D1. TITULO 13.

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Buenos das, en primer lugar agradezco al tribunal su asistencia y espero que sea de su agrado la
defensa que me dispongo a realizar sobre el trabajo que he llevado a cabo que tal y como ha indicado
la presidenta se basa en un sistema de amplificacin de transconductancia cuya finalidad es excitar
una bobina emisora magntica.

D2. NDICE

Me gustara comenzar la defensa realizando una breve descripcin de los diferentes apartados que
sern tratados durante esta exposicin.

En primer lugar, se realizar una breve introduccin donde se contextualizar y se realizar

una primera toma de contacto con el proyecto realizado.
Como segundo punto a tratar, se mencionarn las especificaciones y objeticos a satisfacer, una
vez implementado el sistema de amplificacin.
Seguiremos con un bloque un poco ms denso, donde se explicar de forma fundamental
tanto los pasos como los procedimientos llevados a cabo desde la concepcin de la idea hasta
el diseo.
A continuacin, se har un repaso de cmo se ha llevado a cabo el montaje, la calibracin y los
distintos ensayos realizados.
Para finalmente, comentar los resultados obtenidos as como las conclusiones derivadas de los
mismos y las fuentes bibliogrficas empleadas para el desarrollo el TFG.
Al final de presentacin, se pondr en marcha el ensayo para que puedan comprobar que el
sistema opera en el rango de operacin calculado y previamente simulado.

D3. PORTADA INTRODUCCIN

D4. DESARROLLO INTRODUCCIN

En el ao 2012, la UAL por medio del departamento de Tecnologa Electrnica, puso en funcionamiento
el Observatorio de ondas ELF en la Sierra de los Filabres, abrindose nuevas lneas de investigacin
donde podramos situar el origen de este proyecto cuyo principal objetivo entre los descritos en el
TFG, es el de transmitir una seal de la banda de radiofrecuencias ELF mediante un sistema de
amplificacin de alta potencia.
Por qu seales ELF? Este tipo de seales, se caracterizan porque pueden penetrar a ms profundidad
que otras seales de mayor frecuencia y han sido empleadas para comunicaciones de corto alcance
entre estaciones terrestres, as como en comunicaciones subterrneas y submarinas. Sus
inconvenientes, baja tasa de transmisin de datos y la necesidad de emplear una antena de
dimensiones estratosfricas.
Por qu alta potencia? Con la idea de evitar antenas gigantescas, se emplean antenas magnticas,
constituidas esencialmente por una bobina. Debido a las caractersticas propias de los solenoides en
relacin a su baja eficiencia como transmisores de seales, para crear un campo lo suficientemente
intenso y que pueda propagarse, es necesario un sistema de amplificacin que permita entregar una
elevada potencia, y es aqu donde surge la idea de un sistema amplificador de transconductancia.
D5. PORTADA. METODOLOGA

Dadas estas premisas, la metodologa llevada a cabo para alcanzar el objetivo principal descrito, se
estableci en funcin de los siguientes procedimientos ordenados en funcin de la planificacin
programada y que pueden ver a continuacin:

D6. METODOLOGA

En primer lugar, se realiz un anlisis y estudio bibliogrfico que permiti la toma de decisiones
sobre:

o La configuracin del sistema de amplificacin empleado,

o Que tipo de sistema de realimentacin se empleara,
o As como la bsqueda del driver principal del sistema,
o Y la topologa de la etapa de salida a emplear.

En segundo lugar, se obtuvieron los clculos pertinentes sobre los distintos tipos de circuitos
integrantes de sistema global para finalmente disear el sistema, el cual, fue simulado
previamente antes de su implementacin y en puesta en marcha.

De forma paralela, se desarroll un plan B basado en un amplificador de tensin.

Todo esto para, finalmente, poder realizar la puesta en marcha y emplear dicho sistema como
fuente de excitacin sobre un solenoide en baja frecuencia e intentar captar la seal emitida.

D7. PORTADA. DISEO DEL SISTEMA DE AMPLIFICACIN

Comencemos con la toma de decisiones llevada a cabo mediante el estudio y el anlisis bibliogrfico
que sirvieron como piedra angular del proyecto.

D8. CONFIGURACIN DE AMPLIFICADOR NO INVERSOR

La estructura principal del sistema se basa en una configuracin no inversora basada en la

realimentacin negativa, es decir, aplicamos la seal a amplificar en la entrada no inversora y
realizamos el control del sistema por realimentacin en la entrada inversora tal y como se muestra en
el esquema de este amplificador de tensin.
Como principal caracterstica destacamos que obtenemos una seal de salida en fase con la seal de
entrada y amplificada gracias a una ganancia mayor a la unidad que es dependiente de la relacin de
las cargas empleadas en la red de realimentacin e independiente de la carga.

D9. AMPLIFICADOR DE TRANSCONDUCTANCIA

Pero, dado que necesitamos controlar una elevada intensidad de corriente a travs de la carga
propuesta, en este caso un solenoide, se dise el sistema para trabajar como amplificador de
transconductancia, es decir como una fuente de corriente controlada por tensin.

Cmo conseguimos esto? Manteniendo la misma relacin entre las cargas empleadas en la red de
realimentacin, si situamos la carga en dicha red como se indica el esquema, tendremos un
amplificador de transconductancia al tomar la muestra de seal en serie con la salida (es decir, no de
forma directa) y se realimentando la muestra en serie con la seal de entrada.
En este caso, controlaremos la intensidad que circula por la carga variando el valor resistivo de la
resistencia que la acompaa en la red de realimentacin, la cual, deber de estar muy bien calculada
en trminos de disipacin de potencia.

D10. LME49830

El corazn del sistema es el driver LME49830. Este circuito integrado se caracteriza por ser una etapa
de entrada de audio de alta fidelidad altamente demandado por consumidores y por innumerables
aplicaciones de audio.

Puede ser alimentado entre 20 V y 100 V, pudiendo suministrar una corriente de trabajo tpica de
hasta 56 mA y un amplio rango de valores de tensin a la salida como consecuencia.
Gracias a que permite obtener una tensin de bias de hasta 16 V, dicho driver puede ser empleado
para controlar una etapa de salida basada en una gran cantidad de diferentes MOSFETs de potencia
caracterizados por su bajo consumo.
Adems, el LME49830 incluye internamente un sistema de proteccin trmico que produce el apagado
del dispositivo cuando se supera la temperatura crtica de trabajo, en este caso, 150 C, y un sistema
de silenciado o MUTE que se configura para que nicamente el dispositivo este activo en un rango de
alimentacin prefijado
Por ltimo, dicho circuito integrado presenta la posibilidad de establecer el parmetro de Slew rate a
medida.
Basaremos el diseo del circuito siguiendo las directrices d la application note 1850.

D11. ETAPA DE SALIDA PUSH-PULL

El circuito integrado LME49830 puede ser implementado mediante diferentes topologas de etapas de
salida de potencia en funcin de las especificaciones del proyecto.

La implementacin de esta etapa de potencia se establece a la salida del circuito integrado LME49830
y se determinar mediante tres lneas Push-Pull en paralelo y constituidas por MOSFETs de potencia
complementarios que emplearn una configuracin de drenador comn, es decir, presentarn una
ganancia en tensin unitaria aplicando una ganancia en corriente de aproximadamente valor 4,5 que
actuar sobre la tensin diferencial aplicada en la entrada.
La polarizacin de dicha etapa se llevar a cabo mediante un circuito multiplicador VBE que
proporcionar la tensin de bias correspondiente para eliminar en todo lo posible la distorsin de
cruce y establecer el comportamiento del sistema como un amplificador clase AB.

D12. CLASE AB: CIRCUITO MULTIPLICADOR VBE

Para ello, empleando los pines 11 y 12 llamados (BIASP y BIASM), conectamos el circuito multiplicador
que proporcionar una tensin de bias de hasta 16 V regulable mediante un potencimetro ya
calculado previamente.
Dicho circuito permite adems realizar una compensacin trmica que permite minimizar los efectos
derivados de la inestabilidad trmica propia de sistemas de alta potencia. Debe de ser montado cerca
de uno de los transistores de potencia que forman parte de la etapa de salida y sobre el mismo
disipador de dicha etapa. De esta forma, dicho circuito actuar como sensor de la temperatura en la
etapa de salida empleando el gradiente a travs del disipador comn empleado.
Nota: Vbias dada produce aumento corriente de bias y temperatura de salida (y en el disipador). Esto
provoca que la tensin VBE baje y provoca la reducion del Vbias. Sistema de regulacin
Esta realimentacin negativa produce como resultado un voltaje de bias que cambia con el objetivo
de mantener una corriente de bias estable en la etapa de salida.
D13.CIRCUITO MUTE y CIRCUITOS E/S

Circuito MUTE:
El driver LME49830 tiene una funcin denominada MUTE que ser configurada para que nicamente
el dispositivo este activo para un rango de tensin de alimentacin establecido, en este caso, ser
entre 20 V y 80 V en el que el pin nmero 2 denominado MUTE, reciba una intensidad de corriente
superior a 130 A. Fuera de este rango, el driver anula su funcionamiento.
El diseo de este circuito se bas en el clculo de R5 que produce la cada de tensin respecto a la
alimentacin aplicada y de esta forma polariza inversamente al diodo Zener 1N5231 estableciendose
una tensin de 5,1 V aproximadamente. Dicha resistencia se calcul para asegurar que la corriente
inversa se mantuviese entre el valor mximo y minimo de funcionamiento.
El siguiente paso, fue la de calcular el valor hmico de la resistencia R6 para alcanzar en el rango de
operacin establecido, una intensidad de corriente en el pin MUTE superior a 130 uA.

Circuito de Entrada:
Justamente debajo, encontramos el circuito implementado en la entrada no inversora del amplificador
que servir para introducir la seal de entrada comprendida entre 0 y 2 V. Gracias a un terminal capaz
de soportar hasta 15 A y que ha sido empleado en todo el circuito, comunicaremos dicha seal al driver
hacindola pasar por un filtro paso banda que tendr como objetivo eliminar la componente continua
y el posible ruido introducido al sistema desde el exterior.
Para ello se ha empleado un filtro pasivo constituido por resistencias y condensadores.

Circuito de Salida:
Finalmente, cabe destacar el circuito empleado en la salida del sistema de amplificacin y que tiene
como misin actuar como carga de alta frecuencia. Basado en la red de Zobel, dicha implementacin
se emplear para reducir los efectos inductivos de la carga

D14.CIRCUITOS DE PROTECCION

Seguidamente, se prest especial atencin a los aspectos relacionados con la proteccin del sistema.
Vuelvo a recordar que cada uno de los terminales empleados, permiten el uso de cables de hasta 2,5
mm2 y soportan hasta 16 A/250V, siendo la intensidad mxima de diseo de 10 A.
En cada lnea de alimentacin se ha empleado una pareja de condensadores, uno electroltico
y otro cermico, que permitirn proteger el sistema amplificador en las lneas de alimentacin
de posibles agentes externos como interacciones magnticas o fluctuaciones de la seal de
alimentacin.

El uso de diodos de potencia 1N4007 en la salida del sistema, se realiza como mtodo
preventivo que permite determinar la proteccin de la etapa de potencia frente a picos de
 tensin derivados del exterior, en este caso, de descargas de energa instantneas y de
considerable valor por parte de las cargas reactivas que emplearemos.

Para aportar un sistema de proteccin contra sobrecarga de corriente elctrica debido a un

consumo excesivo se ha empleado un sistema basados en fusibles de tubo de vidrio Bussman
de corriente nominal 15 A.

D15.MODOS DE OPERACIN

Una vez definidos los circuitos integrantes del sistema, todo el diseo se plante en base a un plan A
y un plan B, el cual por suerte no fue empleado. De esta forma, el diseo se realiz para poder
establecer el modo de operacin como:
Amplificador de transconductancia: conectando la carga de prueba o bobina en la
realimentacin y controlando la ganancia con una resistencia de bajo valor y preparada para
disipar elevada potencia (meter foto) que asegurasen una ganancia superior a 26 dB.

Y como amplificador de tensin: en este caso conectaramos la bobina en la salida del sistema
y la red de realimentacin se basara en elementos resistivos y que asegurasen tambin una
ganancia superior a 26 dB. El condensador empleado forma un filtro paso alto encargado de
eliminar componente continua.

D16.SISTEMA DE DISIPACIN Y AISLAMIENTO

Un apartado importante en el diseo del amplificador fue la determinacin de los disipadores de calor.
Para ello, se emple un disipador de calor para el driver LME49830 y otro para la etapa de salida y el
multiplicador VBE.
Una vez calculadas la resistencia trmica mxima de cada uno de ellos, se realiz una bsqueda para
valores menores de dicho parmetro seleccionndose dichos modelos:
Se realiz una estimacin de la temperatura a la que llegara el encapsulado y disipador
correspondiente empleando los valores mximos de operacin de diseo, en este caso, entrada a 2 V
y alimentacin a 80 V.
Adems, para cada transistor y para el driver, se emple un kit de aislamiento constituido por un
tornillo, una arandela aislante, un aislante elctrico de mica y pasta trmica.

D17. PORTADA. IMPLEMENTACIN

D18. IMPLEMENTACIN

Una vez que el sistema fue calculado, se pas a la fase final de diseo que dara paso a la
implementacin del sistema.
Para ello, se realizaron simulaciones tanto en el modo de transconductancia como en el modo de
tensin. Para ello se emple el software de simulacin TINA, descargado de la web de Texas
Instruments y que albergaba los modelos de todos los componentes empleados.
Una vez validadas las simulaciones para el rango de operacin deseado, se comenz el diseo de la
placa mediante una versin de prueba de 30 das de Altium Designer. Dicho diseo se realiz a dos
capas y tuvo en cuenta el ancho de pista dado a la elevada intensidad de corriente que maneja.
Finalmente, una vez fabricada la PCB, se soldaron todos los componentes relativos al modo de
transconductancia y se ensambl con sus correspondientes disipadores. En el caso del disipador de la
etapa de salida, tuvo que ser mecanizando para poder atornillar la placa y transistores en l.

D19. PORTADA. RESULTADOS

D20. RESULTADOS: CALIBRACIN

Englobando en este apartado de resultados tanto los clculos y simulaciones realizadas para el diseo
as como el montaje del sistema de amplificacin, se complet con el ensayo del mismo. Para ello se
emple:
4 Fuentes de alimentacin: 2 para cada canal dispuestas en serie y con sus correspondientes
canales en paralelo. De esta forma, se pudo alimentar a 60 V con un consumo limitado de 3
A. Dicha configuracin se estableci con cable de 2,5 mm2.

Se emplearon 2 osciloscopios: uno para generar la seal de entrada y otro para medir la seal
sobre la carga mediante una sonda diferencial.

Se realiz todo el ensayo con una carga de prueba basada en dos resistencias de 8 ohms en
paralelo capaces de disipar hasta 200W.
En primer lugar se realiz la calibracin, es decir, el ajuste de la VBIAS. Para ello la entrada no inversora
se anul y, aplicando la tensin de operacin prefijada y esperando un tiempo a que se homogeneizara
el consumo y la temperatura en los disipadores, se procedi a realizar el ajuste de la tensin de vas
con el potencimetro del circuito multiplicador alcanzando un consumo mnimo y equilibrado en los
canales de aproximadamente 15 mA.

D21. RESULTADOS 2

Una vez calibrado el sistema, se aplic la seal de entrada de forma gradual hasta alcanzar una cada
de tensin sobre la carga de aproximadamente 70 Vpp, que traducido en intensidad de corriente
efectiva es aproximadamente 6 A. Toda esta operacin se realiz volviendo a comprobar el aislamiento
del sistema y con mucho cuidado.
Obteniendo los valores de potencia entregada por la fuente de tensin y de potencia entregada en la
carga, se ha obtenido un rendimiento del 46%.

D22. PORTADA. CONCLUSIONES

D23. CONCLUSIONES
D24. PORTADA. BIBLIOGRAFA

D25. BIBLIOGRAFA

A continuacin se muestra las referencias bibliogrficas que han sido principalmente empleadas a
lo largo del desarrollo del TFG. Y ya solo queda volverles a agradecer su atencin y quedo a su
disposicin para intentar resolver cualquier duda que tenga con el trabajo realizado.

D26. MUCHAS GRACIAS