SERVIOPBLICOFEDERAL

UNIVERSIDADEFEDERALDOPAR
INSTITUTODETECNOLOGIA
FACULDADEDEENGENHARIASELTRICAEBIOMDICA

DISCIPLINA:ELETRNICAANALGICAII

Ministrante:Prof.Dr.MarcosGalhardo

ELETRNICA ANALGICA II
FEEB / ITEC / UFPA

REVISODEALGUNSMODELOSUTILIZADOSPARATRANSISTORES

ModeloparagrandessinaisxModeloparapequenossinais

Sistemade
duasportas

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1
 REVISODOSMODELOSDETRANSISTORESBIPOLARESDEJUNO TBJ

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MODELAGEMDOTRANSISTORTBJ
MODELOPARAGRANDESSINAIS

B C
Desconsiderando
oefeitoda
vBE vCE impednciade
sada

E
Emissorcomum

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2
 CONFIGURAOEMISSORCOMUM

Desconsiderando
oefeitoda
impednciade
sada

Modeloaproximado

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MODELOPARAPEQUENOSSINAIS Emissorcomum

Impednciadeentrada

Aoperaoempequenosinal
Desconsiderando
oefeitoda
ocorrequandoasvariaesna
impednciade tensoenacorrenteno
sada dispositivo,estonafaixada
curvacaracterstica
essencialmentelinear.

b c
ou
1

e e

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3
Impednciadeentrada Emissorcomum

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Emissorcomum
Impednciadesada

(mA)

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Impednciadesada

O efeito Early se traduz em uma no idealidade do dispositivo que pode limitar o ganho
de amplificadores. Aumentando a tenso de coletor, a largura efetiva da base diminui (pois
aumentase a regio de depleo na juno CB) e a corrente de coletor aumenta.

Comoefeito Comoefeito
Early Early

Semoefeito Semoefeito
Early Early

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Emissorcomum
Impednciadesada

VA:tensoEarly

Emumdadoponto:

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 Emissorcomum

Modelore paraaconfiguraodotransistorememissorcomum.

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OUTROSMODELOSPARAOTRANSISTOR

Modelo

Desconsiderando
oefeitoda
impednciade
sada

1
Transcondutncia:

1
1

RESISTNCIADEENTRADADOTBJVISTAPELOTERMINALDEBASE:r

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6
OUTROSMODELOSPARAOTRANSISTOR

ModeloT (Resistnciadeemissorre)

RESISTNCIADEENTRADADOTBJVISTAPELOTERMINALDOEMISSOR:re

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Modelosparabaixasfrequncias Pequenossinais

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 REVISODOSMODELOSDETRANSISTORESDEEFEITODECAMPO FET

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MOSFETTIPOINTENSIFICAO(TIPOENRIQUECIMENTO,TIPOCRESCIMENTO)

NMOS

Ausnciadecanal

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Curvacaractersticadesada

Exemplo: VTH = 2 V LugargeomtricodeVDS,sat

ParaVGS fixo:aumentandoVDS aportasetornacadavezmenospositivaemrelaoao

dreno,ocanaldiminuiatopontodeestrangulamentoeacorrenteID ficasaturada.

Asaturaoocorreem: , , :tensodesobrecarga

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H
H

Curvadetransferncia:
k funodaconstruododispositivo.

k podeserdeterminadopor:

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Parmetrok emodeloparagrandessinaisdoMOSFETtipointensificaocanaln naregiode
saturao

Desprezandoaresistnciadesada:

1
Onde, e
2

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Parmetrok emodeloparagrandessinais doMOSFETtipointensificaocanaln naregiode

saturao
Considerandooefeitodaresistnciadesada:

1
Onde,
2

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MOSFETtipointensificao

Mobilidadedoseltrons[cm2/V.s]

Capacitnciadeportaporunidadederea[F/m2]
comprimentodecanal[m]
larguradecanal[m]

/ razodeaspectododispositivo.

Coeficientedemodulaodocomprimentodocanal[1/V]

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Modulaodocomprimentodocanal

medida em que a tenso de dreno aumenta, o ponto em que o canal desaparece se move
em direo fonte, ou seja, L1 varia com vDS. Este fenmeno chamado de modulao do
comprimento do canal.

Naregiodesaturao: 1/

1/

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 OMODELODOFETPARAPEQUENOSSINAIS

Fatordetranscondutncia

MOSFETtipointensificaocanaln:

Umsegmentoquase
Inclinao=gm
linear

TH

Fatordetranscondutncia:Podeserdeterminadoporanlisegrficaouporumafunomatemtica.

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funomatemticade

ParaoMOSFETtipointensificao:

1
4
2

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 CIRCUITOEQUIVALENTEc.a.DOFETPARAPEQUENOSSINAIS

Omesmocircuito:

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Modelosparabaixasfrequncias Pequenossinais

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SimbologiadotransistorMOSFETtipointensificao

CanalN(NMOS):

S
para

NoconfundircomJETcanalN:

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SimbologiadotransistorMOSFETtipointensificao

CanalP(PMOS):

para

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