EFECTO HALL

LABORATORIO DE DISPOSITOVOS ELECTRONICOS

INTEGRANTES
SAAVEDRA GARCIA, ANTHONY
CAHUANA QUIROZ, MIGUEL
SEGOVIA CASTAEDA, JUNIOR
CASTILLO RAMIRES, KEIBY

Dispositivos Electrnicos
Msc. CARNERO ARROYO, MANUEL
 EFECTO HALL
1. OBJETIVOS

Estudiar el mecanismo denominado Efecto Hall aplicado a semiconductores. Este efecto permite caracterizar el tipo de
portador dominante, la concentracin de portadores mayoritarios, la movilidad y tambin constituye la base de dispositivos
con variada aplicacin en el campo de la electrnica actual.

Medir el coeficiente Hall

2. RESUMEN

En la presente prctica presentamos el siguiente proyecto experimental utilizando un sensor de efecto Hall. Describimos los
detalles constructivos del dispositivo experimental, su prueba. Nuestra principal tarea es analizar la relacin entre el voltaje
Hall VH (Tensin Hall) y el campo magntico B , as como estimar la constante de Hall .

3. FUNDAMENTO TERICO

1- Principios del efecto Hall en semiconductores

El sensor de efecto Hall es un dispositivo cuyo funcionamiento se basa en el efecto Hall para la
deteccin o medicin de campos magnticos o corrientes y para la determinacin de la posicin en
motores elctricos y otros dispositivos.
Si fluye corriente por un sensor Hall y se aproxima a un campo magntico que fluye en direccin
vertical al sensor, entonces el sensor crea un voltaje saliente proporcional al producto de la fuerza del
campo magntico y de la corriente. Si se conoce el valor de la corriente, entonces se puede calcular
la fuerza del campo magntico; si se crea el campo magntico por medio de corriente que circula por
una bobina o un conductor, entonces se puede medir el valor de la corriente en el conductor o bobina.

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1.1- Determinacin de la tensin de Hall

Tomando como referencia la Figura 1, la expresin de la densidad de corriente J para una concentracin de portadores n
ser:
J Jy q n v y

En estado de equilibrio la fuerza elctrica sobre los portadores se equilibrar con la fuerza de Lorentz:
Despejando vy de la primera y reemplazando en la anterior, resulta:
q EH q vy Bz
Jy
vy
qn
Como en el material hay dos campos elctricos presentes, uno debido a la corriente Ix dado por:

Jy Jy
Ey
qn
y otro debido al efecto Hall:
Jy Bz
EH
qn
el campo resultante formar con la direccin de la corriente un ngulo , llamado : ngulo de Hall, cuyo valor est dado
por:
= arc tg( Bz)

Jy Bz
EH
qn
Queremos encontrar una expresin que permita calcular de la tensin de Hall (VH):

Iy
Jy
dw
Jy Bz d 1 Iy 1 Iy Bz
VH EH d Bz d
qn qn dw qn w
VH
EH
d

Iy Bz
VH RH
w

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La magnitud RH se denomina constante o coeficiente de Hall.
1
En el caso de un material de tipo N: RH = -
nq

1
En el caso de un material de tipo P: RH= +
pq

Conociendo el coeficiente de Hall se puede calcular la concentracin de portadores de carga y determinar su signo. Del
mismo modo, conociendo para una muestra el coeficiente de Hall y la conductividad se puede calcular la movilidad de los
portadores de carga debida al efecto Hall: = RH .

Hasta ahora no se ha tenido en cuenta la distribucin estadstica de los portadores de carga segn las velocidades.
Considerando el mecanismo de dispersin, la expresin de la constante de Hall se modifica:
1
RH= - rH.
nq
Por ejemplo al dispersarse los portadores de carga por oscilaciones acsticas de la red cristalina el factor r H = (3/8). En
cambio, en el caso de dispersin por impurezas inicas se tiene rH= 1.93.

Se puede extender el caso del efecto Hall a una muestra de semiconductor donde coexisten electrones y huecos. En ese
caso, el coeficiente de Hall se modificar as:

RH= (1/q) ( p p2 - n n2)

(p p + n n)2

Para un semiconductor intrnseco n = p = ni y el coeficiente se modifica as:

RH= (1/q) ( p - n)
ni (p + n)

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4. MATERIALES E INSTRUMENTOS

MATERIALES INSTRUMENTOS

5. PROCEDIMIENTO Y DATOS EXPERIMENTALES

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Antes de proceder a las mediciones debemos atender los siguientes puntos:
1. Equilibrar el amplificador diferencial
2. Ajustar el divisor de tensin utilizando R1 y los instrumentos de medida de precisin de manera que
V1= Va/1000
3. Ajustar R1 para la intensidad de corriente deseada
4. Sin campo magntico y con Va=0 , ajustar R1 hasta que V1=0
5. En tal caso V1 = Va/1000

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6. PROCESAMIENTO Y DATOS EXPERIMENTALES

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7. RESULTADOS

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 8. CONCLUSIONES

El voltaje Hall es directamente proporcional a la corriente de control.

Actualmente el efecto Hall tiene gran diversidad de aplicaciones dispositivos llamados
Elementos Hall
9. BIBLIOGRAFIA
Introduccin a la Fsica de los Semiconductores, R. B. Adler, A. C. Smith, R. L. Longini- editorial
Reverte S.A

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