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C3-Detectores 1

3. DETECTORES PTICOS

3.1 Detectores: clasificacin y principios de operacin


3.1.1 Efectos trmicos y fotoelctricos.
Existen dos tipos de foto-detectores que son de uso comn:
Detectores trmicos: convierten la energa de los fotones (luminosa) en calor.
No son muy eficientes y son relativamente lentos por el tiempo requerido para
cambiar su temperatura (por estas caractersticas no son adecuados para muchas
aplicaciones).
Detectores foto-elctricos: algunos materiales absorben fotones y se obtienen
transiciones electrnicas hacia niveles energticos altos generndose
portadores de carga. Bajo el efecto de un campo elctrico, estos portadores se
desplazan y producen una corriente elctrica que puede medirse.
Los detectores foto-elctricos pueden funcionar basndose en distintos foto-efectos que
pueden clasificarse como efectos internos o externos. En estos ltimos, si un fotn con
la energa suficiente ilumina la superficie del material, los electrones pueden
sobrepasar la barrera potencial de la superficie y ser liberados en el vaco como
electrones libres (emisin de un foto-electrn). Este efecto se presenta en metales
como el Cesio (Cs), aunque los detectores basados en metales puros funcionan
nicamente para las regiones visible y UV del espectro electromagntico. Los materiales
semiconductores pueden tambin presentar este efecto y se han podido adaptar para
funcionar en las regiones visible, UV y NIR (e.g., NaKCsSb). Ejemplos de este tipo de
detectores son los foto-tubos, basados en tubos de vaco, en los que los electrones son
emitidos de la superficie de un material foto-emisor (ctodo) y viajan a un electrodo
que se mantiene a un potencial elctrico ms alto (nodo). Una variante de estos es el
tubo foto-multiplicador, en el que se amplifica la corriente generada por factores hasta
de 107.
Cascada de
Ctodo electrones
Ctodo Fotn nodo Electrn nodo

Electrn Fotn
RL RL
-V R
-V
Foto-tubo Foto-multiplicador

El foto-efecto interno ms importante es la foto-conductividad, que se


manifiesta como un incremento en la conductividad elctrica del material cuando
este interacta con fotones. Este efecto se presenta en casi todos los materiales
semiconductores con los que se fabrican detectores tales como:

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Foto-diodos: juntura p-n en la que los fotones absorbidos en la regin de vaciamiento


generan electrones y huecos que al estar expuestos a un campo elctrico fluyen en
direcciones opuestas produciendo una corriente elctrica.
Foto-diodos de avalancha (APD): incorporan mecanismos de amplificacin
internos con los que la seal puede ser detectada en forma de corriente ms
fcilmente; el proceso de amplificacin se logra al aumentar el campo elctrico
aplicado en la regin de vaciamiento de tal manera que los electrones y huecos
generados adquieran suficiente energa para liberar ms electrones y huecos
dentro de dicha regin. Los detectores con ganancia utilizan entonces tres procesos
bsicos: (a) generacin de portadores libres al absorber fotones, (b) transporte de
portadores inducido por el campo elctrico aplicado (corriente elctrica) y (c)
amplificacin generada al liberarse ms portadores de carga.

3.1.2 Parmetros caractersticos: eficiencia, sensibilidad espectral, tiempo de respuesta.


Los siguientes parmetros son utilizados para caracterizacin de foto-detectores de
materiales semiconductores:
Eficiencia cuntica:
1 R 1 Exp d

(1-R): efecto de reflexin en la superficie del dispositivo (coeficiente de


reflectividad R). Puede reducirse utilizando recubrimientos anti-reflejantes.

es la fraccin de pares electrn-hueco que contribuyen a la corriente elctrica


generada por los fotones. Esta fraccin es la que no se recombina en la superficie, y
puede aumentarse durante el proceso de fabricacin del dispositivo.

El ltimo factor representa la fraccin de fotones que son absorbidos por el


material. El dispositivo debe tener una profundidad (d) lo suficientemente grande
para maximizar este factor en el cual es el coeficiente de absorcin del material.
La eficiencia cuntica depende de la longitud de onda principalmente por la
dependencia del coeficiente de absorcin con este parmetro.

Sensibilidad (responsividad):
e
0
A/W
h 1.24

Relaciona la corriente elctrica que fluye en el dispositivo con la potencia ptica


incidente (P), i.e.:
eP
i e P
h
p

La responsividad aumenta con la longitud de onda porque los detectores foto-


elctricos responden al flujo de fotones en lugar de a la potencia ptica. Esto implica
que al aumentar la longitud de onda, la potencia ptica est distribuida entre

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ms fotones con lo que se producen ms electrones en el dispositivo. Esta


dependencia est delimitada por la eficiencia cuntica que es dependiente de la
longitud de onda. La responsividad puede degradarse si se aplica demasiada potencia
ptica al dispositivo (saturacin del detector), lo que limita el rango lineal
dinmico del detector.

Tiempo de respuesta:
Est limitado por el tiempo requerido para distribuir las cargas generadas por los
fotones en la superficie del detector (tiempo transitorio de distribucin), y por la
resistencia y la capacitancia del dispositivo adems de los circuitos electrnicos
utilizados.

3.2 Fotodetectores
3.2.1 Fotodiodos: p-n, pin, y Schottky.
Un fotodiodo es una juntura p-n cuya corriente de inversa aumenta al absorber
fotones. Los fotones pueden ser absorbidos en cualquier parte del dispositivo y por lo
tanto un par electrn-hueco puede generarse en cualquiera de estas partes. Sin embargo,
el transporte de portadores de carga ocurre nicamente en la presencia de un
campo elctrico, por lo que la regin de vaciamiento es la regin en la que es ms
deseable que se generen los foto-portadores.

El tiempo de respuesta est limitado por el tiempo transitorio de distribucin, la


resistencia y capacitancia del dispositivo, y tambin por procesos de difusin que se
presentan cuando los portadores se generan en la vecindad de la regin de vaciamiento.

El fotodiodo tiene una relacin corriente-voltaje dada por:

i i Exp
eV
s 1 i p
k B T

que corresponde a la relacin tpica i-V para una juntura p-n, con una corriente extra (ip)
que es proporcional al flujo de fotones (foto-corriente).

i Existen tres modos de operacin para


un fotodiodo:
(a) Circuito abierto (operacin
foto-voltaica): incremento en
is el voltaje del dispositivo
proporcional al flujo de
fotones (e.g., celdas solares).
=0 Vp V (b) Corto circuito: se genera una
ip
>0 corriente de corto circuito que
equivale a la foto-corriente
(c) Polarizacin en inversa
(operacin foto-conductiva): es el modo de operacin ms comn porque

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reduce el tiempo tiempo transitorio de distribucin y la capacitancia de la


juntura, adems de incrementar la regin de vaciamiento con lo que se
obtiene un rea foto-sensitiva ms grande.

Foto diodo en corto circuito

Polarizacin en inversa

Fotodiodo p-i-n
Estn formados por una juntura p-n con una
capa de material intrnseco separando los p i n
materiales p y n. Puede operarse en las
mismas configuraciones que los fotodiodos E
p-n y ofrecen las siguientes ventajas
Regin de vaciamiento ms ancha, lo
que incrementa el rea disponible Ec
para capturar luz.
Ev
Capacitancia de juntura ms baja,
lo que se logra por el incremento en la x
regin de vaciamiento, reduciendo la
constante RC del circuito.

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Con estos dispositivos es posible obtener tiempos de respuesta de decenas de ps


(BW50 GHz).

Fotodiodos con hetero-estructuras


Al igual que con los emisores, pueden combinarse dos materiales con bandas prohibidas
diferentes. Esto permite ajustar con variaciones en la composicin las longitudes de onda
de operacin de los detectores. Los materiales de ms inters son:
AlxGa1-xAs/GaAs: 0.7-0.87 m.

In0.53Ga0.47As/InP: 1.65 m, eficiencia y responsividad tpicas de 0.75 y 0.7 A/W.


Cambiando la composicin pueden ajustarse para funcionar en el rango de
comunicaciones con fibra ptica (1.3 a 1.6 m).

HgxCd1-xTe/CdTe: 3-17 m, sintonizable por composicin.

Materiales cuaternarios como In1-xGaxAs1-yPy/InP son tiles porque ofrecen un


grado de libertad ms para ajustar la respuesta del detector.

3.1.1 Fotodiodos Schottky


Llamados tambin fotodiodos de metal-
semiconductor. Una de las capas de material
semiconductor de la juntura (el p o el n) se
remplaza por una pelcula delgada
Metal semitransparente de metal (e.g., Au en Si tipo n
para operar en el rango visible y PtSi en Si tipo p
para operar del cercano UV al IR). Algunas veces
se utiliza una aleacin de metal con un material
Semiconductor semiconductor. Este tipo de estructura tiene
eficiencias altas y tiempos de respuesta rpidos
(BW100 GHz) debido a que se reducen tanto la recombinacin de portadores (por
la delgadez de la pelcula metlica) como la constante RC del circuito.

3.2.2 Arreglos de detectores

Permiten detectar de
UV-VIS-IR
manera simultnea
Escudo contra luz
intensidades pticas PtSi
en diversos puntos en
SiO2
el espacio. Se pueden
fabricar arreglos con Compuerta de
millones de detectores p n n + p n p transferencia
de diversos materiales
Si tipo p
semiconductores; cada
uno de estos se conocen Canal de
como pixeles (figura). Anillo de guarda Canal CCD detencion
Los fotones que

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irradian el electrodo de PtSi generan portadores con la energa suficiente para pasar
al Si. La carga acumulada en el electrodo se transfiere a la estructura de lectura
CCD y despus al canal CCD en el momento en el que se activa la compuerta de
transferencia. La corriente generada en el canal es proporcional al flujo de fotones
irradiando el electrodo. Las eficiencias de estos dispositivos estn entre los 35% y
60% en la regiones UV y visible. Otros arreglos: arreglos lineales con diodos.

3.2.3 Fotodiodos de avalancha


Operan por medio de la conversin de cada fotn detectado en una cascada de pares
de portadores mviles (amplificacin de corriente). El par electrn-hueco generado
por un fotn acelera bajo los efectos del campo elctrico; si el electrn o el hueco
alcanzan una energa mayor que la correspondiente a la banda prohibida, se
generar otro electrn (hueco) que contribuir a la foto-corriente. Dado que el
proceso depende de la aceleracin de los portadores de carga, estos dispositivos
funcionan como fotodiodos polarizados fuertemente en inversa.
Parmetros caractersticos:
1 k
Ganancia: G Exp k w
1 e
donde k es la razn o cociente de ionizacin (coeficiente de probabilidad de
impacto de ionizacin de huecos entre el de electrones), w es el ancho de la capa
de multiplicacin y e el coeficiente de ionizacin de electrones. Para k=1 G se
calcula a partir de la ecuacin diferencial con lo que se obtiene G=1/(1-ew).

Sensibilidad y foto-corriente:

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G eP G 0
ip
h 1.24

Tiempo de respuesta: Adems de las limitantes comunes en los fotodiodos


(tiempo de distribucin, difusin y constante RC) se presenta otro tiempo
caracterstico llamado tiempo de construccin de avalancha. Este tiempo es
bajo para dispositivos de silicio, por lo que los tiempos de respuesta son
similares a los de los fotodiodos p-i-n.

2.4.4. Ruido en circuitos receptores.


La corriente real generada en un fotodiodo es de carcter aleatorio y su valor flucta entre
el valor promedio definido por la foto-corriente:

i i p P
Dichas fluctuaciones se consideran como ruido y se caracterizan utilizando la desviacin
estndar
i 2
Para un valor medio de corriente igual a cero, la desviacin estndar es igual al valor
medio cuadrtico (rms) de la corriente, i.e.:
1
i 2

Las fuentes de ruido inherentes al proceso de deteccin de fotones son:

Ruido de fotones: asociado con el arribo aleatorio de los fotones al detector


(generalmente descrito por una distribucin de Poisson).
Ruido foto-electrnico: para un foto-detector con <1, un fotn tiene una
probabilidad de generar un par foto-electrn-hueco, y una probabilidad 1- de
fallar en la conversin. Dado que esto es de carcter aleatorio, contribuye como
fuente de ruido.
Ruido de ganancia: cada fotn detectado genera un nmero aleatorio G de
portadores, i.e., el proceso de amplificacin es de carcter aleatorio.
Ruido del circuito receptor: contribucin de los componentes del circuito utilizado
en el receptor ptico.
Los parmetros para caracterizar el desempeo de un receptor ptico son:

Razn de seal a ruido (SNR): definida en trminos de la corriente como


SNR i 2 .
i2
Seal mnima detectable: valor medio de la seal ( i ) requerido para obtener
SNR=1.
Sensibilidad del receptor: seal requerida para obtener una SNR determinada
(SNR0). Generalmente SNR0 se elige mayor que 1 para asegurar un valor
aceptable de exactitud, e.g. SNR0=10 a 103 (10 a 30 dB).

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Ruido de fotones
Descrito por la distribucin de Poisson:
n
n
p(n) Exp(n ) n 0,1,2,.....
,
n!

donde el valor medio de nmero de fotones est dado por:

n
h h

en la cual P es la potencia ptica y T es el intervalo de tiempo en el cual se realiza la


deteccin. Utilizando estas expresiones se pueden obtener la varianza y la SNR para este
tipo de distribucin, i.e.:
2
n n SNR

Este resultado implica que para un valor medio de nmero de fotones igual a 100, la
varianza es igual a 10, i.e., la deteccin de 100 fotones est acompaada por una
incertidumbre de 10 fotones. Por otro lado, se observa que la SNR aumenta sin lmite a
medida que el valor medio de nmero de fotones aumenta.

Ruido foto-electrnico
El nmero de foto-electrones m detectados en un intervalo de tiempo T es un nmero
aleatorio con valor medio:

mn

Dado que el nmero de fotones se describe con una distribucin de Poisson, la varianza y
la SNR estn dados por:

m2 SNR m

Con esto se puede determinar el valor medio y la varianza de la foto-corriente, i.e.:

i e i2 2ei B

en donde B es el ancho de banda del circuito. La SNR puede expresarse en trminos de


estos parmetros como:


SNR m
2B

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Ruido de ganancia
Cuando la ganancia es de carcter aleatorio, el valor medio y la varianza de la foto-
corriente se obtienen considerando un valor medio de ganancia, i.e.:

i eG i2 2eGi BF

En la varianza se considera tambin un factor de exceso de ruido (F), relacionado con los
factores de ionizacin:

1
F kG (1 k ) 2
G

Con esto, la SNR se obtiene mediante la expresin:



m
SNR /F
F 2B

Ruido en el circuito receptor


Las diferentes fuentes de ruido que afectan la SNR pueden analizarse por medio del
circuito equivalente del modelo sencillo del receptor. En este se consideran la
resistencia Rs y la capacitancia Cd (juntura y empaquetado) del fotodiodo, una
resistencia de polarizacin o carga RL, mientras que de la etapa de amplificacin se
consideran la capacitancia Ca y la resistencia Ra de entrada. Para propsitos prcticos
Rs es muy pequea en comparacin de RL y por lo tanto puede despreciarse en el
anlisis.

VB

Rs

RL Vo
AMP Cd RL Ra Ca AMP Vo

Foto-corriente generada por una seal modulada con potencia ptica P(t):
e
i (t) P(t) I i(t)
p
h p

donde Ip es el promedio de la foto-corriente. Valor medio cuadrtico de la corriente de


la seal:

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i s2 s2 i (t)
2
(para fotodiodos pin)

i s2 s2 i 2 (t) G 2 (para APDs)

Para una seal sinusoidal con ndice de modulacin m:


2
() 2 m2 2
i t p
p
I
2

El ndice de modulacin se calcula como:

I
m
I
B
I B I B (LEDs), I B I B I Th (diodos laser)

donde IB es la corriente de polarizacin alrededor de la cual se incrementa la


corriente de inyeccin por un valor I.
El ruido de fotones y el foto-electrnico se agrupan en un solo factor
denominado ruido cuntico o shot noise. La corriente asociada con estas fuentes de
ruido est dada por:

iQ2 Q2 2eI P BG 2 (corriente de shot noise)


F

en la cual B es el ancho de banda del circuito y F es el factor de exceso de ruido para


APDs, que para propsitos prcticos puede calcularse aproximadamente por la
relacin:

FG x
(0 x 1.0)

donde x depende del material. En fotodiodos pin la corriente de ruido cuntico se


obtiene considerando los parmetros G y F iguales a 1.
Otro parmetro que se considera es la corriente de oscuridad (dark current), que
es la corriente que fluye en el circuito de polarizacin cuando no hay luz incidiendo en el
fotodiodo. La corriente de oscuridad generada en el grueso del material (bulk dark
current) representa los portadores generados por efectos trmicos en la juntura, y su
valor medio cuadrtico est dado por:

2
i DB DB
2
2eI D BG 2 F (bulk dark current)

donde ID es la corriente de oscuridad del grueso del material (caracterstica del


dispositivo).

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Existe tambin corriente de oscuridad generada en la superficie. Esta se


conoce como corriente de fuga y depende tambin de las caractersticas del
dispositivo (defectos, limpieza, etc.). Puede calcularse como:

2 2
i DS DS 2eI L B (corriente de fuga)

en donde IL es la corriente de fuga caracterstica del dispositivo. Dado que el proceso
de avalancha es un efecto del grueso del material, ste no contribuye a la corriente de
fuga.
El ruido trmico o ruido Jonson se genera por el movimiento aleatorio de
portadores de carga mviles en materiales elctricos resistivos. La contribucin de
esta fuente se obtiene considerando que la impedancia de entrada del amplificador es
mucho mayor que la resistencia de polarizacin RL. Con esto la corriente de ruido
trmico a una temperatura T est dada por:

iT T
2 2
(corriente de ruido trmico)
RL

Finalmente, la SNR a la entrada del amplificador ideal del circuito receptor se


calcula considerando todas las contribuciones anteriores, i.e.:

i 2 (t) G 2
SNR

2e I p I D G 2 FB 2eI L B 4kBTB / RL

En general, para fotodiodos pin las corrientes de ruido dominantes son la trmica y
las de los elementos activos del amplificador. Para APDs las corrientes de ruido
cuntico y de fuga son las de mayor relevancia.

Ejemplo:
Los siguientes parmetros son para un fotodiodo pin de InGaAs funcionando a una
longitud de onda de 1300 nm:
ID=4nA, =0.9, RL=1 k, corriente de fuga despreciable.
Si la potencia ptica incidente es de 300 nW y el ancho de banda del circuito receptor es
de 20 MHz, determinar las contribuciones de las fuentes de ruido.
Solucin:
e
I P e P 0.282 A
0
P
h hc

Corriente de ruido cuntico:


2 2
iQ Q 2eIP B 1.80x10 18 2
A
1
iQ2 2
1.34nA

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Corriente de oscuridad del grueso del material:


2
i DB DB
2
2eI D 2.56x10 20 A 2
1
2
i DB 2
0.16nA

Corriente de ruido trmico:


4k B T
iT T
2 2
B 323x1018 A 2
RL
1
iT2 2
18nA
Para este receptor se obtiene que la corriente de ruido trmico es aproximadamente 14
veces mayor que la corriente de ruido cuntico y casi 100 veces mayor que la
contribucin por corriente de oscuridad.
Finalmente, el ancho de banda del circuito (B) puede calcularse en trminos de
la resistencia total del circuito RT (resistencia de carga e impedancia de entrada del
amplificador) y la capacitancia total CT (fotodiodo y amplificador):

1
B
2
3.2 Comparacin de foto-detectores.

Parmetros genricos de operacin para fotodiodos pin:


Parmetro Unidades Si Ge InGaAs
Smbolo
Longitud de nm 400-1100 800-1650 1100-1700
onda (rango)
Sensibilidad R A/W 0.4-0.6 0.4-0.5 0.75-0.95
Corriente de ID nA 1-10 50-500 0.5-2.0
oscuridad
Tiempo de r ns 0.5-1 0.1-0.5 0.05-0.5
subida
Ancho de banda GHz 0.3-0.7 0.5-3 1-2
B
Voltaje de VB V 5 5-10 5
polarizacin

Parmetros genricos de operacin para APDs:


Parmetro Unidades Si Ge InGaAs
Smbolo
Longitud de nm 400-1100 800-1650 1100-1700
onda (rango)
Ganancia de G - 20-400 50-200 10-40
avalancha
Corriente de ID nA 0.1-1 50-500 10-50
oscuridad

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Tiempo de r ns 0.1-2 0.5-0.8 0.1-0.5


subida
Ganancia x GHz 100-400 2-10 20-250
Ancho de banda GB
Voltaje de VB V 150-400 20-40 20-30
polarizacin

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