sont les diffrentes phases de ce travail qui sont prsentes dans ce mmoire.
10
Introduction
Une tape prliminaire prsente dans un premier chapitre nous permet de situer le
VCSEL dans le monde de l optolectronique en dcrivant progressivement sa structure
partir des diffrentes structures de diodes laser mission par la tranche. La suite logique veut
que nous abordions l tat de l art de ce composant en insistant sur ses principaux
avantages: les diffrentes structures de VCSELs et de barrettes, les applications, les
composants mettant 1300 et 1550nm.
Le chapitre 2 porte sur l analyse du comportement des lectrons et des photons dans le
VCSEL complet. Nous avons ainsi la possibilit de dcomposer la diode laser en trois
parties : le miroir de Bragg suprieur, la cavit avec ses puits quantiques et le miroir de Bragg
infrieur. Dans chaque partie, nous modlisons qualitativement le mcanisme de gnration et
recombinaison des paires lectrons-trous notamment au niveau des interfaces. Paralllement,
nous considrons la cration de photons dans la cavit et leur comportement dans les miroirs.
Cette tude est trs intressante dans le cas du VCSEL car elle tient compte de ses diffrences
par rapport aux lasers mission par la tranche. De l, les phnomnes survenant dans la
cavit et la zone active du VCSEL sont compars ceux des autres laser. En dtaillant chaque
terme du mcanisme lectronique et photonique dans les diodes laser en gnral et en
adaptant leurs expressions au cas de l mission par la cavit verticale, nous arrivons la mise
en quation de l volution des porteurs dans la zone active et des photons dans la cavit du
VCSEL en fonction du temps. Ce systme d quation nous permet ensuite d tablir le modle
optolectronique.
Notre premire tude exprimentale prsente dans le troisime chapitre est fonde
sur la dtermination des principales caractristiques statiques comme la longueur d onde
d mission, la largeur de raie, le courant de seuil, la puissance optique mise en fonction du
courant de polarisation et la relation courant-tension aux bornes de la diode. L valuation de
ces grandeurs constitue la base de la caractrisation des diodes laser. Elle permet entrautre le
choix des autres composants de la liaison (rcepteur, circuit lectronique d entre et de sortie,
fibre optique,). C est pourquoi nous nous sommes attachs une dtermination prcise des
valeurs de ces caractristiques notamment pour la mesure du courant de seuil. Nous avons
galement port un intrt tout particulier l influence de la temprature sur la longueur
d onde d mission, la puissance optique et le courant de seuil.
La troisime tape de la modlisation, explique en dtail dans le quatrime chapitre, a
pour but de reprsenter l volution des photons et des porteurs en fonctionnement dynamique
sous forme d un schma lectrique quivalent. Comme pour toute diode laser, le transport des
lectrons dans le composant en rgime petit signal peut tre reprsent sous forme d lments
11
Introduction
rsistifs et capacitifs. La gnration de photons et leurs oscillations dans la cavit ont un

comportement lectrique analogue des rsistances et inductances. Il est donc possible de
modliser la diode laser par un quadriple lectrique avec en entre le courant de polarisation
et en sortie la puissance optique. Le modle de diode laser conventionnelle est alors adapt
aux VCSELs en incluant l effet des puits quantiques de la zone active, des miroirs de Bragg et
de la structure verticale. La suite de la modlisation consiste alors spcifier les lments du
schma lectrique quivalent de la zone active en fonction des paramtres internes du
composant. Les quations d volution sont tout d abord linarises dans le cas d une
modulation petit signal. Puis elles sont confrontes aux quations du circuit quivalent de la
zone active. Par identification, des expressions de chaque lment peuvent ainsi tre
explicites en fonction des grandeurs intrinsques du VCSEL. Ces paramtres physiques
n tant pas directement accessibles, leurs valeurs sont donnes sous forme d intervalles que
nous avons tablis d aprs un panel d ouvrages et de publications. Ceci nous a alors permis de
chiffrer les lments lectriques du quadriple.
La dernire phase du travail, aborde dans le cinquime chapitre, s appuie sur la
validation du modle par la mesure des paramtres de dispersion du composant. La validation
exprimentale, non sans contrainte, s est faite tout d abord sur des VCSELs en botier ne
permettant que la mesure du coefficient de rflexion en entre du VCSEL. La difficult de
cette caractrisation provient de la contribution de chaque partie du support de test. Etant
donne l importance des phnomnes parasites, la mesure en transmission est rendue
impossible. Avec le dveloppement des composants en barrette dont nous avons finalement
dispos, les mesures en rflexion et transmission obtenues sont finalement exploitables mme
si pour certaines barrettes la prsence de la diaphonie perturbe le signal. Pour pouvoir extraire
les paramtres du quadriple VCSEL, la chane complte en partant des pointes du testeur
jusqu l tage de dtection du signal transmis est modlise. Le schma lectrique quivalent
complet est alors implment dans un logiciel de simulation hyperfrquence, qui nous fournit
les courbes thoriques S11 et S21 en fonction de la frquence. Le modle peut alors tre
valid par optimisation des paramtres du circuit quivalent dans les intervalles obtenus
d aprs les grandeurs physiques. Par superposition des courbes simules et mesures, nous
obtenons un modle qui est en parfait accord avec les donnes exprimentales.
12
Chapitre 1 Prsentation gnrale sur les
diodes laser cavit verticale mettant par la surface
&KDSLWUH
3UpVHQWDWLRQJpQpUDOHGHVGLRGHVODVHUj
FDYLWpYHUWLFDOHpPHWWDQWSDUODVXUIDFH
9&6(/
&H FKDSLWUH LQWURGXLW OHV VSpFLILFLWpV GHV GLRGHV 9&6(/ DFURQ\PH TXL YLHQW GH ODQJODLV
9HUWLFDO&DYLW\6XUIDFH(PLWWLQJ/DVHU(QSDUWDQWGXSULQFLSHGHIRQFWLRQQHPHQWGHVODVHUV
j VHPLFRQGXFWHXU HW HQ SUpVHQWDQW OHV VWUXFWXUHV OHV SOXV FRXUDQWHV QRXV DUULYRQV j
OpODERUDWLRQGX9&6(/HQPDWULFH3RXUFORUHFHFKDSLWUHQRXVDERUGHURQVOHVSULQFLSDOHV
DSSOLFDWLRQVHWOHVSHUVSHFWLYHVGDQVOHGRPDLQHGHVWpOpFRPV
13
,/DGLRGH/DVHU
,ePLVVLRQGHOXPLqUH
Depuis la dcouverte du principe d mission stimule en 1917 par Albert Einstein, le

dveloppement du LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation) n a
cess de se perfectionner pour arriver maturit aujourd hui et trouver de nombreuses
applications dans un certain nombre de domaines aussi diffrents qu ils soient, tels que les
transmissions d information, le biomdical, le militaire. Pour toutes ces applications, il existe
plusieurs types de lasers: les lasers gaz, colorant ou semiconducteur. Mais nous allons
nous attacher plus particulirement au cas des lasers semiconducteur, c est dire les diodes
laser. A l origine de l mission de lumire, une particule qui en passant d un tat d nergie
excit un tat stable va librer une nergie sous forme de photon, c est ce que l on appelle
lectroluminescence ou encore mission spontane, c est cet effet qui est utilis dans les
diodes lectroluminescentes (DEL). Or ces premiers photons mis ne sont pas cohrents
(phase diffrente, nergie diffrente). Pour forcer leur gnration, le milieu actif (celui qui a
les proprits ncessaires l mission d onde optique) va tre plac dans une cavit
rsonnante (Figure I. 1) constitue de 2 miroirs et permettant l onde lectromagntique
associe aux photons d osciller.
)LJXUH,SULQFLSHGXODVHU
Mais avant toute chose, ce milieu actif doit tre surpeupl en tat excit par rapport l tat
fondamental de faon ce que l mission de photons se produise inluctablement, ceci est le
rle du pompage. Dans le cas des lasers semiconducteur, les tats d nergie considrs sont
ceux de la bande de valence et de la bande de conduction (Figure I. 2). Ces deux bandes sont
15
spares par une bande d nergie de valeur DEg = Ec-Ev appele bande interdite (ou
bandgap en anglais). A la temprature du zro Kelvin, le cristal semiconducteur va se
comporter comme un isolant, c est dire que sa bande de conduction va tre vide d lectrons
et la bande de valence remplie. Quand la temprature augmente, les lectrons sont excits
thermiquement de la bande de valence vers la bande de conduction laissant des sites vacants
appels trous. Ces trous sont galement capables de se dplacer dans le cristal lorsque des
lectrons voisins les remplissent.
)LJXUH,pPLVVLRQGHSKRWRQVGDQVXQVHPLFRQGXFWHXU
Dans ce cas, le cristal a le comportement d un conducteur, les lectrons et les trous sont alors
devenus des particules libres. Selon la loi de conservation de l nergie, lorsque l lectron
passe d une bande l autre, il libre ou absorbe de l nergie sous forme de photon ou
d nergie thermique.
Plusieurs cas se prsentent alors (Figure I. 3): l DEVRUSWLRQ, l pPLVVLRQ VSRQWDQpH,
l pPLVVLRQVWLPXOpH et les UHFRPELQDLVRQVQRQUDGLDWLYHV .

L DEVRUSWLRQse produit lorsqu un photon d nergie hn voisine de Eg vient frapper le cristal

semiconducteur et gnre une paire lectron-trou.
L pPLVVLRQVSRQWDQpHest un processus qui a lieu naturellement lorsqu au bout d un certain
temps pass dans la bande de conduction, l lectron va perdre de l nergie (Eg) sous forme de
photon pour redescendre dans la bande de valence et se recombiner avec un trou.
16
/pPLVVLRQ VWLPXOpH advient lorsque la bande de conduction est surpeuple en lectrons

(inversion de population) et un photon arrive sur le cristal. Un photon stimul , jumeau du
photon incident (mme phase et mme nergie), va alors tre gnr.
Le quatrime schma de la Figure I. 3 reprsente les diffrents processus de UHFRPELQDLVRQV
QRQUDGLDWLYHV. L lectron se recombine avec un trou de la bande de valence directement ou
par l intermdiaire d un niveau pige . Dans ce cas, le processus ne permettra pas
l mission de photon mais l nergie sera dissipe sous forme de chaleur dans le cristal.
L lectron a galement la possibilit, en se recombinant avec un trou, de transmettre son
nergie un autre lectron ou un trou sous forme d nergie cintique. Aprs la priode de
relaxation l lectron ou le trou cdera son nergie au rseau cristallin. Ce phnomne est
appel effet Auger, il peut se produire tant que le nombre d lectrons est identique au nombre
de trous, c est dire tant que la diode n arrive pas en rgime de saturation.
)LJXUH,WUDQVLWLRQVpOHFWURQLTXHVHQWUHODEDQGHGHFRQGXFWLRQHWODEDQGHGHYDOHQFH
Pour que l effet laser ait lieu, il est indispensable d tre dans le cas de l mission stimule, et
de minimiser les trois autres processus. Pour ce faire, il faut surpeupler la bande de
conduction en injectant des porteurs par l intermdiaire du courant de polarisation (pompage
lectrique). Les lectrons pouvant alors se recombiner, des photons non-cohrents seront
gnrs par mission spontane. Parmi ces photons, une seule catgorie de longueur d onde et
de direction de propagation bien dtermine pourra participer l effet laser.
,)RQFWLRQQHPHQWHQUpJLPH/DVHU
Revenons au cas simplifi du rsonateur constitu d une cavit Fabry-Prot de longueur

L comprise entre deux miroirs plans parallles qui sont les faces clives du cristal
semiconducteur. Dans celui-ci, certaines ondes optiques de longueur d onde l vrifiant la
17
relation L = n.l/2 ("n ) vont pouvoir effectuer des aller-retours en se rflchissant

partiellement sur chaque miroir (coefficient de rflexion suprieur 30%) selon l axe du
rsonateur. Ces ondes vont alors composer les modes longitudinaux de la cavit. A chaque
traverse de la zone active le nombre de photons cohrents pourra augmenter jusqu ce que
la puissance soit assez forte pour permettre l tablissement du rgime d oscillation.
Il est intressant de faire l analogie entre le laser et un amplificateur lectrique rtroaction
distribue (Figure I. 4). Celui-ci est compos d un amplificateur et d une boucle de
rtroaction permettant la rinjection des photons dans le milieu actif. Le gain en boucle
ouverte est not HWFHOXLHQERXFOHGHUtroaction est not /DIRQFWLRQGHWUDQVIHUWVcrit
alors :
6 (w ) m (w )
=
( (w ) 1 - b (w ) m (w )
(1. 1)
)LJXUH,DPSOLILFDWHXUpOHFWULTXHjUpWURDFWLRQGLVWULEXpH
/DFRQGLWLRQGRVFLOODWLRQHVWDORUV (QHIIHWDXIXUHW mesure que les photons

traverseront la zone active, le gain va augmenter jusqu ce qu il atteigne le niveau suffisant
pour que le signal soit amplifi et puisse s chapper de la cavit. L amplification ne cessera
pas avant que le rgime de saturation soit atteint.
Pour vrifier cette condition d oscillation, considrons une cavit Fabry Prot, dont les
deux miroirs sont identiques (mme coefficient de rflexion R).
)LJXUH,FDYLWpODVHU
18
1RWRQV i, le coefficient d absorption relatif aux pertes de la cavit sans prendre en compte les
photons s chappant par les miroirs, et g, le gain du matriau.
Le champ E de l onde lectrique se propageant dans la cavit s crit :

2

( ( ] , W ) = (0 H

0
(1. 2)
o n est l indice complexe de la zone active (n = n + i.n).
En ne considrant que la dpendance longitudinale de l onde, on obtient E(z) aprs un aller-

retour dans la cavit :

2
H
2 2
( ( ] + 2 / ) = (0 H U H
2 2 "

0 0
(1. 3)

o r est le coefficient de rflexion en amplitude du miroir.
En posant, 5 = U H 2 le coefficient de rflexion en intensit et F le dphasage, on obtient la

condition pour que l onde reste identique elle-mme aprs un aller-retour dans la cavit :
2& ) & & ( !"# & ( $
5H H =1
+., " 2 ' * & ! 4+-, ) & % 2
0 0
(1. 4)
Or par dfinition, l intensit optique aprs une traverse d un milieu actif s exprime en
fonction du gain du matriau et des pertes tel que : , = , 0 H ( et I E.E*.
0 2 3 )/
1
2p
On obtient alors par identification dans l quation (1.3) J - a 4 = Q" , ce qui implique :
l0
4p
5 H( Q/ + 2 F = 2 P p ("m )
6 ; 9 )2 7
=1 ,
8:
(1. 5)
l0
5 5
On retrouve la condition de gain au seuil lorsque le gain compense les pertes tel que :
1
J> ? = a = + ln = a = + a <
1
2/ 5
(1. 6)
19
Si les coefficients de rflexion des miroirs sont diffrents, l quation (1.5) devient alors :
1
JA B = a @ + ln
1
2 / 51 52
(1. 7)
Les pertes rsonnantes lies aux miroirs seront alors nots m:
1
aC = ln
1
/ 51 52
(1. 8)
Revenons l quation (1.4) et faisons l hypothse d une phase nulle (F = 0), on a alors :
4p
Q/ = 2 P p .
l0
De l, on en dduit les frquences de rsonance de la cavit Fabry-Perot correspondant aux

P modes longitudinaux de la cavit de longueur optique n .L:
F
nD = P
2 Q/
(1. 9)
Seul un certain nombre de modes de la cavit dont le gain est suprieur aux pertes pourra tre
amplifi pour participer l effet laser ()LJXUH,).
)LJXUH,5pSDUWLWLRQGHVPRGHV
20
Ceci nous permet d tablir l espacement entre deux modes successifs appel intervalle
spectral libre ISL:
,6/=n F -n F = FE
2Q / (1. 10)
G 1
GQ
o QH = Q + n
Gn
correspond l indice de groupe du matriau de la zone active.
,6WUXFWXUHVGHGLRGHV/DVHU
La structure prsente jusqu prsent tait restreinte au cas d une simple jonction PN.
Mais pour que le flux d lectrons inject dans la zone active, il a t ncessaire d amliorer la
structure afin d obtenir les performances des diodes laser utilises aujourd hui [2].
D 'RXEOHKpWpURVWUXFWXUH
Afin d obtenir un maximum de recombinaisons lectrons-trous, il est ncessaire de

confiner les porteurs au cur de la zone active. En effet, seule une portion i (rendement
quantique interne) du courant de polarisation va participer l inversion de population de la
zone active. Ainsi, pour augmenter ce rendement quantique interne, il est ncessaire de
diminuer l paisseur de la bande interdite de la zone active pour qu elle soit infrieure celle
des matriaux qui l entoure (Figure I. 7-a).
L utilisation d une double htrostructure, c est dire des matriaux diffrents d une couche
l autre, avec une zone dope de type p, une zone centrale intrinsque et une troisime zone
dope de type n, permet de satisfaire ces conditions. Cette structure favorise alors, lorsque
l on injecte un courant de polarisation, un acheminement des lectrons par la zone N et des
trous par la zone P vers une zone active non dope o le nombre d lectrons (N) est gal au
nombre de trous (H). Or, ce confinement n est pas slectif pour les porteurs, ceci implique
plusieurs longueurs d onde d mission possibles et des transitions non radiatives [1]. Tous ces
phnomnes seront explicits dans la suite lors de l tablissement de l quation d volution
des porteurs. D autre part, la double htrostructure permet de confiner l onde optique dans la
couche active pour favoriser le couplage des photons et des porteurs l origine de l mission
stimule. En effet, comme l indique la Figure I. 7-b, l indice optique de la zone active
(bandgap plus petit) est plus lev que celui de la zone de confinement, l onde optique est
alors pige dans la zone active.
21
a)
b)
c)
)LJXUH,VFKpPDGXQHGRXEOHKpWpURVWUXFWXUHDGLDJUDPPHGHEDQGHVRXVXQHSRODULVDWLRQGLUHFWH
EYDULDWLRQGHOLQGLFHGHUpIUDFWLRQHQWUHOD]RQHGHFRQILQHPHQWQFHWOD]RQHDFWLYHQDFFDUUpGH
ODPSOLWXGHGXFKDPSRSWLTXHROHIDFWHXUGHFRQILQHPHQW G HVWODIUDFWLRQGHSXLVVDQFHRSWLTXHJXLGpH
GDQVODFRXFKHDFWLYH
E &RQILQHPHQWWUDQVYHUVDO
Guidage par le gain

Le confinement transversal est obtenu en diminuant la largeur de la zone dans laquelle
est inject le courant. Deux techniques sont couramment utilises aujourd hui: une isolation
par oxyde et une implantation de protons. De ce fait, la surface d mission est rduite et les
porteurs injects ne traversent pas toute la structure, ce qui diminue l chauffement par effet
joule. Ce confinement influera galement sur le comportement multimode du laser. En
considrant les trois familles de modes du laser : les modes longitudinaux qui sont lis la
longueur de la cavit, les modes verticaux lis son paisseur et les modes transversaux lis
22
la largeur de la zone de confinement du courant, il est possible selon les mthodes de guidage
de limiter le nombre de modes pour obtenir un comportement monomodal.
)LJXUH,VWUXFWXUHGHVODVHUVjJXLGDJHSDUOHJDLQGLDSKUDJPHGR[\GHjJDXFKHHWLPSODQWDWLRQGH
SURWRQVjGURLWH
Le terme guidage optique par le gain vient du fait que seul les modes dont le gain est
suprieur aux pertes peuvent participer l mission stimule. En effet, la largeur de la zone de
confinement tant limite, la distribution du gain dans la zone active sera rduite ce qui
implique une oscillation du laser sur le mode transverse fondamental. Mais ceci n est valable
que jusqu un certain niveau d injection des porteurs. Lorsque le courant de polarisation
augmente, la puissance maximale du mode fondamental localis au centre de la zone de
confinement devient plus forte. Le gain va alors augmenter localement et de ce fait l indice
optique va diminuer en donnant la possibilit des modes d ordre suprieur d osciller dans la
cavit. Ce phnomne est vrifiable exprimentalement sur la courbe de la puissance optique
mise en fonction du courant de polarisation sous forme d augmentation locale de la
puissance (kink). Par ailleurs ce type de guidage favorise les recombinaisons Auger (cf. I.1
Figure I. 3), except pour les structures dont la longueur d onde d mission est infrieure
1m (cavit plus courte).
Guidage par l indice

Le guidage par l indice a pour but d amliorer le confinement transversal en faisant
varier l indice de rfraction effectif le long du plan de la jonction et indpendamment du
courant de polarisation. Ainsi cette mthode permet au laser de fonctionner sur le mode
transverse fondamental.
Le JXLGDJHIRUWSDUOLQGLFH est obtenu grce aux techniques actuelles de croissance de

couches aprs gravure ou dcapage. Ainsi la structure est attaque de faon ne laisser
23
qu une petite partie de la zone active, puis est complte par croissance d une couche d un
matriau de faible indice et des couches de dopage altern PNP afin de limiter les courants de
fuite. La couche suprieure de la diode laser est fortement dope P pour faciliter le contact
avec l lectrode et rduire la rsistance srie. Les diffrentes gomtries de laser guidage
fort par l indice sont prsentes sur la Figure I. 9.
)LJXUH,VWUXFWXUHjJXLGDJHIRUWSDUOLQGLFH]RQHDFWLYHHQQRLUD%+%XULHGKHWHURVWUXFWXUHE

'&3%+'RXEOH&KDQQHO3ODQDU%XULHGKHWHURVWUXFWXUHF%&%XULHG&UHVFHQW
Malgr de trs bonnes performances, la conception de ce laser reste tout de mme trs
complexe. Une simplification de la structure tout en gardant le guidage par l indice a permis
d laborer un certain nombre de diodes laser JXLGDJH IDLEOH SDU OLQGLFH. La couche de
confinement latral est alors obtenue en faisant varier l paisseur non uniformment de part et
d autre de la zone active. Dans ce cas, la variation d indice rel due au dopage est ngligeable
par rapport au saut d indice effectif. Ces structures plus aisment ralisables (Figure I. 10)
permettent aux constructeurs de fournir des lasers avec de bonnes performances et bas prix.
)LJXUH,/DVHUjJXLGDJHIDLEOHSDUOLQGLFHULGJHZDYHJXLGHjJDXFKHHWULEZDYHJXLGHjGURLWH
24
F /DVHUjFRQWUHUpDFWLRQGLVWULEXpH')%GHODQJODLV'LVWULEXWHG)HHG
%DFN
La diode laser DFB est l une des plus utilises dans le domaine des tlcommunications
par fibre optique. En effet, elle rpond deux des principaux critres indispensables pour
raliser une bonne liaison par fibre optique : elle est monomode longitudinale (pour pallier
tout problme de dtection cohrente) et peut mettre la longueur d onde de 1,55m
laquelle la fibre optique silice a une attnuation minimum [3],[4].
La structure de ce laser est obtenue en utilisant la slectivit d un rseau de diffraction

grav dans la cavit. En effet, le champ optique s talant sur plusieurs modes, le rseau de
diffraction va se comporter comme un filtre pour ne laisser passer qu un seul mode
longitudinal.
On distingue deux structures de diodes laser contre raction distribue (Figure I. 11).
)LJXUH,6WUXFWXUHGHODVHUjFRQWUHUpDFWLRQGLVWULEXpHDGLRGHODVHU')%EGLRGHODVHU'%5
Pour la premire, le rseau de diffraction est grav au-dessus ou en dessous de la zone active,
ce sont les diodes laser DFB. La seconde possibilit est de graver un rflecteur de Bragg
(DBR de l anglais Distributed Bragg Reflector) hors de la zone active et le long de l axe de la
cavit. Dans les deux cas, la contre raction est obtenue par variation priodique de l indice
effectif. Ces dispositifs ont un maximum de rflectivit fix par la longueur d onde de Bragg
B du rflecteur. Celle-ci est donne par la relation suivante :
lJ = 2 L QI (1. 11)
o HVWODSriode du rflecteur et ne l indice effectif.
25
La Figure I. 12 prsente les caractristiques de rflexion des rseaux de diffraction.

Considrons une onde incidente par la gauche, chaque saut d indice une partie de cette onde
sera rflchie.
)LJXUH,GHVFULSWLRQGHVUpIOH[LRQVGH%UDJJ
Cette onde rflchie ne rejoindra le point de dpart de l onde incidente que

partiellement, car elle subira d autres rflexions multiples aux interfaces. La superposition des
ondes rflchies engendrera des interfrences constructives ou destructives. Pour la longueur
d onde de Bragg, la lumire sera dphase de DXGHO de la distance $LQVLOHVSKDVHVGHV
rflexions successives le long du rseau prendront les valeurs tantt 0 tantt 4XDQG OD
ORQJXHXU GRQGH VHUDgale B , toutes les rflexions seront en interfrence constructive.
Pour cette valeur de longueur d onde, l onde incidente sera donc trs fortement rflchie et
rinjecte dans la zone active, d o la slectivit d un tel dispositif.
Pour les diodes laser DBR, le rflecteur de Bragg tant situ l extrieur de la cavit,
les pertes optiques doivent tre minimises notamment au niveau du couplage avec la cavit.
Ce guide d onde externe a l avantage de filtrer les modes TM latraux perturbant le faisceau
laser. Par contre pour les diodes DFB, les rseaux font partie de la zone active elle-mme ce
26
qui simplifie considrablement la conception. Cependant avec le dveloppement des

technologies d intgration, le laser peut tre intgr avec deux guides d onde passifs sur le
mme composant monolithique, l un contenant le DBR et l autre une section d accord pour le
contrle de la phase.
Ainsi les diodes laser DBR ont une fabrication plus dlicate que les diodes DFB mais
sont plus performantes.
G 'LRGHVODVHUjSXLWVTXDQWLTXHV
Depuis les annes 70, les progrs techniques de la microlectronique ont permis la
diminution des paisseurs de couches d htrostructures pour atteindre des dimensions
quantiques. Dans le cas des diodes laser, la rduction d paisseur de la zone active a eu
certaines consquences comme la rduction du courant de seuil. La double htrostructure
prsente sur la Figure I. 7 peut alors tre de taille si rduite que les lectrons et les trous
verront les discontinuits respectives de la bande de conduction et de la bande de valence se
comporter comme des puits quantiques en vis vis (Figure I. 13).
)LJXUH,=RQHDFWLYHGXQHGLRGHODVHUjSXLWVTXDQWLTXHV
27
)LJXUH,1LYHDX[GpQHUJLHGHVpOHFWURQVHWGHVWURXVGDQVXQH]RQHDFWLYHHQ$O*D$V*D$V
Les porteurs pigs dans les puits quantiques se rpartissent alors sur plusieurs niveaux
[5],[6]
d nergie dtermins par la rsolution de l quation de Schrdinger . Dans une structure
en AlGaAs/GaAs, les nergies des lectrons peuvent tre quantifies sur 2 niveaux E1 et E2
dans la bande de conduction pour une certaine paisseur. Alors que les trous se rpartissent
sur 5 niveaux: 3 niveaux de trous lourds HH1, HH2 et HH3 ainsi que 2 de trous lgers HL1 et
HL2 (Figure I. 14).
Notons que cette notion de trous lourds et lgers provient directement de la structure des
bandes du matriau massif en l occurrence le GaAs. Ces deux types de particules ont une
masse effective diffrente. En injectant les porteurs dans la structure, les diffrents niveaux
pourront se remplir de faon inverser compltement la population.
La dsexcitation des lectrons se fait par recombinaison avec les trous selon certains niveaux
d nergie :
E1 HH1, E1 HL1, et E2 HH2, E2 HL2.
ce qui implique diffrentes longueurs d onde d mission pour chaque transition, dans notre
cas :
lE1.HH1 = 852nm, lE2.HH2 = 804nm, lE1.HL1 = 843nm et lE2.HL2 = 775nm.
Outre la diminution du courant de seuil, l utilisation d une zone active puits

quantiques permet de limiter les transitions possibles entre les deux bandes grce la
quantification des niveaux permis et de slectionner leur nergie par l utilisation d une
gomtrie adquate du puits. Ceci rduit fortement la largeur du spectre d mission. D autre
28
part, il y a un meilleur recouvrement entre la zone d accumulation des porteurs et la zone de

gain. De ce fait, l efficacit de pompage est amliore: plus de porteurs contribuent
l mission stimule. En contrepartie, le facteur de confinement G (qui sera prsent
ultrieurement) est beaucoup plus faible que dans les lasers classiques, compte tenu des
faibles dimensions de la zone active. Ce phnomne peut tre rduit en utilisant une structure
puits quantiques multiples (3 6) qui seront positionns prcisment l o ils seront les plus
efficaces : aux ventres de champ optique.
Ces composants sont ralisables grce aux techniques de fabrication de la microlectronique,
tel que l pitaxie par jets molculaires (MBE : molecular beam epitaxy) qui consiste
bombarder par condensation de flux atomique ou molculaire un substrat monocristallin
[7],[8],[9]
. Cela a pour avantage de contrler l paisseur de chaque couche quelques
nanomtres prs.
,,/DVHUjFDYLWpYHUWLFDOH
Les structures prsentes prcdemment sont des diodes laser mettant par la tranche.
Ce sont les plus simples raliser. Ces composants arrivent maturit de leur performances,
mais ils demeurent peu adapts aux liaisons optolectroniques parallles (sur plusieurs
canaux) et la miniaturisation des circuits optolectroniques. La fabrication en srie de ce
type de composant est quasi impossible, ce qui ne permet pas de rduire le cot des liaisons
par fibre optique. Une alternative tous ces problmes fut la conception de diodes laser
cavit verticale mettant par la surface.
En effet depuis les annes 80, la possibilit de fabriquer des lasers mettant par la surface a
t suggre de faon disposer les metteurs en matrice et donc de multiplier la puissance
[10]
optique mise . Dans un premier temps, ces composants taient bass sur la dviation du
faisceau d un laser mettant par la tranche (Figure I. 15, Figure I. 16, Figure I. 17).
Les lasers mission par la surface couplage par rseau (Figure I. 15) ont t raliss en
ajoutant un rseau de Bragg la sortie du laser de faon le dvier vers le sens vertical.
29
)LJXUH,/DVHUjpPLVVLRQVXUIDFLTXHjFRXSODJHSDUUpVHDX
L inconvnient est que ce composant met un faisceau fortement elliptique avec une
puissance optique assez faible et a un encombrement limitant la disposition en matrice.
Une seconde catgorie de laser mission verticale a t obtenue en couplant un laser

mission par la tranche avec un miroir 45 (Figure I. 16). Or la rflexion sur le miroir
engendrait des pertes supplmentaires rduisant la puissance optique de sortie. Des techniques
de fabrication telles que l attaque chimique ou le clivage et la mtallisation ont permis la
conception de miroir de trs bonne qualit donnant une valeur convenable de la puissance
optique de sortie.
)LJXUH,/DVHUjpPLVVLRQVXUIDFLTXHjPLURLUj
Mais le problme restait toujours l encombrement du composant lors de la mise en matrice.
30
Une troisime possibilit de diode laser mettant par la surface a t pense en utilisant le
principe de cavit replie (Figure I. 17).
)LJXUH,/DVHUjpPLVVLRQVXUIDFLTXHjFDYLWpUHSOLpH
Ce principe est couramment utilis pour les lasers pompage optique (de type laser
colorant) mais en ce qui concerne les lasers pompage lectrique la disposition de l lectrode
suprieure reste dlicate. Outre ce problme les chercheurs se confrontaient encore au
problme de longueur de cavit limitant la disposition matricielle.
D o l ide d une structure en cavit verticale comme l indique la Figure I. 18.
)LJXUH,6WUXFWXUHGXQHGLRGHODVHUjFDYLWpYHUWLFDOHpPHWWDQWSDUODVXUIDFH9&6(/
31
C est en 1977 que Iga proposa ce type de laser et ds 1979 le premier laser cavit
verticale fut ralis. Ce type de Diode laser gardait tout de mme des dimensions importantes
et des conditions d utilisation difficiles (temprature de fonctionnement de 77K et courant de
seuil de 900mA). Tous ces inconvnients taient dus en partie la structure de la diode laser.
En effet, ce laser tait alors constitu d une double htrostructure de GaInAsP/InP, assez
paisse, et de miroirs mtalliques prsentant de l absorption dans l infrarouge ce qui
augmentait donc le courant de seuil. Ce n est que depuis 1989, grce aux travaux de Jewell et
son quipe, que des performances convenables en temprature et en courant ont t obtenues.
Ces performances furent obtenues en introduisant dans une cavit en AlxGa1-xAs un ou
plusieurs puits quantiques (GaAs), pour rduire l paisseur de la zone active, et en remplaant
les miroirs classiques par des rflecteurs de Bragg (DBR : Distributed Bragg reflector) de
structure AlAs/AlxGa1-xAs afin d augmenter la rflectivit.
Le composant est conu de telle sorte que ces miroirs permettent aux photons d osciller dans
la cavit et de sortir par la surface suprieure: coefficient de rflexion de 99% pour le miroir
suprieur (environ 19 paires) et 99,99% pour le miroir infrieur (environ 30 paires). D autre
part, la structure verticale ncessite une circulation du courant de polarisation travers les
DBR ; de ce fait, le miroir suprieur est dop positivement et le miroir infrieur ngativement.
L injection des porteurs se fait par l intermdiaire de 2 lectrodes situes au-dessus du miroir
suprieur et en dessous du substrat. Une ouverture circulaire au centre de l lectrode
suprieure permet l mission de lumire dans le sens vertical. Pour optimiser l acheminement
des porteurs vers la zone active et le confinement de photons, il a t ncessaire de modifier la
structure, ceci fera l objet d un paragraphe ultrieur.
,,,$YDQWDJHV GX 9&6(/ FRPSDUDLVRQ 9&6(/ 'LRGH ODVHU

FRQYHQWLRQQHOOH
Hormis la structure verticale permettant une disposition en matrice ou en barrette, le

VCSEL possde de nombreux autres avantages.
Tout d abord, la zone active tant constitue de puits quantiques, cela permet, comme il a t
prsent dans le paragraphe I.3.d, de rduire fortement le courant de seuil et l paisseur de la
cavit ( car le coefficient des miroirs de Bragg est trs lev). Ainsi, pour les VCSELs actuels,
le courant de seuil est beaucoup plus faible que celui des lasers conventionnels : Ith > 20 mA
pour les lasers conventionnels et Ith < 4mA pour les VCSELs.
32
La structure verticale et cylindrique permet au faisceau mis d tre circulaire et faiblement

divergent. Alors que pour les metteurs par la tranche, le faisceau est fortement elliptique et
diverge en champ lointain, ce qui complique le couplage avec la fibre optique et oblige donc
l ajout d un dispositif de focalisation au niveau de la connexion (Figure I. 19).
D autre part, la bande passante du VCSEL est assez leve, pour un courant de polarisation
trs bas et donc une faible consommation de puissance.
La disposition des VCSELs en matrice ou en barrette se fait directement par une technologie
[8]
de fabrication collective . Tout d abord, les couches de matriaux sont pitaxies sur un
mme substrat. La seconde tape consiste dlimiter chaque VCSEL par lithographie. Quant
la troisime tape, elle dterminera le confinement des porteurs et des photons (ce qui fera
l objet de la section suivante). Au final, la planarisation du composant permet d obtenir une
densit d intgration compatible avec les circuits lectroniques de commande. Cette mthode
de fabrication en srie rduit considrablement les cots par rapport ceux des diodes laser
conventionnelles tout en gardant des performances trs comptitives.
)LJXUH,&RPSDUDLVRQGX9&6(/DYHFXQHGLRGHODVHUpPHWWDQWSDUODWUDQFKH
Malgr tout le VCSEL n est pas arriv maturit. Depuis 1996 (date laquelle le
premier VCSEL fut commercialis), beaucoup de travaux de recherche ont port sur
l amlioration du confinement des porteurs dans la zone active. En effet, la traverse des
miroirs de Bragg par le courant de polarisation, engendre des phnomnes parasites
augmentant la rsistance srie ( FRQWUH SRXU XQ ODVHU FRQYHQWLRQQHO FHV
problmes sont accentus en fonctionnement dynamique. Une autre consquence est la
limitation en courant du composant : en rgle gnrale, le courant maximum dans le VCSEL
33
se situe entre 10 et 20mA ; au-del, il y a chauffement et dformation des DBR empchant

toute oscillation dans la cavit.
D autre part, le VCSEL est monomode longitudinal, mais, lorsque le courant de polarisation
augmente, de nombreux modes transverses sont excits. Ce phnomne est d au spatial
hole burning , phnomne physique non linaire associ la diffusion des porteurs. Ce qui
oblige le VCSEL mettre dans des fibres multimodes.
Un autre sujet qui a fait l objet de beaucoup de travaux de recherche chez les fabricants de
VCSEL est l augmentation de la longueur d onde 1,3 ou 1,55m. En effet, les structures
classiques de VCSEL en utilisant l AlAs, l AlGaAs et le GaAs mettent 850nm. Or, cette
longueur d onde, la fibre optique en silice attnue fortement le signal et a une importante
dispersion chromatique, ce qui rend impossible l utilisation du VCSEL dans des liaisons
longues distances.
,9'LIIpUHQWHVVWUXFWXUHVGH9&6(/
,9 =RQHDFWLYHjSXLWVTXDQWLTXHV
Le VCSEL est un laser puits quantiques. Il en comporte 3 le plus souvent. La position

de ces puits va tre dtermine en fonction de l onde stationnaire oscillant dans la
cavit (Figure I. 20): les puits seront placs aux maxima de l onde de faon optimiser le
couplage.
Il existe 2 types de structures selon la longueur de la cavit.
La Figure I. 20-b prsente une cavit FHVW dire que son paisseur correspond une
longueur d onde. Dans ce cas, il n y aura qu un seul maximum d onde stationnaire o seront
placs tous les puits. La seconde structure (Figure I. 20-a) utilise le fait que la longueur de la
cavit, multiple de la longueur d onde, puisse tre deux ou trois fois plus grande que la cavit
lambda, ce qui permet d obtenir plusieurs maxima d onde stationnaire. Ainsi les puits
quantiques seront plus espacs, leur recouvrement avec le mode sera maximum ce qui
donnera une meilleur slectivit spectrale [11].
34
)LJXUH,(PSODFHPHQWGHVSXLWVTXDQWLTXHVGDQVODFDYLWpDVWUXFWXUHj]RQHDFWLYHFHQWUDOHE
VWUXFWXUHjJDLQSpULRGLTXHUpVRQDQW
,9 &RQILQHPHQWpOHFWULTXH
Si l on considre la Figure I. 21, on constate que l inversion de population a lieu dans

toute la zone active: l mission de photons est susceptible de se produire sur toute la surface
de celle-ci. Or l ouverture permettant la sortie du faisceau lumineux, est limite par la surface
des lectrodes, ce qui engendre des pertes optiques. Il a donc t ncessaire d amliorer la
[12], [1]
structure du VCSEL pour confiner les porteurs au centre de la zone active . Dans un
premier temps, les fabricants ont utilis les mmes techniques que celles les diodes lasers
conventionnelles (guidage par le gain I.3b)).
)LJXUH,VWUXFWXUHVDQVFRQILQHPHQWGHVSRUWHXUV
35
La Figure I. 22-a prsente la premire gnration de VCSELs car la plus simple

raliser. Aprs l pitaxie, certaines zones du miroir de Bragg suprieur sont rendues isolantes
par bombardement de protons (H+). Les porteurs sont ainsi guids jusqu au centre de la
rgion active forant l mission stimule se produire cet endroit.
)LJXUH,D9&6(/jLPSODQWDWLRQGHSURWRQVE9&6(/jPLURLUGH%UDJJR[\Gp
La seconde structure (Figure I. 22-b), sur le mme principe que le bombardement de protons,
va rendre isolante des parties du miroir suprieur par une oxydation locale. Cette mthode a
l avantage de rduire les recombinaisons non-radiatives.
Une autre mthode de confinement, plus communment appele structure MESA ou

pilier grav, a t imagine en rduisant la largeur du miroir de Bragg suprieur. L anode est
situe au-dessus du miroir mais en minimisant la surface de contact avec celui-ci (Figure I.
23-a) ou bien directement au-dessus de la cavit de faon supprimer la traverse du DBR
suprieur par le courant (Figure I. 23-b).
36
)LJXUH,9&6(/VPHVD
Mais cette deuxime structure ncessite une oxydation au sein mme de la cavit. Ces
structures de VCSEL donnent actuellement les meilleures performances notamment en terme
de courant (seuil trs bas, infrieur au mA) et de confinement optique mais son procd de
fabrication beaucoup plus dlicat que les prcdents augmente considrablement son cot.
La dernire structure (Figure I. 24), appele diaphragme d oxyde, est conue sur le
mme principe que celle DBR oxyd mais en limitant l attaque une seule couche d AlAs,
juste au dessus de la cavit.
)LJXUH,9&6(/jGLDSKUDJPHGR[\GH
37
Ce type de composant, sur le march depuis 4 ans, constitue la seconde gnration de

VCSEL.
On peut galement noter que les structures MESA et diaphragme d oxyde permettent le
confinement de l onde optique dans la cavit et son guidage dans le miroir de Bragg
suprieur.
90DWULFHGH9&6(/V
Comme il a t prsent dans le paragraphe II, les diodes laser cavit verticale ont t
principalement conues pour pallier au problme d encombrement dans des matrices une ou
plusieurs dimensions. Ces nouveaux composants ont permis d imaginer des liaisons sur
plusieurs canaux coupls avec des nappes de fibre optique. Mais pour cela, la disposition des
VCSELs est soumise certaines conditions ncessaires pour ne pas dgrader les performances
du composant seul.
En effet, l encombrement des lasers cavit verticale est trs rduit (quelques dizaines de
microns) mais une certaine distance doit tre respecte entre deux VCSELs voisins d une
mme matrice. Car malgr un faisceau faiblement divergent, des VCSELs trop proches sur
une mme matrice pourraient engendrer des interfrences entre les ondes optiques mises.
L aspect lectrique doit galement tre pris en compte, il est indispensable que la qualit de la
rponse frquentielle du VCSEL soit conserve. Si les accs lectriques ncessaires
l injection de courant et la modulation des VCSELs sont trop proches, les signaux de chaque
canal pourraient tre perturbs par ceux des canaux voisins. Ce phnomne est appel
diaphonie ou crosstalk [13].
La Figure I. 25 prsente une barrette de VCSELs conue par le fabriquant TRT

(Thales).
38
)LJXUH,EDUUHWWHGH9&6(/V757HWUHSRUWVXU&pUDPLTXH
L accs lectrique positif se fait sur la face suprieure de chaque VCSEL alors que la cathode
est commune pour toute la barrette sur la face infrieure. Cette conception est la plus courante
et la plus ancienne. Elle peut tre intgre sur le circuit lectronique haute frquence de
commande mais doit tre adapte par un fil de liaison ( wire bonding ) sur les anodes
situes 500 m de chaque VCSEL et reporte par brasure tain-plomb ou or-tain sur
silicium. Ce qui engendre des pertes lorsque le signal lectrique d entre monte en frquence.
La seconde barrette prsente sur la Figure I. 26, de technologie plus rcente, est plus
adapte un fonctionnement suprieur plusieurs GHz.
)LJXUH,EDUUHWWHGH9&6(/V8OP3KRWRQLFVDYHFDFFqVFRSODQDLUHGLUHFW K LNMO
La masse est remonte sur la face suprieure par la technique via-hole. L accs coplanaire est
direct sur la face suprieure ce qui vite le report par brasure, limite le wire bonding et
permet un contrle direct des caractristiques dynamiques de chaque composant. Il est
galement possible d injecter une zone isolante entre chaque composant de faon viter le
crosstalk.
39
Une autre technique de report, le flip-chip (composant retourn), est de plus en plus
utilise pour fixer les matrices de VCSELs sur leur accs lectrique. Elle donne de bonnes
performances et limite le crosstalk car elle raccourcit considrablement les wire bonding .
Par contre, elle ncessite une modification de la structure du VCSEL de telle sorte qu il
mette par le substrat ( bottom emitting ) [15].
9,$SSOLFDWLRQV
Etant donns sa longueur d onde d mission (850nm) et son fonctionnement multimode,

la principale utilisation des VCSELs s est dirige vers les liaisons datacom (Gigabit Ethernet).
Avant toute chose, resituons ce domaine dans l environnement des transmissions de
l information (Figure I. 27).
)LJXUH,/HQYLURQQHPHQW7pOpFRP'DWDFRP K LNPO
Il est possible de dcomposer les distances de communication en 3 catgories :

- OHV7pOpFRPV : l information est vhicule sur de longues distances, de la dizaine la
centaine de kilomtres sur des rseaux tlphoniques ou Internet (Wan ou Man)
- OHV'DWDFRPV dans ce cas, les distances sont rduites quelques kilomtres dans des
rseaux locaux tel que Ethernet (SAN ou LAN)
40
- OHV WUDQVPLVVLRQV VXU WUqV FRXUWH GLVWDQFH RX FDUWH j FDUWH 965 les liaisons sont
alors rduites quelques centaines de mtres au maximum.
Le secteur des tlcoms a trs largement t investi par les liaisons fibre optique
permettant une transmission trs rapide de l information. Ces liaisons sont constitues d un
metteur laser DFB fonctionnant 1,55 ou 1,3 m, longueurs d onde auxquelles la fibre
optique en silice peut transporter le signal sur les plus longues distances, et avec un spectre
optique monomode. Mais tant donn le cot de fabrication des diodes laser DFB, il ne serait
pas intressant d quiper des rseaux courte-distance avec de telles liaisons optiques malgr
les problmes qu encourent les liaisons lectriques avec la multiplication des canaux et la
demande toujours croissante d augmenter le dbit. Or, depuis l arrive des VCSELs sur le
march, une alternative ce problme est alors apparue. En effet, un composant avec de
bonnes performances frquentielles, facilement intgrable en matrice et sur circuit
lectronique et, de surcrot, bon march est le candidat idal pour les transmissions courtes
distances.
La Figure I. 28 prsente un modle de module optique parallle base de VCSELs,
capable de dbiter une information de 1,25Gbit/s par canal.
)LJXUH,0RGXOHRSWRpOHFWURQLTXHSDUDOOqOH
41
Ce module est compos d une barrette de 8 VCSELs et d une barrette de 8 photodiodes,

reportes sur leur circuit lectronique respectifs et relies des nappes de fibres optiques
multimodes pour satisfaire l mission multimode du VCSEL [17].
Or en tenant compte des amliorations de la structure des VCSELs et d une meilleure

gomtrie des barrettes, il sera possible de raliser des liaisons 10Gbps/canal ce qui pourrait
amener 120 et 480 Gb/s respectivement sur une matrice 4x12 [15].
D autre part ces modules sont de dimensions trs petites, ce qui pourrait intresser les
applications VSR ou systmes embarqus.
En effet, une variation dans la structure notamment au niveau des matriaux de la zone active
(puits quantiques en GaN/Al0,1Ga0,9N) a permis la conception de VCSEL mettant 650nm
[12]
. Ce type de composant est intressant pour les liaisons trs courtes distances, carte carte
dans un ordinateur, ou dans les systmes embarqus (automobile, aronautique). L avantage
de travailler cette longueur d onde est la possibilit de couplage avec des fibres optiques
plastiques permettant la ralisation de liaison trs bas prix. Mais compte tenu de la forte
attnuation de ces fibres compare celle des fibres en silice, l utilisation est rduite de trs
courtes distances.
Il est galement possible d utiliser ces VCSELs dans des ttes de lecture DVD ou CD [12].
Il est intressant de noter que parmi les applications de ces lasers, la structure PIN verticale
[9]
permet une utilisation du VCSEL en photodtection lorsqu il est polaris en inverse . Une
modification au niveau de l ouverture et du miroir de Bragg suprieur pour un VCSEL
diaphragme d oxyde enterr a permis la ralisation d un composant dual avec une sensibilit
en photodtection d environ 0,2A/W.
9,,9&6(/VDX[ORQJXHXUVGRQGHVWpOpFRPV
Le faible cot de fabrication des VCSELs et leurs performances ont su sduire les
industriels. Mais leur longueur d onde d mission, trop faible, est reste pendant plusieurs
annes un handicap pour une utilisation en tlcommunications.
L obstacle la ralisation de composants mettant 1,55 ou 1, 3m relve des matriaux
constituant les puits quantiques, qui comme nous l avons vu prcdemment fixent la longueur
d onde des photons oscillant dans la cavit, et les miroirs de Bragg dont la slectivit pourrait
empcher l onde optique de sortir de la cavit. Les VCSELs actuels sont constitus de
42
matriaux III-V (GaAs, AlGaAs, AlAs), bien connus en microlectronique, ce qui a permis la
ralisation de cette diode laser par la technique d pitaxie par jet molculaire, d o l intrt
conomique. Or, l utilisation des matriaux AlAs, AlGaAs, et GaAs dans les miroirs de Bragg
et les puits quantiques implique une slectivit en longueur d onde 850nm.
En remplaant la structure AlGaAs/GaAs de la zone active (barrires et puits
quantiques) par de l InAlGaAs/InP ou InGaAsP/InP, les chercheurs ont obtenu des
composants aux longueurs d onde dsires, avec une faible conductivit thermique et une
faible rflectivit du substrat InP (Figure I. 29). Mais ce jour, il est impossible de raliser
des miroirs de Bragg en accord de maille cristalline avec la zone active et le substrat.
)LJXUH,5pIOHFWLYLWpGHVPLURLUVGH%UDJJHQIRQFWLRQGXQRPEUHGH%LFRXFKHVSRXUGLIIpUHQWV
PDWpULDX[ K LNQO
Les proprits thermiques des rflecteurs de Bragg qui constituent la plus grande partie du
volume de la diode sont trs importantes. Ils doivent tre capables de dissiper la chaleur
produite par la zone active (effet laser) et par l effet Joule. D aprs le tableau de la Figure I.
30, les alliages GaAs/AlAs et a-Si/Al2O3 (a pour amorphe) ont la plus faible rsistance
thermique; malheureusement, ils ne peuvent pas tre produits par pitaxie par jet molculaire
sur un substrat InP. Ce tableau met aussi en valeur la faible conduction thermique des autres
candidats ventuels la ralisation de DBR.
43
)LJXUH,5pVLVWDQFHWKHUPLTXHHQ .GXUpIOHFWHXUGH%UDJJGHUpIOHFWLYLWpFRQVWLWXpSDU
GLIIpUHQWVVXEVWUDWV K LNQO
Si le silicium amorphe semble fournir une bonne rflectivit pour une faible quantit de
couches dans le miroir de Bragg, ainsi qu une bonne conduction thermique, sa forte rsistivit
lectrique est un obstacle majeur au dveloppement de structures base de a-Si.
Des solutions ont t mises en uvre pour pallier cette inhomognit de maille
entre la zone active et les miroirs de Bragg.
L une des premires a t d essayer de raliser des zones actives du mme type
cristallin que celui des DBR : des travaux ont t mens par Bell Labs et Lucent
Technologies ; ils ont tent de raliser des zones actives avec des puits en GaAsSb pour des
VCSELs 1300nm [19].
Depuis, beaucoup de nouveaux composants ont t conus, leurs performances ont fait
l objet de nombreuses publications. C est pourquoi nous nous limitons aux publications les
plus rcentes et aux meilleures performances.
Cielo communication a conu en 2002 des VCSELs mettant 1,3m (entre 1,26 et
1,36m) fonctionnant une tension de 2,5V, pour un courant de polarisation de 8mA,
dlivrant une puissance optique de 1,2mW, sur une gamme de temprature pouvant aller de
10 90 C comme l indique la Figure I. 31 [20],[21]. Ces composants sont constitus d une zone
active InGaAsN/GaAs avec des DBR AlAs/AlGaAs. L utilisation de cette mthode a
bnfici de la maturit des VCSELs 850nm sur substrat GaAs. Ces VCSELs monts en
barrette de 8 ou 12 peuvent dbiter 1,25 et 2,5 Gbps /canal.
44
)LJXUH,&DUDFWpULVWLTXH3XLVVDQFHRSWLTXHpPLVHHQIRQFWLRQGXFRXUDQWGHSRODULVDWLRQSRXUGHV
WHPSpUDWXUHVGH&&HW&GDSUqVODUpIpUHQFH K RSLNO
Sur le mme type de structure mais en confinant le courant par un diaphragme d oxyde
(Figure I. 32-a) ), la socit Emcore a ralis des VCSELs mettant 1,275 et 1,31m (Figure
I. 33-a) ), avec un courant de seuil de 1,5mA, dont la zone de fonctionnement se situe entre 3
et 6 mA, pour une tension infrieure 2,5V et une puissance mise infrieure 1mW
temprature ambiante (Figure I. 32-b) ). Ce composant en botier (TO-46) a pu dlivrer un
dbit de 2,5Gbps [22],[23] (Figure I. 33-b) ).
)LJXUH,DVWUXFWXUHEFRXUEHGH3,GHj&GH9&6(/VFRQoXVSDU(PFRUHGDSUqVOD

UpIpUHQFH K RTUO
45
)LJXUH,DVSHFWUHjP$P$HWP$EGLDJUDPPHGHOLOGXQHOLDLVRQjEDVHGH9&6(/

pPHWWDQWjPHW*ESVGHGpELWVXUILEUHRSWLTXHPRQRPRGHGDSUqVODUpIpUHQFH K RTUO
D autres VCSELs ont t conus partir d une zone active botes quantiques
[24]
(quantum dots) comme le prsente Ledentsov . Apparut en 1997, les VCSELs botes
quantiques avaient l avantage d avoir un courant de seuil trs bas. Depuis 2000, des VCSELs
mettant 1,3m et monts sur substrat GaAs ont pu tre raliss (Figure I. 34-a) ). Les DBR
sont constitus des mmes matriaux que les VCSELs classiques (AlGaAs/GaAs) avec
oxydation slective de certaines couches de faon confiner le courant. Les botes quantiques
sont en GaAs. Ce type de VCSEL est monomode, avec une puissance pouvant atteindre
1,26mW avec une surface d mission de 1m (Figure I. 34-b) ).
)LJXUH,DFRXSHGHODVWUXFWXUHGX9&6(/jERvWHVTXDQWLTXHVEFDUDFWpULVWLTXH/,9GDSUqVOD

UpIpUHQFH K RUMO
46
[25]
La socit Truelight a galement dvelopp ces composants et prvoit une
commercialisation pour la fin de l anne 2003. Leurs VCSELs mettent 1287nm, avec un
courant de seuil minimum de 1,6mA sur la gamme de temprature de 20 40C et une
puissance maximale de 1,5mA. La zone active est constitue de puits quantiques en GaInAsN
et les miroirs de Bragg sont constitus de bicouches d AlGaAs/GaAs. Le confinement du
courant se fait par diaphragme d oxyde.
Infineon a conu, depuis octobre 2002, une structure de VCSELs mettant 1300nm,
[26]
une note descriptive a t rendue publique en mars 2003 comme le prsente la rfrence
parue sur le site du fabriquant. Comme l indique la Figure I. 35, la zone active est base de
GaInNAs.
)LJXUH,VWUXFWXUHGHV9&6(/VpPHWWDQWDXWRXUGHQPFRQoXVSDU,QILQHRQILJXUHWLUpHGHOD
UpIpUHQFH K RUPO
L mission est monomode (taux de suppression de mode > 40dB) et la puissance optique
maximale peut atteindre 2mW. Ces composants ont permis la conception d un module
optique (OSA) fournissant une puissance optique suprieure 0,5mW jusqu une
temprature de fonctionnement de 85C. Les premiers tests ont permis d obtenir un dbit de
2,5Gbps sur 15km et 10Gbps sur 10km.
[27]
Une quipe de Japonais , du laboratoire NTT Photonics, a dvelopp des VCSELs
dont la structure est prsente sur la Figure I. 36. La zone active est constitue de plusieurs
puits quantiques en InGaAsP, de deux miroirs de Bragg (DBR, distributed Bragg Reflector)
suprieurs, le premier, situ dans la cavit, constitu de 5 couches d InP/InGaAs, dop p sur
lequel sont superposs 16 priodes de TiO2-SiO2 . L mission s effectue par le bas travers
un DBR intermdiaire en InP/InGaAsP dop n, un recuit d InP/GaAs permettant l adaptation
de la structure sur un DBR GaAs/AlAs et le substrat GaAs. Ce laser met aux alentours de
1,54m sur un seul mode pour un diamtre de zone d mission de 7m et dans une gamme de
47
temprature allant de 0 70C mais la puissance optique mise reste relativement faible
0,1mW et 0,14mW pour des diamtres respectifs de 7m et de 10m (Figure I. 37-(a)).
)LJXUH,FRXSHGHODVWUXFWXUHSUpVHQWpHSDU1773KRWRQLFVGDSUqVODUpIpUHQFH K RUVO
)LJXUH,DFDUDFWpULVWLTXH/,9GHV9&6(/VGHPHWPj&EGpSHQGDQFHGXFRXUDQW

GHVHXLOHWGXUHQGHPHQWGLIIpUHQWLHOHQIRQFWLRQGHODWHPSpUDWXUHGDSUqVODUpIpUHQFH K RUVO
Outre ces problmes de performances, la fabrication de ce composant est plus dlicate que les
prcdentes.
Une jeune Start up, BeamExpress, s est lance depuis quelques temps dans la
conception de VCSEL mettant 1,55m base d InGaAlAs. Deux structures ont jusqu
prsent t labores l une pompage optique et l autre pompage lectrique [28].
48
)LJXUH,D3XLVVDQFHRSWLTXHpPLVHHQIRQFWLRQGHODSXLVVDQFHGHSRPSHSRXUOH9&6(/SRPSp
RSWLTXHPHQWE3XLVVDQFHRSWLTXHpPLVHHWWHQVLRQHQIRQFWLRQGXFRXUDQWGHSRODULVDWLRQSRXUOH9&6(/
SRPSppOHFWULTXHPHQW
Cette quipe de chercheurs a obtenu un fonctionnement monomode autour de 1,5m. Leur

VCSEL pompage optique sont capables de dlivrer 3mW 24C et 1,2mW 73C (Figure
I. 38-a)). Quant aux VCSELs pompage lectrique, ils dlivrent 1,5mW 20C et 0,2mW
70C (Figure I. 38-b). D autre part, ce fabricant dveloppe actuellement des VCSELs
accordables [29].
Depuis la fin du mois de mars 2003, Infineon commercialise les VCSELs fonctionnant
1310nm et capable d mettre des donnes 2,5Gbps. On peut galement esprer que
Truelight n attendra plus trs longtemps avant de vendre ses composants.
On peut dire d ores et dj que plusieurs types de VCSELs mettant autour de 1300nm seront
commercialiss dans les six prochains mois. Par contre, il semblerait qu il faille attendre un
peu plus longtemps avant de pouvoir disposer des composants mettant 1,5m.
49
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PD3.8., Copenhagen (Denmark), Sept. 8-12, 2002.
53
Chapitre 2 Fonctionnement du VCSEL et
Modlisation optolectronique
&KDSLWUH
)RQFWLRQQHPHQWGX9&6(/HWPRGpOLVDWLRQ
RSWRpOHFWURQLTXH
&H FKDSLWUH SUpVHQWH OHV pTXDWLRQV UpJLVVDQW OH FRPSRUWHPHQW RSWRpOHFWURQLTXH GX 9&6(/
8QH SUHPLqUH SDUWLH SRUWH VXU OD GHVFULSWLRQ GHV SKpQRPqQHV pOHFWURQLTXHV GDQV OHV
KpWpURMRQFWLRQVFRQVWLWXDQWOHVPLURLUVGH%UDJJHWRSWLTXHVGDQVOHPSLOHPHQW1RXVSDVVRQV
HQVXLWH DX PpFDQLVPH GpPLVVLRQ ODVHU SDU OH GpYHORSSHPHQW GHV pTXDWLRQV GpYROXWLRQ GX
QRPEUHGHSRUWHXUVHWGXQRPEUHGHSKRWRQV
55
,&RPSRUWHPHQWRSWRpOHFWURQLTXH
,0LURLUVGH%UDJJ
Avant de dcrire l volution des photons et des porteurs dans la cavit, il est important
de dcrire le comportement optique et lectrique des miroirs de Bragg lorsque ceux-ci les
traversent. Outre les proprits optiques prsentes dans le 1er chapitre, les miroirs de Bragg
permettent le confinement du courant dans la cavit.
D &RPSRUWHPHQWpOHFWULTXH
L acheminement du courant d lectrons dans la rgion active se produit grce la

structure semiconductrice des miroirs de Bragg. Ils sont composs d un empilement
d htrojonctions isotypes (mme dopage mais matriaux diffrents) d paisseur trs fine (
20 60nm) d alliage III-V (III et V tant le nombre d lectrons de valence des lments, ce
[1]
qui correspond au numro de la colonne de la classification priodique ). Par exemple,
l aluminium (Al) et le gallium (Ga) sont classifis III, l arsenic (As), l azote (N), le phosphore
(P) et l antimoine (Sb) sont dans la colonne V.
Dans les premiers VCSELs, les interfaces entre chaque couche taient abruptes (Figure II. 1).
C est dire que les miroirs taient constitus d empilement de couches d AlAs, d AlxGa1-xAs
et ainsi de suite, o la valeur de la fraction molaire x restait fixe, en gnral x=0,1 ou 0,2.
)LJXUH,,YDULDWLRQGHODIUDFWLRQPRODLUHjFKDTXHLQWHUIDFHGHVPLURLUVGH%UDJJ
57
Ces structures avaient les proprits optiques requises pour donner une haute rflectivit, mais
le passage du courant de polarisation travers les htrojonctions engendrait d importants
phnomnes rsistifs qui, sur toute l paisseur du miroir, donnaient une rsistance quivalente
d une centaine d ohms. Une alternative ce problme a t de faire varier la fraction molaire
[ de l AlGaAs aux interfaces de faon rduire les largeurs de zone de charge d espace des
[2],[3]
htrojonctions et la rsistivit . On peut avoir par exemple: Al0.12Ga0.88As d paisseur
40nm ensuite une couche d AlxGa1-xAs o [ varie de 0,12 1 sur une paisseur de 20nm
ensuite une couche d AlAs de 50nm, puis une nouvelle couche d AlxGa1-xAs de 20nm, etc.
Pour comprendre ce phnomne, il est intressant d tudier le cas d une htrojonction seule.
La Figure II. 2-a) reprsente le diagramme de bandes des deux alliages AlGaAs et AlAs.
Chaque semiconducteur est dfini par son affinit lectronique eci (e tant la charge de
l lectron) ; cette grandeur est l nergie fournir un lectron situ au bas de la bande de
conduction pour l extraire du semiconducteur et l amener au niveau du vide sans vitesse
initiale. Dans le cas d une htrojonction, l nergie de la barrire de potentiel est alors donne
par Eb= ec1-ec2.
Au contact, il y a alignement des niveaux de Fermi (Figure II. 2-b)) et donc cration d une
zone de charge d espace d paisseur W. La diffrence de potentiel entre les deux
semiconducteurs (appele galement tension de diffusion Vd), en l absence de polarisation,
est dfinie en fonction du travail de sortie e i, tel que :
9W = 92 - 91 = - (HF 2 - HF1 )
1
H
(2. 1)
La largeur W de la zone de charge d espace est dtermine partir du nombre de porteurs, des
permittivits, de la charge de l lectron et de la diffrence de potentiel entre les deux
matriaux.
La densit d lectrons s exprime sous la forme suivante :
2 Pa (( - ( )
1b = 4 p \ Z 1 + H \`
3/ 2 X
K
Y \ [_
( ) / ]S^
(2. 2)
me est la masse effective de l lectron, h, la constante de Planck, k, la constante de Boltzmann

et T, la temprature.
58
)LJXUH,,GLDJUDPPHVGHEDQGHVDGHO$O*D$VHWGHO$O$VDYDQWODUpDOLVDWLRQGHODMRQFWLRQEGH

OKpWpURMRQFWLRQFGXPLURLUGH%UDJJGRSpQ
59
Si la concentration de porteurs est faible alors la probabilit d occupation est trs infrieure
1 et donc l approximation de Boltzmann peut tre utilise pour simplifier la forme analytique
( )
de EC-Ef .
(d - (e =N7 ln 1 c
d
1
(2. 3)
o NC et Nd sont respectivement les densits d tats effectifs de la bande de conduction et

1
d lectrons (la mthode est similaire pour une htrojonction dope p : (h - ( = N7 ln f g
g
1
o NV et NA sont les densits d tats effectifs de la bande de valence et de trous [4] ).
Dans le cas d un dopage de l ordre de 1018cm-3, le niveau de Fermi est proche du bas de la
bande de conduction pour le dopage n ou du haut de la bande de valence pour le dopage p.
Dterminons maintenant la charge de l htrojonction dope n (sachant que le calcul

est identique pour le cas dop p avec la charge et le potentiel inverse).
On considre une zone de dpltion de largeur xd avec une charge +Q prpondrante du ct
AlAs (Figure II. 3), donc : 4 H1i [i
)LJXUH,,5pSDUWLWLRQGHVFKDUJHVGDQVOD]RQHGHFKDUJHGHVSDFH
60
D aprs l quation de Poisson :
29 r H 1k
= - = - pour 0 [[d
[ 2 e0 e j e0 ej
(2. 4)
il est possible de dduire le champ lectrique HQIRQFWLRQGH[HWHQLQWgrant le potentiel V

dans la zone de charge d espace (hors de cette zone le champ est nul) :
9 H 1 l
x =- = ( [ - [l ) pour 0 [[d
[ e 0 e m
(2. 5)
Une deuxime intgration nous permet d obtenir la distribution du potentiel en fonction de x :

H 1n
9= (- [ 2 + 2 [ [ n - [ n ) pour 0 [[d
2e0 eo
2
(2. 6)
En partant de la condition l origine V(0) = (C/e, la largeur de la zone de dpltion xd

l interface s exprime donc :
2e0 e r
[q = D( p
H2 1 q
(2. 7)
La permittivit relative er est celle de l AlAs o se situe la zone de dpltion.
Passons maintenant au cas de l htrojonction sous une tension de polarisation directe

pour le miroir p et inverse pour le miroir n. Le courant est conditionn, l interface, par le
mcanisme d mission thermique des porteurs et par la diffusion des porteurs. Dans ces deux
cas, le courant rsulte du franchissement de la barrire de potentiel par les porteurs ayant une
nergie thermique suffisante. Le courant pour les fortes discontinuits sera toujours plus lev
que celui du ct des pseudo continuits [5].
La Figure II. 4 reprsente le dplacement des porteurs travers la forte discontinuit de la
jonction (souvent appele par le terme anglais spike ) par effet tunnel ou au-dessus de la
barrire par mission thermoonique.
61
)LJXUH,,'pSODFHPHQWGHVpOHFWURQVHWGHVWURXVDXQLYHDXGHVMRQFWLRQV
Pour les spike , la barrire de potentiel est relativement troite surtout au voisinage du
sommet, de sorte que les porteurs qui ont une nergie voisine du sommet peuvent la traverser
par effet tunnel. Mais pour arriver ce niveau, les lectrons acquirent une nergie par effet
thermique. Ce phnomne est appel effet tunnel thermiquement assist. Dans ce cas, le
courant suivra la mme loi de variation en temprature que le courant d mission thermique
[6], [2]
.
Lors de la polarisation (directe ou inverse) de l htrojonction (Figure II. 5), la hauteur de

barrire va augmenter pour devenir suprieure kT .
)LJXUH,,KpWpURMRQFWLRQSRODULVpHSRODULVDWLRQGLUHFWHSRODULVDWLRQLQYHUVH
62
Dans un cas classique, le courant thermique est faible car la hauteur de la barrire engendre
une rsistance. Mais dans le cas du VCSEL, la largeur de la zone de dpltion est
suffisamment fine pour que le courant tunnel qui permet aux lectrons de traverser le spike
soit lev.
En ce qui concerne la jonction 2 de la Figure II. 5, elle ne prsente pas d opposition au
passage des lectrons dans la zone de dpltion de l AlAs sous polarisation directe, ce qui
induit un fort courant et donc une faible rsistance (courant thermoonique prpondrant ).
Ainsi en favorisant l effet tunnel, c est dire en ajustant le dopage (sans modifier les
proprits optiques), la rsistance sera rduite.
Avant de poursuivre dans la dtermination de la probabilit de traverse des barrires

par effet tunnel, il est ncessaire d expliciter ce phnomne en passant par l quation de
Schrdinger.
Commenons tout d abord par l tude de la marche de potentiel (Figure II. 6) qui nous
permettra d expliquer physiquement ce qui peut se produire dans le cas d une barrire de
faible paisseur.
)LJXUH,,0DUFKHGHSRWHQWLHO
La marche de potentiel est dfinie telle que :
0, [ < 0
9 ( [) =
90 , [ > 0
Dans le cas classique, l nergie de la particule mise depuis - YpULILH(9o , c est

dire qu elle rebondit sur la marche et repart dans l autre sens.
63
Pour dcrire le comportement de cette particule, on part de l quation de Schrdinger :

h G 2Y
- + 9 ( [) Y ( [) = ( Y ( [)
2 P G[
(2. 8)
qui devient dans le cas d une marche:

h G 2Y
+ ( ( - 90 ) Y ( [ ) = 0
2 P G[
(2. 9)
2P( 2 P (90 - ( )
En posant les constantes N1 = et r 2 =
h2 h2
On obtient donc la solution suivante :
Yt ( [ ) = $1 H + $1 H
v wu ws x v wu ws
1 1
Y t t ( [) = %2 H + %2 H
y ws x y ws (2. 10)
2 2
A1 reprsente l onde se propageant dans le sens des x croissants et A1 l onde rflchie dans la
zone I. L onde devant tre borne l infini, B2 sera gale 0.
En crivant la condition de continuit de la fonction d onde et de sa drive en x = 0, on

obtient : $ z $ z %{ et LN z $ z LN z $ z { %{
d o
$1 N1 - L r 2 %2 2 N1
= =
$1 N1 + L r 2 $1 N1 + L r 2
et (2. 11)
Dans le cas de la mcanique classique, on considre que la rflexion est totale c est
$1
dire, 5 = = 1.
$1
Or d aprs l quation d onde, il existe une onde vanescente H

~ }
2
| dans la rgion II o la
particule ne devrait pas pntrer (dans notre cas, la bande interdite de l htrojonction). La
probabilit d occupation de la particule dans cette zone dcrot exponentiellement selon x
pour devenir ngligeable la distance caractristique :
[ = =
1 h2
2 P (90 - ( )
(2. 12)
r2
64
Il est intressant de s attacher dsormais au cas d une barrire de potentiel de largeur O et de

hauteur 9 (Figure II. 7), de telle sorte que :
0, [ < 0

9 ( [ ) = 90 ,0 < [ < O
0, [ > O

)LJXUH,,EDUULqUHGHSRWHQWLHO
Les solutions de l quation de Schrdinger s crivent alors :

Y ( [ ) = $1 H + $1 H

1 1

Y ( [ ) = %2 H + %2 H

2 2
(2. 13)
Y ( [ ) = $ 3 H + $ 3 H

1 1
En supposant qu il n y ait pas de possibilit de rflexion aprs la barrire l infini, on prendra

A 3 = 0.
Les conditions de continuit en x = 0 et en x = l nous donnent alors les coefficients de
( )
rflexion et de transmission dans la barrire :
$' N1 + r 2 sinh ( r 2 O ) 90 sinh ( r 2 O )

( )
2 2 2
5= 1 = =
2
$1 4 N1 r 2 + N1 + r 2 sinh ( r 2 O ) ( (9 - ( ) + 9 ( O )
(2. 14)
2 2
r
2
2
4 0 0 sinh 2
$ 4 N1 r 2 4 ( (90 - ( )
( ) sinh (r
2
7= 3 = =
2
$1
2 O)
4 ( (90 - ( ) + 90 sinh ( r 2 O )
(2. 15)
4 N1 r 2 + N1 + r 2
2 2 2 2
z
Ainsi lorsque la largeur l de la barrire augmente ou {- diminue, la probabilit de
transmission dcrot exponentiellement. Pour favoriser la transmission de l onde par effet
tunnel, il est donc ncessaire de rduire la largeur de la barrire pour qu elle soit trs
infrieure [ .
65
Revenons maintenant au cas du miroir de Bragg (Figure II. 8).
)LJXUH,,/DUJHXUGHOD]RQHGHGpSOpWLRQ[ HWGHOD]RQHWXQQHO[
Sous une polarisation V, la largeur de la zone de charge d espace xd augmente :

2e0 e
[ = (D( + H9 )
H 1
(2. 16)
Par contre la largeur de la zone suprieure du spike que les lectrons pourront traverser par
effet tunnel, xt, diminue.
H9 H9
[ = [ 0 1 + -

D( D(
(2. 17)

o xd0 est la largeur de la zone de charge d espace sous une polarisation nulle.
Compte tenu des faibles dimensions, il est possible d assimiler les spike des barrires
d paisseur xt HWGHKDXWHXU (c.
En injectant ces grandeurs dans l quation (2.15), il est possible de dterminer la probabilit
de transmission de l lectron par effet tunnel :
66
{ ( )}
7 =
1

(2. 18)
1 + D( sinh [ 2 P (D( - ( ) / h
2
4 ( (D( - ( )
2

Lorsque la largeur de la barrire [ est trs faible devant la largeur caractristique [ , la

probabilit de transmission des photons travers les barrires augmente. Comme cette largeur
diminue avec l accroissement de la polarisation, la probabilit de traverse des miroirs par
effet tunnel augmente avec le courant de polarisation.
Dans une jonction, l effet Tunnel devient significatif lorsque l paisseur de la zone de charge
d espace est infrieure 1m et les concentrations de porteurs sont leves. Dans le cas des
miroirs de Bragg, elles doivent atteindre 1019 cm-3 s il est dop n et 1018cm-3 s il est dop p
[2], [7]
.
La densit de courant tunnel sera alors dtermine comme le produit de la charge des
porteurs, de leur densit Q, de la probabilit tunnel, de la vitesse de Richardson Y qui est la
vitesse des porteurs capables de traverser les barrires et de la probabilit tunnel 7 :
- = H n Q 7 (2. 19)
La densit de courant thermique s exprime en fonction de l nergie du spike Eb , de la masse

effective de l lectron, de la temprature et des constantes de Planck et de Boltzmann :

4 p H
(N 7 ) P H

- = -

2
K 3
(2. 20)
On en dduit donc le courant total pour chaque barrire :

- = - + - (2. 21)
E &RPSRUWHPHQWRSWLTXH
La prsence des miroirs de Bragg dans la structure du laser cavit verticale va se

rpercuter sur la valeur du facteur de confinement. En effet l onde optique n oscille plus entre
deux miroirs massifs mais entre deux empilements de plusieurs couches de matriaux dont la
diffrence d indice va permettre de fixer un coefficient de rflexion trs lev.
67
Pour une interface d indices n1 et n2, le coefficient de rflexion est calcul partir de
l quation de Fresnel tel que :
Q1 - Q 2
U=
Q1 + Q 2
(2. 22)
Et pour tout l empilement, le coefficient de rflexion s exprimera pour chaque interface des
P paires:
1 - (Q1 / Q 2 )2

=
2
5- = U-
1 + (Q1 / Q2 )

2
(2. 23)

2
Comme il a t prsent dans le paragraphe sur les diodes contre raction distribue du
premier chapitre ( I.3.c), l onde optique incidente sur un rflecteur de Bragg va tre rflchie
l interface et transmise dans l empilement (Figure II. 9). Cette onde transmise se propageant
dans le miroir va se voir rflchie et transmise son tour la premire interface qu elle
rencontrera et ainsi de suite.
)LJXUH,,3pQpWUDWLRQGHORQGHRSWLTXHGDQVODFDYLWp
On peut donc dire qu une partie de l onde oscillant dans la cavit va pntrer dans les miroirs
de Bragg avant d tre rinjecte pour participer l mission de photons. Il est donc ncessaire
d en tenir compte dans le terme de confinement des porteurs qui sera prsent par la suite.
Pour cela, il est judicieux de considrer la longueur effective de la cavit Leff qui prendra en
compte l onde transmise dans les miroirs sur une certaine longueur Lp1 pour le miroir
suprieur et Lp2 pour le miroir infrieur. En effet, l onde stationnaire se propageant dans la
cavit va devenir vanescente lors de la pntration dans les miroirs (Figure II. 10) : on
considre que la contribution de cette onde est significative pour l mission stimule jusqu
[8],[9]
la distance Lpi de l interface cavit miroir . A cette distance, le DBR est quivalent un
miroir mtallique et une cavit d paisseur Leff.
68
)LJXUH,,/RQJXHXUHIIHFWLYHGHODFDYLWp
Dterminons tout d abord le nombre effectif de bicouches traverses par l onde optique :
1 Q1 + Q2
P =
2 Q1 - Q2
(2. 24)
o n1 et n2 dsignent les indices des couches 1 (AlAs) et 2 (AlGaAs) des miroirs de Bragg.
On suppose que les matriaux constituant les miroirs sont identiques, seules les paisseurs des
couches et leur nombre changent ; on a donc les mmes indices et, de ce fait, le mme nombre
effectif de bicouches.
Il est alors possible de calculer la longueur de pntration de l onde dans les miroirs :
/ = P ( /1 + /2 )
1
(2. 25)
2
L1 et L2 tant respectivement les longueurs des couches 1 et 2 du miroir de Bragg.
On dtermine ensuite un indice effectif pour chaque bicouche :

Q1 /1 + Q 2 /2
Q =
/1 + /2
(2. 26)
avec L 1 ou 2
69
D o l expression de la longueur effective :

Q1 Q
/ = / + / 1 + 2 /
Q Q
2 (2. 27)
,&DYLWpHW]RQHDFWLYH
Comme il a t prsent dans le chapitre prcdent, le laser fonctionne comme un

amplificateur contre raction, dans lequel la grandeur d entre est le courant de polarisation
et la grandeur de sortie, la puissance optique. Avant d tablir la relation entre la puissance
optique et le courant de polarisation, il est ncessaire de connatre le comportement des
porteurs dans la zone active et des photons dans la cavit.
Commenons tout d abord par dcrire le mcanisme de gnration et de recombinaison des
porteurs dans la zone active comme le prsente la Figure II. 11 [10].
)LJXUH,,DHWEUHSUpVHQWDWLRQGHVPpFDQLVPHVGHJpQpUDWLRQUHFRPELQDLVRQGHVSRUWHXUV
Seule une portion du courant Ggen va atteindre la zone active pour en inverser la population,
ceci est d aux pertes lors de son acheminement travers les miroirs de Bragg et au courant
de fuite au niveau des lectrodes. Une fois dans la zone active, ces porteurs auront la
possibilit de se recombiner pour donner le terme Rrec.
La variation du nombre de porteurs dans la zone active en fonction du temps est donc la
diffrence entre ces deux termes tel que :
G1
= * - 5
GW
(2. 28)
70
Le terme de recombinaison est dfini comme l ensemble de chaque recombinaison possible

dans la zone active qu elle soit radiative ou non. Dans un premier temps, alors que le courant
de polarisation n est pas assez fort pour produire l inversion de population, les seules
recombinaisons possibles sont celles produisant l mission spontane Rsp et les
recombinaisons non radiatives Rnr (chapitre I, 1, Figure I. 3). Une fois que le courant a
atteint une certaine valeur seuil, le terme d mission stimule Rst vient s ajouter aux
recombinaisons.
5 = 5 + 5 N + 5 (2. 29)
D une manire gnrale, on pourra crire l quation d volution des lectrons dans la
cavit sous la forme:
G1
= * - 5N - 5 - 5
GW
(2. 30)
Quand l volution des photons dans la cavit, elle sera dtermine comme la diffrence
entre les photons participant l effet laser et les photons sortant de la cavit. Les photons
oscillants dans la cavit sont la somme de l mission stimule Rst et d une fraction de
l mission spontane b5 , celle dont la longueur d onde correspond l mission stimule.
Les photons perdus sont ceux qui s chappent de la cavit par les miroirs et ceux qui sont
absorbs par la zone active g3.
On peut donc crire l quation gnrale d volution des photons dans la cavit sous la forme:
G3
= 5 + b 5 -g 3
N
GW
(2. 31)
,,eTXDWLRQVGpYROXWLRQDQDORJLHVHWGLIIpUHQFHVDYHFXQHGLRGHODVHU
FRQYHQWLRQQHOOH
Nous allons maintenant adapter les quations d volutions tablies prcdemment d une
manire qualitative aux diodes laser conventionnelles monomodes et aux VCSELs.
71
,, /DVHUFRQYHQWLRQQHOPRQRPRGH
En partant des quations (2.30) pour les lectrons et (2.31) pour les photons, nous allons
dterminer chaque terme en fonction des paramtres intrinsques du composant.
Le terme de gnration de paires lectrons-trous est dtermin comme une portion du courant
inject dans la cavit [11] :
,
* =
T
NS (2. 32)
o ,. est le courant entrant dans la cavit sans tenir compte des courants de fuite aux
lectrodes.
En ralit, le courant ,cavit correspond la portion h , du courant de polarisation, est le

rendement quantique interne de la zone active.
On retiendra donc :
h ,
* =
T
(2. 33)
Dterminons maintenant les trois catgories de recombinaisons.

Les recombinaisons stimules ne se produisent que lorsque la valeur seuil est dpasse, c est
dire lorsque les premiers photons ont commenc osciller dans la cavit. Ce terme est donc
dfini comme le produit du gain dans la zone active et du nombre de photons :
5 N = * 3 (2. 34)
L expression analytique du gain G sera explicite par la suite dans le paragraphe III.
Il est courant d inclure les deux autres termes de recombinaison dans la dure de vie des
porteurs te, tel que :
1
5 + 5 = (2. 35)
t
La valeur de te dpend du nombre de porteurs N, on l crit en gnral sous la forme suivante :

1 = $+ %1 +&1 (2. 36)
t
72
On a donc :
5 = ( $ + & 1 ) 1 , o $ est le coefficient de recombinaison non-radiative et & est le
coefficient de recombinaison par effet Auger .
5 = % 1 , % est donn comme le coefficient de recombinaison bimolculaire, il correspond
l mission spontane dans la zone active.
Dveloppons maintenant l quation (2.31) pour dcrire l volution des photons.
Le premier terme dfinit le nombre de photons stimuls dans la cavit, il correspond au terme
explicit prcdemment. Le second terme correspond une fraction de l mission spontane,
il est obtenu partir du produit du coefficient d mission spontane et du coefficient de
[10]
recombinaison bimolculaire, certains auteurs comme Agrawal introduisent le terme de
rendement quantique spontan, afin d introduire la dure de vie des porteurs dans ce terme.
b h 1
b 5 = b % 1 = (2. 37)
t
avec h = % 1 t
Le troisime terme, relatif aux pertes dans la cavit, s exprime en fonction de la dure de vie
des photons t . En effet, elle dpend des pertes internes de la cavit a et des pertes dans les
miroirs a :
= Y (a + a )
1
(2. 38)
t
o Y est la vitesse de groupe.
On obtient donc :
3
g 3= (2. 39)
t
73
Il est dsormais possible de rcrire les quations d volution du nombre de porteurs et du

nombre de photons dans un laser conventionnel, c est dire mettant par la tranche avec une
zone active htrostructure :
G1 h ,
= - 1 ( $ + % 1 + & 1 ) - * 3
GW T
(2. 40)
G3 3
= b % 1 + * 3 -
GW
(2. 41)
t
Ces quations s appliquent aux diodes laser monomodes. Une extension un cas multimode
est possible en crivant une quation de photons par mode et en prenant en compte la
contribution de chaque mode dans le terme d mission stimule [10],[12] :
G1 h ,
= - 1 ( $ + % 1 + & 1 ) - S
* 3
GW T
(2. 42)
G3 3
= b % 1 + * 3 -
GW
(2. 43)
t ,
Si l on veut prendre en compte le bruit du laser dont l origine provient de la nature statistique
de l mission spontane [13], il faut introduire une source de Langevin pour les lectrons FN(t)
et une autre pour les photons FP(t).
Les quations d volution deviennent donc :

G1 h ,
= - 1 ( $ + % 1 + & 1 ) - * 3 + ) (W )

GW T
(2. 44)
G3 3
= b % 1 + * 3 - + ) (W )

GW
(2. 45)
t
Les sources de Langevin FN(t) et FP(t) ne sont connues de manire quantitative que par leur
fonctions d auto et d inter corrlation.
Les fonctions d auto et d inter corrlation des sources de Langevin peuvent tre crites
partir des taux d lectrons et de photons entrants et sortants de leur rservoir respectif [14].
Ainsi :
<FN(f)> = Ggen + 2 Rst
74
<FP(t)> = 2 Rst 3
<FP(f)FN(f)> = - 2 Rst 3
,, 9&6(/
Intressons nous maintenant au cas du VCSEL. En regardant la structure de celui-ci, il

est possible d tablir les modifications par rapport aux quations des diodes laser
[15],[16],[17]
conventionnelles . Comme dans toutes autres diodes laser puits quantiques, on
introduit un terme supplmentaire dans ces quations qui est le nombre de puits. L tude du
comportement des porteurs ne se fera plus dans toute la zone active mais par puits quantique
et l quation d volution des photons dans la cavit prendra en compte le nombre de puits
traverss et la gomtrie verticale de la cavit.
Commenons par tudier le comportement des porteurs. Le terme de gnration dans
l quation d volution des lectrons est donc divis par le nombre de puits quantiques 1 . Par
analogie lectrique, le courant traversant la zone active va se diviser comme s il arrivait dans
1 branches parallles.
h ,
* =
T 1
(2. 46)
Le dure de vie des lectrons sera galement diffrente pour les VCSELs. En effet la zone
active tant de dimension trs rduite, la contribution de l effet Auger peut tre nglige. On
obtient donc :
= $+ %1
1
(2. 47)
t
Le terme d mission stimule s exprime sous la mme forme que pour les lasers
conventionnels, mais certaines approximations dans la dtermination du gain ne sont plus
valables, ceci fera l objet du paragraphe suivant.
En ce qui concerne l volution du nombre de photons dans la cavit, les termes
d mission spontane et stimule sont multiplis par le nombre de puits quantiques. La
gomtrie verticale et les miroirs de Bragg sont pris en compte en multipliant le terme
d mission spontane par le facteur de confinement G.
75
b 5 devient donc 1 G b % 1 et 5 devient 1 * 3 .
La dure de vie des photons est modifie par l intermdiaire du coefficient de perte des
miroirs de Bragg qui va fortement dpendre de la longueur effective.
On peut donc rcrire les quations d volution pour le VCSEL :

G1 h ,
= - ($ + % 1) 1 - * 3
GW T 1
(2. 48)
G3 3
= 1! G b % 1 2 + 1! * 3 -
GW
(2. 49)
t
L inclusion des effets multimodes et des sources de bruit de Langevin se fait de la

mme manire que dans les diodes laser conventionnelles. Certains auteurs prennent deux
quations pour dcrire l change des porteurs entre les barrires et les puits (Figure II. 12)
[13],[18],[19]
.
)LJXUH,,0RGqOHGHOD]RQHDFWLYHGX9&6(/
Les nombres de porteurs dans les puits quantiques de volume 9 et dans les barrires de
volume 9" sont nots 1#$ et 1" respectivement. Le terme d injection de porteurs par le
courant de polarisation reste inchang et n est pas divis par le nombre de puits quantiques
compte tenu du fait qu il intervient dans l quation des porteurs dans la barrire. Les porteurs
76
dans les puits quantiques sont injects travers les barrires, le terme d injection sera donc
1'
t & 9%
not : .
Par ailleurs, ce modle prend en compte les fuites des porteurs des puits quantiques vers les
1 *,+
t ) 9(
barrires par l addition du terme dans l quation des porteurs dans la barrire. Dans ce
cas, les fuites sont incluses dans la dure de vie des porteurs dans les puits quantiques t-. . Les
termes de recombinaisons spontanes sont donns dans les deux quations par % et %" pour
les puits et les barrires respectivement. Quant la dure de vie des lectrons dans les
barrires t-/" , elle sera fonction des recombinaisons non-radiatives et des fuites.
G1 0,1 13 1 0,1
= - - %1 1 0,1 -*3
GW t 243 91
2
(2. 50)
t 21
G1 6 1 9,8 16 h5 ,
= - - %6 1 6 +
GW t 78 96 t 7 6 T
2
(2. 51)
Pour l quation d volution du nombre de photons, il suffit de reprendre l quation (2.47) en

remplaant 1 par 1#$ . Ces quations ont l avantage de dcrire compltement le comportement
des lectrons dans la cavit. Mais elles sont aisment simplifiables en considrant, d une part
que les recombinaisons dans les barrires sont ngligeables compte tenu de leur bande
interdite beaucoup plus grande que celle des puits (Figure II. 12) ; d autre part, il est possible
de ngliger les fuites dans les barrires ou de les introduire dans le terme de recombinaison
non radiative [10].
Pour la suite nous conserverons donc les quations (2.49) et (2.50).
,,,&RPSUHVVLRQGXJDLQ
Le gain introduit prcdemment dans les quations d volution dpend du nombre de

photons et d lectrons. Il varie linairement en fonction du nombre d lectrons et devient non
linaire lorsque le nombre de photons augmente, c est dire lorsque le laser arrive en rgime
de saturation. On peut donc exprimer le gain comme le produit de trois fonctions :
* ( 1 , 3 ) = *0 * ( 1 ) F( 3 ) (2. 52)
77
* : est le produit du facteur de confinement et de la vitesse de groupe Y;=< , ce terme a t

dtermin partir de l quation de propagation du champ lectromagntique associ l onde
optique dans la cavit [11]
. *1 couramment appel gain diffrentiel, reprsente la
dpendance du gain par rapport au nombre d lectrons 1. Son expression a t obtenue par
approximation logarithmique de la courbe exprimentale G(N) :
D 1
*( 1 ) = ln
9@.A > 1> ?
(2. 53)
ODest le coefficient de gain diffrentiel, 9B=CED , le volume de la rgion active, et 1D < reprsente
le nombre de porteurs la transparence, c est dire lorsque les photons mis sont directement
absorbs par le semiconducteur.
Il est courant de linariser cette expression et d crire le gain diffrentiel sous la forme
suivante :
(1 - 1 F G )
D
*( 1 ) =
9H.I F
(2. 54)
D
1 J K est le coefficient d absorption du laser.
9L.M J
Dans ce cas, le produit
/DIRQFWLRQ 3H[SULPHODVDWXUDWLRQGXJDLQORUVTXHOHFRXUDQWGHSRODULVDWLRQDXJPHQWHHW
le nombre de photons dans la cavit devient trop grand. Ce terme est donn sous plusieurs
formes qui ne sont pas toujours ralistes ou ne sont valables que pour un mode de
fonctionnement du laser. Il peut tre mme parfois pris gal 1 [20], mais cette approximation
n est valide que pour un nombre de photons trs faible.
L expression propose classiquement est F1 ( 3) = 1 - e 3 , o e est le facteur de
1
compression du gain [21],[22],[23]. Or cette forme est limite aux valeurs de P < au-del, 1(P)
e
devient ngative et ne correspond pas une ralit physique [24].
En fait, F1 ( 3) provient du dveloppement de la fonction F 2 ( 3 ) = lorsque e 3 est

1
1+ e 3
[10],[13]
trs petit devant 1 , cette expression a t dtermine partir de l analogie avec un
[25]
systme atomique deux niveaux . Cette seconde fonction, plus gnrale, dcrit la
structure pour tous les types de lasers. Elle est largement utilise par les chercheurs du
domaine.
Il est galement possible de dfinir ce terme de compression sous une troisime forme
obtenue par rsolution de la matrice densit de la polarisation induite par le champ optique
78
F3 ( 3) =
[11] 1
1+ e 3
d un laser monomode . L utilisation de la matrice densit pour
dterminer la saturation du gain a l avantage de fournir une expression du facteur de

compression e en fonction des grandeurs caractrisant le diple magntique modlisant
l interaction lectron-photon [25].
'DQV OH FDV GHV 9&6(/V LO HVW FRXUDQW GXWLOLVHU OHV IRUPHV 2 RX 3, nous garderons la
IRUPH 2 pour la suite de nos calculs.
D o l expression du gain modal :

D 1 - 1N O
* ( 1 , 3) = G YR O
9P.Q N 1 + e 3
(2. 55)
Dans la suite des calculs, on posera :

D
J X = YVW G
YS.T4U
(2. 56)
,9)DFWHXUGHFRQILQHPHQW
Les photons sont confins dans la zone active mais comme pour tout guide optique, une
partie de l onde dborde dans la cavit et dans les miroirs de Bragg pour le VCSEL.
On dfinit donc le facteur de confinement (not FRPPH OD IUDFWLRQ GH SXLVVDQFH RSWLTXH
qui se propage uniquement dans la zone active [9].

\
( ( ] ) G]
2 2
G=
[ \ 2
[ Y
Z Y (2. 57)
( ( ] ) G]
2
O d reprsente l paisseur de la zone active.
Le champ E(z) est approxim par une onde stationnaire d o :

p ]
( ( ] ) = ( 0 cos avec - /_ ` ` 2 < ] < /_ ` ` 2 et (] sinon.
/] ^ ^

Leff est la longueur effective de la cavit dfinie au paragraphe I-1-b.
79
Dans le cas d un laser puits quantique dont l paisseur est trs petite devant OH[SUHVVLRQ
GH VHUduit la forme suivante:
( 02 G G
G= =2

c (2. 58)
/a b b
de e 2
( ( ] ) G]
2
f c de e 2
L paisseur, d, de la rgion active est la somme des paisseurs des puits quantiques.
Connaissant la longueur de la cavit, le nombre de bicouches constituant les miroirs, leur
indice et leur paisseur, il est possible d obtenir la longueur effective de la cavit Leff (2.28) et
d en dduire la valeur du facteur de confinement de l ordre de 0,05.
91RPEUHGH3KRWRQVHWGH3RUWHXUVHQUpJLPHVWDWLRQQDLUH
Revenons aux quations d volution et injectons le terme de gain dans les expressions
(2.48) et (2.49):
G1 hj , 1 - 1g h
= - ( $ + % 1 ) 1 - J0 3
GW T 1i 1+ e 3
(2. 59)
G3 1 - 1l m 3
= 1 n G b % 1 2 + 1 n J0 3-
GW 1+ e 3
(2. 60)
tk
G1 G3
GW GW
En rgime permanent, et s annulent, ce qui revient crire :
1 - 1p q 3
0 = 1 r G b % 1 2 + 1 r J0 3-
1+ e 3
(2. 61)
to
hv , 1 - 1s t
0= - ( $ + % 1 ) 1 - J0 3
T 1u 1+ e 3
(2. 62)
80
L volution de N et P en fonction du courant de polarisation est reprsente sur la Figure II.

13.
)LJXUH,,(YROXWLRQGXQRPEUHGpOHFWURQVHWGXQRPEUHGHSKRWRQVHQIRQFWLRQGXFRXUDQWGH
SRODULVDWLRQ
On constate que le nombre d lectrons varie linairement avec le courant de polarisation

jusqu ce qu il atteigne la valeur seuil ,w ,valeur laquelle le nombre de porteurs est suffisant
pour mettre les photons stimuls.
On peut donc rcrire l quation (2.62) pour ,,w et 3= 0 :

$ hy ,
12 + 1 - =0
% % T 1x
(2. 63)
Lorsque , devient suprieur ,w , le nombre de porteurs reste constant (Figure II. 13), car les
lectrons en excs se recombinent pour mettre des photons. On peut donc considrer que
lorsque , ,w , l quation d volution des porteurs vrifie l quation (2.62) pour 1 1w .
1 $ $ 4 h| , {

1{ = - + +
2
2 % % % T 1z
(2. 64)

81
Il est galement possible de calculer le nombre de porteurs au dessus du seuil (I > 2Is) partir
de l quation d volution des photons (2.61) en ngligeant le terme d mission spontane [11]:

1 J 0 (1 - 1 ~ ) - 1 3 = 0
t }
(2. 65)

Mais cette relation est limite l approximation du gain linaire (facteur de compression
ngligeable), ce qui pose un problme dans la dtermination du modle en fonctionnement
dynamique. Dans la suite des calculs nous utiliserons l quation (2.64) pour dterminer le
nombre de porteurs.
En ce qui concerne le nombre de photons, il n est possible de le calculer que pour ,!,w .
Lorsque le nombre de porteurs au seuil est dtermin, on a une relation entre celui-ci et le
courant de seuil.
h ,
= ($ + % 1 ) 1
T 1
(2. 66)
En l injectant dans l quation (2.62), on obtient alors:

h (, - , ) 1 - 1
0= - J0 3
T 1 1+ e 3
(2. 67)
D o l expression du nombre de photons :

h
(, - , )
T 1
3=
J 0 (1 - 1 ) - e (, - , )
(2. 68)
h
T 1
Pour simplifier cette expression et notamment, liminer le facteur de compression du gain

1 - 1
sans pour autant le ngliger, il est possible de poser : * = J 0
1+ e 3
.
En substituant dans l quation (2.67), on obtient :

h (, - , )
*3 =
T1
(2. 69)
82
d o en introduisant cette expression dans (2.61) :

h (, - , )
3 = t 1 G b % 1 + 1
T 1
2
(2. 70)

Une fois le nombre de photons calcul, il est possible d estimer le gain modal en fonction de
P et I.
Ainsi pour calculer le nombre d lectrons et de photons, il est ncessaire de connatre les
paramtres intrinsques du VCSEL. Si certains sont parfaitement connus (accessibles
exprimentalement, par les donnes constructeurs ou par la littrature), d autres sont plus
difficiles dterminer : c est le cas notamment du coefficient d mission spontane HW GX
facteur de compression e . Il est donc indispensable de rduire le nombre de paramtres pris
en compte dans le calcul. Une discussion sur ce sujet sera aborde pour la validation du
modle dans le Chapitre 4.
83
9,5pIpUHQFHV
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86
Chapitre 3 Caractrisation statique et
effets thermiques dans le VCSEL
&KDSLWUH
&DUDFWpULVDWLRQ6WDWLTXHGX9&6(/
'DQVFHFKDSLWUHQRXVDERUGRQVOHVSULQFLSDOHVFDUDFWpULVWLTXHVVWDWLTXHVGH9&6(/VPRQWpV
HQERvWLHUHWOLQIOXHQFHGHODWHPSpUDWXUHVXUFHOOHVFL1RXVQRXVLQWpUHVVRQVVXFFHVVLYHPHQW
DXFRPSRUWHPHQWVSHFWUDODXFRXUDQWGHVHXLOjODSXLVVDQFHRSWLTXH HWj ODWHQVLRQSRXU
OHVTXHOVVRQWSUpVHQWpVOHVPpWKRGHVGHFDUDFWpULVDWLRQHWOHVUpVXOWDWVGHPHVXUHV
87
,&DUDFWpULVDWLRQ6WDWLTXH
Cette tude exprimentale a consist dterminer les principales caractristiques

statiques des VCSELs mettant 850 nm monts en botier TO-18 et TO-46. Paralllement,
nous nous sommes intresss l influence de la temprature sur ces grandeurs.
Dans un premier temps, nous avons cherch valuer les effets thermiques sur la
longueur d onde. A l aide d un monochromateur, nous avons pu mesurer le dcalage spectral
et la variation de la largeur de raie en fonction de la temprature.
Dans une seconde tude, nous nous sommes intresss la caractristique puissance
optique mise en fonction du courant de polarisation (3 ,) en puls et en continu. En effet, la
caractrisation des VCSELs en impulsion nous a permis d accder la caractristique
intrinsque du composant puisqu elle minimise l chauffement interne de celui-ci pendant la
dure de la mesurePar cette mthode, le point de fonctionnement peut tre dtermin d une
faon plus prcise qu avec une mesure en continu. Chaque courbe a t tablie temprature
constante (de 10 50C), afin d en dduire l volution du courant de seuil avec la
temprature.
Enfin, nous avons mesur la caractristique courant tension de la diode laser.
,,(IIHWVWKHUPLTXHVGDQVOH9&6(/
[1]
D aprs le modle propos par Yann Boucher dans la rfrence , chaque partie du
VCSEL a t tudie sparment pour dcrire l influence de la temprature sur les miroirs de
Bragg, sur la cavit vide et sur les puits quantiques ce qui nous a permis d aboutir une
valeur de la variation de la longueur d onde de rsonance [2] . L volution du courant de seuil
avec la temprature quant elle, provient des effets thermiques dans la zone active [3].
89
,, &RPSRUWHPHQWVSHFWUDO
D 0DWpULDXPDVVLI
La temprature affecte le semiconducteur de deux faons : elle fait varier l indice et le

matriau se dilate [4],[5] . Chaque type de matriau constituant les miroirs de Bragg, la cavit et
les puits quantiques (PQ) sont soumis une dilatation rgie par le coefficient d extension
linaire th pression constante tel que :
1 /
a =
/ 7
(3. 1)
O L est l paisseur du matriau et T, la temprature.
Ainsi, il faut prendre en compte la dilatation du GaAs et de l AlxGa1-xAs.
Quant la variation de l indice de rfraction, plusieurs modlisations reliant la variation de

l indice de rfraction celle du gap du matriau ont t proposes mais, pour la suite des
calculs, nous utiliserons l expression la plus prcise :
1 Q - 1 (
=
Q 7 4 ( 7
(3. 2)

E 5pIOHFWHXUGH%UDJJ
Comme il a t prsent dans les prcdents chapitres, les miroirs de Bragg sont
constitus d un empilement priodique de bicouches d indices et d paisseurs diffrents dont
dpend la longueur d onde de Bragg (Chapitre I, I.3 c.). En prenant les notations du chapitre
II I.1 b, on retiendra :
l = 2 Q ( /1 + /2 ) (3. 3)
Q tant l indice moyen dont l expression est donne dans l quation (2.26) du chapitre 2.
Or cet indice varie en fonction de la frquence et de la temprature :

Q Q
Q = Q0 + (n - n 0 ) + (7 - 70 )
n 7
(3. 4)
90
Et posons Q l indice effectif de groupe du miroir de Bragg tel que :
Q Q
Q = Q + n = Q -l
n l
(3. 5)
On a donc pour une variation de temprature de T T+dT :

Gl Gn l
=- = G7
1
Q L 7
(3. 6)
l n
O L dsigne la priode des miroirs de Bragg.
En considrant un rflecteur de Bragg Al0,3Ga0,7As/AlAs accord 850nm une temprature

ambiante TA de 300K, avec AlGaAs correspondant la couche d indice n1, pour
n1e1=n2e2 B/4, e1 , e2 , , Q 3,18 et Q 3,63 .
On obtient :
l
0,066QP..

1
(3. 7)
7
F &DYLWpYLGH
Dans ce cas, la cavit est considre comme une cavit Fabry Prot (sans puits
quantiques) constitue d AlGaAs massif d indice n, de longueur L, entre les deux rflecteurs
[A] et [B].
)LJXUH,,,DUHSUpVHQWDWLRQVFKpPDWLTXHGX9&6(/DYHFFDYLWpYLGH
U et U sont les coefficients de rflexion en amplitude de chaque miroir tels que pour
8 {$, %}:
U = r H

(3. 8)
91
F
La longueur d onde de rsonance l = est dtermine pour un mode de rsonance q
n
(entier) tel que le dphasage sur un aller-retour F satisfasse la condition suivante :
2Q /
F = 2 p n - j - j = 2 T p

F
q (3. 9)
o j , j sont les dphasages aux rflexions sur les miroirs de Bragg A et B respectivement.
Dans l expression (3.9), le produit Q/ reprsente l paisseur optique.

Or, dans le cas du VCSEL, il faut tenir compte des longueurs de pntration de l onde dans
les miroirs dont l expression dtermine dans le Chapitre 2 est donne par :
/ = P ( /1 + /2 ) o P est le nombre effectif de bicouches.

1
2
2 (Q /) = 2 (Q / + Q /E + Q /$ )
La longueur optique effective s exprime donc sous la forme suivante :
(3. 10)
On donne galement l paisseur optique effective de groupe avec la contribution des DBR
2 (Q / ) = 2 Q / + F t + F t
telle que :
(3. 11)
Q/ WK(k /= )
Avec: t =
F k
o k 2 Q1 - Q2 l est le coefficient de couplage de l onde chaque interface.
L expression (3.6) devient alors pour la cavit :

-d (n L) eff
= dT
d 1
(n g L) eff T
q q
(3. 12)
q q
En prenant une cavit en Al0,3Ga0,7As, dont la longueur / QP, l indice Q , l indice
de groupe Q , la profondeur dans les deux rflecteurs /. P et l intervalle
spectral libre (distance entre deux modes de rsonance dans la cavit: q et q+1)
+] (ou QP ), on obtient :
/
l
0,066 QP.. 1
7
(3. 13)

92
Dans notre cas, nous avons nglig l influence d une lvation de temprature dans les
puits quantiques sur la variation de longueur d onde d mission. C est pourquoi nous
conserverons le rsultat (3.13).
,, ,QIOXHQFHGHODWHPSpUDWXUHVXUODSXLVVDQFHOHFRXUDQWGHVHXLOHWOD
WHQVLRQ
Le nombre de porteurs, rgi par la statistique de Fermi-Dirac, dpend fortement de la

temprature ce qui a pour effet de faire varier la valeur du courant de seuil. En effet, Is est
directement reli au nombre de porteurs par l intermdiaire du taux d mission spontane
dans les puits quantiques [6]
. Ce terme exprim par unit d nergie 5 : [7]
dpend de la
densit de porteurs au seuil (Q ) et de la temprature, si bien que la densit de courant au seuil
est proportionnelle l intgrale du coefficient d mission spontane sur l nergie totale du
puits :
M (7 ) = 1 T G 5 (Q , : , 7 )G: (3. 14)
O 1 est le nombre de puits quantiques et G, leur paisseur.
D aprs les rfrences [6],[8], on peut s attendre une variation parabolique du courant de seuil
en fonction de la temprature avec une valeur minimum de courant de seuil la temprature
T0 comme le montre la Figure III. 2 ; ce qui sera vrifi par la suite dans le paragraphe IV.3 .
)LJXUH,,,(YROXWLRQGHODGHQVLWpGHFRXUDQWGHVHXLODYHFODWHPSpUDWXUH
93
Cet effet thermique a une influence, d une part, sur la puissance optique mise et, d autre part
sur la tension aux bornes de la diode.
En ce qui concerne la puissance, son volution en fonction du courant de polarisation

est rgie par l expression suivante :
3 ( , ) = h / (, - , ) (3. 15)
O , pente de la courbe, est directement proportionnelle au rendement diffrentiel , tel

que :
Kn Kn h a
h / = h =
2T 2T a + a
(3. 16)
/HVWHUPHVGHSHUWHVLQWHUQHV iHWGHSHUWHVGDQVOHVPLURLUV m dpendent de la temprature,

en relation notamment avec la dilatation du matriau.
Ainsi lorsque le courant dpasse une certaine valeur limite, l chauffement par effet joule des
DBR et de la cavit engendre la dilatation du matriau et l augmentation des termes de pertes.
Si l chauffement est trop important, les miroirs de Bragg et la cavit se dilatent tellement que
les proprits optiques sont modifies ce qui ne permet plus la production de photons
stimuls. Ainsi lorsque le courant atteint sa valeur maximale, le fonctionnement de la diode
laser entre en rgime de saturation suivi d une chute de la puissance optique.
)LJXUH,,,DOOXUHGHODSXLVVDQFHRSWLTXHpPLVHHQIRQFWLRQGXFRXUDQWGHSRODULVDWLRQ3,
94
Si l on se place courant de polarisation constant, la puissance sera maximale pour la

temprature laquelle les pertes et le courant de seuil seront minimum.
La variation de la puissance en fonction de la temprature provient donc des effets thermiques
sur le courant de seuil et sur le rendement d o:
3 ( , , 7 ) = h / (7 ) (, - , (7 )) (3. 17)
On peut donc s attendre obtenir des courbes semblables celles prsentes sur la Figure III.
4:
)LJXUH,,,$OOXUHGHODYDULDWLRQGHODFDUDFWpULVWLTXH3,DYHF7 7 7 7$ 7E
D autre part, la relation courant tension s exprime selon l quation suivante [9],[3]:
9 ( , ) = 9 + 5 , (3. 18)
9 est la tension de jonction, c est dire la diffrence entre les niveaux de Fermi de la
jonction. La dpendance en temprature de Vj provient des effets thermiques sur la largeur de
bande interdite et le nombre de porteurs5 est la rsistance srie donne par la pente de 9 ,
qui, par hypothse, est indpendante de la temprature. , est le courant inject dans la zone
active, il prend en compte le courant de fuite qui dpend de la temprature.
La variation en temprature de la tension provient donc de 9 7 et ,7. L expression

(3.18) devient donc :
9 ( , , 7 ) = 9 (7 ) + 5 , (7 ) (3. 19)
95
La Figure III. 5 prsente donc l allure thorique de la variation de la caractristique courant

tension en fonction de la temprature.
)LJXUH,,,DOOXUHGHOpYROXWLRQGHODFDUDFWpULVWLTXHFRXUDQWWHQVLRQHQIRQFWLRQGHODWHPSpUDWXUH
,,,eWXGHH[SpULPHQWDOHGHFRPSRUWHPHQWVSHFWUDO
Avant d utiliser le composant dans une liaison optique, il est ncessaire :

de connatre la longueur d onde d mission pour utiliser un photodtecteur adapt,
de savoir si l mission est monomode ou multimode,
de connatre la largeur de raie, notamment pour la modulation du composant.
Gnralement ces valeurs sont donnes par les constructeurs mais il est souvent utile de les
vrifier.
Nous avons galement mis en vidence l influence de la temprature afin de corroborer les
rsultats donns dans le paragraphe II.1.
,,, 'HVFULSWLRQGXEDQFGHPHVXUH
Le spectre du VCSEL a t mesur l aide d un monochromateur avec une rsolution

de 0,1 . La prcision est suffisamment fine pour permettre d valuer les effets thermiques
sur la longueur d onde centrale et sur la largeur de raie.
96
Le dispositif dcrit sur la Figure III. 6 est automatis par l intermdiaire d un

programme en langage C.
)LJXUH,,, EDQFGHPHVXUHGHODSXLVVDQFHRSWLTXHpPLVHHQIRQFWLRQGHODORQJXHXUGRQGH
L tude exprimentale a t effectue pour un point de polarisation fix par l utilisateur sur la
source de courant.
Comme l indique la Figure III. 7, la commande en temprature est assure par un

module effet Peltier.
)LJXUH,,,DVVHUYLVVHPHQWHQWHPSpUDWXUHGX9&6(/
97
Celui-ci a une face en contact avec le composant et l autre, avec un radiateur permettant
l vacuation de chaleur. Une thermistance est place au plus prs du composant et renvoie la
mesure au rgulateur. Celui-ci assure l asservissement partir de la consigne fixe par
l utilisateur.
La plage de longueur d onde ainsi que la rsolution sont saisies sur le PC. Une fois
l acquisition termine, le programme renvoie un graphique donnant l allure du spectre du
VCSEL.
,,, 5pVXOWDWVH[SpULPHQWDX[
Trois VCSELs monts en botier ont t tests et, pour chacun, des rsultats quasiment
identiques ont t trouvs. La Figure III. 8 reprsente l volution du spectre sur une gamme de
temprature de 7 50C. On constate que la longueur d onde augmente alors que la puissance
optique diminue.
)LJXUH,,,(YROXWLRQGXVSHFWUHHQIRQFWLRQGHODWHPSpUDWXUH
98
Comme l indique la Figure III. 9, la longueur d onde du VCSEL varie linairement.
)LJXUH,,,(YROXWLRQGHODORQJXHXUGRQGHGpPLVVLRQHQIRQFWLRQGHODWHPSpUDWXUH
Pour les trois VCSELs mesurs, la longueur d onde d mission varie linairement selon les
quations suivantes :
9&6(/1 : l0 (7 ) = 0,063 7 + 834,970

9&6(/ 2 : l0 (7 ) = 0,064 7 + 843,000 (3. 20)
9&6(/3 : l0 (7 ) = 0,060 7 + 833,970
l
= 0,06 nm /C soit 0,06 nm/K, cette valeur est proche de la valeur 0,066nm/K
7
C est dire
calcule selon le modle de Y. BOUCHER [1].
En ce qui concerne la largeur de raie, aucune variation significative n a pu tre

observe en fonction de la temprature ; sans doute est-ce d la rsolution du
monochromateur. Ce que l on peut dire c est qu elle est infrieure 0,1 pour les trois
VCSELs tests.
99
,9eWXGHGHODSXLVVDQFHRSWLTXHpPLVHHQIRQFWLRQGXFRXUDQWGH
SRODULVDWLRQ
,9 &RQFHSWLRQGXEDQFGHPHVXUH
Traditionnellement, la mesure de la caractristique se fait en continu. Or,

l augmentation du courant entrane une lvation de la temprature de jonction diminuant
ainsi la valeur de la puissance optique mise. En polarisant le VCSEL par une impulsion de
courant, nous avons pu nous affranchir de cet chauffement interne.
Nous avons donc cherch laborer un banc de mesure automatis pour caractriser la
puissance optique mise par des VCSELs en fonction de la temprature, en mode continu ou
puls.
D &KRL[GHODSUpSRODULVDWLRQ
Pour caractriser une diode laser en puls, il existe deux mthodes :

- Le composant est polaris par une impulsion de courant dont on incrmente
l amplitude, ce qui pose les mmes problmes que la modulation numrique, la largeur
des impulsions tant limite par le rgime transitoire.
- D o le second principe de mesure qui consiste pr-polariser le VCSEL par un
courant continu lgrement infrieur au seuil, la polarisation pulse tant ensuite
superpose ce courant continu [10].
En effet, quand le laser est soumis un chelon de courant, l mission stimule de

photons ne se fait pas de faon instantane. Elle ne se produit que lorsque la concentration de
porteurs est suprieure ou gale au niveau de seuil (ou niveau stationnaire).
[11]
Comme le montre la Figure III. 10-a , la population d lectrons augmente aprs
l tablissement du courant. Elle dpasse le niveau de seuil puis oscille (oscillation de
relaxation) avant d atteindre le rgime stationnaire. Chaque alternance suprieure au seuil
correspond un excs de gain, ce qui engendre une accumulation d nergie restitue sous
forme de photons (augmentation brutale de la densit de photons).
100
)LJXUH,,,D$OOXUHGHVGHQVLWpVGHSRUWHXUVHWGHSKRWRQVHQUpSRQVHjXQpFKHORQGHFRXUDQWE
&RPSRUWHPHQWGHODGHQVLWpGHSRUWHXUVHWGHSKRWRQVGDQVOHFDVGXQHLPSXOVLRQGHFRXUDQWVXSHUSRVpH
jXQHSUpSRODULVDWLRQ
Rciproquement, chaque alternance infrieure au seuil se traduit par une diminution de la

densit de photons, d o l allure de sa rponse temporelle un chelon de courant: retard par
rapport l tablissement du courant (en gnral, quelques nanosecondes) puis oscillations
amorties autour d un rgime stationnaire.
En pratique, ce retard peut tre diminu comme l indique la Figure III. 10b)En effet, si l on
envoie un courant continu (Iprep) d une valeur lgrement infrieure au courant de seuil,
appel courant de prpolarisation, la densit d lectrons atteint le niveau Nprep lgrement
infrieur au niveau de seuil.
Lorsque l on superpose cette prpolarisation une impulsion de courant,le niveau de seuil de

porteurs est dpass, l augmentation de la densit de porteurs se fait instantanment, en
vitant le retard caus par l tablissement du courant. Cette mthode permet de rduire la
largeur d impulsion de courant ,ce qui vite l chauffement interne du VCSEL.
101
E %DQFGHWHVW
La Figure III. 11 prsente le schma du banc de mesure de la puissance optique en

fonction du courant de polarisation.
)LJXUH,,,%DQFGHPHVXUH
Ce banc de mesure est automatis par programmation graphique sous le logiciel LABVIEW,
c est dire en dfinissant chaque appareil sous forme de bote noire. Les connexions entre
l ordinateur et les appareils ont t faites par l intermdiaire du bus d instrumentation GPIB
IEEE. La rgulation en temprature s effectue selon le mme principe que pour la mesure de
longueur d onde, l exception que la consigne est saisie dans le programme. Le programme
contrle tous les paramtres internes du rgulateur en temprature, tel que le gain du systme
d asservissement, et a accs la consigne ainsi qu la mesure. Pour tre sr que
l asservissement est stabilis, une boucle supplmentaire est ajoute dans le programme
incluant une temporisation pour permettre au systme d atteindre le rgime permanent avant
que l acquisition ne commence. Si au bout d un certain temps la temprature n est pas
stabilise, c est que la valeur du gain n est pas bonne, le programme renvoie alors un message
d erreur.
Ne disposant pas d un gnrateur de courant puls ou d un gnrateur de tension

dlivrant la fois un offset et une impulsion, nous avons d utiliser un gnrateur de tension
102
continue et un gnrateur de fonction dlivrant un signal de 500ns de largeur d impulsion et

20% de rapport cyclique (soit une frquence de rptition de 400kHz). La valeur du courant
est alors obtenue en mesurant la tension aux bornes d une rsistance shunt de 25W l aide
d un oscilloscope.
Le faisceau mis par le laser est focalis au centre d une photodiode avec
amplificateur incorpor et dont la responsivit 850nm (longueur d onde d mission des
VCSELs utiliss) est donne par le constructeur. La tension aux bornes du dtecteur est
envoye sur un oscilloscope directement reli l ordinateur. Puis, aprs avoir divis cette
valeur par la responsivit de la photodiode, le programme stocke la puissance optique mise
pour une valeur de courant donne.
Le lancement du programme se fait aprs avoir saisi certains paramtres du VCSEL

sur l interface utilisateur (Figure III. 12).
)LJXUH,,,)DFHDYDQWGXSURJUDPPH/DEYLHZ
L utilisateur doit fixer:

le courant maximum dans le VCSEL
la longueur d onde d mission
la temprature de fonctionnement
103
le mode de mesure (continu ou puls)

le nom du fichier de sortie dans lequel seront stockes les mesures
le nom du fichier d initialisation de l appareillage de mesure
le nom du programme Matlab auquel seront concatnes les mesures en fin d acquisition.
En effet, ce fichier Matlab permet d estimer graphiquement le courant de seuil par la

mthode des tangentes selon laquelle, la valeur de celui-ci est dfinie comme l intersection
des deux tangentes la courbe Pe(I) comme l indique la Figure III. 13.

)LJXUH,,, &DUDFWpULVWLTXH3 , WDQJHQWHVLQIpULHXUH HWVXSpULHXUH DXVHXLOGRQW
OLQWHUVHFWLRQGRQQHODYDOHXUH[DFWHGXFRXUDQWGHVHXLO
Ainsi des caractristiques Pe(I) et les courants de seuil correspondants peuvent tre mesurs
sur une gamme de tempratures de 10 50C.
,9 &RPSDUDLVRQGHVPHVXUHVHQLPSXOVLRQHWHQFRQWLQX
Les courbes suivantes sont des exemples de mesures effectues en mode impulsionnel
(courbe en pointills : 3SXOV) et en continu (courbe en trait plein : 3FRQW) avec le banc de test.
La Figure III. 14 montre clairement que la puissance optique mise en impulsion est
suprieure celle mise en continu. L chauffement interne prdit par la thorie est ainsi
vrifi.
Sur cette mme figure, on peut remarquer une lgre dformation (appele
gnralement kink par les anglophones) de la courbe au voisinage d une polarisation de
104
7mA. Cette dformation est sans doute due l apparition de modes latraux secondaires qui
[12]
se superposent au fondamental . Ce phnomne peut tre vrifi en observant l volution
du spectre en fonction du courant de polarisation.
)LJXUH,,,&RPSDUDLVRQGHODPHVXUHHQSXOVpHWHQFRQWLQX
,9 9DULDWLRQGXFRXUDQWGHVHXLODYHFODWHPSpUDWXUH
Sur la Figure III. 15, on voit bien que le courant de seuil (Ith ) augmente et que la
puissance dcrot avec la temprature.
)LJXUH,,,(YROXWLRQGHODSXLVVDQFHRSWLTXHHQIRQFWLRQGHODWHPSpUDWXUH
105
La diminution de puissance n est pas linaire. En effet, on peut constater qu entre 10C et
20C l cart de puissance est moins important qu entre 20C et 30C. Plus la temprature
augmente et plus cet cart augmente.
Le courant de seuil de chaque courbe P(I) est mesur en utilisant la mthode des
tangentes prsente prcdemment (Figure III. 13). Les valeurs obtenues pour les diffrentes
tempratures sont reportes sur un graphique de faon obtenir la courbe de la Figure III. 16.
)LJXUH,,,YDULDWLRQGXFRXUDQWGHVHXLOHQIRQFWLRQGHODWHPSpUDWXUH
Par approximation polynomiale d ordre 2 (Figure III. 17) de la courbe de la Figure III. 16, on
obtient :
, = 0,0004 7 2 - 0,00397 + 3,5283 (3. 21)
avec Ith en mA et T en C.
106
)LJXUH,,,DSSUR[LPDWLRQGHODFRXUEH, 7SDUXQSRO\Q{PHGXVHFRQGRUGUH
On observe ainsi une variation parabolique du courant de seuil en fonction de la temprature

contrairement l volution exponentielle d une diode laser classique:
7 - 71
, (7 ) = , (71 ) exp
70
(3. 22)
o T0 est un paramtre caractrisant la sensibilit la temprature, T1 est une temprature

choisie et Ith(T1) est le courant de seuil T1.
Si l on tendait la gamme de temprature vers des valeurs ngatives (en degr celcius),
on pourrait esprer voir le courant de seuil diminuer jusqu une valeur minimum et
augmenter ensuite, type de courbe gnralement donne par les constructeurs dans les notes
descriptives (data sheet). Or, pour raliser ce type de montage, il faudrait travailler sous vide
[13]
avec un systme de refroidissement azote liquide . Etant donn que dans notre cas les
VCSELs sont utiliss temprature ambiante, nous n avons pas effectu ce type de mesures.
D autre part, notre mthode pulse est limite par le photodtecteur : la largeur de pulse est
suprieure 500 ns. Or pour s affranchir totalement de l chauffement interne du VCSEL, il
faudrait que la largeur du pulse soit infrieure 300 ns.
Les proprits thermiques du courant de seuil sont trs importantes pour les systmes
soumis de faibles variations de temprature. En effet si le courant de seuil tait minimum
temprature ambiante, une variation de quelques degrs autour de cette valeur n aurait pas
107
une grande incidence sur la valeur du courant de seuil, ce qui permettrait, dans ce type de
systme, de s affranchir d un contrle en temprature.
De toute faon, on constate que la sensibilit en temprature du VCSEL est nettement plus
faible que celle d une diode laser DFB, ce qui pourrait rendre ce composant trs attractif pour
certaines applications embarques, ds que l on pourra disposer de puissances optiques plus
leves.
90HVXUHGHODFDUDFWpULVWLTXHFRXUDQWWHQVLRQ
Comme dans le cas de la puissance optique mise en fonction du courant de

polarisation, la connaissance de la caractristique courant tension aura son importance dans le
fonctionnement dynamique du composant. Comme l indice de modulation est reli au rapport
GHOH[FXUVLRQHQFRXUDQW LVXUODYDOHXUGHSRODULVDWLRQ,0, en connaissant la caractristique
courant tension, on a alors accs l excursion en tension Y/DFRQQDLVVDQFHGHFHWWHYDOHXU
est indispensable pour viter de moduler en dehors de la zone de fonctionnement comme
l indique la Figure III. 18.
)LJXUH,,,H[FXUVLRQHQWHQVLRQHQIRQFWLRQGHOH[FXUVLRQHQFRXUDQW
La mesure de la tension est effectue l aide du montage prsent sur la Figure III.
19.
108
)LJXUH,,,EDQFGHPHVXUHGHODFDUDFWpULVWLTXH9,
Nous obtenons la courbe caractristique d une diode (Figure III. 20) : en dessous de la tension
de seuil (proche de 1,4V), le courant est quasiment nul et, au-dessus, il varie linairement
avec la tension.
9,
2,5
1,5

0,5
0
0 5 10 15 20

)LJXUH,,,PHVXUHGHODFDUDFWpULVWLTXH9,
Comme il a t prsent dans le paragraphe II.2 dans l expression (3.18), la pente de la courbe
V(I) dans la zone linaire correspond la rsistance srie du VCSEL.
Par dtermination graphique, nous obtenons Rs= 29 W , valeur qui sera utilise par la suite
dans le schma lectrique quivalent.
109
9,'LVFXVVLRQ
Toutes les mesures prsentes dans ce chapitre doivent tre effectues avant d intgrer
le VCSEL dans une liaison optique. Des valeurs typiques, minimales et maximales de ces
grandeurs sont en gnral donnes par les constructeurs. Mais l cart entre les valeurs
minimales et maximales peut s avrer important, car les procdures de test sur chaque
composant sont assez longues et donc coteuses pour le fabriquant. C est pourquoi, les
caractristiques sont en gnral mesures sur certains chantillons. Il est donc d usage de
vrifier ces valeurs avant d utiliser le composant. Or, en comparaison avec les metteurs par
la tranche, le test de VCSEL en cours de fabrication est beaucoup plus simple. L accs aux
lectrodes et l mission par la surface permet la fois de poser des pointes et de capter la
puissance optique avant que les barrettes ou matrices de VCSELs ne soient dcoupes. Mais
la densit d intgration trs leve ralentit considrablement le procd de caractrisation,
tant donn qu une plaque (wafer) de GaAs de 4 pouces contient 100000 VCSELs.
[14]
Le fabriquant Infineon a mis en place une mesure systmatique sur wafer
permettant la caractrisation de chaque composant en fin de fabrication avant dcoupe. La
mesure est ralise l aide de 4 pointes DC collectives poses simultanment sur 4 VCSELs
comme l indique la Figure III. 21.
)LJXUH,,,WHVWVLPXOWDQpVRXVSRLQWH'&VXU9&6(/VGDSUqVODUpIpUHQFH

Le systme compltement automatis mesure trs prcisment les caractristiques puissance

optique et tension en fonction du courant de polarisation (LIV). Des rsultats typiques sont
donns sur la Figure III. 22.
110
)LJXUH,,,&DUDFWpULVWLTXH/,9PHVXUpHDYHFOHEDQFGHWHVW,QILQHRQGDSUqVODUpIpUHQFH

Un tel dispositif permet l acquisition de courbes LIV contenant 100 points entre 0 et 10mA
simultanment sur 4 VCSELs en moins d une seconde. Ainsi avec ce systme, il faut environ
1 heure 30 pour caractriser 20000 VCSELs.
111
9,,5pIpUHQFHV
[1]
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QHDUWKUHVKROG HPLVVLRQ ZDYHOHQJWK DQG OLQHZLGWK LQ D 9HUWLFDO&DYLW\ 6XUIDFH (PLWWLQJ
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112
[9]
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[10]
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[11]
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[12]
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Cavit Verticale Emettant par la Surface, Thse d Electronique et Optronique, Universit de
Bretagne Occidentale, Brest, dcembre 1997.
[13]
P. Jacquet, &DUDFWpULVDWLRQ 'H 'LRGH /DVHU $ &DYLWp 9HUWLFDOH (PHWWDQW SDU /D
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[14]
J. Mller, 1HZ RQZDIHU WHVWLQJ FRQFHSWV DFFHOHUDWH 9&6(/ SURGXFWLRQ Compound
Semiconductor, Vol.8, No.10, novembre 2002,
lien web : http://www.compoundsemiconductor.net/magazine/article/8/11/1/1#csinf2_11-02.
113
Chapitre 4 Schma lectrique quivalent petit signal du
VCSEL
&KDSLWUH
6FKpPDpOHFWULTXHpTXLYDOHQWSHWLWVLJQDOGX
9&6(/
&HFKDSLWUHSRUWHVXUOHGpYHORSSHPHQWGXVFKpPDpOHFWULTXHpTXLYDOHQWGX9&6(/'DQVXQH
SUHPLqUH SDUWLH OHV SDUDPqWUHV pOHFWULTXHV GX PRGqOH VRQW GpWHUPLQpV HQ IRQFWLRQ GX
FRPSRUWHPHQWGHVSRUWHXUVGDQVWRXWHODVWUXFWXUHPLURLUVHWFDYLWpHWGHVSKRWRQVGDQVOD
FDYLWp /HV H[SUHVVLRQV DQDO\WLTXHV GH FHV SDUDPqWUHV VRQW HQVXLWH pWDEOLHV j SDUWLU GHV
pTXDWLRQV GpYROXWLRQ HQ IRQFWLRQQHPHQW SHWLW VLJQDO /D GHUQLqUH SDUWLH SURSRVH HQILQ XQH
DSSURFKHK\SHUIUpTXHQFHGXFLUFXLWFHTXLSHUPHWWUDSDUODVXLWHGHYDOLGHUOHPRGqOH
115
VCSEL
,6FKpPDpTXLYDOHQWFRPSRUWHPHQWDO
Une premire approche qualitative a consist traduire les phnomnes physiques se

produisant dans le VCSEL (cf. Chapitre 2) sous forme de schma lectrique quivalent
comme le montre la Figure IV. 1.
)LJXUH,9VFKpPDpTXLYDOHQWGX9&6(/
Nous avons commenc par adapter le modle lectrique de la zone active d une diode laser
[1], [2], [3]
classique celle du VCSEL. Le mcanisme lectronique dans la zone active
plusieurs puits quantiques est alors reprsent par la rsistance Rj et la capacit Cj. Le
stockage des photons et l amortissement de la rsonance sont pris en compte par l inductance
L0et la rsistance R0.
Or, comme le VCSEL diffre par sa structure verticale et par sa mthode de confinement
du courant, il a fallu ajouter ce modle lectrique de zone active, la contribution des miroirs
de Bragg [4],[5].
En effet, pour une diode laser conventionnelle l injection du courant dans la cavit
travers les lectrodes mtalliques, se traduit par une rsistance srie de 3 5 ohms. Alors que
117
VCSEL
dans le VCSEL, l injection de courant se faisant travers les empilements d htrojonctions

AlGaAs/AlAs qui constituent les miroirs, il est donc impossible de modliser ceci par une
simple rsistance.
D une part, les matriaux intrinsques constituant les diffrentes couches vont gnrer des
[6], [7]
rsistances , ce phnomne est accentu par le dopage. D autre part, la variation de
dopage entre chaque empilement va crer des htrojonctions [5] chaque interface d AlAs et
d AlGaAs, suscitant des zones de charges d espace et de ce fait des capacits chaque
jonction. L tude prsente dans la suite de ce paragraphe est faite sur un VCSEL
implantation de protons (Figure IV. 1) o le miroir suprieur est dop p et le miroir infrieur,
dop n. Mais, comme nous allons le montrer, le modle peut tre adapt d autres structures
de VCSELs.
,5pVLVWDQFHGHVPLURLUVGH%UDJJ
Comme il a t expliqu dans le Chapitre 2, en empilant successivement de fines

couches d AlAs et d AlGaAs, il apparat une barrire de potentiel l interface. Au contact, il
y a alignement des deux niveaux de Fermi et donc cration d une zone de charge d espace
avec une tension de diffusion Vd. Cette diffrence de potentiel va dpendre de la largeur de
bande interdite des deux semiconducteurs et du dopage.
La Figure IV. 2 prsente le diagramme de bandes du VCSEL.
)LJXUH,9GLDJUDPPHGHEDQGHGX9&6(/
118
VCSEL
Pour le miroir de Bragg suprieur s il est dop p, les porteurs s accumulent aux interfaces et
gnrent une courbure de bande Ces barrires de potentiel vont s opposer au passage du
courant contraignant les porteurs les franchir par effet tunnel ou thermoonique Ce
phnomne se traduit par des rsistances chaque interface. Il y a autant de rsistances que de
couches, nous les rduirons en une rsistance quivalente (Rmsup pour le rflecteur suprieur
et Rminf pour le rflecteur infrieur). En gnral, la valeur des Rm est comprise dans la
rsistance srie du composant.
Si pour un VCSEL implantation de protons, elle n est que d une trentaine d ohms, pour les
[8]
premiers VCSELs et les VCSELs diaphragme d oxyde, elle avoisine les 100 ohms .
Plusieurs paramtres ont t modifis pour rduire cette rsistance notamment le dopant et la
variation de la fraction molaire x de l AlxGa1-xAs (cf. Chapitre 2, Figure II. 1) pour obtenir un
profil parabolique [9].
,&DSDFLWpVGHVPLURLUVGH%UDJJ
Lorsque l htrojonction est polarise, la largeur de la zone de charge d espace entre

chaque interface va tre module. Ce phnomne gnre une capacit diffrentielle dont la
valeur dpend de la forme de cette zone de charge d espace. Si il y a accumulation de
porteurs, la capacit aura une valeur assez leve (miroir dop n, discontinuit de la bande de
conduction) mais, si il y a dpltion (miroir dop p, bande de conduction continue), la
capacit sera trs faible.
L accumulation de porteurs au niveau de l interface miroir et implantation de protons est
galement l origine d une capacit parasite dans le miroir suprieur. Cette capacit mise en
parallle avec celle des htrojonctions sera prise en compte dans la capacit quivalente du
miroir suprieur.
,%LODQVXUOHVGHX[PLURLUV
Ainsi, chaque miroir peut tre reprsent par des cellules RC distribues (Figure IV. 3)
dont les valeurs des capacits et des rsistances dpendront de la gomtrie et du dopage de
chaque couche.
119
VCSEL
)LJXUH,96FKpPDpTXLYDOHQWGXQHPSLOHPHQWGKpWpURMRQFWLRQV
D aprs la Figure IV. 2, la bande de conduction du miroir suprieur varie continment, mais
les lectrons vont tre confronts aux barrires de potentiel qui vont gnrer des rsistances
non ngligeables. Cette variation continue va engendrer un faible courant d lectrons donc
[10]
une faible capacit . Mais la capacit parasite due l implantation de protons ne nous
permet pas de ngliger les effets capacitifs dans ce miroir. On reprsente donc le miroir
suprieur par la rsistance 5 en parallle avec la capacit & de la Figure IV. 1.
Dans le miroir infrieur, le schma est invers, la bande de conduction prsente des
discontinuits qui sont l origine d un fort courant d lectrons et d une capacit importante.
Par contre, les barrires de potentiel sont assez fines pour que les lectrons traversent
majoritairement les discontinuits par effet tunnel. La rsistance du miroir infrieur est donc
trs faible. Les phnomnes lectriques dans le miroir infrieur peuvent alors tre modliss
par la capacit & en parallle avec la rsistance 5 de la Figure IV. 1.
,$XWUHVVWUXFWXUHV
Le modle lectrique du VCSEL implantation de protons peut tre lgrement

transform pour s adapter aux autres types de VCSEL. Le circuit quivalent de la zone active
reste identique quelle que soit la structure; par contre les diffrentes mthodes de confinement
lectrique dans les DBR vont modifier les rsistances 5 et capacit & .
La Figure IV. 4 prsente le schma lectrique quivalent d un VCSEL confinement
par diaphragme d oxyde. Dans ce cas, le passage du courant dans le miroir de Bragg
suprieur, s il est dop p, se traduit par un effet rsistif (5 ) et capacitifs (& ) Les
interfaces entre le diaphragme d oxyde et le miroir de Bragg sont reprsentes par la capacit
&
mise en parallle avec 5
. Quant la cavit et au miroir infrieur, de structure identique
aux VCSELs implantation de protons, ils sont modliss par le mme schma quivalent.
Globalement, la rsistance srie du VCSEL diaphragme d oxyde avoisine la centaine
120
VCSEL
d Ohm, valeur beaucoup plus leve que celle d un VCSEL implantation de protons qui est
de l ordre de la trentaine d ohms.
)LJXUH,9VFKpPDpTXLYDOHQWFRPSRUWHPHQWDOGXQ9&6(/jGLDSKUDJPHGR[\GH
Il est galement intressant d adapter le modle aux structures msa. La Figure IV. 5
propose un schma quivalent pour un mesa avec anode situe au-dessus du miroir suprieur
(Figure IV. 5-a ) et avec anode directement en contact avec la cavit (Figure IV. 5-b).
)LJXUH,96FKpPDpOHFWULTXHpTXLYDOHQWFRPSRUWHPHQWDOGH9&6(/VPpVDV
121
VCSEL
Dans le premier cas (Figure IV. 5- a), le miroir de Bragg suprieur, dop p, est travers
par le courant sans tre confront des effets capacitifs parasites. Le comportement lectrique
de ce miroir est donc reprsent simplement par une rsistance (5 ). Compte tenu de la
structure de la partie infrieure du composant, le schma lectrique quivalent de la cavit et
du DBR infrieur reste identique celui du VCSEL implantation de protons.
Pour la structure de la Figure IV. 5-b, le miroir de Bragg suprieur n est pas travers par le
courant, mais celui-ci est guid l intrieur de la cavit vers la zone active en contournant une
zone oxyde gnrant une capacit parasite &
. Le reste du modle correspondant une
structure identique celle des autres VCSELs est encore une fois inchang.
[11]
Pour les autres modles de VCSELs , la dmarche sera toujours la mme. Il suffira
d adapter les paramtres du schma quivalent en fonction de la gomtrie des miroirs de
Bragg et de leur dopage en retenant que les DBR en AlGaAs/AlAs dops p gnrent des
rsistances et les miroirs dops n, des capacits.
,,,QFOXVLRQGHVSKpQRPqQHVSDUDVLWHV
Le schma lectrique quivalent de la Figure IV. 1 a t tabli en partant des

proprits physiques du VCSEL lui mme, mais exprimentalement nous devons passer par
un circuit lectronique pour accder ces paramtres.
)LJXUH,99&6(/PRQWpHQERvWLHU
Nous allons donc nous intresser maintenant la puce laser dans son environnement
lectronique qu elle soit monte en botier (Figure IV. 6) ou bien intgre en barrette (Figure
IV. 7).
122
VCSEL
)LJXUH,9EDUUHWWHVGH9&6(/V
Typiquement, les accs lectriques une puce laser monte en botier sont reprsents
par une cellule RLC :
Une inductance Lp modlise les fils de liaison
Une capacit Cp correspond au botier ou au substrat
La rsistance srie Rs traduit les pertes dans la connexion entre le circuit lectronique
et la diode laser, dans le cas du VCSEL cette rsistance ne peut pas tre mesure
directement partir de la pente de la caractristique courant-tension comme dans les
diodes laser classiques. Comme nous l avons vu dans le Chapitre 3, la pente de la
caractristique V(I) correspond la somme de la rsistance srie et de la rsistance des
miroirs de Bragg.
Ce modle est le schma quivalent d un composant mont en botier, il s adapte aux

composants monts en barrette condition de modifier l inductance Lp et la capacit Cp afin
de traduire la rduction des pertes et des longueurs de connexions.
La Figure IV. 8 reprsente le schma lectrique complet du VCSEL, il se dcompose en

deux parties, la partie botier et la partie composant interne.
Sur cette figure, la puissance optique mise par le laser est analogue une source de tension
[1]
commande directement proportionnelle au courant traversant la branche L0R0 . En effet,
comme il sera dmontr dans la suite de ce chapitre, le nombre de photons en rgime petit
signal est directement reli au courant L circulant dans L0R0. C est pourquoi la puissance
optique mise assimile la tension V est le produit KL o, par analogie, K est un coefficient
de transimpdance.
123
VCSEL
)LJXUH,9VFKpPDpTXLYDOHQWGXFRPSRVDQWFRPSOHW9&6(/ERvWLHU
,,,/LQpDULVDWLRQGHVpTXDWLRQVGpYROXWLRQ
Pour relier notre schma lectrique quivalent aux paramtres intrinsques du VCSEL,
il a fallu adapter les quations d volution du nombre de porteurs et de photons une
modulation faible indice, permettant de les linariser et d identifier ensuite ce nouveau
systme d quations d volution aux quations du circuit.
Nous partons des quations prsentes dans le Chapitre 2 :
G1 h , 1 - 1
= - ( $ + % 1 ) 1 - J0 3
GW T 1 1+ e 3
(4. 1)
G3 1 - 1 3
= 1 G b % 1 2 + 1 J0 3-
GW 1+ e 3
(4. 2)
t
124
VCSEL
Pour simplifier les notations, posons :

D
5" # = 1! G b % J 0 = Y() G
9
et $ %'& (4. 3)
Si l on injecte un courant de polarisation non plus continu mais correspondant un signal de

modulation sous la forme d un courant sinusodal D, (W ) superpos au courant continu de
polarisation , 0 , tel que:
, (W ) = , 0 + D, (W ) (4. 4)
Le nombre de porteurs et le nombre de photons varieront en fonction du temps selon la mme

forme que le courant inject, on les note alors :
1 (W ) = 1 0 + D1 (W ) (4. 5)
3 (W ) = 30 + D3 (W ) (4. 6)
Si l on fait l hypothse d une modulation petit signal (c est dire D, << , 0 , D1 << 1 0 et
D3 << 30 ), cela revient dire que D, , D1 et D3 correspondent aux variations lmentaires

autour de , * 1 * ,et3 * respectivement.
Il est alors possible d obtenir les quations d volution de la variation du nombre de photons
GD3 GD1
GW GW
et du nombre de porteurs .
G3 G1
Posons 3& = et 1& = , les expressions deviennent donc D3& et D1& .
GW GW
Or, d aprs les quations d volution (4.1) et (4.2), 1& dpend de 1, 3 et ,, et 3& dpend de 1,
3.
D3& et D1& vrifient alors :
3& 3&
D3& ( 1 , 3 ) = D1 + D3
1 3
(4.7)
1& 1& 1&

D1& ( 1 , 3, , ) = D, + D1 + D3
, 1 3
(4. 8)
125
VCSEL
avec :
3& 30
= 2 5, - 1 0 + 1 J 0
1 1 + e 30
+
(4. 9)
3& 10 - 1/ 0
= 11 J0 -
(1 + e 30 ) t .
1
3 2
(4. 10)
1& h3
=
, T 12
(4. 11),
1& 30
= -$ - 2 % 10 - J0
1 1 + e 30
(4. 12)
1& 1 - 14 5
= -J0 0
3 (1 + e 3 )2
(4. 13)
On en dduit alors les quations d volution du VCSEL linarises en rgime petit signal :
GD 3 3: 1 - 17 8
= 1 9 G 2 b % 1 0 + J 0 D1 + 1 9 J 0 0 -g D3 (4.14)
1 + e 30 (1 + e 30 )
6
GW
2

GD1 h? 10 - 1< = 3;
= D, - J 0 D3 - J + $ + % 1 D1
GW T 1> (1 + e 30 )2 ( + 3 )
2 (4. 15)
e
0 0
1 0
Les valeurs du nombre de porteurs 1 @ et du nombre de photons 3 @ en rgime permanent

peuvent tre considres comme constantes, ce qui nous permet de poser * @ , le gain modal en
rgime permanent tel que :
10 - 1
*0 = J 0
1 + e 30
AB (4. 16)
il est alors possible d expliciter le terme de compression du gain sous la forme suivante:
10 - 1
1 + e 30 = J 0
*0
CD (4. 17)
126
VCSEL
Les quations (4.14) et (4.15) deviennent alors :
GD3 *0 *0
= 1H G 2 b % 10 + 3I D1 + 1 H -g D3 (4. 18)
J0 ( 10 - 1 F G )
2
10 - 1 F G
E
GW
GD1 hN *0 *0
= D, - D3 - 3 + $ + 2% 1 0 D1
J0 (10 - 1K L )
2
GW T 1M 10 - 1K L
J
(4. 19)

,93DUDPqWUHVGXVFKpPDpOHFWULTXHpTXLYDOHQWGHODFDYLWpHQIRQFWLRQGHV
SDUDPqWUHVLQWULQVqTXHVGX9&6(/
En reprenant le schma quivalent de la zone active, nous avons dsign les tensions et
courants de chaque branche comme l indique la Figure IV. 9 o:
D, est la composante variable du courant inject dans la cavit.

D9 est la composante variable de la tension aux bornes de la zone active
i est le courant quivalent la variation du flux de photons dans la cavit.
)LJXUH,9FLUFXLWpTXLYDOHQWGHODFDYLWpGX9&6(/
A partir de la loi des mailles on obtient :
l quation dcrivant l volution de la tension aux bornes de CjRj en fonction du temps :

GD9 D, D9 L
= - -
GW &O 5O & O &O
(4. 20)
127
VCSEL
l quation rgissant l volution du courant dans la branche L0R0 :

GL D9 50
= - L
GW /0 /0
(4. 21)
Or, si l on considre l quation suivante :

9 ( , ) = 5Q , + 9P (4. 22)
o 9R est la tension aux bornes de la zone active
En partant de la caractristique I(V) releve exprimentalement pour le VCSEL, nous

pouvons utiliser l quation prcdente pour obtenir la courbe VD(I) dont l allure est prsente
sur la Figure IV. 10.
)LJXUH,9FRXUEH9S ,
Par approximation logarithmique on obtient alors la loi de variation de VD en fonction de I tel

que :
,
9Y = 9X /Q + 1
, TVU W
(4. 23)

128
VCSEL
P N 7
, et Pest le
T
VT est une constante qui dpend du matriau, elle est en gnral gale
coefficient d idalit de la diode pour le VCSEL, il est compris entre 1 et 3.

Is est le courant de saturation de la diode.
En drivant l expression (4.23), on obtient alors l galit :

D9 D,
=
9Z ,0
(4. 24)
On sait par ailleurs que :

D1 D,
=
10 ,0
(4. 25)
On en tire l galit entre les trois termes qui nous servira confronter les quations du circuit
aux quations d volutions linarises.
L quation d volution du nombre de porteurs en rgime petit signal peut alors tre identifie
l quation (4.20) :
GD1 1 0 GD9
=
GW 9[ GW
(4. 26)
c est dire :
hb *0 *0
D, - D3 - 3^ + $ + 2 % 1 0 D1
J 0 (1 0 - 1 _ ` )
2
T 1a 10 - 1_ `
10 10 10
(4. 27)
= D, - D9 - L
9] & \ 9 ] 5\ & \ 9] & \
En identifiant membre membre la relation (4.27), on obtient directement la capacit Cj en

fonction des paramtres internes
1f T 1e
&g =
9d h c
(4. 28)
129
VCSEL
et la rsistance Rj :
1 T 1 n *0
h 1
5o = 0 3i + $ + 2 % 1 0
9m h l 10 - 1j k
(4. 29)

/HGHUQLHUPHPEUHSHUPHWGH[SULPHU 3HQIRQFWLRQGXFRXUDQWTXLSDVVHGDQV ODEUDQFKH

L0R0 :
J 0 (1 0 - 1 r s ) 10
D3 = p L
*0 9q &
2
(4. 30)
J 0 (1 0 - 1 v w ) 1 0

*0 9u & t
En multipliant l quation (4.21) par le terme 2
, il est possible de
l identifier l quation d volution des photons en rgime petit signal (4.14), tel que :
*0 *0
1 } G 2 b % 1 0 + D1 + 1 }
3~ -g| D3
( z{ )
2
10 - 1 z { J 1 - 1

J ( 1 0 - 1 z { ) 1 0 D9 50
0 0
(4. 31)
= 0 - L
*0
2
9y &x /0 /0
soit :
*0 J 0 (1 0 - 1 ) 1 0 9
1 G 2 b % 1 0 + 3 =
10 - 1 *0 9 & 1 0 /0
(4. 32)

2
Par identification membre membre, on obtient une relation entre l inductance L0 et les
paramtres internes du composant :
1 T 1 *0 *0
1
/0 =
1 G 2 b % 1 0 + 3
J 0 (1 0 - 1 )
2

9 h 10 - 1
(4. 33)

ainsi qu une relation entre le stockage d nergie lectromagntique (L0) et les pertes dans la
cavit (R0) :
*0
50 = /0 g - 1
J 0 (1 0 - 1 )
2
(4. 34)

130
VCSEL
En remplaant dans chaque quation G0 par l expression (2.70) tablie au Chapitre 2 :

h (, 0 - , )
*0 =
T 1 30
(4. 35)
les paramtres du schma lectrique quivalent peuvent alors tre calculs en fonction des
conditions de polarisation (I0, Is) :
9
5 =
1
10 ,0 - , T 1
( $ + 2 % 1 0 )
(4. 36)
+
10 - 1 h
9 T 30 J 0 (1 0 - 1 )
/0 =
2
(, 0 - , )
1
1 0 h , - ,
(4. 37)
h
G 2 b % 10 + 0
2
T 1 10 - 1
h (, 0 - , )
50 = /0 g - 2
2 2
T 1 30 J 0 (1 0 - 1 )
(4. 38)

2
/0
50
Une autre relation peut s ajouter aux prcdentes pour dterminer le rapport . En
effet si l on tient compte du fait que la branche / 5 traduit le comportement des photons
dans la cavit, il est alors possible de relier le coefficient d amortissement de cette branche
l amortissement de l onde optique dans la cavit, travers la dfinition du facteur de qualit
(Q) du rsonateur optique.
l0
4=
Dlexp
(4. 39)
o l0 est la longueur d onde de rsonance et Dlexp la largeur de raie (susceptible d tre
dtermine exprimentalement).
Or ce facteur de qualit correspond celui de la branche 5 / :
/0 w 0 2 p F /0
4= =
50 50
(4. 40)
l0
o w 0 est la pulsation de rsonance.
131
VCSEL
Il est donc possible d valuer exprimentalement le rapport / sur 5 en fonction de la

longueur d onde d mission et de la largeur de raie :
/0 l0
=
2
50 Dlexp 2 p F
(4. 41)
Pour un VCSEL prsentant une longueur d onde de rsonance de l ordre de 850nm et une
/0
50
largeur de raie monomode de 10pm, le rapport est voisin de 40 ps.
92UGUHVGHJUDQGHXUVGHVSDUDPqWUHVGXVFKpPDpTXLYDOHQW
La modlisation d un composant (lectronique ou optolectronique) est toujours

confronte l estimation de ses paramtres intrinsques. Ces valeurs sont soit considres
comme confidentielles par le fabriquant soit connues de faon imprcise car difficilement
accessibles par la mesure. Afin de valider notre modle, il a donc fallu estimer des intervalles
de valeurs dans lesquels se trouvent 5 , & , / et 5 . Dans un premier temps, nous nous
sommes inspirs des valeurs obtenues par les travaux effectus sur les diodes lasers DFB,
mais les limites des VCSELs telles que la courte longueur d onde d mission et la zone active
puits quantiques n ont pas permis de conserver ces valeurs.
Aprs avoir minimis le nombre de grandeurs intrinsques intervenant dans les
quations d volution linarises, nous avons cherch tablir des fourchettes de valeurs des
paramtres restant partir de la littrature et des donnes constructeurs afin de dterminer des
ordres de grandeurs des paramtres du circuit quivalent, du nombre de porteurs et du nombre
de photons.
En dfinitive 9 paramtres interviennent dans la modlisation: le coefficient de

recombinaison non-radiative A, le coefficient de recombinaison bimolculaire B, le nombre
de porteurs la transparence Ntr , la dure de vie des photons p, le coefficient de gain
diffrentiel a, la vitesse de groupe vgr, le facteur de confinement , le coefficient d mission
spontane , le rendement quantique interne i. Le Tableau 1 regroupe tous ces paramtres et
leur plage de valeurs.
132
VCSEL
3DUDPqWUHV 8QLWpV 9DOHXUV 5pIpUHQFHV
$
&RHIILFLHQWGH
V > @

UHFRPELQDLVRQVQRQ
UDGLDWLYHV
%
&RHIILFLHQWGH > @

UHFRPELQDLVRQV [9
ELPROpFXODLUHV
1
> @

1RPEUHGHSRUWHXUVjOD
[9

WUDQVSDUHQFH

SV >@

'XUpHGHYLHGHVSKRWRQV

D
&RHIILFLHQWGHJDLQ P > @

GLIIpUHQWLHO
Y
PV > @

9LWHVVHGHJURXSH
>@

)DFWHXUGHFRQILQHPHQW
&RHIILFLHQWGpPLVVLRQ > @

VSRQWDQpH
5HQGHPHQWTXDQWLTXH >@

LQWHUQH
7DEOHDXLQWHUYDOOHVGHYDOHXUVGHVSDUDPqWUHVLQWULQVqTXHVGX9&6(/HQ*D$V
133
VCSEL
/0
50
Nous avons tout d abord estim le rapport partir de la longueur d onde et de la
largeur de raie dtermines partir des valeurs mesures et des donnes constructeurs. Pour
une longueur d onde comprise entre 840 et 860 nm et une largeur de raie entre 5 et 50 pm ,
/0
50
est compris entre 0,7 ps et 8 ps.
En injectant les valeurs du Tableau 1 dans les expressions (4.40) et (4.41), on obtient des
valeurs de 5 FRPSULVHHQWUHHW SRXUGHVYDOHXUVGH/ entre 15 et 30pH.
La valeur de la capacit& varie selon le courant de polarisation, le courant de seuil et

le volume de la zone active. Prenons par exemple des VCSELs de zone active trois puits
quantiques dont le courant de seuil varie de 0,3mA 2,5mA proportionnellement au volume
qui volue de 0,2.10-19 3,5.10-18 m3 et fonctionnant chacun au courant de polarisation de
5mA. D aprs l quation (4.23) et, avec les valeurs du Tableau 1, la capacit crot de 14
160pF quand le courant de seuil (respectivement le volume de zone active) augmente comme
l indique la Figure IV. 11.
)LJXUH,9pYROXWLRQGHODYDOHXUGHODFDSDFLWp&MHQIRQFWLRQGXFRXUDQWGHVHXLODHWGXYROXPH
GXQSXLWVTXDQWLTXHEjXQFRXUDQWGHSRODULVDWLRQGHP$
La rsistance Rj varie, elle aussi, en fonction du courant de seuil et du volume de la

zone active mais elle dpend principalement du courant de polarisation.
Pour les mmes VCSELs que prcdemment fonctionnant 5 mA, la rsistance Rj dcrot de
8,5 6,8 lorsque le volume d un puits quantique augmente comme le montre la Figure IV.
12 a).
134
VCSEL
Cette rsistance diminue comme l indique la Figure IV. 12 b) lorsque le courant de

polarisation augmente. Dans un VCSEL de volume de puits quantique proche de 2.10-19m3, si
le courant tend vers 0 , RjDYRLVLQH DXVHXLOP$HOOHHVWGHORUGUHGH , puis
HOOHGLPLQXHSRXUDWWHLQGUH 10mA, valeur qui est minimale car au-del de 10mA, ce
VCSEL entre en rgime de saturation.
)LJXUH,9pYROXWLRQGHODUpVLVWDQFH5MDHQIRQFWLRQGXYROXPHGH]RQHDFWLYHSRXUXQFRXUDQWGH
SRODULVDWLRQFRQVWDQWjP$EHQIRQFWLRQGXFRXUDQWGHSRODULVDWLRQSRXUXQ9&6(/DYHFXQYROXPHGH
SXLWVTXDQWLTXHGH P HWXQFRXUDQWGHVHXLOGHP$
9,$SSURFKHK\SHUIUpTXHQFHSDUDPqWUHV6GHOD]RQHDFWLYH
Pour valider le modle, l tude exprimentale a consist mesurer les paramtres de

dispersion S11 et S21 du VCSEL l analyseur de rseau vectoriel.
Pour cela, nous avons d considrer le VCSEL comme un quadriple fonctionnant dans le
domaine des hyperfrquences o le paramtre S11 est le coefficient de rflexion lectrique en
entre du composant et le paramtre S21 est le coefficient de transmission du VCSEL, c est
dire la fonction de transfert du courant en puissance optique.
La Figure IV. 13reprsente les diffrentes entres sorties du quadriple Q (qui est dans notre
cas le VCSEL).
135
VCSEL
)LJXUH,9TXDGULS{OH9&6(/
a1 , a2 sont les ondes incidentes sur le quadriple et b1, b2 sont les ondes rflchies.
I1 et U1 sont respectivement le courant et la tension d entre du quadriple.
I2 et U2 sont le courant et la tension de sortie.
Ce qui nous permet en normalisant par rapport 50 GREWHQLU OD UHODWLRQ HQWUH OHV
impdances et les paramtres S.
On note :
81
= X1 = D1 + E1
=
(4. 42)
,1 = = L1 = D1 - E1 (4. 43)
o Zc est l impdance caractristique de la ligne d accs au quadriple.
Si l on considre une approche lectronique, le quadriple peut tre dcrit par sa matrice de
transfert telle que :
X1 = ]11 L1 + ]12 L2 (4. 44)
X 2 = ] 21 L1 + ] 22 L2 (4. 45)
Dans le cas d une approche microonde, le quadriple est explicit grce la matrice des
paramtres S qui est obtenue partir du systme d quations suivant :
E1 = 611 D1 + 612 D2 (4. 46)
E2 = 6 21 D1 + 6 22 D2 (4. 47)
136
VCSEL
Il est alors possible de dterminer le coefficient de rflexion en fonction des impdances du

quadriple :
]11 - 1
611 =
]11 + 1
(4. 48)
2 ] 21
6 21 =
]11 + 1
(4. 49)
9,,)RQFWLRQGHWUDQVIHUW
En remplaant le quadriple Q par le circuit quivalent du VCSEL de la Figure IV. 14,

les paramtres S11 et S21 peuvent alors tre exprims en fonction de 5 , & , / et 5 .
)LJXUH,9TXDGULS{OHPRGpOLVDQWOD]RQHDFWLYHGX9&6(/
En posant :
= =
1
(4. 50)
+ M & w
1
5
= 0 = M /0 w + 50 (4. 51)
137
VCSEL
On obtient :
= = 0

=11 =
=0 + =
(4. 52)
+ =

= 21 =
=0 + =
(4. 53)
En normalisant par rapport l impdance caractristique = du circuit microonde d accs, on

peut crire :
= =0
] = et ]0 =
= =
(4. 54)
Ce qui revient rduire chaque paramtre du schma quivalent de la faon suivante:
50 5 / +
U0 = U = F = & = O0 = 0 HW K =
= = = =
En injectant les expressions 4.52 dans 4.46 et 4.47, on obtient alors les relations suivantes :
U U0 - U - U0 + M O0 (U - 1) w + U O0 F w 2

611 (w ) =
U U0 + U + U0 + M O0 (U + 1) w - U O0 F w 2
(4. 55)
2KU
(U [
+ U + U0 U ) + M w U U0 F + O0 (1 + U )] - O

6 21 (w ) =
F U w 2
(4. 56)
0 0
Le paramtre 6 est le coefficient de transmission du circuit, il est directement

reli la fonction de transfert du quadriple laser. En rgle gnrale, cette fonction de
transfert est analogue celle d un filtre passe bas de Tchebycheff du second ordre. En
mesurant le paramtre 6 l analyseur de rseau vectoriel, on pourra donc s attendre
obtenir une courbe dont l allure est prsente sur la Figure IV. 15.
138
VCSEL
)LJXUH,9)LOWUHSDVVHEDVGH7FKHE\FKHIIGRUGUH
Il est donc possible d expliciter l expression du 6 sous la forme d un polynme de

Tchebycheff :
$'
6 21 =
2 x w 2
(4. 57)
1 + M w - 2
w w
o :
$ est le gain en tension tel que:
2KU

$ 0 =
U0 + U + U U0
(4. 58)
est la pulsation naturelle du systme non amortie telle que:

U0 + U U0 U
w =
O0 F U
(4. 59)
HVWOHIDFWHXUGDPRUWLVVHPHQW :
U U0 F + O 0 (1 + U )
(U + U + U U0 ) O 0 F U
2 x = (4. 60)
0
139
VCSEL
(U + U + U0 U ) O0 F U
On en dduit le facteur de qualit Q tel que:
U U0 F + O0 (1 + U )
4= =
1
2 x
0
(4. 61)
Toutes ces expressions vont tre utilises dans la validation du modle. En effet, le gain,
la frquence de rsonance et le facteur de qualit nous permettent de remonter aux paramtres
internes du VCSEL en passant par le schma lectrique quivalent. A l inverse, dans le cas o
les paramtres internes du VCSEL seraient connus, une telle mthode permettrait la
conception d une lectronique de commande en utilisant uniquement des quations de circuit.
140
VCSEL
9,,,5pIpUHQFHV
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143
Chapitre 5 Caractrisation dynamique de
VCSELs et Validation du modle
&KDSLWUH
&DUDFWpULVDWLRQG\QDPLTXHGH9&6(/VHW
YDOLGDWLRQGXPRGqOH
&HGHUQLHUFKDSLWUHSRUWHVXUODFDUDFWpULVDWLRQjODQDO\VHXUGHUpVHDXYHFWRULHOGHGLIIpUHQWV
9&6(/V7RXWGDERUGGHVWHVWVRQWpWpUpDOLVpVVXUGHV9&6(/VPRQWpVHQERvWLHU3XLVDYHF
OXWLOLVDWLRQ GXQ WHVWHXU VRXV SRLQWH LO D pWp SRVVLEOH GpWXGLHU GHV 9&6(/V PRQWpV HQ
EDUUHWWHV/HVPHVXUHVGHSDUDPqWUHV6GHGLIIpUHQWHVVWUXFWXUHVGH9&6(/VLPSODQWDWLRQGH
SURWRQV HWGLDSKUDJPHGR[\GHRQW SHUPLVGH YDOLGHU OH PRGqOH pOHFWULTXH SDU OH[WUDFWLRQ
GHV SDUDPqWUHV GX VFKpPD pOHFWULTXH pTXLYDOHQW /H WUDYDLO D pWp ILQDOLVp HQ H[WUD\DQW OHV
YDOHXUVGHFHUWDLQVSDUDPqWUHVLQWULQVqTXHVGX9&6(/JUkFHDX[UHODWLRQVGHSDVVDJHHQWUH
OHVpTXDWLRQVGXFLUFXLWHWOHVpTXDWLRQVGpYROXWLRQ
145
,0HVXUHGHVFRHIILFLHQWVGHGLVSHUVLRQHWYDOLGDWLRQ
Comme il a t prsent dans le prcdent Chapitre, le VCSEL peut tre modlis par
un quadriple lectrique. Comme ce composant est amen tre modul des frquences de
plusieurs GigaHertz, il est possible de caractriser son fonctionnement dynamique par la
mesure de ses paramtres S. Dans le cas de la diode laser, dont l entre est lectrique et la
sortie optique, il est courant de mesurer le coefficient de rflexion lectrique en entre, S11, et
le coefficient de transmission directement reli la fonction de transfert, S21.
Le test est ralis l aide d un analyseur de rseau vectoriel. Mais ne disposant pas
d un tiroir optique adapt la longueur d onde de 850nm, nous avons d monter un banc de
mesure capable de caractriser les paramtres S11 et S21 du VCSEL en passant par les
entres lectriques de l analyseur de rseau vectoriel (ARV). Pour obtenir le S11, il suffit
d adapter l entre du VCSEL sur l entre 50 SDUOLQWHUPdiaire d une ligne microruban ou
d une ligne coplanaire. La mesure du paramtre S21 est un peu plus complexe. En effet pour
mesurer la puissance optique mise par le VCSEL, il est ncessaire de passer par une
photodiode et d amplifier le photocourant ( Figure V. 1) pour dpasser le niveau de bruit de
l ARV.
)LJXUH93URWRFROHH[SpULPHQWDO
147
Pour que les donnes soient exploitables, il faut tenir compte non seulement de la responsivit
du rcepteur, qui doit tre suffisamment leve pour que le courant photodtect soit au
dessus du niveau de bruit de l ARV mais aussi de la rapidit de celle-ci qui doit tre
suprieure celle de la diode laser.
Une seconde tape consiste implmenter le schma lectrique quivalent, dfini dans
le Chapitre 4, dans le logiciel de simulation hyperfrquence ADS (Advance Design System)
afin de simuler les paramtres S11 et S21. Les mesures sont importes dans le logiciel et
compares la simulation. Une optimisation des valeurs des paramtres du schma quivalent
dans les intervalles dtermins par rapport aux paramtres internes permet de faire concider
la simulation avec la mesure afin de valider le modle. Les valeurs Rj, Cj, L0, R0 tant
dtermines, il est alors possible d associer des valeurs chaque paramtre interne intervenant
dans les quations d volution.
Dans un premier temps, nous avons test des VCSELs monts en botier et, grce
l acquisition de matriel plus performant, nous avons termin l tude par la caractrisation de
VCSELs monts en barrette.
,,&DUDFWpULVDWLRQGH9&6(/VHQERvWLHU
Alors que nous ne disposions pas encore de testeur sous pointes, nous avons
commenc par tudier des VCSELs implantation de protons, mettant 850nm, monts en
botier TO-18 et TO-46 (cf. Chapitre 4, Figure IV. 6). Pour tester ces composants, il est
ncessaire de monter l ensemble botier et puce laser sur un support constitu d une ligne
microruban adapte 50 Figure V. 2) avec accs coaxial vers l entre de l ARV.
La difficult d exprimentation rside dans la fixation des lectrodes du botier sur la
ligne.
La premire mthode a t de rduire la taille des lectrodes de faon diminuer les
risques de dsadaptation dus aux longueurs lectriques et de souder l tain ces lectrodes sur
la ligne. Mais, le report du VCSEL par wire bonding tait fortement endommag par
l chauffement. Nous avons donc pens deux solutions pour pallier ce problme : soit ne pas
raccourcir les lectrodes, ou bien les fixer la colle conductrice dont la polymrisation se fait
80C.
148
)LJXUH9DVXSSRUWGHWHVWGH9&6(/HQERvWLHU HWEPpWKRGHGHIL[DWLRQGXFRPSRVDQW
Ces deux techniques ne permettent pas d accder facilement au S11 du VCSEL ; la premire
est l origine d ondes stationnaires car le circuit n est pas adapt et la seconde ne peut pas
tre modlise parce qu il est trs difficile d estimer les pertes dans la colle conductrice ou
alors il faudrait parfaitement doser le volume de colle et tre en mesure de modliser sa
gomtrie. Finalement, la connexion ligne-VCSEL a t ralise par pression mcanique
d une lame de tflon solidement visse sur le botier mtallique maintenant l anode sur la
ligne comme l indique la Figure V. 2- b) [1].
Dans cette premire approche exprimentale, nous nous sommes limits l tude du
paramtre S11 sur une gamme de frquence de 45MHz 10GHz. Pour extraire le coefficient
de rflexion lectrique en entre du VCSEL, il a fallu caractriser tape par tape chaque
partie du support de test tels que les connecteurs, la ligne microruban, les lectrodes et le
botier.
La premire tape est le calibrage sur la gamme de frquence et de puissance des

cbles coaxiaux relis l ARV grce un standard de calibrage compos d un court circuit,
d un circuit ouvert et d une charge adapte 50 &HWWH tape tant ralise, une fonction de
l ARV permet de compenser l influence du cble dans la mesure.
Une seconde phase a consist caractriser le support de test constitu d un

connecteur dont les paramtres sont connus et d une ligne microruban grave sur substrat
tflon. Nous avons commenc par relier l entre de la ligne l entre 1 de l ARV et l autre
extrmit un kit de calibrage court-circuit , circuit ouvert, et charge adapte pour ligne
microruban. Connaissant les caractristiques de la ligne (dimensions et permittivit), ces
149
mesures nous ont permis de vrifier le comportement de celle-ci par une simulation sous
ADS. Nous avons ensuite test le support complet que nous avons modlis sous ADS. Aprs
optimisation des valeurs des paramtres par rapport aux mesures, nous avons obtenu un
schma quivalent du support.
Une troisime tape a consist caractriser le botier contenant le VCSEL (de type
TO-46). Nous avons mesur le coefficient de rflexion en entre du systme support de test-
botier vide. Ce type de botier n tant pas parfaitement adapt un fonctionnement des
frquences suprieures au Giga Hertz, il met un certain rayonnement lectromagntique ;
nous l avons donc modlis sous forme d un diple. Conformment aux phnomnes
physiques se produisant dans cette gamme de frquences et aux dimensions, un modle a pu
tre extrapol sous ADS en accord avec les mesures.
Dans la dernire tape, nous avons pu accder au coefficient de rflexion du VCSEL

en mesurant tout l ensemble : support de test, botier et VCSEL. En implmentant le modle
du support de test, du botier ainsi que le schma lectrique quivalent du VCSEL dans ADS
comme l indique la Figure V. 3. Il a t possible de lancer une optimisation des valeurs de
paramtres du circuit quivalent du VCSEL afin de faire concider le paramtre S11 du circuit
en module et en phase pour obtenir les courbes prsentes sur la Figure V. 4.
)LJXUH9PRGqOHpOHFWULTXHGXQ9&6(/PRQWpHQERvWLHU72
150
)LJXUH9FRPSDUDLVRQGHVYDOHXUVPHVXUpHVFRXUEHVHQEOHXHHWVLPXOpHVFRXUEHVHQURXJHGH

ODPSOLWXGHjJDXFKHHWGHODSKDVHjGURLWHGXSDUDPqWUH6GX9&6(/HQERvWLHU72
En phase, le modle thorique est en accord avec les valeurs exprimentales. Alors
qu en module, il reste un certain dcalage, d notamment la prsence d oscillations. Ces
phnomnes parasites sont sans doute engendrs par le botier et par des problmes rencontrs
avec le kit de calibrage de l analyseur de rseau.
D autre part compte tenu de ces effets parasites, il est difficile de raliser un montage
avec photodtecteur pour mesurer le coefficient de transmission du VCSEL. C est pourquoi
nous avons cherch rduire les longueurs lectriques des accs la puce laser.
L utilisation du testeur sous pointe nous a alors permis de raliser des mesures
directement sur le VCSEL en s affranchissant de ces phnomnes parasites.
,,,&DUDFWpULVDWLRQGHEDUUHWWHVGH9&6(/VHWPHVXUHVVRXVSRLQWHV
Afin de peaufiner le modle, il a donc fallu travailler avec des pointes RF identiques
celles de la Figure V. 5 adaptes un accs lectrique coplanaire. Ces pointes sont prsentes
sous forme de trois contacts ( pads ) : celui du centre est reli au signal et les deux autres
[2][3]
vont la masse. La conception des pointes varie selon les fabricants mais l cart entre
chaque contact est standard (selon le modle : 125, 250 m ) sur notre testeur nous utilisons
un cart de 125m.
151
)LJXUH9SKRWRJUDSKLHGHVSRLQWHVXWLOLVpHV
Etant donn la sensibilit des pointes et les faibles dimensions des puces ( wafer ) testes, il
est ncessaire d utiliser un dispositif spcifique de faon s affranchir d un maximum de
contraintes. En effet, si le contact entre les pointes et le wafer n est pas correctement ralis,
le signal peut tre fortement perturb par des phnomnes d ondes stationnaires. D autre part
si le composant n est pas correctement fix sur le support ( chuck ), cela peut engendrer une
destruction des pointes ou de la puce, c est pourquoi le composant est maintenu par
aspiration. L une des contraintes les plus importantes du dispositif est la sensibilit aux
vibrations du sol, il est donc indispensable que le testeur sous pointe soit pos sur une table
antivibration. Les pointes sont alors relies l analyseur de rseau vectoriel par
l intermdiaire d un cble coaxial (Figure V. 6).
)LJXUH9GLVSRVLWLIGHPHVXUHVRXVSRLQWH5)UHOLpjODQDO\VHXUGHUpVHDXYHFWRULHO
152
Comme dans le cas des mesures de composants en botier, les pointes doivent tre calibres
sur une charge adapte 50 XQFRXUWFLUFXLWHWXQFLUFXLWRXYHUWDILQGHVDIIUDQFKLUGHOHXU
contribution dans la mesure. Ce calibrage ne peut tre valable que dans le cas d une mesure de
paramtres S entirement sous pointes (entres 1 et 2 de l ARV relies aux pointes). Or dans
le cas d un composant hybride, la contribution des pointes ne pourra pas tre compense par
calibrage.
En effet comme le prsente la Figure V. 7, le faisceau optique mis par le VCSEL est focalis
sur une fibre optique multimode, elle mme relie un photodtecteur dont le signal amplifi
est recueilli sur l entre 2 de l ARV.
)LJXUH9EDQFGHPHVXUHVRXVSRLQWHVGHVSDUDPqWUHV6HW6GH9&6(/VPRQWpVHQEDUUHWWH
Dans ce cas, la sortie RF du photodtecteur est relie l analyseur de rseau par cble
coaxial.
Pour remdier ce problme pos par un composant hybride nous avons tout d abord
calibr les cbles coaxiaux relis aux entres 1 et 2 de l ARV en rflexion et en transmission,
puis nous avons calibr la pointe relie au cble coaxial du port 1 de l ARV. Les donnes du
calibrage de la pointe ont ensuite t importes dans le logiciel ADS et modlises de faon
obtenir un schma lectrique quivalent des pointes o le connecteur d entre est reprsent
par une portion de cble coaxial de longueur dfinie et la pointe est modlise par une ligne
coplanaire dont le substrat est l air comme l indique la Figure V. 8.
153
)LJXUH9PRGqOHpTXLYDOHQWGHSRLQWHV
Ce modle peut s adapter aux diffrents type de pointes en tenant plus ou moins compte de
l accs lectrique coaxial. En effet, si le montage est bien adapt, il est possible de
s affranchir de cette partie du circuit.
,9%DUUHWWHDYHFDFFqVSDUZLUHERQGLQJ
Nous avons effectu une premire srie de mesures sur des barrettes conues par
Avalon Photonics (Figure V. 9), TRT (Figure V. 10) et LASERMATE (Figure V. 11) au
laboratoire d interconnexions optiques de Thales Research & Technology.
)LJXUH9EDUUHWWHGH9&6(/V$YDORQ3KRWRQLFV
154
)LJXUH9EDUUHWWHGH9&6(/V757
)LJXUH9EDUUHWWHGH9&6(/V/$6(50$7(
Pour ces trois technologies, l mission se fait 850nm et le confinement des porteurs est
ralis par une implantation de protons. Une mtallisation annulaire de la face suprieure de la
diode laser constitue l anode. Une ligne est alors relie un plot de contact pour poser des
pointes ou raliser un wire bonding. La masse, commune chaque VCSEL, est situe sur la
face infrieure de la barrette.
Compte tenu de ces spcifications, il est impossible de poser directement les pointes
RF sur de tels composants, d o la ncessit de reporter les VCSELs sur un support
cramique comme celui prsent sur la Figure V. 12. Ainsi, les barrettes sont reportes par
brasure sur une plaque d alumine comportant 8 pistes coplanaires espaces de 250m, de
155
faon pouvoir cbler les VCSELs qui sont relis aux lignes par des fils d or trs fins et trs
courts (quelques centaines de microns).
)LJXUH95HSRUWGHEDUUHWWHVGH9&6(/V757HW$YDORQ3KRWRQLFVVXUFpUDPLTXH
Une telle plaque peut alors tre dispose sur le chuck du testeur sous pointe pour raliser le
montage de la Figure V. 7.
Ayant rencontr des problmes de dcharge lectrostatique avec un photodtecteur

rapide, nous avons d utiliser une photodiode dont la gamme de frquence tait limite
5GHz. Cette limitation nous a empchs de valider le modle lectrique sur chaque type de
VCSEL. D autre part, les pertes d insertion dans la fibre optique n tant pas chiffrables, le
signal reu par l analyseur de rseau a t exprim en valeurs relatives et non pas en valeurs
absolues.
Nous obtenons donc, l accs 1 de l ARV, le coefficient de rflexion lectrique en

entre de l ensemble pointe-ligne-bonding-VCSEL et, entre les accs 1 et 2, le coefficient de
transmission de toute la liaison comprenant l accs lectrique, le VCSEL et le photodtecteur.
La Figure V. 13 donne des valeurs releves l analyseur de rseau pour une barrette
d Avalon Photonics fonctionnant en modulation petit signal autour d un courant de
polarisation de 4mA.
Compte tenu des longueurs des lignes coplanaires et de certains problmes d adaptation dus
au wire bonding, le S11 est perturb par de nombreuses oscillations. Ceci rend la phase
156
(Figure V. 13 c)) difficilement exploitable. Concernant le module (Figure V. 13 b)), il permet

d estimer les valeurs des paramtres d entre du schma quivalent avec une incertitude qui
reste tout de mme limite.
Quant au coefficient de transmission S21, les mesures (Figure V. 13 a)) sont beaucoup moins
bruites que celles du S11. Il est possible de vrifier la valeur de la frquence de rsonance
mais la limitation 5GHz ne nous permet pas de mesurer la rponse pour d autres courants de
polarisation.
)LJXUH9YDOHXUVPHVXUpHVSRXUXQ9&6(/$YDORQ3KRWRQLFVSRODULVpjP$HQIRQFWLRQQHPHQW
SHWLWVLJQDOODFRXUEHDUHSUpVHQWHOHPRGXOHGXSDUDPqWUH6ODFRXUEHEOHPRGXOHGXSDUDPqWUH
6HWODFRXUEHFODSKDVHGXSDUDPqWUH6
Paralllement, nous avons implment le modle d un VCSEL en barrette, constitu

du schma lectrique quivalent d un VCSEL implantation de protons, en cascade avec le
modle de pointe tel qu il est prsent sur la Figure V. 14.
157
)LJXUH96FKpPDpOHFWULTXHpTXLYDOHQWGH9&6(/$9$/213KRWRQLFV
En partant des intervalles de valeurs des paramtres intrinsques du VCSEL, nous

avons estim des valeurs de dpart de Rj, Cj, R0 et L0. Les valeurs des inductances et les
ordres de grandeurs des capacits et inductances parasites sont estimes par rapport aux
donnes classiquement utilises en hyperfrquence. La rsistance srie et la rsistance du
miroir de Bragg suprieur sont estimes par rapport la pente de la caractristique V(I). La
rsistance et capacit du miroir de Bragg infrieur incluant la contribution du substrat sont
obtenues par optimisation. Sachant que le circuit d entre influence principalement le
paramtre S11 et que la partie active de la diode dtermine le module du S21, l optimisation a
pu tre ralise en deux tapes.
158
La premire a consist valider le modle de la zone active. En effet, les valeurs de Cj et

L0 ont t fixes pour concider avec la frquence de rsonance du circuit. Les rsistances Rj
et R0 permettent, quant elles, de dterminer le coefficient d amortissement. En implmentant
le schma lectrique quivalent de la zone active dans le logiciel ADS et en injectant des
valeurs de Rj, Cj, L0, R0, nous avons obtenu l allure de la courbe S21 un gain prs. Pour
amliorer l optimisation faite sous ADS, nous avons utilis la mthode des moindres carrs
dans Matlab, en dfinissant S21(f) comme le polynme de Tchbychev donn dans le
Chapitre 4 VII. Les valeurs obtenues ont ensuite t rinjectes dans le logiciel ADS.
Les autres paramtres ont t optimiss par rapport la courbe mesure du S11. Ainsi, en
simulant le S11 et le S21 du schma lectrique de la Figure V. 14, nous sommes en accord
avec les valeurs mesures comme l indique la Figure V. 15.
)LJXUH9UpVXOWDWVGHVLPXODWLRQHWFRPSDUDLVRQDYHFODPHVXUHODFRXUEHDUHSUpVHQWHOHPRGXOHGX
SDUDPqWUH6HWODFRXUEHEFRUUHVSRQGDXPRGXOHGXSDUDPqWUH6
La courbe S11 mesure, quoique fortement perturbe par de nombreuses oscillations, suit
globalement la courbe simule. Pour le |S21|, l adquation est plus vidente, mais il reste tout
de mme un cart en haute frquence.
Compte tenu de ces perturbations, nous nous sommes intresss l ventualit de couplage
lectrique entre canaux voisins.
159
90LVHHQpYLGHQFHHWPRGpOLVDWLRQGHODGLDSKRQLH
Au cours de la caractrisation sous pointes des barrettes Avalon Photonics, nous avons
observ un effet de couplage entre deux VCSELs adjacents d une barrette : en modulant un
VCSEL, les VCSELs voisins pouvaient mettre. Ce phnomne correspond la diaphonie
couramment appele crosstalk. En effet, la diminution des dimensions des composants
optolectroniques pour une utilisation en WDM accentue certains couplages pouvant gnrer
un dysfonctionnement de la liaison : les signaux hautes frquences peuvent par couplages
capacitifs ou inductifs se propager d un circuit au circuit voisin, mme via un contact ouvert
[7]
. Dans les barrettes de VCSELs, des sources lectriques, optiques et thermiques sont
l origine d un tel phnomne et donnent naissance un crosstalk lectrique, optique et
thermique.
LeFURVVWDONpOHFWULTXH apparat dans les barrettes ou matrices de VCSELs avant que le

signal lectrique ne soit transform en signal optique. Les chemins d accs lectriques
gnrant ce couplage sont donc les lignes coplanaires ou microrubans permettant
l alimentation lectrique des diodes lasers, et les wire bonding [8]. Or, en ce qui concerne
ceux-ci, le souci de rduire les dimensions du fil de liaison a limit les risques de crosstalk.
De ce fait, l influence du couplage entre lignes d accs est dsormais plus importante que
celle du wire bonding . Le crosstalk lectrique se limite donc au couplage entre les lignes
et se rduit leurs inductances et capacits mutuelles associes.
Le FURVVWDON RSWLTXH est li une mauvaise isolation optique entre deux VCSELs
adjacents. Dans certains cas, les composants sont trs proches et le film polyimide les
[9]
sparant est transparent l mission de lumire . Les photons s chappant par les cts du
VCSEL modul, vont gnrer, par pompage optique, de la lumire dans les VCSELs voisins.
Ces photons vont s ajouter l mission spontane ce qui aura pour effet de diminuer le seuil
d mission.
Le FURVVWDON WKHUPLTXH est d une mauvaise dissipation de chaleur. Au lieu de
rayonner vers l extrieur, la chaleur est diffuse entre chaque composant adjacent. Bien
souvent la technologie de report du composant est l origine de ce phnomne. L utilisation
d un montage flip-chip est une bonne mthode pour remdier aux effets de crosstalk
thermique.
160
En utilisant le montage de la Figure V. 7,le crosstalk d un VCSEL mont sur barrette

a t mis en vidence. L exprience n a pas permis d isoler les diffrentes formes de
crosstalk. Mais d aprs la littrature, le crosstalk lectrique semble tre prpondrant. La
technologie de report n tant pas en flip-chip mais la barrette de VCSELs tant reporte par
brasure, face-up , le crosstalk thermique n est pas ngligeable.
Le crosstalk mesur a t obtenu partir du |S21| d un VCSEL aliment par la
perturbation d un VCSEL adjacent en fonctionnement (|S21parasit|) et du |S21| du VCSEL
modul (|S21mod|) [10] . On obtient la variation du crosstalk en dB en fonction de la frquence
partir de la relation suivante :
&URVVWDON ( I ) = 6 21 ( I ) - 6 21mod ( I ) (5. 1)
Les mesures prsentes sur la Figure V. 16 indiquent que le crosstalk est assez faible
pour une frquence infrieure 1GHz puis augmente brutalement au-dessus de cette
frquence.
)LJXUH9VXUOHJUDSKLTXHGHJDXFKHODFRXUEHYHUWHFRUUHVSRQGjODUpSRQVHGX9&6(/PRGXOp
DXWRXUGXQFRXUDQWGHSRODULVDWLRQGHP$MXVWHDXGHVVXVGXFRXUDQWGHVHXLOHWODFRXUEHEOHXH
FRUUHVSRQGjODUpSRQVHGXPrPH9&6(/ORUVTXHOXQGHV9&6(/VYRLVLQVHVWDOLPHQWp/HJUDSKLTXHGH
GURLWHUHSUpVHQWHODGLDSKRQLHREWHQXHjSDUWLUGXUDSSRUWGHVGHX[6SUpFpGHQWV.
[11]
En se basant sur les tudes de la diaphonie dans les rseaux tlphoniques et dans les
[12], [13]
diodes laser en barrette , nous avons modlis sous forme de schma lectrique
quivalent l ensemble de deux VCSELs, avec la contribution de leur accs lectrique (Figure
V. 17). Ainsi, le couplage entre les lignes coplanaires est reprsent par une inductance
mutuelle et le couplage au niveau des wire bonding , est modlis par une capacit et une
rsistance reliant les deux canaux.
161
)LJXUH9VFKpPDpTXLYDOHQWGHGHX[9&6(/VDGMDFHQWVDYHFLQFOXVLRQGHODGLDSKRQLH
En optimisant les paramtres S21 sur les deux canaux, nous avons pu en dduire le
crosstalk. Les rsultats obtenus sont prsents sur la Figure V. 18.
)LJXUH99DOLGDWLRQGXPRGqOHVXUOHVFRXUEHVGH6ISDUDVLWHHWPRGXOpjJDXFKHHWHQ

FRPSDUDQWOHFURVVWDONVLPXOpHWPHVXUpjGURLWH
162
Nous remarquons bien qu il y augmentation du phnomne au-dessus d 1 GHz. Mais encore

une fois, rappelons que la limitation en frquence due la photodiode ne permet pas de
valider le modle pour des frquences plus leves.
9,%DUUHWWHjDFFqVFRSODQDLUHGLUHFW
Contrairement aux barrettes caractrises auparavant, le constructeur Ulm Photonics propose

des composants accs coplanaire dont le contact central est intgr sur l lectrode suprieure
du VCSEL qui est l anode. La masse est remonte sur un pad de la face suprieure par la
technique via-hole. Ainsi chaque VCSEL est associ un contact d anode et un contact de
cathode comme l indique la Figure V. 19.
)LJXUH9OD\RXWHWSKRWRJUDSKLHGXQHEDUUHWWHGH9&6(/V8OP3KRWRQLFV
L accs est donc direct, ce qui vite le report de la barrette sur cramique et rduit
considrablement les risques de perturbations du signal dues aux longueurs lectriques.
Pour caractriser les barrettes avec des pointes RF, il est ncessaire de disposer l un des
contacts sur la masse d un VCSEL adjacent, ce qui revient travailler en cathode commune.
Hormis cette diffrence de technologie de report, la structure du VCSEL elle-mme n est pas
identique celle des VCSELs que nous avons tests auparavant. En effet, dans ce cas, le
confinement des porteurs vers la cavit est ralis par un diaphragme d oxyde [15],[16]. On peut
donc s attendre avoir des valeurs diffrentes de rsistance srie, des rsistances et capacits
du miroir de Bragg suprieur ; par contre les paramtres de la zone active devraient tre
semblables.
Disposant d un testeur sous pointe et d une photodiode plus rapide pour raliser le
montage de la Figure V. 7, nous avons pu mesurer les coefficients de rflexion et de
163
transmission du systme sur une gamme de frquence allant de 45 MHz 10 GHz. Les
courbes de la Figure V. 20 ont ainsi t obtenues.
)LJXUH9PHVXUHGX6HQSKDVHHWHQDPSOLWXGHSRXUWURLVFRXUDQWVGHSRODULVDWLRQGLIIpUHQWV
P$FRXUEHHQPDJHQWDP$HQEOHXHWP$HQURXJH
)LJXUH9PHVXUHGXPRGXOHGX6SRXUGLIIpUHQWVFRXUDQWVGHSRODULVDWLRQP$FRXUEHHQ
PDJHQWDP$HQEOHXHWP$HQURXJH
On constate qu avec ces barrettes de VCSELs, il est possible de raliser des mesures non
bruites permettant d exploiter le paramtre S11 en module et en phase ainsi que le paramtre
S21 en module (la phase du S21 ne pouvant pas tre exploite tant donn le comportement
hybride du composant).
En implmentant dans le logiciel ADS le schma lectrique quivalent

comportemental de VCSEL confinement par oxyde (dfini dans le Chapitre 4) en cascade
avec le modle de pointe, et en reprsentant les pads de la barrette par un accs coplanaire
(Figure V. 22), il est possible de simuler les paramtres S11 et S21 avec prcision.
164
)LJXUH96FKpPDpOHFWULTXHpTXLYDOHQWGH9&6(/jFRQILQHPHQWSDUGLDSKUDJPHGR[\GH
Les valeurs initiales des paramtres injectes dans le modle ont t fixes l aide du
Tableau 1 du Chapitre 4. La simulation de la rponse en frquence du S21 du circuit
quivalent donne une courbe trs proche de la courbe mesure et, aprs optimisation des
valeurs des paramtres du schma quivalent, nous arrivons une concordance quasi parfaite
entre lescourbes simules et les courbes mesures. Nous avons encore une fois vrifi que le
paramtre S11 dpend principalement des pointes et de l tage d entre de la barrette, et le
paramtre S21, de la zone active du VCSEL.
Nous avons test plusieurs VCSELs de structures identiques mais avec un diamtre de
diaphragme d oxyde diffrent et pour des courants de polarisation diffrents, ce qui nous
permet de valider des valeurs de paramtres communes chaque VCSEL notamment la
165
capacit des miroirs de Bragg. Le Tableau 2 synthtise les valeurs des paramtres du circuit
quivalent des diffrents composants mesurs.
, 5M &M 5R /R 5V 5PVXS &PVXS 5PLQI &PLQI

P P$ RKP S) RKP S+ RKP RKP S) RKP S)
20 2,24 97 0,18 9,4 10,55 7,9 7,77 2,18 101

10 3,76 97 0,19 21,50 7,5 11,39 4,285 1,4 101
10 3,93 86,76 0,24 14,87 12,522 14,92 4,35 1,37 101
10 4,30 70,20 0,26 8,08 25,13 13,38 4,263 4,52 101

5 4,42 70,20 0,30 16,74 31,18 14,11 2,93 4 101
5 4,76 70,13 0,29 12,86 29,14 20,8 3 4,96 101
2 5,09 70,13 0,319 41,35 31,12 33,86 2,236 13,45 101
*
1 8,54 70,13 1,899 124,78 34,1 33,6 2,1 86,652 20,806
5 5 70 0,29 9,34 23,4 36 1,43 5,1 101

2 5,2 70 0,38 26 32,01 47,8 12,6 1,39 101
7DEOHDXSDUDPqWUHVGXVFKpPDpOHFWULTXHpTXLYDOHQW
&RPPHQWDLUHVGX7DEOHDX
Si l on compare l volution des paramtres du schma quivalent de la zone active du VCSEL
celle obtenue thoriquement dans le paragraphe V du Chapitre 4 :
Rj diminue bien quand le volume de la zone active et le courant de polarisation
augmentent.
Les diffrentes valeurs Cj vrifient bien l augmentation avec le volume de la zone active et
le courant de seuil.
Concernant la rsistance R0, elle augmente quand le courant de polarisation diminue et quand
le volume augmente.
*
I au voisinage du courant de seuil
166
L inductance L0 augmente galement quand I diminue, par contre elle est plus faible pour des
volumes plus levs.
On peut galement remarquer que pour des VCSELs d ouverture 12m une
polarisation de 1mA (valeur trs proche du courant de seuil), Rj, R0 et L0 augmente fortement.
L utilisation de ces paramtres dans le schma quivalent donne un bon accord avec la
simulation comme l attestent la Figure V. 23 et la Figure V. 24 relatives un VCSEL polaris
10mA et dont le diaphragme d oxyde a une ouverture de 20m.
)LJXUH9PRGXOHJUDSKLTXHGHJDXFKHHWSKDVHJUDSKLTXHGHGURLWHGX6VLPXOpHQURXJHHW

PHVXUpHQEOHX
)LJXUH9PRGXOHGX6VLPXOpHQURXJHHWPHVXUpHQEOHX
167
Ce que l on peut dire c est que l volution des paramtres du schma quivalent de la
zone active en fonction du courant de polarisation et du volume de la zone active suit bien
celle prdite par la thorie. Pour tous les autres VCSELs, la modlisation est reproductible.
Par ailleurs, il est possible de remonter des valeurs intrinsques du VCSEL en

utilisant les expressions de Rj, Cj, R0 et L0 dtermines dans le Chapitre 4.
9,,([WUDFWLRQGHVSDUDPqWUHVLQWULQVqTXHVGX9&6(/
Reprenons les expressions du Chapitre 4 :

1 T 1
& =
9 h
(5. 2)
9
5 =
1
10 ,0 - , T 1
( $ + 2 %1 0 )
(5. 3)
+
10 - 1 h
9 T 30 J 0 ( 1 0 - 1 )
/0 =
2
(, 0 - , )
1
10 h ,0 - ,
(5. 4)
h
G 2 b % 10 +
2
T 1 10 - 1
h (, 0 - , )

5 0 = /0 g - 2
2 2
T 1 30 J 0 (1 0 - 1 )
(5. 5)

2
D aprs les quations (5.1), (5.2), (5.3) et (5.4), on peut voir que & dpend de 9
,$,
% ; Rj dpend des mmes paramtres avec la contribution de Ntr. En ce qui concerne L0 et
R0, ils dpendent de a, p, vgr. Sachant que chaque paramtre a un poids diffrent sur la
valeur de Rj, Cj, R0, L0, que certaines valeurs sont quasiment fixes et que d autres varient en
fonction du courant de polarisation, il est possible d estimer les valeurs pour chaque VCSEL.
Ainsi pour un VCSEL diaphragme d oxyde de 25m, on obtient les valeurs

suivantes :
9 9

$ V

% V
168

1

D P

Y PV

V
Toutes ces valeurs ont t optimises dans les intervalles proposs dans le Tableau 1 du
Chapitre 4 avec des incertitudes assez faibles sur les valeurs de Rj, Cj, L0, R0.
On peut alors en dduire le nombre de porteurs dans un puits quantique Ns, le nombre de
photons dans la cavit P, le gain modal G et le facteur de compression e tels que :
1 $ $ 4 h ,
= 1,1 10 7
1 = - + +
2
2 % % % T 1
(5. 6)

h ! (, - , ) = 3,38 105
3 = t " 1 G b % 1 + 1
T 1
2
(5. 7)

D
J + = Y (*) G = 1,2 10 4 V # 1
Y $%'&
(5. 8)
h / (, - , . )
*= = 9,52 1010 V , 1
T 1- 3
(5. 9)
1 1 - 11 2
e= J 0 0 - 1 = 1 10
0
3 *0
7
(5. 10)

$SDUWLUGHODPHVXUHGHVSDUDPqWUHV6HW6GX9&6(/LOHVWGRQFSRVVLEOH
GDFFpGHU j XQ FHUWDLQ QRPEUH GH SDUDPqWUHV LQWHUQHV GH FH FRPSRVDQW DYHF XQ
PLQLPXPGHGRQQpHVFRQVWUXFWHXUV
169
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No.6, June 1993
171
CONCLUSION
&RQFOXVLRQ
Le travail ralis au cours de cette thse reposait sur la caractrisation et la

modlisation de Diodes Laser Cavit Verticale mettant par la Surface en fonctionnement
statique et dynamique. En se basant sur les travaux raliss sur les diodes lasers
conventionnelles, nous avons cherch laborer un modle thorique permettant de faire le
lien entre certains paramtres physiques et des paramtres accessibles exprimentalement, et
ce, en tenant compte de la gomtrie du composant et de l mission verticale. L tude s est
donc attache aussi bien un aspect thorique par l adaptation des quations d volution au
VCSEL qu exprimental par la mesure de caractristiques statiques et dynamiques.
Aprs avoir situ le contexte en prsentant les proprits du VCSEL et son tat de
l art, en insistant sur son comportement lectrique, nous avons abord la modlisation
optolectronique du composant. Dans une premire approche, nous avons dmontr que, dans
le cas du VCSEL, il tait impossible d utiliser les quations d volution telles qu elles taient
donnes dans les ouvrages sur les diodes laser conventionnelles mais qu il tait ncessaire de
les adapter au VCSEL en incluant le nombre de puits quantiques, la pntration de l onde
dans les miroirs de Bragg par l intermdiaire du facteur de confinement et les pertes dans la
cavit. Nous avons remarqu d autre part une diffrence considrable entre certaines valeurs
des paramtres intrinsques du VCSEL et celles des diodes laser conventionnelles : par
exemple, le facteur de confinement, de l ordre de 0,05 pour le VCSEL (que l on peut
multiplier par 10 dans les metteurs par la tranche) ce qui est tout a fait normal compte tenu
de sa dpendance avec l paisseur de la zone active, sans compter l ambigut dans la
dtermination du facteur de compression du gain ( e ). La difficult nous est apparue en
chiffrant le nombre de porteurs et de photons en rgime permanent car les incertitudes sur les
valeurs des paramtres taient trop importantes malgr une tude bibliographique approfondie
en vue d tablir des fourchettes de valeurs. Ainsi les expressions des principaux termes ont t
rduites de faon faire intervenir un maximum de paramtres mesurables (statiques et
dynamiques).
173
CONCLUSION
Paralllement, la mesure de certaines caractristiques statiques a donn lieu une

tude de l influence thermique sur le VCSEL qui est l une des contraintes les plus importantes
dans les diodes laser. Ceci nous a permis de constater que la variation du courant de seuil par
rapport la temprature tait trs faible compare celle des autres diodes laser et que
l volution de la longueur d onde tait linaire. Ces mesures ont t utilises pour dterminer
le nombre de porteurs et le nombre de photons dans le VCSEL en rgime permanent.
Nous avons ensuite trait le comportement dynamique des porteurs et des photons
sous forme de schma lectrique quivalent. Aprs avoir adapt les quations d volution au
fonctionnement petit signal, nous avons tabli un lien entre le schma lectrique quivalent et
certains paramtres internes du composant. En exploitant les fourchettes de valeurs thoriques
tablies d aprs la littrature, nous sommes parvenus chiffrer les paramtres du schma
lectrique quivalent.
La validation du modle a t effectue en implmentant le schma quivalent du

VCSEL dans le logiciel de simulation hyperfrquence ADS et en optimisant les valeurs par
rapport la mesure du coefficient de rflexion S11 et du coefficient de transmission S21. Or,
la dlicatesse de la mesure, nous a permis d tudier l importance de la mthode de report du
composant sur botier ou barrette. Ainsi nous avons effectu des mesures sur trois catgories
de VCSELs mettant 850nm, les premires sur botier et les autres sur deux modles de
barrettes.
Pour les VCSELs en botier de structure implantation de protons, le modle ne
pouvait pas tre fiable compte tenu d une influence trop importante des phnomnes
parasites. La validation s est alors limite au paramtre S11.
Les deuximes sries de mesures, qui ont t faites sur la mme structure de VCSEL
monte en barrette de 8, ont permis de valider le modle en rflexion et en transmission mais
des oscillations perturbaient fortement le signal. La structure de la barrette tait telle qu il y
avait une diaphonie trs importante entre chaque canal. Nous l avons modlise sous forme de
schma quivalent et, en suivant la mme dmarche que pour un VCSEL seul, nous avons
optimis les valeurs de paramtres donnant un bon accord entre le modle et la mesure.
La dernire validation a t effectue sur des barrettes de VCSELs confinement par
diaphragme d oxyde parfaitement adaptes l accs coplanaire. Les mesures tant non
bruites, les paramtres du schma lectrique quivalent ont pu tre optimiss en donnant un
parfait accord entre la mesure et la thorie.
174
CONCLUSION
Nous sommes ainsi remonts aux valeurs de certains paramtres internes tels que le
coefficient de recombinaisons non-radiatives (A), le coefficient de recombinaisons
bimolculaires (B), le rendement quantique interne ( i), le nombre d lectrons la
transparence (Ntr), le coefficient de gain diffrentiel (a), la dure de vie des photons, le
nombre de photons (P) et le nombre de porteurs (Ns) en rgime permanent, le gain (G) et le
facteur de compression ( e ).
Ainsi ce modle peut tre utilis pour adapter le composant sur son circuit lectronique
d entre en reprsentant l tage d entre par un circuit quivalent. Si l on connat les
paramtres du schma quivalent du photorcepteur, il est alors possible de modliser toute
liaison optolectronique sous forme de circuit lectrique quivalent, y compris la transmission
dans la fibre. Ce qui permet de simuler les paramtres de transmission de cette liaison dans un
logiciel de simulation opto-hyper.
D autre part, l aide des quations d volution linarises en fonctionnement petit

signal, nous pouvons alors remonter jusqu aux valeurs de certains paramtres intrinsques de
la diode. Ces valeurs que nous nous sommes attachs dterminer, peuvent tre utilises par
les concepteurs de modules d interconnexion optique parallle, par des utilisateurs n ayant
pas accs aux donnes constructeur ou encore tre implantes dans des logiciels de
simulation. Elles peuvent galement tre exploites pour le calcul de certaines caractristiques
du VCSEL : tels que le bruit relatif d intensit (RIN : relative intensity noise), le
comportement dynamique analogique et numrique.
La perspective de ce travail est dans un avenir trs proche d inclure au schma

lectrique quivalent la contribution du bruit d intensit et de remonter au RIN du VCSEL. Il
serait galement intressant d adapter le modle aux composants mettant dans les longueurs
d onde des tlcoms (1,3 et 1,55m).
175
7DEOHGHV)LJXUHV
Figure I. 1: principe du laser.....................................................................................................15

Figure I. 2: diagramme de bande d un laser semiconducteur ................................................16
Figure I. 3 : transitions lectroniques entre la bande de conduction et la bande de valence ....17
Figure I. 4 : amplificateur lectrique rtroaction distribue ..................................................18
Figure I. 5: cavit laser .............................................................................................................18
Figure I. 6 : rpartition des modes............................................................................................20
Figure I. 7 : schma d une double htrostructure : a) diagramme de bande sous une
polarisation directe, b)variation de l indice de rfraction entre la zone de confinement (nc)
et la zone active (na), c) carr de l amplitude du champ optique o le facteur de
confinement G est la fraction de puissance optique guide dans la couche active. ...........22
Figure I. 8 : structure des lasers guidage par le gain : diaphragme d oxyde gauche et
implantation de protons droite. .......................................................................................23
Figure I. 9 : structure guidage fort par l indice (zone active en noir) :a) BH (Buried
heterostructure), b) DCPBH ( Double Channel Planar Buried heterostructure) , c) BC (
Buried Crescent). ...............................................................................................................24
Figure I. 10 :laser guidage faible par l indice, ridge waveguide ( gauche) et rib waveguide
( droite).............................................................................................................................24
Figure I. 11 : structure de laser contre-raction distribue , a) diode laser DFB, b) diode laser
DBR ...................................................................................................................................25
Figure I. 12 : description des rflexions de Bragg....................................................................26
Figure I. 13: zone active d une diode laser puits quantiques.................................................27
Figure I. 14: niveaux d nergie des lectrons et des trous dans une zone active en
AlGaAs/GaAs. ...................................................................................................................28
Figure I. 15 : laser mission surfacique couplage par rseau..............................................30
Figure I. 16 : laser mission surfacique miroir 45 ..........................................................30
Figure I. 17 : laser mission surfacique cavit replie........................................................31
Figure I. 18 : structure d une diode laser cavit verticale mettant par la surface (VCSEL).31
Figure I. 19 : comparaison du VCSEL avec une diode laser mettant par la tranche. .............33
Figure I. 20: emplacement des puits quantiques dans la cavit : a) structure zone active
centrale, b) structure gain priodique rsonant. ..............................................................35
Figure I. 21 : structure sans confinement des porteurs .............................................................35
Figure I. 22 : a) VCSEL implantation de protons ; b) VCSEL miroir de Bragg oxyd......36
Figure I. 23 : VCSELs mesa.....................................................................................................37
Figure I. 24 : VCSEL diaphragme d oxyde...........................................................................37
Figure I. 25 : barrette de 8 VCSELs TRT et report sur Cramique..........................................39
Figure I. 26 : barrette de 4 VCSELs Ulm Photonics avec accs coplanaire direct. [14] ............39
Figure I. 27 : l environnement Tlcom / Datacom [17] ............................................................40
Figure I. 28 : module optolectronique parallle......................................................................41
Figure I. 29 : rflectivit des miroirs de Bragg en fonction du nombre de Bicouches pour
diffrents matriaux [19] ......................................................................................................43
Figure I. 30 : rsistance thermique en .GXUflecteur de Bragg de rflectivit 99%
constitu par diffrents substrats [18] ..................................................................................44
Figure I. 31 : caractristique puissance optique mise en fonction du courant de polarisation
pour des tempratures de 10C, 50C et 90C ( d aprs la rfrence [21]) .........................45
177
Figure I. 32 : a) structure ,b) courbe de P(I) de 0 60C de VCSELs conus par Emcore
(d aprs la rfrence [23] ) ..................................................................................................45
Figure I. 33 : a) spectre 5mA, 7mA et 10mA, b) diagramme de l il d une liaison base de
VCSEL mettant 1,3m et 2,5 Gbps de dbit sur fibre optique monomode (d aprs la
rfrence [23])......................................................................................................................46
Figure I. 34 : a) coupe de la structure du VCSEL points quantiques b) caractristique L-I-V ,
d aprs la rfrence [24].......................................................................................................46
Figure I. 35 : structure des VCSELs mettant autour de 1300nm conus par Infineon, figure
tire de la rfrence [26] ......................................................................................................47
Figure I. 36 : coupe de la structure prsente par NTT Photonics, d aprs la rfrence [27] ....48
Figure I. 37 (a) caractristique L-I-V des VCSELs de 7m et 10m 25C, (b) dpendance
du courant de seuil et du rendement diffrentiel en fonction de la temprature, d aprs la
rfrence [27]. ......................................................................................................................48
Figure I. 38 : a) puissance optique mise en fonction de la puissance de pompe pour le
VCSEL pomp optiquement , b) Puissance optique mise et tension en fonction du
courant de polarisation pour le VCSEL pomp lectriquement. .......................................49
Figure II. 1 : variation de la fraction molaire chaque interface des miroirs de Bragg. ..........57
Figure II. 2 :diagrammes de bandes a) de l AlGaAs et de l AlAs avant la ralisation de la
jonction, b) de l htrojonction, c) du miroir de Bragg dop n. .......................................59
Figure II. 3: rpartition des charges dans la zone de charge d espace......................................60
Figure II. 4: dplacement des lectrons et des trous au niveau des jonctions. .........................62
Figure II. 5 : htrojonction polarise 1) polarisation directe, 2) polarisation inverse...........62
Figure II. 6 : marche de potentiel .............................................................................................63
Figure II. 7 : barrire de potentiel.............................................................................................65
Figure II. 8 : largeur de la zone de dpltion xd et de la zone tunnel xt....................................66
Figure II. 9 :pntration de l onde optique dans la cavit. .......................................................68
Figure II. 10 :longueur effective de la cavit............................................................................69
Figure II. 11 : reprsentation des mcanismes de gnration-recombinaison des porteurs. ....70
Figure II. 12 : modle de la zone active du VCSEL.................................................................76
Figure II. 13 : evolution du nombre d lectrons et du nombre de photons en fonction du
courant de polarisation.......................................................................................................81
Figure III. 1 : a) reprsentation schmatique du VCSEL avec cavit vide ..............................91

Figure III. 2 : evolution de la densit de courant de seuil avec la temprature. .......................93
Figure III. 3 : allure de la puissance optique mise en fonction du courant de polarisation :
P(I) .....................................................................................................................................94
Figure III. 4 : allure de la variation de la caractristique P(I) avec T-2<T-1<T0<T+1<T+2 ........95
Figure III. 5 : allure de l volution de la caractristique courant tension en fonction de la
temprature ........................................................................................................................96
Figure III. 6 : banc de mesure de la puissance optique mise en fonction de la longueur d onde
............................................................................................................................................97
Figure III. 7 : asservissement en temprature du VCSEL ........................................................97
Figure III. 8 : evolution du spectre en fonction de la temprature ...........................................98
Figure III. 9 : evolution de la longueur d onde d mission en fonction de la temprature ......99
178
Figure III. 10 : a) allure des densits de porteurs et de photons en rponse un chelon de
courant, b) comportement de la densit de porteurs et de photons dans le cas d une
impulsion de courant superpose une prpolarisation. .................................................101
Figure III. 11 : banc de mesure...............................................................................................102
Figure III. 12 : face avant du programme Labview................................................................103
Figure III. 13 : caractristique Pe(I)(-), tangentes infrieure (-) et suprieure (-) au seuil dont
l intersection donne la valeur exacte du courant de seuil. ...............................................104
Figure III. 14 : comparaison de la mesure en puls et en continu ..........................................105
Figure III. 15 :evolution de la puissance optique en fonction de la temprature....................105
Figure III. 16 : variation du courant de seuil en fonction de la temprature ..........................106
Figure III. 17 : approximation de la courbe Ith(T) par un polynme du second ordre............107
Figure III. 18 : excursion en tension en fonction de l excursion en courant. .........................108
Figure III. 19 : banc de mesure de la caractristique V(I) ......................................................109
Figure III. 20 : mesure de la caractristique V(I) ...................................................................109
Figure III. 21 : test simultan sous pointe DC sur 4 VCSELs, d aprs la rfrence [14] .........110
Figure III. 22 : caractristique LIV mesure avec le banc de test Infineon d aprs la rfrence
[14]
.....................................................................................................................................111
Figure IV. 1: schma quivalent du VCSEL ..........................................................................117

Figure IV. 2 : diagramme de bande du VCSEL .....................................................................118
Figure IV. 3 : schma quivalent d un empilement d htrojonctions...................................120
Figure IV. 4 : schma quivalent comportemental d un VCSEL diaphragme d oxyde ......121
Figure IV. 5 : schma lectrique quivalent comportemental de VCSELs msas .................121
Figure IV. 6 : VCSEL mont en botier..................................................................................122
Figure IV. 7 : barrettes de VCSELs........................................................................................123
Figure IV. 8 : schma quivalent du composant complet :VCSEL + botier .........................124
Figure IV. 9 : circuit quivalent de la cavit du VCSEL........................................................127
Figure IV. 10 : courbe VD(I)...................................................................................................128
Figure IV. 11 : volution de la valeur de la capacit Cj en fonction du courant de seuil (a) et
du volume d un puits quantique (b) un courant de polarisation de 5 mA.....................134
Figure IV. 12 : volution de la rsistance Rj a) en fonction du volume de zone active pour un
courant de polarisation constant 5mA b) en fonction du courant de polarisation pour un
VCSEL avec un volume de puits quantique de 2.10-19m3 et un courant de seuil de 0,3mA.
..........................................................................................................................................135
Figure IV. 13 :quadriple VCSEL..........................................................................................136
Figure IV. 14 : quadriple modlisant la zone active du VCSEL. .........................................137
Figure IV. 15 : filtre passe-bas de Tchebycheff d ordre 2......................................................139
Figure V. 1 : protocole exprimental......................................................................................147

Figure V. 2 : a) support de test de VCSEL en botier [1] et b) mthode de fixation du
composant. .......................................................................................................................149
Figure V. 3 :modle lectrique d un VCSEL mont en botier (TO-46)................................150
Figure V. 4 : comparaison des valeurs mesures (courbes en bleue) et simules (courbes en
rouge) de l amplitude ( gauche) et de la phase ( droite) du paramtre S11 du VCSEL en
botier TO-46. ..................................................................................................................151
Figure V. 5 : photographie des pointes utilises [3]. ...............................................................152
Figure V. 6 : dispositif de mesure sous pointe RF reli l analyseur de rseau vectoriel .....152
179
Figure V. 7 : banc de mesure sous pointes des paramtres S11 et S21 de VCSELs monts en
barrette .............................................................................................................................153
Figure V. 8 : modle quivalent de pointes ............................................................................154
Figure V. 9 : barrette de VCSELs Avalon Photonics [4] ........................................................154
Figure V. 10 : barrette de VCSELs TRT[5] .............................................................................155
Figure V. 11 : barrette de VCSELs LASERMATE [6] ...........................................................155
Figure V. 12 : report de barrettes de VCSELs TRT et Avalon Photonics sur cramique ......156
Figure V. 13 : valeurs mesures pour un VCSEL Avalon Photonics polaris 4mA, en
fonctionnement petit signal ; la courbe a) reprsente le module du paramtre S21, la
courbe b), le module du paramtre S11 et la courbe c), la phase du paramtre S11. ......157
Figure V. 14 : schma lectrique quivalent de VCSEL AVALON Photonics .....................158
Figure V. 15 :rsultats de simulation et comparaison avec la mesure : la courbe a) reprsente
le module du paramtre S11 et la courbe b) correspond au module du paramtre S21...159
Figure V. 16 : sur le graphique de gauche, la courbe verte correspond la rponse du VCSEL
modul autour d un courant de polarisation de 3,4mA (juste au-dessus du courant de
seuil), et la courbe bleue correspond la rponse du mme VCSEL lorsque l un des
VCSELs voisins est aliment. Le graphique de droite reprsente la diaphonie obtenue
partir du rapport des deux S21 prcdents.......................................................................161
Figure V. 17 : schma quivalent de deux VCSELs adjacents avec inclusion de la diaphonie
..........................................................................................................................................162
Figure V. 18 : validation du modle sur les courbes de S21(f) parasite et modul ( gauche) et
en comparant le crosstalk simul et mesur ( droite).....................................................162
Figure V. 19: layout et photographie d une barrette de 4 VCSELs Ulm Photonics [14] .........163
Figure V. 20 : mesure du S11 en phase et en amplitude pour trois courants de polarisation
diffrents (5mA, courbe en magenta, 4mA, en bleu, et 3mA, en rouge).........................164
Figure V. 21 : mesure du module du S21 pour diffrents courants de polarisation (5mA,
courbe en magenta, 4mA, en bleu, et 3mA, en rouge).....................................................164
Figure V. 22:Schma lectrique quivalent de VCSEL confinement par diaphragme
d oxyde. ...........................................................................................................................165
Figure V. 23 : module (graphique de gauche) et phase (graphique de droite) du S11 simul en
rouge et mesur en bleu ...................................................................................................167
Figure V. 24 : module du S21simul en rouge et mesur en bleu ..........................................167
180
/LVWHGHV&RPPXQLFDWLRQV
Y. Boucher, A. Rissons, J-C Mollier 7HPSHUDWXUH GHSHQGHQFH RI WKH QHDU WKUHVKROG
HPLVVLRQZDYHOHQJWKDQGOLQHZLGWKLQ9HUWLFDO&DYLW\6XUIDFH(PLWWLQJ/DVHU, Ben Thomas
Price award, SIOE 2001, Cardiff (UK), 9-11 avril 2001
A. Rissons, J-C Mollier, 0RGpOLVDWLRQpOHFWULTXHGXQHGLRGH9&6(/, JNOG 2002, Dijon,

23-25 septembre 2002
A. Rissons, J-C Mollier, Z. Toffano, A. Destrez, M. Pez, 7KHUPDODQG2SWRHOHFWURQLF0RGHO

RI 9&6(/ $UUD\V IRU 6KRUW 5DQJH &RPPXQLFDWLRQV VERTICAL CAVITY SURFACE
EMITTING LASER VII, Photonics West, SPIE proceeding, Vol.4994, San Jose (USA), 25-
31 janvier 2003.
S. Constant, A. Rissons, J-C. Mollier, 0RGpOLVDWLRQpOHFWURRSWLTXHGHPRGXOHVGDWDFRPVj

EDVH GH ODVHUV j FDYLWp YHUWLFDOH pPHWWDQW SDU OD VXUIDFH j QP 17me colloque
international, Optique Hertzienne et Dilectriques, Calais (France), Septembre 2003.
A. Rissons, J. Perchoux, J-C.Mollier, 6PDOO 6LJQDO $QG 1RLVH &LUFXLW 0RGHO 2I 9HUWLFDO
&DYLW\ 6XUIDFH(PLWWLQJ /DVHU 9FVHO $UUD\V )RU 6KRUW 5DQJH 2SWRPLFURZDYH /LQNV,
Microwave Photonics 2003, Budapest (Hongrie), Septembre 2003.
Zeno Toffano, Mathias Pez, Christine Le brun, Patricia Desgreys, Yannick Herv, Jean-
Claude Mollier, Galle Brabary, Jean-Jacques Charlot, Stphanie Constant, Alain Destrez,
Mohammed Karray, Morgane Marec, Anglique Rissons, Sbastien Snaidero, 0XOWLOHYHO
%HKDYLRUDO 6LPXODWLRQ RI 9&6(/ EDVHG 2SWRHOHFWURQLF 0RGXOHV, IEEE JOURNAL OF
SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, reviewed for December 2003.
181

2003 Rissons Angelique

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7+6(

Prsente en vue de lobtention du titre de

LCOLE NATIONALE SUPRIEURE DE LARONAUTIQUE ET DE

Spcialit : Optolectronique et Hyperfrquence

Soutenue le Mardi 14 Octobre 2003 devant la commission d examen compose de :

C e travail de thse a t ralis au sein du groupe MOSE (Microondes et

Jimmy msi onpil pou tout sa ou f pou mwen, mwen ainm ou .

V. ORDRES DE GRANDEURS DES PARAMTRES DU SCHMA QUIVALENT ................................132

VII. EXTRACTION DES PARAMTRES INTRINSQUES DU VCSEL. ............................................168

A vec la demande toujours croissante de dbit et de quantit d informations dans

C est ce concept qui nous a attir dans l tude et la modlisation du comportement

rsistifs et capacitifs. La gnration de photons et leurs oscillations dans la cavit ont un

Depuis la dcouverte du principe d mission stimule en 1917 par Albert Einstein, le

L DEVRUSWLRQse produit lorsqu un photon d nergie hn voisine de Eg vient frapper le cristal

/pPLVVLRQ VWLPXOpH advient lorsque la bande de conduction est surpeuple en lectrons

Revenons au cas simplifi du rsonateur constitu d une cavit Fabry-Prot de longueur

relation L = n.l/2 ("n ) vont pouvoir effectuer des aller-retours en se rflchissant

/DFRQGLWLRQGRVFLOODWLRQHVWDORUV (QHIIHWDXIXUHW mesure que les photons

Le champ E de l onde lectrique se propageant dans la cavit s crit :

o n est l indice complexe de la zone active (n = n + i.n).

En ne considrant que la dpendance longitudinale de l onde, on obtient E(z) aprs un aller-

o r est le coefficient de rflexion en amplitude du miroir.

En posant, 5 = U H 2 le coefficient de rflexion en intensit et F le dphasage, on obtient la

Les pertes rsonnantes lies aux miroirs seront alors nots m:

De l, on en dduit les frquences de rsonance de la cavit Fabry-Perot correspondant aux

Afin d obtenir un maximum de recombinaisons lectrons-trous, il est ncessaire de

Guidage par le gain

Guidage par l indice

Le JXLGDJHIRUWSDUOLQGLFH est obtenu grce aux techniques actuelles de croissance de

)LJXUH,VWUXFWXUHjJXLGDJHIRUWSDUOLQGLFH ]RQHDFWLYHHQQRLU D %+ %XULHGKHWHURVWUXFWXUH E

)LJXUH,/DVHUjJXLGDJHIDLEOHSDUOLQGLFHULGJHZDYHJXLGH jJDXFKH HWULEZDYHJXLGH jGURLWH

La structure de ce laser est obtenue en utilisant la slectivit d un rseau de diffraction

)LJXUH,6WUXFWXUHGHODVHUjFRQWUHUpDFWLRQGLVWULEXpHD GLRGHODVHU')%E GLRGHODVHU'%5

La Figure I. 12 prsente les caractristiques de rflexion des rseaux de diffraction.

Cette onde rflchie ne rejoindra le point de dpart de l onde incidente que

qui simplifie considrablement la conception. Cependant avec le dveloppement des

Outre la diminution du courant de seuil, l utilisation d une zone active puits

part, il y a un meilleur recouvrement entre la zone d accumulation des porteurs et la zone de

Une seconde catgorie de laser mission verticale a t obtenue en couplant un laser

Mais le problme restait toujours l encombrement du composant lors de la mise en matrice.

D o l ide d une structure en cavit verticale comme l indique la Figure I. 18.

,,,$YDQWDJHV GX 9&6(/ FRPSDUDLVRQ 9&6(/  'LRGH ODVHU

Hormis la structure verticale permettant une disposition en matrice ou en barrette, le

La structure verticale et cylindrique permet au faisceau mis d tre circulaire et faiblement

se situe entre 10 et 20mA ; au-del, il y a chauffement et dformation des DBR empchant

Le VCSEL est un laser puits quantiques. Il en comporte 3 le plus souvent. La position

Si l on considre la Figure I. 21, on constate que l inversion de population a lieu dans

La Figure I. 22-a prsente la premire gnration de VCSELs car la plus simple

)LJXUH,D 9&6(/jLPSODQWDWLRQGHSURWRQVE 9&6(/jPLURLUGH%UDJJR[\Gp

Une autre mthode de confinement, plus communment appele structure MESA ou

Ce type de composant, sur le march depuis 4 ans, constitue la seconde gnration de

La Figure I. 25 prsente une barrette de VCSELs conue par le fabriquant TRT

Etant donns sa longueur d onde d mission (850nm) et son fonctionnement multimode,

Il est possible de dcomposer les distances de communication en 3 catgories :

Ce module est compos d une barrette de 8 VCSELs et d une barrette de 8 photodiodes,

Or en tenant compte des amliorations de la structure des VCSELs et d une meilleure

)LJXUH,D VWUXFWXUHE FRXUEHGH3 , GHj&GH9&6(/VFRQoXVSDU(PFRUH GDSUqVOD

)LJXUH,D VSHFWUHjP$P$HWP$E GLDJUDPPHGHOLOGXQHOLDLVRQjEDVHGH9&6(/

)LJXUH,D FRXSHGHODVWUXFWXUHGX9&6(/jERvWHVTXDQWLTXHVE FDUDFWpULVWLTXH/,9GDSUqVOD

)LJXUH, D FDUDFWpULVWLTXH/,9GHV9&6(/VGHPHWPj& E GpSHQGDQFHGXFRXUDQW

Cette quipe de chercheurs a obtenu un fonctionnement monomode autour de 1,5m. Leur

L acheminement du courant d lectrons dans la rgion active se produit grce la

La densit d lectrons s exprime sous la forme suivante :

me est la masse effective de l lectron, h, la constante de Planck, k, la constante de Boltzmann

/DFRQGLWLRQGRVFLOODWLRQHVWDORUV (QHIIHWDXIXUHW mesure que les photons

)LJXUH,VWUXFWXUHjJXLGDJHIRUWSDUOLQGLFH]RQHDFWLYHHQQRLUD%+%XULHGKHWHURVWUXFWXUHE

)LJXUH,/DVHUjJXLGDJHIDLEOHSDUOLQGLFHULGJHZDYHJXLGHjJDXFKHHWULEZDYHJXLGHjGURLWH

)LJXUH,6WUXFWXUHGHODVHUjFRQWUHUpDFWLRQGLVWULEXpHDGLRGHODVHU')%EGLRGHODVHU'%5

,,,$YDQWDJHV GX 9&6(/ FRPSDUDLVRQ 9&6(/ 'LRGH ODVHU

)LJXUH,D9&6(/jLPSODQWDWLRQGHSURWRQVE9&6(/jPLURLUGH%UDJJR[\Gp

)LJXUH,DVWUXFWXUHEFRXUEHGH3,GHj&GH9&6(/VFRQoXVSDU(PFRUHGDSUqVOD

)LJXUH,DVSHFWUHjP$P$HWP$EGLDJUDPPHGHOLOGXQHOLDLVRQjEDVHGH9&6(/

)LJXUH,DFRXSHGHODVWUXFWXUHGX9&6(/jERvWHVTXDQWLTXHVEFDUDFWpULVWLTXH/,9GDSUqVOD

)LJXUH,DFDUDFWpULVWLTXH/,9GHV9&6(/VGHPHWPj&EGpSHQGDQFHGXFRXUDQW

)LJXUH,,GLDJUDPPHVGHEDQGHVDGHO$O*D$VHWGHO$O$VDYDQWODUpDOLVDWLRQGHODMRQFWLRQEGH

)LJXUH,,KpWpURMRQFWLRQSRODULVpHSRODULVDWLRQGLUHFWHSRODULVDWLRQLQYHUVH

Dans le cas classique, l nergie de la particule mise depuis - YpULILH(9o , c est

)LJXUH,,DHWEUHSUpVHQWDWLRQGHVPpFDQLVPHVGHJpQpUDWLRQUHFRPELQDLVRQGHVSRUWHXUV

En ralit, le courant ,cavit correspond la portion h , du courant de polarisation, est le

b 5 devient donc 1 G b % 1 et 5 devient 1 * 3 .

On peut donc rcrire l quation (2.62) pour ,,w et 3= 0 :