Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y Telecomunicaciones

APELLIDOS Y NOMBRES: N DE MATRICULA:

Puma Helguero, Jordy Jair 15190264

CURSO: TEMA:

DISPOSITIVOS EL TRANSISTOR BIPOLAR

ELECTRONICOS PNP. CARACTERSTICAS
BSICAS.
INFORME: FECHAS: NOTA:
PREVIO REALIZACION: ENTREGA:

NUMERO:
22 DE JUNIO DEL 28 DE JUNIO
06 2017 DEL 2017

GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:
06 JUEVES Ing. Luis Paretto
2pm 4pm
Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

I. TEMA:

EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARACTERSTICAS

BSICAS."

II. CUESTIONARIO PREVIO:

1. Determinar el punto de operacin del circuito del experimento utilizando un
transistor bipolar PNP de modelo 2N6026. Llenar las tablas 2, 3 y 5.

Caractersticas del transistor modelo 2N6026:

Nmero de Parte: 2N6026
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
Especificaciones Mximas:
Disipacin total del dispositivo (Pc): 36 W
Tensin colector-base (Vcb): 80 V
Tensin colector-emisor (Vce): 60 V
Tensin emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC mxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa mxima (Tj): 150 C
Caractersticas Elctricas:
Producto de corriente -- ganancia ancho de banda (ft): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contnua (hfe): 30 ()
Empaquetado / Estuche: TO220
2. Circuito por analizar:

P1
1M RC
1k

R1
56k

Q1 V1
2N6026 12v

R2 RE
22k 330

laboratorio de Dispositivos Electrnicos Pgina 2

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En esta experiencia iremos variando los valores del potencimetro P1, por ello
expresamos nuestro circuito de la siguiente forma:

RC = 1 + 1
R 1k
0

Q1 V1
2N6026 12v

R2 RE
22k 330

Luego hallamos su equivalente Thvenin:

RC
1k

RB Q1 V1
2N6026 12v
0

VBB
0 RE
330

laboratorio de Dispositivos Electrnicos Pgina 3

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Donde:
2 2
= ; =
+ 2 + 2

Hallamos los valores mximos de y :

= = 9.02 ; = = 12
+

Haciendo = 56 (1 = 0 ):

2 2
= = 3.38 ; = = 15.79
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.7 (Silicio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 3.12

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 7.85
Hallamos y :

= 0.0165
+ ( + 1)
= = 1.02

TABLA 2 ( = )
() () () () ()
3.12 0.0165 7.85 . 1.02

Haciendo = 68 (1 = 12 ):

2 2
= = 2.93 ; = = 16.62
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.7 (Silicio) ; = ;

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En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 2.52

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 8.64
Hallamos y :

= 0.83
+ ( + 1)
= = 0.83

TABLA 3 ( = )
() () () () ()
2.52 0.83 8.64 . 0.83

Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de
trabajo Q1 y Q2:

Haciendo = 156 (1 = 100 ):

2 2
= = 1.48 ; = = 19.28
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.7 (Silicio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 0.801

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 10.93
Hallamos :

= 0.26
+ ( + 1)

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Haciendo = 306 (1 = 250 ):

2 2
= = 0.80 ; = = 20.52
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.7 (Silicio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 0.98

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 10.69
Hallamos :

= 3.25
+ ( + 1)

Haciendo = 556 (1 = 500 ):

2 2
= = 0.46 ; = = 21.16
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.7 (Silicio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 0

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 12
Hallamos :

= 0
+ ( + 1)

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Haciendo = 1056 (1 = 1 ):

2 2
= = 0.24 ; = = 19.28
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; < 0.7 (Silicio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 0

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 12
Hallamos :

= 0
+ ( + 1)

TABLA 5
R
() 0.801 0.98 0 0
() 0.26 3.25 0 0
() 10.93 10.69 12 12

Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor pasa a
la zona de saturacin, donde la corriente de colector (Ic) es mnima y el voltaje
colector-emisor (Vce) es mximo.

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