Apuntes Electrnica de Potencia, Cristin Pesce

1.3.- EL TIRISTOR

El tiristor (tambin llamado SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de

Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la
disposicin PNPN. Est formado por tres terminales, llamados Anodo, Ctodo y Puerta. El
instante de conmutacin (paso de corte a conduccin), puede ser controlado con toda precisin
actuando sobre el terminal de puerta, por lo que es posible gobernar a voluntad el paso de
intensidades por el elemento, lo que hace que el tiristor sea un componente idneo en
electrnica de potencia, ya que es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez
como comprobaremos con posterioridad.

El tiristor es un elemento unidireccional y slo conduce corriente en el sentido nodo

ctodo, siempre y cuando el elemento est polarizado en sentido directo (tensin nodo
ctodo positiva) y tengamos aplicado un impulso en la puerta. En el caso de que la polarizacin
sea inversa, el elemento estar siempre bloqueado (de ah que sea un elemento
unidireccional).

En la figura 1.2 podemos ver representada la curva caracterstica idealizada del tiristor,
en la que podemos apreciar tres zonas bien diferenciadas:

Fig 1.1: Smbolo del Fig 1.2: Curva caracterstica ideal del tiristor.
tiristor.

La caracterstica real V I del tiristor est representada en la figura 1.3:

Fig 1.3: Curva caracterstica V I real del tiristor.

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El material bsico es el silicio, variando el tipo de encapsulado en funcin de la potencia

que deba disipar. En la figura 1.5 estn representados algunos tipos:

Fig 1.5: Distintos tipos de encapsulado para el tiristor.

1.3.2.- CARACTERSTICAS.-

El tiristor posee una serie de caractersticas que lo hacen apto para su utilizacin en
circuitos de potencia:

Interruptor casi ideal.

Amplificador eficaz (pequea seal de puerta produce gran seal A K).
Fcil controlabilidad.
Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (Memoria).
Soporta altas tensiones.
Capacidad para controlar grandes potencias.
Relativa rapidez.

Las caractersticas de los tiristores pueden dividirse en cuatro tipos:

A.- Caractersticas estticas.

B.- Caractersticas de control.
C.- Caractersticas dinmicas.
D.- Caractersticas trmicas.

1.3.2.A.- Caractersticas estticas.-

Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores
mximos que colocan al elemento en el lmite de sus posibilidades.

1.3.2.B.- Caractersticas de control.-

Determinan la naturaleza del circuito de mando que mejor responde a las condiciones de
disparo.

Entre los parmetros ms importantes podemos destacar los siguientes:

VGT e IGT que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.

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VGNT e IGNT, muy importantes porque dan los valores mximos de corriente y de tensin,
para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo
de dispararse de modo indeseado.

1.3.2.C.- Caractersticas dinmicas.-

Tensiones Transitorias

Son valores de tensin que van superpuestos a la seal sinusoidal de la fuente de

alimentacin. Son de escasa duracin, pero de amplitud considerable, mayor que la seal de
alimentacin. Estas tensiones transitorias nos obligan a seleccionar un elemento cuya tensin
directa e inversa de pico no repetitiva VDSM, VRSM, est dentro de los valores probables de
tensin transitoria.

Impulsos de corriente

Para cada tiristor, el fabricante proporciona unas curvas que dan la cantidad de ciclos
durante los cuales pueden tolerarse unos determinados valores de corriente de pico como
podemos apreciar en la figura 1.16. El comienzo de la curva representa el valor de pico de una
corriente senoidal, para la cual el semiciclo tiene una duracin de 10 ms. Cuanto mayor sea el
valor del impulso de corriente, menor ser la cantidad de ciclos durante los cuales podr
admitirse este valor.

Fig 1.16: Curva de limitacin de impulsos de corriente.

Angulo de conduccin

La corriente y la tensin media de un tiristor variarn en funcin del instante en el que se

produzca el disparo, es decir, todo va a depender del ngulo de conduccin. La potencia
entregada y la potencia consumida por el dispositivo, por tanto, tambin dependern de l, de
forma que cuanto mayor sea ste, mayor potencia tendremos a la salida del tiristor.

Podemos apreciar todo esto en la figura 1.18:

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Fig 1.18: ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor.

Como podemos deducir de la figura anterior, cuanto mayor sea el ngulo de bloqueo
(ngulo de disparo), menor ser el ngulo de conduccin:

180 = ngulo de conduccin + ngulo de disparo (E1.14)

Es muy importante conocer la variacin de la potencia total en el elemento

semiconductor debido a las prdidas del mismo en funcin de los diferentes ngulos de
conduccin, para as poder determinar la temperatura, tanto en la unin de montaje, como en la
cpsula, y as poder calcular las protecciones (disipadores) oportunos para la proteccin del
circuito.

Caractersticas de conmutacin:

Los tiristores, al no ser interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar del
estado de bloqueo al estado de conduccin y viceversa. Para frecuencias inferiores a 400Hz
podemos ignorar estos efectos. En la mayora de las aplicaciones se requiere una conmutacin
ms rpida (mayor frecuencia), por lo que ste tiempo debe tenerse en cuenta.

Haremos un anlisis por separado del tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a
conduccin o tiempo de encendido (tON) y el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin
a corte o tiempo de apagado (tOFF).

a.- Tiempo de Encendido (tON)

El tiempo de encendido o tiempo en pasar de corte a conduccin (tON), lo podemos dividir

en dos partes:

a1.- Tiempo de retardo. (td)

a2.- Tiempo de subida. (tr)

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Fig 1.21: Representacin grfica del tiempo de encendido (tON).

b.- tiempo de Apagado (toff)

Para el estudio del tiempo de apagado (extincin) del tiristor, esto es, el paso del estado
de conduccin al estado de bloqueo (toff), nos basaremos en las formas de onda caractersticas
que aparecen en la figura 1.23.

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Caractersticas trmicas.-

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una cantidad de

energa que se manifiesta produciendo un aumento de la temperatura en las uniones del
material semiconductor que forman el dispositivo. Este aumento de la temperatura provoca un
aumento de la corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la temperatura,
creando un fenmeno de acumulacin. Esta acumulacin de calor debe ser evitada y para ello
es necesaria la colocacin de radiadores (disipadores de calor), que permitan evacuar el calor
producido por el tiristor.

Para proteger a los dispositivos de este aumento de temperatura, los fabricantes

proporcionan en las hojas de caractersticas una serie de datos trmicos que nos permiten
determinar las temperaturas mximas que puede soportar el elemento sin destruirse y que ya
estudiamos con anterioridad.

MTODOS DE DISPARO

Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

Disparo por puerta.

Disparo por mdulo de tensin. (V)
Disparo por gradiente de tensin. (dV/dt)
Disparo por radiacin.
Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y
gradiente de tensin son modos no deseados, por lo que los evitaremos en la medida de lo
posible.

Disparo por puerta

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin

en la puerta de un impulso positivo de intensidad (generalmente), mediante la conexin de un
generador adecuado entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una
tensin positiva entre nodo y ctodo.

Fig 1.24: Circuito de control por

puerta de un tiristor.

En el SCR tradicional, una vez disparado el dispositivo, perdemos el control del mismo
por puerta. En estas condiciones, si queremos bloquear al elemento, debemos hacer que la
VAK sea menor que la tensin de mantenimiento VH y que la IA (Intensidad de nodo), sea
menor que IH (corriente de mantenimiento).

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Disparo por mdulo de tensin

El disparo por mdulo de tensin se puede explicar mediante el mecanismo de

multiplicacin por avalancha. Este mtodo de disparo podemos desarrollarlo basndonos en la
estructura de un transistor, as si aumentamos la tensin colector - emisor, alcanzamos un
punto en el que la energa de los portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente
para producir nuevos portadores en la unin de colector, que hacen que se produzca el
fenmeno de avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de
manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobretensiones
anormales en los equipos electrnicos.

Disparo por gradiente de tensin

Si a un tiristor se le aplica un escaln de tensin positiva entre nodo y ctodo con

tiempo de subida muy corto (del orden de microsegundos), puede provocarse el disparo que
permite al tiristor comenzar a conducir.

Para aumentar la inmunidad del dispositivo ante estas variaciones tan bruscas, algunos
fabricantes recurren a una tcnica que consiste en cortocircuitar parcialmente la zona de
control y la zona de ctodo, haciendo que parte de la intensidad de fugas provocada por el
escaln derive por el cortocircuito, evitando la inyeccin de electrones por el ctodo.

En tiristores de baja potencia es aconsejable conectar entre puerta y ctodo una

resistencia por la que se derive parte de la intensidad de fugas antes comentada.

Disparo por radiacin

El disparo por radiacin est asociado a la creacin de pares electrn - hueco por la
absorcin de luz por el elemento semiconductor. La accin de la radiacin electromagntica de
una determinada longitud de onda provoca la elevacin de la corriente de fugas de la pastilla
por encima del valor crtico, obligando al disparo del elemento.

Los tiristores preparados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles (llamados
LASCR o Light Activated SCR) son de pequea potencia y se utilizan como elementos de
control on - off.

Disparo por temperatura

El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco

generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (1+2) tiende rpidamente a la
unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto
valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.

CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR

Disparo:

Polarizacin positiva nodo - ctodo. (nodo positivo respecto a ctodo).

El electrodo de control (puerta), en el momento en que deseemos provocar el
disparo, debe recibir un pulso positivo (respecto a la polarizacin que en ese
momento tengamos en el ctodo) durante un tiempo suficiente como para que IA
sea mayor que la intensidad de enganche.

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Corte:

En el momento en que el tiristor se dispara, perdemos el control por puerta. Para

desactivarlo deberemos realizar uno de los siguientes procesos:

Anular la tensin que tenemos aplicada entre nodo y ctodo.

Incrementar la resistencia de carga hasta que la corriente de nodo sea inferior a
la corriente de mantenimiento (IH), o forzar a que IA < IH.

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