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3. DETECTORES PTICOS
Electrn Fotn
RL RL
-V R
-V
Foto-tubo Foto-multiplicador
Sensibilidad (responsividad):
e
0
A/W
h 1.24
Tiempo de respuesta:
Est limitado por el tiempo requerido para distribuir las cargas generadas por los
fotones en la superficie del detector (tiempo transitorio de distribucin), y por la
resistencia y la capacitancia del dispositivo adems de los circuitos electrnicos
utilizados.
3.2 Fotodetectores
3.2.1 Fotodiodos: p-n, pin, y Schottky.
Un fotodiodo es una juntura p-n cuya corriente de inversa aumenta al absorber
fotones. Los fotones pueden ser absorbidos en cualquier parte del dispositivo y por lo
tanto un par electrn-hueco puede generarse en cualquiera de estas partes. Sin embargo,
el transporte de portadores de carga ocurre nicamente en la presencia de un
campo elctrico, por lo que la regin de vaciamiento es la regin en la que es ms
deseable que se generen los foto-portadores.
i i Exp
eV
s 1 i p
k B T
que corresponde a la relacin tpica i-V para una juntura p-n, con una corriente extra (ip)
que es proporcional al flujo de fotones (foto-corriente).
Polarizacin en inversa
Fotodiodo p-i-n
Estn formados por una juntura p-n con una
capa de material intrnseco separando los p i n
materiales p y n. Puede operarse en las
mismas configuraciones que los fotodiodos E
p-n y ofrecen las siguientes ventajas
Regin de vaciamiento ms ancha, lo
que incrementa el rea disponible Ec
para capturar luz.
Ev
Capacitancia de juntura ms baja,
lo que se logra por el incremento en la x
regin de vaciamiento, reduciendo la
constante RC del circuito.
Permiten detectar de
UV-VIS-IR
manera simultnea
Escudo contra luz
intensidades pticas PtSi
en diversos puntos en
SiO2
el espacio. Se pueden
fabricar arreglos con Compuerta de
millones de detectores p n n + p n p transferencia
de diversos materiales
Si tipo p
semiconductores; cada
uno de estos se conocen Canal de
como pixeles (figura). Anillo de guarda Canal CCD detencion
Los fotones que
irradian el electrodo de PtSi generan portadores con la energa suficiente para pasar
al Si. La carga acumulada en el electrodo se transfiere a la estructura de lectura
CCD y despus al canal CCD en el momento en el que se activa la compuerta de
transferencia. La corriente generada en el canal es proporcional al flujo de fotones
irradiando el electrodo. Las eficiencias de estos dispositivos estn entre los 35% y
60% en la regiones UV y visible. Otros arreglos: arreglos lineales con diodos.
Sensibilidad y foto-corriente:
G eP G 0
ip
h 1.24
i i p P
Dichas fluctuaciones se consideran como ruido y se caracterizan utilizando la desviacin
estndar
i 2
Para un valor medio de corriente igual a cero, la desviacin estndar es igual al valor
medio cuadrtico (rms) de la corriente, i.e.:
1
i 2
Ruido de fotones
Descrito por la distribucin de Poisson:
n
n
p(n) Exp(n ) n 0,1,2,.....
,
n!
n
h h
Este resultado implica que para un valor medio de nmero de fotones igual a 100, la
varianza es igual a 10, i.e., la deteccin de 100 fotones est acompaada por una
incertidumbre de 10 fotones. Por otro lado, se observa que la SNR aumenta sin lmite a
medida que el valor medio de nmero de fotones aumenta.
Ruido foto-electrnico
El nmero de foto-electrones m detectados en un intervalo de tiempo T es un nmero
aleatorio con valor medio:
mn
Dado que el nmero de fotones se describe con una distribucin de Poisson, la varianza y
la SNR estn dados por:
m2 SNR m
i e i2 2ei B
SNR m
2B
Ruido de ganancia
Cuando la ganancia es de carcter aleatorio, el valor medio y la varianza de la foto-
corriente se obtienen considerando un valor medio de ganancia, i.e.:
i eG i2 2eGi BF
En la varianza se considera tambin un factor de exceso de ruido (F), relacionado con los
factores de ionizacin:
1
F kG (1 k ) 2
G
VB
Rs
RL Vo
AMP Cd RL Ra Ca AMP Vo
Foto-corriente generada por una seal modulada con potencia ptica P(t):
e
i (t) P(t) I i(t)
p
h p
i s2 s2 i (t)
2
(para fotodiodos pin)
I
m
I
B
I B I B (LEDs), I B I B I Th (diodos laser)
FG x
(0 x 1.0)
2
i DB DB
2
2eI D BG 2 F (bulk dark current)
2 2
i DS DS 2eI L B (corriente de fuga)
en donde IL es la corriente de fuga caracterstica del dispositivo. Dado que el proceso
de avalancha es un efecto del grueso del material, ste no contribuye a la corriente de
fuga.
El ruido trmico o ruido Jonson se genera por el movimiento aleatorio de
portadores de carga mviles en materiales elctricos resistivos. La contribucin de
esta fuente se obtiene considerando que la impedancia de entrada del amplificador es
mucho mayor que la resistencia de polarizacin RL. Con esto la corriente de ruido
trmico a una temperatura T est dada por:
iT T
2 2
(corriente de ruido trmico)
RL
i 2 (t) G 2
SNR
2e I p I D G 2 FB 2eI L B 4kBTB / RL
En general, para fotodiodos pin las corrientes de ruido dominantes son la trmica y
las de los elementos activos del amplificador. Para APDs las corrientes de ruido
cuntico y de fuga son las de mayor relevancia.
Ejemplo:
Los siguientes parmetros son para un fotodiodo pin de InGaAs funcionando a una
longitud de onda de 1300 nm:
ID=4nA, =0.9, RL=1 k, corriente de fuga despreciable.
Si la potencia ptica incidente es de 300 nW y el ancho de banda del circuito receptor es
de 20 MHz, determinar las contribuciones de las fuentes de ruido.
Solucin:
e
I P e P 0.282 A
0
P
h hc
1
B
2
3.2 Comparacin de foto-detectores.