Celul solar

De la Wikipedia, enciclopedia liber

O celul solar tipic

O celul solar const din dou sau mai multe straturi de material semiconductor, cel mai ntlnit fiind siliciul.
Aceste straturi au o grosime cuprins ntre 0,001 i 0,2 mm i sunt dopate cu anumite elemente chimice pentru
a forma jonciuni p i n. Aceast structur e similar cu a unei diode. Cnd stratul de siliciu este expus
la lumin se va produce o agitaie a electronilor din material i va fi generat un curent electric.

Celulele, numite i celule fotovoltaice, au de obicei o suprafa foarte mic i curentul generat de o singur
celul este mic dar combinaii serie, paralel ale acestor celule pot produce cureni suficient de mari pentru a
putea fi utilizai n practic. Pentru aceasta, celulele sunt ncapsulate n panouri care le ofer rezisten
mecanic i la intemperii.

Celule fotovoltaice policristaline ntr-un modul solar.

 Panou solar

Cuprins
[ascunde]

1 Clasificare

o 1.1 Materiale

o 1.2 Rezervele de materia prim

o 1.3 Moduri de construcie

o 1.4 Principiu de funcionare

2 Celule solare pe baz de siliciu

o 2.1 Fabricaia avnd la baz blocuri sau bare de siliciu

2.1.1 Procedeul de turnare

2.1.2 Procedeul Bridgman

2.1.3 Procedeul Czochralski

2.1.4 Procedeul de topire zonal

2.1.5 Fabricare de waferi (discuri/plci subiri de siliciu)

2.1.6 Prelucrarea plcilor de siliciu

o 2.2 Fabricarea plcilor semiconductoare n mod direct

2.2.1 Procedeul EFG

2.2.2 Procedeul String-Ribbon

2.2.3 Procedeul cu transfer de strat

o 2.3 Celule din siliciu murdar

3 Alte tipuri de celule solare

o 3.1 Celule solare cu strat subire

o 3.2 Celule cu concentrator

o 3.3 Celule solare electrochimice pe baz de pigmeni

 o 3.4 Celule solare din compui organici

o 3.5 Celule bazate pe fluorescen

4 Istoric

5 Forme i mrimi

6 mbtrnirea

o 6.1 Celule solare cristaline

o 6.2 Celule solare amorfe

7 Caracteristici tehnice

o 7.1 Scheme de conectare

7.1.1 Schem echivalent simplificat

7.1.2 Schem echivalent extins (Model cu una sau dou diode)

8 Amortizarea energetic i eficiena energetic

9 Protecia mediului

10 Fabricani de celule solare (Extras)

o 10.1 Germania

o 10.2 n afara Germaniei

11 Alte firme n industria tehnologiei solare

12 Vezi si

13 Note

14 Legturi externe

[modificare]Clasificare

Celulele solare pot fi clasificate dup mai multe criterii. Cel mai folosit criteriu este dup grosimea stratului
materialului. Aici deosebim celule cu strat gros i celule cu strat subire.

Un alt criteriu este felul materialului: se ntrebuineaz, de exemplu, ca materiale semiconductoare combinaiile
CdTe, GaAs sau CuInSe, dar cel mai des folosit este siliciul.

Dup structur de baz deosebim materiale cristaline(mono-/policristaline) respectiv amorfe.

n fabricarea celulelor fotovaltaice pe lng materiale semiconductoare, mai nou, exist posibiltatea utilizrii i
a materialelor organice sau a pigmenilor organici.

[modificare]Materiale

1. Celule pe baz de siliciu

Strat gros
 Celule monocristaline (c-Si)
randament mare - n producia n serie se pot atinge pn la peste
20 % randament energetic, tehnic de fabricaie pus la punct; totui procesul de fabricaie
este energofag, ceea ce are o influen negativ asupra periodei de recuperare (timp n care
echivalentul energiei consumate n procesul de fabricare devine egal cantitatea de energia
generat).

Celule policristaline (mc-Si)

la producia n serie s-a atins deja un randament energetic de peste la 16 %, cosum relativ
mic de energie n procesul de fabricaie, i pn acum cu cel mai bun raport pre
performan.

Strat subire

Celule cu siliciu amorf (a-Si)

cel mai mare segment de pia la celule cu strat subire; randament energetic al modulelor
de la 5 la 7 %; nu exist strangulri n aprovizionare chiar i la o producie de ordinul
TeraWatt

Celule pe baz de siliciu cristalin, ex. microcristale (c-Si)

n combinaie cu siliciul amorf randament mare; tehnologia aceeai ca la siliciul amorf

2. Semiconductoare pe baz de elemente din grupa III-V

Celule cu GaAs
randament mare, foarte stabil la schimbrile de temperatur, la nclzire o pierdere de putere mai
mic dect la celulele cristaline pe baz de siliciu, robust vizavi de radiaia ultraviolet, tehnologie
scump, se utilizeaz de obicei n industria spaial (GaInP/GaAs, GaAs/Ge)

3. Semiconductoare pe baz de elemente din grupa II-VI

Celule cu CdTe
utilizeaz o tehnologie foarte avantajoas CBD(depunere de staturi subiri pe suprafee mari n
mediu cu pH , temperatur iconcentraie de reagent controlate) ; n laborator s-a atins un
randament de 16 %, dar modulele fabricate pn acum au atins un randament sub 10 %, nu se
cunoate fiabilitatea. Din motive de protecia mediului este improbabil utilizarea pe scar larg.

4. Celule CIS, CIGS

CIS este prescurtarea de la Cupru-Indiu-Diselenid produs n staie pilot la firma Wrth Solar n
Marbach am Neckar, respectiv Cupru-Indiu-Disulfat la firma Sulfurcell n Berlin, iar CIGS pentru
Cupru-Indiu-Galiu-Diselenat produs n staie pilot n Uppsala/Suedia. Productorii de mai sus promit
trecerea la producia n mas n anul 2007.

5. Celule solare pe baz de compui organici

Tehnologia bazat pe chimia organic furnizeaz compui care pot permite fabricarea de celule
 solare mai ieftine. Prezint, totui, un impediment faptul c aceste celule au un randament redus i o
durat de via redus (max. 5000h). nc (ianuarie2007) nu exist celule solare pe baz de compui
organici pe pia.

6. Celule pe baz de pigmeni

Numite i celule Grtzel utilizeaz pigmeni naturali pentru transformarea luminii n energie electric; o
procedur ce se bazeaz pe efectul de fotosintez. De obicei sunt de culoare mov.

7. Celule cu electrolit semiconductor

De exemplu soluia: oxid de cupru/NaCl. Sunt celule foarte uor de fabrict dar puterea i sigurana n
utilizare sunt limitate.

8. Celule pe baz de polimeri

Deocamdat se afl doar n faz de cercetare.
[modificare]Rezervele de materia prim
Ca materie prim de baz siliciul este disponibil n cantiti aproape nelimitate. Pot aprea ns strangulri n
aprovizionare datorate capacitilor de producie insuficiente i din cauza tehnologiei energofage.

La celulele solare ce necesit materiale mai speciale cum sunt cele pe baz
de indiu, galiu, telur i seleniu situaia se prezint altfel. La metalele rare indiu i galiu consumul mondial (indiu
cca. 850 t, galiu cca. 165 t) depete deja de mai multe ori producia anul (USGS Minerals Information).
Deosebit de critic este situaia datorit creterii accentuate a consumului de indiu n form de indiu oxid
de zinc n ecranele cu cristale lichide i cele cu LED organic, precum i utilizrii de galiu i indiu n producia
diodelor luminiscente (LED) care se comercializeaz n surse de lumin cu consum mic de energie respectiv
ca surs de lumin de fundal n televizoare cu ecran plat.

Rezervele de indiu, estimate la 6000 tone(economic exploatabile 2800 tone), se presupune c se vor epuiza
deja n acest deceniu (Neue Zrcher Zeitung 7. Dezember 2005) (reserve de indiu conform USGS Mineral
Commodity Summaries (2006)).

La seleniu i telur, care e i mai greu de gsit, situaia pare mai puin critic, deoarece ambii metaloizi se
regsesec n cantiti mici n nmolul anodic rezultat n urma procesului de electroliz a cuprului iar
productorii de cupru utilizeaz doar o parte din nmolul rezultat pentru extragerea de telur i seleniu.
Rezervele exploatabile economic la seleniu se estimeaz totui la doar 82000 tone, iar la telur la doar 43000
tone, vizavi de cupru unde se estimeaz la 550 milioane tone!

Multe procese de producie utilizeaz galiu, indiu, seleniu i telur n mod neeconomic.

Spre deosebire de cupru, unde procesul de reciclare este pus la punct, la galiu, indiu, seleniu i telur procesul
de reciclare nu este posibil deoarece aceste elemente se gsesc incluse n structuri multistrat foarte fin
distribuite de unde recuperarea, se pare, nici n viitor nu va fi posibil.
[modificare]Moduri de construcie
Pe lng materia prim o importan mare prezint tehnologia utilizat. Se deosebesc diferite structuri i
aranjamente n care se depun electrozii de acoperire transpareni a cror rezisten nu este deloc neglijabil.

Alte tehnici vizeaz mrirea eficienei asigurnd absorbia unui spectru de frecven ct mai larg prin
suprapunerea mai multor materiale cu diferite caracteristici de absorbie. Se ncearc selectarea materialelor n
aa fel nct spectrul luminii naturale s fie absorbit la maximum.

Actualmente celulele solare pe baz de materiale semiconductoare cele mai des comercializate sunt cel pe
baz de siliciu.

Celulele solare pe baz de materiale semiconductoare utilizate pentru producerea de energie electric sunt
legate n module. Pe un modul se afl mai multe rnduri de celule solare conectate n serie ntre ele pe faa i
pe reversul modulului permind, datorit tensiunii nsumate, utilizarea unor conductori cu seciune mai mic
dect la legarea n paralel. Pentru protejarea unei celule solare mpotriva efectului de avalan n jonciune,
datorat potenialului mai mare (aprut de exemplu la umbrirea parial a modulului), trebuie incorporate
paralel cu celulele solare diode de protecie(bypass).

Sistemele de panouri solare sunt nzestrate uneori cu mecanisme de orientare, panoul fiind n permanen
direcionat pentru a exploata la maximum energia solar incident.

Randamentul termodinamic maxim teoretic pentru producerea de energie din lumina solar este de 85 %.
Acesta se calculeaz din temperatura suprafeei soarelui(5800 K), temperatura maxim de
absorbie(<2500 K, tempertura de topire a materialelor greu fuzibile) i temperatura mediului
nconjurtor(300 K).
Dac se utilizeaz doar o poriune din spectrul luminii solare, valoarea teoretic se reduce n funcie de
lungimea de und, pn la 5-35 %. Neutilizarea spectrului complet este una din dezavantajele celulelor solare
fa de centralele solare termice.
Absorbia radiaiei solare de ctre Siliciu (mono- und policristalin)

Absorbia radiaiei solare de ctre Gallium-Antimonat

[modificare]Principiu de funcionare

Princ. de funcionare a celulei solare cu semiconductori: Fotoni incidentali elibereaz electroni i goluri, care se vor separa
n cmpul electric al zonei de sarcin spaial a jonciunii p-n
Structura unei celule solare simple cu impurificare pin - positive intrinsic negative.

semiconductoare n principiu sunt construite ca nite fotodiode cu suprafa mare care ns nu se utilizeaz ca
detectoare de radiaii ci ca surs de curent.
Interesant la acest tip de semiconductoare este c prin absorbie de energie (cldur sau lumin) elibereaz
purttori de sarcin (electroni i goluri). Este nevoie de un cmp electrostatic intern pentru ca din aceti
purttori s se creeze un curent electric dirijndu-i n direcii diferite.
Acest cmp electric intern apare n dreptul unei jonciuni p-n. Pentru c intensitatea fluxului luminos scade
exponenial cu adncimea, aceast jonciune este necesar s fie ct mai aproape de suprafaa materialului i
s se ptrund ct mai adnc. Aceast jonciune se creeaz prin impurificarea controlat. Pentru a realiza
profilul dorit, n mod normal se impurific n un strat subire de suprafa i p stratul gros de dedesubt n
urma cruia apare jonciunea. Sub aciunea fotonilor apar cupluri electron-gol n jonciune, din care electronii
vor fi accelerai spre interior, iar golurile spre suprafa. O parte din aceste cupluri electron-gol se vor
recombina n jonciune rezultnd o disipare de cldur, restul curentului putnd fi utilizat de un consumator,
ncrcat ntr-un acumulator sau prin intermediul unui invertor livrat n reeaua public. Tensiunea electromotare
maxim la bornele unei celule solare (de exemplu la cele mai utilizate, celulele de siliciu cristaline) este de 0,5
V.

Structura celulelor solare se realizeaz n aa mod nct s absoarb ct mai mult lumin i s apar ct mai
multe sarcini in jonciune. Pentru aceasta electrodul de suprafa trebuie s fie transparent, contactele la
acest strat s fie pe ct posibil de subiri, pe suprafa se va aplica un strat antireflectorizant pentru a micora
gradul de reflexie a luminii incidente. Acestui strat antireflectorizant i se atribuie culoare negru-albstruie a
celulelor solare care fr aceasta ar avea o culoare gri-argintie.

La celulele solare moderne se obine din nitrat de siliciu prin procedeul PE-CVD(pe o suprafa nclzit se
depun n urma unei reacii chimice componente extrase dintr-o faz gazoas) un stratul antireflectorizant de
cca 70 nm grosime (sfert de lungime de und la un coeficient de refracie de 2,0). Se mai utilizeaz straturi
reflectorizante din SiO2 i TiO2 ce se depun prin procedeul AP-CVD.

Grosimea stratului influeneaz culoarea celulei (culoarea de interferen). Grosimea stratului trebuie s fie ct
se pote de uniform, deoarece abateri de civa nanometri mresc gradul de reflexie. Celulele i datoreaz
culoarea albastr realizrii unei grosimi ce corespunde lungimii de und a culorii roii, culorea cea mai bine
absorbit de siliciu. n principiu ns n acest mod se pot realiza celule roii, galbene, sau verzi la cerine
arhitectonice deosebite, dar vor avea un randament mai slab. n cazul nitratului de siliciu i a bioxidului de
siliciu stratul antireflectorizant mai are i un rol de a reduce viteza de recombinare superficial.

[modificare]Celule solare pe baz de siliciu

Celul solar multicristalin

o plac (wafer) multicristalin

Materialul cel mi utilizat pentru fabricarea de celule solare pe baz de semiconductori este Siliciul. Dac la
nceput pentru producerea celulelor solare se utilizau deeuri rezultate din alte procese tehnologice pe baz de
semiconductori, astzi se apeleaz la materiale special n acest scop fabricate. Pentru industria
semiconductorilor siliciul este materialul aproape ideal. Este ieftin, se poate produce ntru-un singur cristal la un
nalt grad de puritate, i se poate impurifica(dota) n semiconductor de tip n sau p. Prin simpla oxidare se pot
crea straturi izolatoare subiri. Totui lrgimea zonei interzise fac siliciul mai puin potrivit pentru exploatarea
direct a efectului fotoelectric. Celule solare pe baz pe siliciu cristalin necesit o grosime de strat de cel puin
100 m sau mai mult pentru a pute absorbi lumina solar eficient. La celulele cu strat subire de tip
semiconductor direct ca de exemplu GaAs sau chiar siliciu cu structura cristalin puternic perturbat (vezi mai
jos), sunt suficiente 10 m.

n funcie de starea cristalin se deosebesc urmtoarele tipuri de siliciu:

Monocristaline Celulele rezult din aa numitele Wafer (plci de siliciu dintr-un cristal). Aceste cristale
reprezint materia de baz pentru industria de semiconductori i sunt destul de scumpe.

Policristaline Celulele sunt din plci care conin zone cu cristale cu orientri diferite. Acestea pot fi
fabricate de exemplu prin procedeul de turnare, sunt mai ieftine i ca atare cele mai rspndite n
producia de dispozitive fotovoltaice. Deseori ele se numesc i celule solare policristaline.

Amorfe Celulele solare constau dintr-un strat subire de siliciu amorf (fr cristalizare) i din aceast
cauz se numesc celule cu strat subire. Se pot produce de exemplu prin procedeul de condensare de
vapori de siliciu i sunt foarte ieftine, dar au un randament sczut n spectru de lumin solar, totui au
avantaje la lumin slab. De aceea se utilizeaz n calculatoare de buzunar i ceasuri.

Microcristaline Acestea sunt celule cu strat subire cu structur microcristalin. Au un randament mai bun
dect celulele amorfe i nu au un strat att de gros ca cele policristaline. Se utilizeaz parial la fabricarea
depanouri fotovoltaice, dar nu sunt att de rspndite.

Celule solare tandem sunt straturi de celule solare suprapuse, deobicei o combinaie de straturi
policristaline i amorfe. Straturile sunt din materiale diferite i astfel acordate pe domenii diferite de lungimi
de und a luminii. Prin utilizarea unui spectru mai larg din lumina solar, aceste celule au un randament
mai mare dect celulele solare simple. Se utilizeaz parial la fabricarea de panouri solare dar sunt relativ
scumpe. O ieftinire apreciabil se va obine prin utilizarea n combinaie cu sisteme de lentile, aa numitele
sisteme de concentrare.
[modificare]Fabricaia avnd la baz blocuri sau bare de siliciu
Celulele solare obisnuite pot fi confecionate dup mai multe metode de fabricaie.
monocristal de siliciu utilizat la fabricarea plcilor de siliciu dup procedeul Czochralski

Materia prim siliciu este al doilea element chimic din compoziia scoarei terestre n privina cantitatii. Se
regsete n compui chimici cu alte elemente formnd silicate sau cuar. Siliciul brut numit i siliciu metalurgic
se obine din quar prin topire n furnal.Reducera siliciului se petrece cu ajutorul carbonului la o temperatura de
cca 1700 C, rezultnd la fiecare ton de siliciu metalurgic de puritate de cca 98-99 % n jur de 1,5 T de CO2.
Prin acest procedeu n 2002 s-au produs 4,1 T siliciu. Mare parte din acesta este utilizat de industrie la
fabricare a oelului i n industria chimic i numai o mic parte n microelectronic i la fabricarea de celule
fotovoltaice.
Din siliciul brut printr-un proces de fabricaie n trepte bazat pe triclorsilan se obine siliciul policristalin de cea
mai mare puritate.
Pn n prezent (2006) n producie se recurge la o tehnologie Siemens bazat pe un procedeu de tip CVD
condensare de vapori de siliciu, procedeu elaborat i optimizat pentru ramura de microelectronic. n
microelectronic cerinele de calitate sunt total diferite de cele din fabricarea de celule fotovoltaice. Pentru
fabricarea de celule solare este foarte important puritatea plcii de siliciu n toat masa ei pentru a asigura o
ct mai mare durat de via pentru purttorii de sarcin, pe cnd n microelectronic cerina de foarte nalt
puritate se rezum n principiu la stratul superior pn la o adncime de 20-30 m. Deoarece ntre timp
consumul de siliciu de nalt puritate pentru fabricarea de celule fotovoltaice a ntrecut pe cel pentru
microelectronic, actualmente se fac cercetri intense pentru elaborarea de procedee de fabricare speciale mai
ieftine optimizate pentru celule solare.

Cu toate c procesul de producie a siliciului pur este foarte energofag, energia consumat la fabricareaa
celulelor solare, n funcie de tehnologia utilizat, se poate recupera n 1,5 pn la 7 ani. Dac se ia n
considerare c durata de via a panourilor solare este de peste 20 ani bilanul energetic rezultat este pozitiv.

Siliciul pur n continuare poate fi prelucrat n mai multe feluri. Pentru celule policristaline amintim procedeele de
turnare Bridgman i EVG, pe cnd pentru cele monocristaline procedeul Czochralski. n fiecare din acestea n
procesul fabricare a blocurilor sau barelor se face simultan i impurificare cu Bor (vezi mai jos).

[modificare]Procedeul de turnare

Acesta se utilizeaz la fabricarea siliciului policristalin. Siliciul pur se topete ntr-un cuptor cu inducie dup
care se toarn ntr-un recipient de form ptrat n care se supune la un proces de rcire ct mai lent posibil n
cursul cruia vor apare cristale ct mai mari posibil. Recipientul are dimensiunile 50*50 cm, masa solidificat
avnd nlimea de 30 cm. Blocul astfel solidificat se taie n mai multe blocuri mai mici cu lungimea de 30 cm.
Un alt mod reprezint turnare continu, procedeu prin care materialul este turnat direct pe support la
dimensiunile cerute. Avantajul const n eliminare pierderilor rezultate din tiere.

Un alt mod reprezint turnarea continu, procedeu prin care materialul este turnat direct pe support la
dimensiunile cerute. Avantajul const n eliminare pierderilor rezultate din tiere.

[modificare]Procedeul Bridgman

Procedeul numit dup Percy Williams Bridgman este aplicat tot n procesul de fabricare a siliciului policristalin.
Siliciul pur se topete tot ntr-un cuptor cu inducie dar procesul de rcire n urma cruia n masa topit se
formeaz mari zone ocupate de cte un cristal are loc chiar n cuptor. Materialul se supune unei nclziri
progresive pornind de la baz astfel nct n momentul topirii stratului superior, la baz deja se produce
ntrirea materialului. Dimensiunile blocurilor obinute sunt mai mari (60*60 cm 70*70 cm) cu nlimea de 20-
25 cm, i se procedeaz la tierea lor n blocuri mai mici avnd lungimea de 20-25 cm.

[modificare]Procedeul Czochralski
Este utilizat la fabricarea de bare lungi monocristaline. nainte de tierea plcilor necesare celulelor, barele
cilindrice rezultate se ajustaeaz astfel nct s prezinte o seciune ptrat.

[modificare]Procedeul de topire zonal

Se mai numete i procedeu Float-Zone i se aplic tot la producerea monocristalelor de siliciu sub form de
bar. Puritatea materialului obinut fiind superioar celei necesitate n confecionarea celulelor solare, i
costurile fiind mari, prodedeul este rar utilizat. Singura firm ce utilizeaz acest procedeul este SunPower din
Statele Unite.

[modificare]Fabricare de waferi (discuri/plci subiri de siliciu)

Din barele de cristal vor fi secionate plcue(wafer) cu un fierstru special constnd dintr-o srm lung pe
care s-au aplicat particule de diamant i care este nfurat pe cilindri ce se rotesc. Un bloc este complet
secionat n plcue de cca 0,180,28 mm la o singur trecere. Praful rezultat n urma debitrii este inutilizabil
i reprezint pn la 50 % din material.

Pentru obinerea de plcue de siliciu la nceput se utiliza materia prim excedentar rezultat din fabricarea
de circuite integrate, care nu corespundea calitativ dar era potrivit pentru fabricarea celulelor solare. Datorit
cererii mult crescute a produciei de panouri solare, aceast surs are o importan nesemnificativ.

Celulele monocristaline prezint o suprafa omogen, pe cnd la celulele policristaline se pot deosebi zone
distincte cu cristale avnd orientri diferite, ceea ce creeaz o imagine asemntoare florilor de ghea.

n stadiul de plcu(wafer) faa i reversul plcuei nu se deosebesc.

[modificare]Prelucrarea plcilor de siliciu

Plcile debitate vor fi trecute prim mai multe bi de splare chimic pentru a nltura defectele de debitare i a
pregti o suprafa potrivit captrii luminii. Pentru aceasta s-au elaborat diferite procedee utilizate de
fabricani.

n mod normal n aceast faz plcile sunt deja impurificate cu bor. Aceasta nseamn c se gsete deja un
surplus de goluri care pot capta electroni deci avem o impurificare tip p. Pe parcursul procesului de fabricare
a celulei solare pentru crearea unei jonciuni p-n este necesar s impurificm suprafaa ei cu impuriti de tip
n ceea ce se poate realiza ntr-un cuptor ntr-o atmosfer de fosfor. Atomii de fosfor ptrund n suprafa i
vor crea o zon de cca 1 m cu un surplus de electroni.

Pasul urmtor va consta n adugarea unui electrod transparent din SiNx sau TiO2 .

Urmeaz imprimarea zonelor de conact i a structurii necesare pentru colectarea curentului generat. Faa
celulei este prevzut de cele mai multe ori cu dou benzi pe care ulterior se vor fixa legturile dintre mai multe
celule. n afar de aceasta se va aplica o gril conductoare foarte subire , care pe de o parte deranjeaz foarte
puin intrarea luminii, pe de alt parte micoreaz rezistena electric a electrodei. Reversul plcii de regul
este complet acoperit cu un material bun conductor de electricitate.

Dup procesare, celulele vor fi clasificate dup proprietile lor optice i electrice, mai apoi sortate i asamblate
n panouri solare.

[modificare]Fabricarea plcilor semiconductoare n mod direct

n dorina de a se evita detaarea plcilor din blocuri , se gsesc diferite alte modaliti ce permit fabricarea
celulelor solare.

[modificare]Procedeul EFG

EFG este prescurtarea de la Edge-defined Film-fed Growth. Prin acest procedeu dintr-o cad de grafit nclzit
electric se trag n sus tuburi octogonale de cca 6 pn la 7 m cu o vitez de cca 1 mm/s. Limea unei fee
este de 10-12.5 cm, iar grosimea peretelui atinge cca 280 m. Apoi tuburile vor fi tiate de-a lungul canturilor
cu un laser NdYAG, dup care fiecare faet pe baza unei grile de-a latul. Astfel se pot realiza celule cu diferite
dimensiuni (de exemplu 12.5*15 cm sau 12.5*12.5 cm). n acest fel se obine o ntrebuinare de 80 % a
materialului disponibil. Celulele astfel realizate sunt deobicei policristaline, care la vedere se deosebesc clar de
cele debitate, printre altele suprafaa lor este mai ondulat. Acest procedeu se mai numete i procedeu
octagonal sau de extrudare.

Procedeul EFG este utilizat de firma Schott Solar n Germania i afost dezvoltat de firma ASE Solar din Statele
Unite.

[modificare]Procedeul String-Ribbon

Mai exist un procedeu dezvoltat de firma Evergreen Solar din Statele Unite care const n tragerea cu ajutorul
a dou fire a unei pelicule din siliciul topit. n cursul acestui proces rezult mai puine deeuri (pan ce trebuie
nlturat) ca la procedeele uzuale.

[modificare]Procedeul cu transfer de strat

La acest procedeu direct pe un substrat (corp subire solid, deobicei cu o orientare cristalin predefinit) se
crete un monocristal de siliciu sub forma unui strat de cca 20 m grosime. Ca material purttor se pot utiliza
substraturi ceramice, sau siliciu supus unui tratatament superficial. Placa(wafer) format ca fi deprins de
stratul purttor care n continuare va putea fi reutilizat. Avantajele procedeului constau n consumul de siliciu
semnificativ redus datorit grosimii mici, i lipsa deeurilor din debitare (pas ce nu mai mai apre n acest
procedeu). Randamentul atins este mare i se situeaz n domeniul celulelor monocristaline.

[modificare]Celule din siliciu murdar

Procesul de topire i impurificare zonal se poate aplica i n cazul suprafeelor plate/straturi. Principiul const
n faptul c impurificarea, prin tratamentul termic (multipl retopire prin deplasare lateral de exemplu cu
ajutorul unui fascicol laser) al siliciului, poate fi concentrat n cteve locuri. [1].

[modificare]Alte tipuri de celule solare

[modificare]Celule solare cu strat subire

Celule solare cu strat subire din siliciu amorf pe sticl, 4 celule pe rnd

Vedere din spate (din partea stratului, lcuit maro)

Fiier:Solar panel.jpg
Tipuri de celule solare

Celulele solare cu strat subire se gsesc n diferite variante dup substrat i materialul condensat avnd o
varietate a proprietilor fizice i a randamentului pe msur. Celulele solare cu strat subire se deosebesc de
celulele tradiionale (celule solare cristaline bazate pe plci de siliciu) nainte de toate n tehnologia de
fabricaie i grosimea stratului materialului ntrebuinat. Proprietile fizice ale siliciului amorf, care se
deosebesc de cele ale siliciului cristalin determin proprietile celulelor solare. Anumite proprieti nu sunt
nc pe deplin clarificate din punct de vedere teoretic.

Chiar i la celulele solare cristaline lumina este absorbit deja ntr-un strat superficial (de o adncime de cca 10
m). Ar fi deci de preferat s se fabrice celulele solare cu un strat foarte subire. n comparaie cu celulele din
plci de siliciu cristalin celule cu strat subire sunt de 100 de ori mai subiri. Celulele cu strat subire se obin de
cele mai multe ori prin condensarea din faz gazoas direct pe un material purttor care poate fi sticl, folie
metalic, material sintetic, sau alt material. Procesul costisitor de debitare a blocurilor de siliciu descris n
capitolul anterior poate fi deci eliminat.
Cel mai ntrebuinat material pentru celulele cu strat foarte subire este siliciul amorf (a-Si:H). Modulele cu
celule de acest tip au o durat de via lung. Testele confirm un randament stabil pe o perioad de mai mult
de 10 ani.
Alte materiale ce se mai pot ntrebuina sunt siliciul microcristalin (c-Si:H), arseniura de galiu (GaAs), teluriura
de cadmiu (CdTe) sau legturi cupru-indiu-(galiu)-sulf-seleniu, aa numitele celule CIS, respective celule CIGS
unde n funcie de tip S poate nsemna sulf sau seleniu.
Modulele pe baz de celule cu strat subire CIS au atins deja un randament de 11-12 % vezi [2]) egal cu cel al
modulelor multicristaline cu siliciu.

Pentru producerea de curent electric este de dorit un randament mai mare, pe care parial l pot oferi i celulele
cu strat subire. Se pot atinge randamente n jur de 20 % (de exemplu 19,2 % cu cellule CIS vezi [3]).

Totui randamentul nu este singurul criteriu n alegere, de multe ori mai importante sunt costurile la care se
poate produce curent cu ajutorul panourilor solare, iar acestea sunt determinate de procedeul de fabricaie
utilizat i de preul materiei prime.

Una din proprietile avantajoase a celulelor cu strat subire const n fapul c nu necesit un substrat rigid ca
de exemplu sticl sau aluminiu. La celulele solare flexibile ce pot fi fixate pe rucsac sau cusute pe hain, se
accept un randament mai sczut deoarece factorul greutate este mai important dect transformarea optim a
luminii n energie electric.

O alt proprietate avantajoas a celulelor cu strat subire, mai ales al celor din siliciu amorf este c ele au un
mod de fabricaie mai simplu i pot avea o suprafa efectiv mai mare. Din acest motiv ele au un segment de
pia semnificativ.

Utilajele de fabricaie parial sunt identice cu cele utilizate n fabricarea de ecrane plate, i se pot obine straturi
cu o suprafa de peste 5 m. Cu procedeul de fabricaie bazat pe siliciu amorf se pot produce i straturi subiri
din siliciu cristalin, aa numitul siliciu microcristalin combinnd proprietile siliciului cristalin ca material pentru
celule solare cu avantajele metodelor utilizate n tehnica filmului subire. Prin combinarea siliciului amorf i a
celui microcristalin au fost obinute mriri substaniale de randament n ultimul timp.

Un procedeu de producere a celulelor cu strat subire din siliciu este CSG (Crystalline Silicon on Glass); prin
acesta se depune un strat subire de mai puin de 2 m direct pe o suprafa de sticl; dup un tratament
termic se obine structura cristalin. Circuitele pentru curentul electric se aplic cu ajutorul tehnicii laser i celei
utilizate n imprimantele cu jet de cerneal. Pe baza acestei tehnologii se construiete o fabric n Germania,
care ar trebui s produc primele module n 2006. (Sursa: CSG Solar)

[modificare]Celule cu concentrator
La acest tip de celul se economisete suprafa de material semiconductor prin faptul c lumina este
concentrat pe o suprafa mai mic prin utilizarea lentilelor, acestea fiind mult mai ieftine dect materialul
semiconductor. n mare parte la acest tip de celule se utilizeaz semiconductori pe baz de elemente din grupa
III-V de multe ori aplicate n tandem sau pe trei straturi. Din cauza utilizrii lentilelor, panourile cu acest tip de
celule trebuie orientate incontinuu perpendicular pe direcia razelor solare.

[modificare]Celule solare electrochimice pe baz de pigmeni

Acest tip ce cellule se mai numesc i celule Grtzel. Spre deosebire de celulele prezentate pn acum la celule
Grtzel curentul se obine prin absorbie de lumin cu ajutorul unui pigment, utilizndu-se oxidul de titan ca
semiconductor. Ca pigmeni se utilizeaz n principiu legturi complexe al metalului rar ruthenium, dar n scop
demonstrativ se pot utiliza i pigmeni organici, de exemplu clorofila, sau anthocian (din mure) (dar au o durat
de via foarte redus). Modul de funcionare al acestui tip de celule nu este nc pe deplin clarificat; este
foarte probabil utilizarea comercial, dar tehnologia de producie nu este pus la punct.

[modificare]Celule solare din compui organici

Celule solare din compui organici utilizeaz legturi carbon-hidrogen care au proprieti semiconductoare. n
aceti semiconductori lumina excit goluri/electroni din legturile de valen, care ns au un spectru de
lungime de und destul de restrns. De aceea deseori se utilizeaz dou materiale semiconductoare cu nivele
de energie puin diferite pentru a mpiedica dispariia acestor purttori. Randamentul pe o suprafa de 1cm
se cifreaz la maximal 5 % (situaia la nivel de ianuarie 2007).

[modificare]Celule bazate pe fluorescen

Este vorba de celule solare, care mai nti produc lumin de lungime de und mai mare prin fenomenul de
fluorescen, ca mai apoi s o transforme la marginile plcii.

[modificare]Istoric

Deja i n Grecia antic se tia c energia luminii se poate utiliza, astfel se pare c la asediul Siracuzei n anul
212 naintea erei noastre grecii au concentrat lumina solar cu oglinzi i au ndreptat-o ctre flota asediatoare a
romanilor, incendiind-o. Tot grecii au fost i cei care au utilizat energia luminoas n scop panic aprinznd cu
ea flacra olimpic. n 1839 Alexandre Edmond Becquerel a descoperit c o baterie expus la soare produce
mai mult curent electric dect una neexpus. Pentru acest experiment a msurat diferena de potenial dintre
doi electrozi de platin situai unul pe faa luminat i cellalt pe faa umbrit a recipientului i scufundai ntr-o
baie de soluie chimic acid . Cnd a expus aceast construcie la soare a observat trecerea unui curent
printre electrozi. Aa a descoperit efectul fotoelectric pe care ns nu l putea explica nc. Mrirea
conductivitii seleniului a fost demonstrat n 1873. Zece ani mai trziu a fost confecionat prima celul
fotoelectric clasic. Dup nc zece ani n 1893 a fost confecionat prima celul solar care producea
electricitate. n 1904 fizicianul german Philipp Lenard a descoperit c lumina incident pe anumite suprafee
metalice elibereaz electroni din suprafaa acestuia i astfel a oferit prima explicaie referitoare la efectul
fotoelectric. Totui el nu tia nc de ce i la care metale se produce acest efect. Cu toate acesta pentru
aceast descoperire el a obinut premiul Nobel pentru fizic n anul 1905. Rezolvarea problemei a venit de
la Albert Einstein n 1905 cnd cu ajutorul teoriei cuantice a explicat dualitate luminii ea fiind prezent n acelai
timp i ca particul i ca und. Pn atunci se credea c lumina este doar energie cu diferite lungimi de und.
Einstein n experimentele sale a constatat c lumina n unele situaii se comport ca o particul, i c energia
fiecrei particule sau foton depinde doar de lungimea de und. El a descris lumina ca o serie de gloane ce
ating suprafaa materialului. Dac aceste gloane au suficient energie, un electron liber din metalul atins de
foton se va elibera din structura acestuia. Totodat a constatat c energia cinetic maxim a electronului este
independent de intensitatea luminii i depinde doar de energia fotonului care l-a eliberat. Aceast energie
depinde totodat numai de lungimea de und respectiv frecvena luminii. Pentru lucrrile sale privind
fenomenul fotovoltaic, a obinut premiul Nobel pentru fizic n anul 1921. Descoperirea n anul 1949 a jonciunii
p-n de ctre William B. Shockley, Walther H. Brattain i John Bardeen a fost nc un pas mare n direcia
celulelor. Dup aceast descoperire fabricrii celulei solare n forma cunoscut astzi nu i mai sta nimic n
cale. Fabricarea primei celule solare n 1954 n laboratoarele firmei americane Bell se datoreaz totui unei
ntmplri fericite. Angajaii firmei sub conducerea lui Morton Price au observat cnd cercetau un redresor cu
siliciu, c acesta producea mai mult curent cnd era expus la soare. Ca urmare firma Bell prin contribuia
domnilor Chapin, Fuller i Pearson a dezvoltat n 1953 primele celule solare din siliciu impurificate cu arsen dar
care aveau un randament de doar 4 % care a fost mrit la 6 % prin schimbarea impurificrii. n 1958 au fost
testate celule solare pentru prima dat pe sateliul Vanguard I dotat cu un panou solar avnd 108 celule solare
pe baz de siliciu. Rezultetele obinute au fost peste ateptri pn n ziua de azi sondele spaiale pn
dincolo de marte sunt alimentate cu curent produs de celulele solare, iar n anul 2011 se va lansa sonda
spaial Juno care va fi prima sond spaial spre Jupiter alimentat cu curent produs de celule solare. S-au
atins n spaiu randamente de pn la 10,5 %. Aceste rezultate nu se puteau realiza pe pmnt i datorit
condiiilor diferite din spaiu unde nu se regsete ritmul zi-noapte i lumina natural nu este absorbit parial
de atmosfer i nori, totodat radiaiile cosmice conduc la o mbtrnire mai rapid a celulelor solare dect pe
pmnt. De aceea industria i cercetarea ncearc obinerea unor randamente tot mai mari n paralel cu
prelungirea duratei de via. Randamentul teoretic pentru celule solare pe baz de siliciu se consider a fi de
29 % pentru condiiile de iradiaie pe spectrul din zona de mijloc. Mandelkorn i Lamneck au mrit durata de
via a celulelor solare n 1972 printr-o reflectare a purttorilor de sarcin minoritari dup ce au introdus un
strat numit black surfaces field (BSF) n stratul impurificat p. n 1973 Lindmayer i Ellison au confecionat aa
numita celul mov ce avea un randament de 14 %. Prin reducerea reflexiei n 1975 s-a mrit randamentul la
16 %. Aceste celule s-au numit celule CNR (Comsat Non Reflection; Comsat = Telefonsatelit ) i au fost
concepute pentru satelii Criza de la nceputul anilor 70 a condus la creterea preurilor produselor petroliere
avnd ca rezultat cretere preului energiei. Acest lucru a impulsionat cercetrile n domeniul celulelor solare.
n 1980 s-a nceput organizarea de concursuri de automobile acionate cu energie electric obinut de la
module solare. n 1981 un avion acionat de energie solar a traversat Canalul Mnecii. ntre timp Green
precum i specialitii de laUniversitatea Stanford i cei de la Telefunken au dezvoltat cellule solare cu un
randament n jur de 20 %.
[modificare]Forme i mrimi

La nceputul comercializrii panourilor solare, celulele aveau o form rotund, pstrnd forma barelor de siliciu
din care au fost debitate. Aceast form azi este rar utilizat locul ei fiind preluat de formele dreptunghiulare de
cele mai multe ori ptrate avnd colurile mai mult sau mai puin teite. Pn la sfritul anilor 1990 celulele
solare aveau cel mai des mrimea de fabricaie de 100*100 mm (n jargonul de specialitate numite celule de 4
oli). Dup aceea au fost introduse pe scar tot mai larg celulele cu latura de 125 mm, i de prin anul 2002 i
celulele cu latura de 150 mm se utilizeaz tot mai des n modulele standard i se prevede c nici celulele de
200*200 nu vor fi o raritate n viitor.

n procesul debitare rezult i plci de dimensiuni mai mici, care pot genera aceeai tensiune doar cu un curent
mai mic datorit suprafeei mai mici, i care i gsesc aplicaia n aparatele cu consum mic.

Prin procedeul EFG rezult i patrulatere cu laturi de lungimi diferite.

[modificare]mbtrnirea

Prin mbtrnire nelegem modificarea parametrilor de funcionare a elementelor semiconductoare a celulelor

solare n timp. n cazul de fa n special scderea randamentului pe parcursul vieii acestora.

Perioada luat n considerare este de cca 20 ani, n condiii de utilizare terestr, randamentul scade cu cca
10 %, pe cnd n spaiu acest procent se atinge ntr-un timp mult mai scurt datorit cmpurilor de radiaii mult
mai puternice.

Pierdere de randament n utilizare se datoreaz n multe cazuri unor cause banale independente de celulele
solare. Aici enumerm murdrirea suprafeelor sticlei de protecie a modulelor, mucegirea pornind de la rama
modulului, umbrirea modulelor de ctre vegetaia din jur crescut ntre timp, inglbirea polimerilor care
constituie materialul de contact ntre celul i sticl.

[modificare]Celule solare cristaline

La celulele solare actuale randamentul este de cca 12 - 17 %. Adesea fabricantul acord o garanie la
randament de 80 - 85 % (la puterea de vrf) dup 20 ani.Rezult deci dup un timp de utilizare ndelungat
pierderi destul de limitate, ceea ce ndreptete utilizarea sistemelor cu panouri solare.

Pentru mbtrnirea propriu-zis a celulelor solare rspunztor sunt defecte provenite din recombinare, ceea
ce reduce durata de via a purttorilor de sarcin cu cca 10 % fa de valoarea iniial. n celulele fabricate
dup procedeul Czochralski mbtrnire este produs de crearea de compui compleci cu bor-oxigen.

[modificare]Celule solare amorfe

Aceste celulea ating un grad avansat de mbtrnire de pn la 25 % n primul an de funcionare de aceea
pentru acest tip de panouri solare n caracteristicile tehnice din documentele de nsoire nu se d puterea
atins la fabricaie ci puterea de dup procesul de mbtrnire. Ca urmare acest tip de panouri au caracteristici
mai bune la cumprare dect cele din documente. mbtrnirea se produce sub aciunea luminii i este
rezultatul aa numitului effect Staebler-Wronski(SWE). n cadrul acestuia siliciul hidrogenat amorf (a-Si:H)
metastabil trece printr-o faz de cretere concentraiei defectelor cu un ordin de mrime, paralel cu scderea
conductivitii i deplasarea nivelului Fermi ctre mijlocul distanei dintre banda de valen i banda de
conducie. Dup cca 1000 ore de expunere la soare, celulele de siliciu amorf ating un grad de saturare stabil.

[modificare]Caracteristici tehnice
Parametrii tehnici ai celulelor solare sunt dai pentru condiii standard (STC, Standard Test Conditions).:

Intensitate luminoas de 1000 W/m2 n zona panoului,

Temperatura celulei solare constant 25 C,

Spectrul luminii AM 1,5 global; DIN EN 61215, IEC 1215, DIN EN 60904, IEC 904.

AM 1,5 global indic slbirea luminii solare la suprafaa pmntului n funcie de latitudine datorit parcurgerii
unei mase mai mari de aer proporional cu latitudinea (n acest caz se consider latitudinea de 50). Aceasta
corespunde condiiilor de var din Europa central din nordul Italiei pn n centrul Suediei. n iarn condiiile
corespund unor valori de AM 4 pn la AM 6. Prin absorbie atmosferic i spectrul luminii ce cade pe panou
se deplaseaz. Global indic faptul c lumina este compus att din lumina difuz ct i din cea direct.

Este de remarcat c n realitate ndeosebi vara la prnz, temperatura celulelor solare (n funcie de poziie,
condiii de vnt etc.) poate atinge 30 pn la 60 C ceea ce are ca urmare o scdere a randamentului. Din
acest motiv se ia n calcul un alt parametru, PNOCT care indic puterea la temperatura de funcionare normal
(normal operating cell temperature).

Fiier:Standard iv de.jpg
Caracteristica current-tensiune a unei cellule solare, luminat i neluminat

Prescurtri utilizate:

SC: Short Circuit - scurtcircuit

OC: Open Circuit - mers n gol

MPP: Maximum Power Point - punctul de putere maxim

PR: Performance Ratio Qualittsfaktor Factor de performan, indic poriunea n care panoul furnizeaz
curentul la valori nominale.

Caracteristicile unei celule solare sunt:

Tensiunea de mers n gol (auch )

 Curentul de scurtcircuit

Tensiunea n punctul optim de funcionare (auch )

Curentul n punctual de putere mazim

Puterea maxim estimat

Factor de umplere

Coeficient de modificare a puterii cu temperatura celulei

Randamentul celulei solare la o suprafa iluminat A i intensitate luminoas

Celulele solare deci pot ceda o putere de 160 W/ m. Incluse n module puterea pe suprafa va fi mai sczut
pentru c ntre celule i marginea modulului este o distan.

Randamentul este raportul dintre puterea debitat de panou i putere coninut n lumina incident total.
Semiconductoare cu zona interzis stabil utilizeaz doar o parte a luminii solare. Randamentul teoretic maxim
ce poate fi atins n acest caz este de 33 %, pe cnd randamentul theoretic maxim la sistemele cu mai multe
benzi interzise care reacioneaz la toate lungimile de und a luminii solare este de 85 %.

Material Randament(AM1,5) Durat de via Costuri[4]

Siliciu amorf 5-10 % < 20 J ani

Siliciu policristalin 10-15 % 25-30 ani 5 EUR/W

Siliciu monocristalin 15-20 % 25-30 ani 10 EUR/W

Arseniura de galiu (monostrat) 15-20 %

Arseniura de galiu (doua straturi) 20 %

Arseniura de galiu (trei straturi) 25 % (30% la AM0) >20 ani 20-100 EUR/W

Randamentul celulelor solare comerciale este de cca 20 %, iar modulele construite cu acestea ating un
randament de cca 17 %. Recordul pentru celulele fabricate n condiii de laborator este de 24,7 % (University of
New South Wales, Australia), din care s-au confecionat panouri cu un randament de 22 %. Preul acestor
module fabricate prin procedeul de topire zonal este de cca 200 Euro pe celul la o suprafa a celulei de
21,6 cm2, corespunznd unui cost de 5-10 Euro/W. Sistemele GaAs au costuri de 5 pn la 10 ori mai mari.

mbtrnirea conduce la scderea randamentului cu cca 10 % n 25 ani. Fabricanii dau garanii pe cel puin
80 % din puterea maxim n 20 ani.

n spaiu constanta solar este mai mare dect iluminarea global pe pmnt, totodat celulele solare
mbtrnesc mai repede. Panourile pentru satelii ating momentan (2005) un randament de 25 % la o durat de
via de 15 ani[5].

[modificare]Scheme de conectare

Schem de conectare i schem echivalent a unei cellule solare

Semnul convenional pentru o celul solar indic asemntor unei diode sau fotodiode prin interediul unei
sgei sensul curentului pentru conectare. Caracteristica unei cellule solare se deosebete totui de cea a unei
fotodiode ideale. Pentru a modela aceste diferene, exist mai multe scheme echivalente.

[modificare]Schem echivalent simplificat

Schema este compus dintr-o surs de curent legat n paralel cu o diod ideal. Aceast surs produce un
curent dependent de intensitatea luminii i este modelat de fotocurentul . La valoare curentului total

contribuie i curentul prin diod (sieheDiode) zu .

[modificare]Schem echivalent extins (Model cu una sau dou diode)

Model de celulul solar cu o diod

Schema extins ine cont de parametrii reali ai elementelor componente care apar n procesul de fabricaie.
Prin aceasta se ncearc modelarea ct mai exact din punct de vedere electric a celulei solare.
Fa de schema echivalent simplificat la cea extins cu o diod, schema se ntregete cu o rezisten legat
n parallel i una legat n serie.

Rezistana n paralel Rp ia n considerare defectele de cristal, impurificri neomogene i defecte de

material prin care apar cureni de pierdere care traverseaz jonciunea p-n. La celule solare bine
construite aceast rezisten este relativ mare.

Cu rezistena n serie Rs se iau n considerare efectele n urma crora crete rezistena total a
elementelor componente. Acestea sunt n principal rezistena semiconductorului, rezistena contactelor i
a legturilor. La celulele solare aceast rezisten trebuie s fie ct se poate de mic.

Formula pentru curentul total n acest model este o funcie recursiv i arat

astfel:

Model cu dou diode cu surs cu limitare de tensiune la efectul de avalan la tensiune invers.

Fa de cea anterioar aceastei scheme i se mai adaug o diod cu ali parametri pentru a evidenia
funcionarea n regim de tensiune invers. Formulele pentru aceast schem conin referiri la
conductivitatea gb, tensiunea de strpungere Ub i coeficientul exponenial de avalan i arat

astfel: nb:

[modificare]Amortizarea energetic i eficiena energetic

Amortizarea energetic este momentul n care energia consumat pentru fabricarea celulei fotovoltaice este
egalat de cea produs n timpul exploatrii. Cel mai bine se prezint din acest punct de vedere celulele cu
strat subire. Un panou solar (fr cadru) cu astfel de celule se amortizeaz n 2-3 ani, Celulele policristaline
necesit pn la amortizare cca 3-5 ani, pe cnd cele monocristaline 4-6 ani. Deoarece un sistem cu panouri
solare include i suporii de montare, invertor etc. durata de amortizare energetic se mrete cu cca 1 an.[6]

[modificare]Protecia mediului
n fabricarea de celule solare se utilizeaz parial i materiale duntoare sntii i mediului. Exemplu n
acest sens prezint celulele cu strat subire CdTe i arseniura de galiu i mult discutatele celule solare de tip
CIS i CISG. Producia n mas i utilizarea pe suprafee extinse a acestora trebuie bine cntrit. Dar i
producia de celule cu siliciu tradiionale ascunde pericole pentru mediu. Pentru persoane neavizate aceste
riscuri ce sunt legate de procesul de fabricaie nu sunt vizibile. Aici intervine cerina de a promova selectiv
tehnologiile de fabricare a celulelor solare ce nu distrug mediul i care pe baza progreselor tehnologice promit
avantaje concureniale.

[modificare]Fabricani de celule solare (Extras)

[modificare]Germania

Antec Solar Energy|ANTEC SOLAR ENERGY AG , Arnstadt (Thringen)

Deutsche Cell GmbH ( SolarWorld AG -Tochter), Freiberg (Sachsen)

ErSol|ErSol Solar Energy AG , Erfurt (Thringen)

EverQ GmbH , Thalheim (Sachsen-Anhalt)

First Solar GmbH, Frankfurt (Oder), (Brandenburg)

CSG Solar , Thalheim (Sachsen-Anhalt)

Q-Cells|Q-Cells AG , Thalheim (Sachsen-Anhalt)

Schott Solar GmbH, Alzenau (Bayern)

Shell Deutschland GmbH, Gelsenkirchen (Nordrhein-Westfalen)

SULFURCELL Solartechnik GmbH, Berlin

Sunways AG, Konstanz (Baden-Wrttemberg)

Solarworld AG, Bonn

Solarion AG, Leipzig

Solarwatt AG, Dresden

Wrth Solar , Schwbisch Hall

[modificare]n afara Germaniei

Advent Solar , Albuquerque (USA)

First Solar Inc., Perrysburg (USA)

GE Energy - Solar Power (USA) (frher Astropower)

 Isofoton (Spanien)

Kyocera , Kyoto (Japan)

Microsol Power Pvt. Ltd. (Indien)

Mitsubishi|Mitsubishi Electric , Tokio (Japan)

Photowatt (Frankreich)

Sanyo , Osaka (Japan)

Sharp , Osaka (Japan) - Anteil am Weltmarkt fr Solarzellen ca. 30%

Solibro AB, Uppsala (Schweden)

SunPower , USA

Suntech Power Holdings Co. Ltd., Wuxi (China)

United Solar Ovonic , Auburn Hills (USA)

Yingli Solar , Bejing (China)

Swiss Wafers AG , Weinfelden (Switzerland)

[modificare]Alte firme n industria tehnologiei solare

Applied Materials , Santa Clara (USA) Hersteller von Produktionsanlagen fr Solarzellen

LPKF Laser & Electronics AG , Garbsen (Germany) Hersteller von Laseranlagen fr die Strukturierung von
Dnnschicht-Solarzellen

Roth & Rau AG , Hohenstein-Ernstthal (Germany) Hersteller von Produktionsanlagen fr Solarzellen und
Turnkey Facility Solutions

SOLARC , Berlin (Germany) Herstellung und Entwicklung von hochwertigen Photovoltaikprodukten im

unteren und mittleren Leistungsbereich www.solarc.de