CONCEPTOS DE COMPONENTES ELECTRONICOS

1.-CONSEPTOS.-
1.1.-VALOR EFICAZ .-

Es una medida ideada para poder utilizar las frmulas originales de corriente continua con
la alterna. Funciona perfectamente con ondas senoidales, pero induce a incorrectas
interpretaciones cuando la distorsin es muy grande, y la forma de onda de la corriente es
muy estrecha y su valor pico muy alto. En estos casos, la fuente de alimentacin debe ser
mucho mayor a la necesaria para alimentar estos picos, siendo que con una fuente de menor
tamao se podra generar el mismo valor eficaz de corriente, es decir, generar el mismo
valor por ciclo.

1.2.-VALOR MEDIO .-

En matemticas, el valor cuadrtico medio, media cuadrtica o rms (del ingls root mean
square) es una medida estadstica de la magnitud de una cantidad variable. Puede calcularse
para una serie de valores discretos o para una funcin variable continua. El nombre deriva
del hecho de que es la raz cuadrada de la media aritmtica de los cuadrados de los valores.

El rms para una coleccin de N valores {x1, x2, ... , xN} viene dado por la frmula (1):

Para una funcin variable continua f(t) definida sobre el intervalo T1 t T2 el rms viene
dado por la expresin:

1.3.- POTENCIAL ELCTRICO.-

se define como el trabajo realizado para trasladar un objeto de un punto a otro. En

particular, para el caso elctrico, definimos el potencial elctrico del punto A al punto B,
como el trabajo realizado para trasladar una carga positiva unitaria q de un punto a otro,
desde B hasta A.

las unidades para el potencial elctrico son de (Joules/Coulombs o Volts). Ntese adems
que el trabajo que hemos sustituido en la ecuacin proviene de la construccin de trabajo
elctrico.
Si consideramos que hemos construido la nocin de potencial elctrico en base a la
construccin de un campo conservativo, esto del hecho de suponer una fuerza que tienda a
contrarrestar la fuerza del campo para mantener la partcula cargada en equilibrio esttico.

2.-TRANSISTOR BJT.-

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de

encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin
tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y
potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El
parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con
la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el
valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalacin de un radiador o
aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes
en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos
orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de
la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un
NPN o un PNP.

2.1.-ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de
corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo
suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector
dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la
corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son
capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una
indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a
la que circular por el BJT una vez en el circuito.

SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia,

circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.

CORTE: El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales,

etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic).

ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son
opuestos a los del transistor NPN.

Para encontrar el circuito PNP complementario:

1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.

2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

3.-TRANSISTOR FET (JFET)

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de

encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin
tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y
potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro
de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la
temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor
de la temperatura, siendo a veces necesario la instalacin de un radiador o aleta
refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las
hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET)

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable
dependiente del valor de VGS.Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta
el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una
fuente de corriente gobernada por VGS

ZONA DE CORTE:La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus
papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que

significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.
Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada alta y

Uso general, equipo de medida, receptores
(buffer) de salida baja

Sintonizadores de FM, equipo para

Amplificador de RF Bajo ruido
comunicaciones

Baja distorsin de Receptores de FM y TV, equipos para

Mezclador
intermodulacin comunicaciones

Facilidad para controlar

Amplificador con CAG Receptores, generadores de seales
ganancia

Instrumentos de medicin, equipos de

Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada
prueba

Amplificadores de cc, sistemas de control de

Troceador Ausencia de deriva
direccin

Resistor variable por Amplificadores operacionales, rganos

Se controla por voltaje
voltaje electrnicos, controlas de tono

Amplificador de baja Capacidad pequea de Audfonos para sordera, transductores

frecuencia acoplamiento inductivos

Mnima variacin de Generadores de frecuencia patrn,

Oscilador
frecuencia receptores

Integracin en gran escala, computadores,

Circuito MOS digital Pequeo tamao
memorias

4.-Transistor IGBT
Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y
emisor (E)

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated

Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que
generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de
electrnica de potencia.

Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturacin del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del
MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en
los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y
convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos
particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor,
electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en
Ingls UPS), etc.

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al

BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como
fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes
mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden
manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000
voltios.

Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de

manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse
en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden
ser igualmente altas. En aplicaciones de electronica de potencia es intermedio entre los
tiristores y los mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y
lo inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalentede un IGBT

Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de

control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia
aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

5.-OPTOACOPLADORES.-

5.1.-DEFINICION.-

Optoacopladores son conjuntos integrados de componentes que permiten

el acoplamiento de seales desde un circuito a otro por medio de luz visible o
infrarroja.

Se les conoce tambin por el nombre de

optoaisladores, debido a que los circuitos en acoplo
permanecen en completo aislamiento elctrico.
5.2. VENTAJAS.
 Adems de permitir aislamiento elctrico entre dos circuitos, los
optoacopladores son de reducido tamao (vienen como CIs), son de reducido
tamao, muy confiables, de bajo precio y tienen total compatibilidad con los
circuitos digitales.

5.3. CONSTITUCION.

Todos los optoacopladores contienen un dispositivo emisor de seal

luminosa (normalmente un diodo LED) y un dispositivo receptor de la misma seal
(puede ser un fotodiodo, o un fototransistor, o un par de transistores en
configuracin fotoDArlington, o un fotoFET, o un fotoDIAC, o un fotoSCR o un
fotoTRIAC o incluso una puerta fotosensible NAND de colector abierto).

5.4. APLICACIONES.

Gran aplicacin como interfaces entre circuitos digitales de una misma

familia o entre circuitos digitales de distintas familias o entre un circuito digital y
otro analgico (por ejemplo entre un circuito digital y un circuito analgico de carga
de gran potencia o entre una fuente de tensin y un circuito digital).

5.5. TIPOS MAS COMUNES.

4N26 - 4N33 - MOC3021 - MOC3041 - MOC3163 - ECG3048 - ECG3021

6.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES(CIRCUITOS INTEGRADOS)
El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los
computadores analgicos, en los que comenzaron a usarse tcnicas
operacionales en una poca tan temprana como en los aos 40. El nombre de
amplificador operacional deriva del concepto de un amplificador dc (amplificador
acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia extremadamente
alta, cuyas caractersticas de operacin estaban determinadas por los elementos
de realimentacin utilizados. Cambiando los tipos y disposicin de los elementos
de realimentacin, podan implementarse diferentes operaciones analgicas; en
gran medida, las caractersticas globales del circuito estaban determinadas slo
por estos elementos de realimentacin. De esta forma, el mismo amplificador era
capaz de realizar diversas operaciones, y el desarrollo gradual de los
amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era en los
conceptos de diseo de circuitos.
 PRINCIPIOS BASICOS DE LOS AMPLIFICADORES
OPERACIONALES

El amplificador operacional ideal.-

FIGURA 45. Amplificador Operacional Ideal.

V0 = a Vd
a = infinito
Ri = infinito
Ro = 0
BW (ancho de banda) = infinito
V0 = 0 s Vd = 0
EL AMPLIFICADOR INVERSOR
 EL AMPLIFICADOR NO INVERSOR

Hemos visto que los ingenieros de sistemas disean los diagramas de bloque de los sistemas
electrnicos. Los diseadores de circuitos seleccionan los dispositivos adecuados, y determinan cmo
interconectarlos para implementar los bloques del sistema.
Existen dos grupos adicionales de profesionales electrnicos que realizan contribuciones muy
importantes a este tipo de sistemas. Un grupo est formado por los ingenieros y cientficos que conducen
la investigacin bsica sobre los principios de la electrnica fsica, y otro lo forman los ingenieros de
procesos, que disean los procesos de fabricacin para los dispositivos y los circuitos integrados.
La investigacin bsica de los principios fsicos de los materiales y dispositivos electrnicos es la base
de todo el progreso en los sistemas electrnicos. Sin la comprensin de la fsica relacionada con la
conduccin de la electricidad, no existira la electrnica. El estudio de los principios de la electrnica
fsica no est completo sino que contina y se puede esperar que se produzcan ms descubrimientos
importantes.
Por tanto, la electrnica fsica sigue siendo un rea muy importante de investigacin.
Describiremos algunos de los principios bsicos de la electrnica fsica a medida que sea necesario, pero
el enfoque principal de este libro es el diseo de circuitos. A los descubrimientos cientficos en
electrnica fsica, les ha seguido rpidamente las aplicaciones. La electrnica comenz con la invencin
de un dispositivo de amplificacin y conmutacin conocido como triodo de vaco, creado por Lee
DeForest en 1906. La tecnologa de tubos de vaco llev a la popularizacin de la radiodifusin en los
aos 20, al desarrollo de la televisin en los aos 30 y a los primeros computadores electrnicos en los
aos 40.
En 1947, un equipo que trabajaba en Bell Laboratories bajo la direccin de William Shockley, cre el
transistor de estado slido. Se reconoci inmediatamente el tremendo potencial de este dispositivo y,
desde entonces, la electrnica moderna se ha 12 Electrnica desarrollado de una manera muy rpida. La
investigacin continua en el campo de la fsica del estado slido permite que se produzcan los
descubrimientos bsicos esenciales para el avance de los sistemas electrnico

7.-El Resistor fotosensible (LDR) o fotorresistencia

Light Dependent Resistor - Resistencia dependiente de la luz

El LDR es una resistencia que vara su valor dependiendo de la cantidad de luz que la
ilumina. Los valores de una fotorresistencia cuando est totalmente iluminada y cuando
est totalmente a oscuras vara, puede medir de 50 ohmios a 1000 ohmios (1K) en
iluminacin total y puede ser de 50K (50,000 Ohms) a varios megaohmios cuando est a
oscuras.
El LDR se fabrica con materiales de estructura cristalina, y utiliza sus propiedades
fotoconductoras. Los cristales utilizados ms comunes son: sulfuro de cadmio y seleniuro
de cadmio.

Smbolo de la fotorresistencia o LDR

A medida que reciben ms luz la resistencia disminuye

notablemente. Muestran una gran sensibilidad a la luz, pero si la
luz vara muy rpidamente, los valores de la resistencia varan
mas lentamente (se dice que muestra inercia a las variaciones
de la intensidad luminosa). Puede tambin ser llamado
fotorresistor, fotoconductor, clula fotoelctrica o resistor
dependiente de la luz.

Un fotorresistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz

que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos
por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente
energa para saltar la banda de conduccin. El electrn libre que resulta (y su
hueco asociado) conduce electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia.

El valor de la fotorresistencia (en Ohmios) no vara de forma instantnea cuando se pasa

de luz a oscuridad o al contrario, y el tiempo que se dura en este proceso no siempre es
igual si se pasa de oscuro a iluminado o si se pasa de iluminado a oscuro.

Esto hace que el LDR no se pueda utilizar en muchas aplicaciones, especialmente

aquellas que necesitan de mucha exactitud en cuanto a tiempo para cambiar de estado
(oscuridad a iluminacin o iluminacin a oscuridad) y a exactitud de los valores de la
fotorresistencia al estar en los mismos estados anteriores. Su tiempo de respuesta tpico
es de aproximadamente 0.1 segundos.

Pero hay muchas aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy til. En casos en
que la exactitud de los cambios no es importante como en los circuitos:

- Luz nocturna de encendido automtico, que utiliza una fotorresistencia para activar
una o mas luces al llegar la noche.

- Rel controlado por luz, donde el estado de iluminacin de la fotorresistencia, activa o

desactiva un Relay (rel), que puede tener un gran nmero de aplicaciones

El LDR o forresistencia es un elemento muy til para aplicaciones en circuitos donde se

necesita detectar la ausencia de luz de da

8.-TERMISTOR

Termistor NTC.

Un termistor es un semiconductor que vara el valor de su resistencia elctrica en funcin

de la temperatura, su nombre proviene de Thermally sensitive resistor (Resistor sensible a
la temperatura en ingls). Existen dos clases de termistores: NTC y PTC.
Tipo NTC [editar]

(Negative Temperature Coefficient) es una resistencia variable cuyo valor va decreciendo a

medida que aumenta la temperatura, es decir se calienta extremadamente. Son resistencias
de coeficiente de temperatura negativa, constituidas por un cuerpo semiconductor.

Se emplean en su fabricacin xidos semiconductores de nquel, zinc, cobalto, tc.

La relacin entre la resistencia y la temperatura no es lineal sino exponencial:

, donde A y B son constantes que dependen del termistor.

La caracterstica tensin-intensidad (V/I) de un termistor NTC presenta un carcter peculiar

ya que, cuando las corrientes que lo atraviesan son pequeas, el consumo de potencia (R *
I2) ser demasiado pequeo para registrar incrementos apreciables de temperatura, o lo que
es igual, descensos en su resistencia hmica; en esta parte de la caracterstica, la relacin
tensin-intensidad ser prcticamente lineal y en consecuencia cumplir la ley de Ohm.

Si seguimos aumentando la tensin aplicada al termistor, se llegar a un valor de intensidad

en que la potencia consumida provocar aumentos de temperatura suficientemente grandes
como para que la resistencia del termistor NTC disminuya apreciablemente,
incrementndose la intensidad hasta que se establezca el equilibrio trmico. Ahora nos
encontramos, pues, en una zona de resistencia negativa en la que disminuciones de tensin
corresponden aumentos de intensidad.

Termistor PTC

Un termistor PTC (Positive Temperature Coefficient) es una resistencia variable cuyo

valor va aumentando a medida que se incrementa la temperatura.

Los termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones: limitacin de

corriente, sensor de temperatura, desmagnetizacin y para la proteccin contra el
recalentamiento de equipos tales como motores elctricos. Tambin se utilizan en
indicadores de nivel, para provocar retardos en circuitos, como termostatos, y como
resistores de compensacin.

El termistor PTC pierde sus propiedades y puede comportarse eventualmente de una forma
similar al termistor NTC si la temperatura llega a ser demasiado alta.

Las aplicaciones de un termistor PTC estn, por lo tanto, restringidas a un determinado

margen de temperaturas.

Hasta un determinado valor de voltaje, la caracterstica I/V sigue la ley de Ohm, pero la
resistencia aumenta cuando la corriente que pasa por el termistor PTC provoca un
calentamiento y se alcanza la temperatura de conmutacin. La caracterstica I/V depende de
la temperatura ambiente y del coeficiente de transferencia de calor con respecto a dicha
temperatura ambiente.
9.-Rel Trmico (Redirigido desde Rele termico)
Los Rels Trmicos son los aparatos ms utilizados para proteger los motores contra las
sobrecargas dbiles y prolongadas. Se pueden utilizar en corriente alterna o continua1 . Este
dispositivo de proteccin garantiza:

optimizar la durabilidad de los motores, impidiendo que funcionen en condiciones

de calentamiento anmalas.

la continuidad de explotacin de las mquinas o las instalaciones evitando paradas

imprevistas.
volver a arrancar despus de un disparo con la mayor rapidez y las mejores
condiciones de seguridad posibles para los equipos y las personas.

Contenido
[ocultar]
1 Caractersticas
o 1.1 Tripolares
o 1.2 Compensados
o 1.3 Sensibles a una prdida de fase
o 1.4 Rearme automtico o manual
o 1.5 Graduacin en amperios motor
2 Principio de funcionamiento de los rels trmicos tripolares
3 Clases de disparo
4 Vase tambin
5 Enlaces externos

6 Referencias Sus caractersticas ms habituales son:

10.-Altavoz (parlante)
Un altavoz (tambin conocido como parlante en Amrica del Sur, Costa Rica, El Salvador
y Nicaragua)1 es un transductor electroacstico utilizado para la reproduccin de sonido.
Uno o varios altavoces pueden formar una pantalla acstica.

En la transduccin sigue un doble procedimiento: elctrico-mecnico-acstico. En la

primera etapa convierte las ondas elctricas en energa mecnica, y en la segunda convierte
la energa mecnica en energa acstica. Es por tanto la puerta por donde sale el sonido al
exterior desde los aparatos que posibilitaron su amplificacin, su transmisin por medios
telefnicos o radioelctricos, o su tratamiento.

El sonido se transmite mediante ondas sonoras a travs del aire. El odo capta estas ondas y
las transforma en impulsos nerviosos que llegan al cerebro. Si se dispone de una grabacin
de voz, de msica en soporte magntico o digital, o si se recibe estas seales por radio, se
dispondr a la salida del aparato de unas seales elctricas que deben ser convertidas en
sonidos audibles; para ello se utiliza el altavoz.
Potencia

Hace referencia a la potencia elctrica que entra en el altavoz (no a la potencia acstica). Es
la cantidad de energa (en vatios) que se puede introducir en el altavoz antes de que
distorsione en exceso o de que pueda sufrir desperfectos. Dentro de la potencia se
diferencia entre potencia nominal y potencia admisible.

Donde: P=I*Z

P=potencia elctrica
I=intensidad
Z=impedancia

Micrfono
De Wikipedia, la enciclopedia libre
(Redirigido desde Microfono)

Micrfono

El micrfono es un transductor electroacstico. Su funcin es la de transformar (traducir)

las vibraciones debidas a la presin acstica ejercida sobre su cpsula por las ondas sonoras
en energa elctrica o grabar sonidos de cualquier lugar o elemento.

Clasificacin de los micrfonos [editar]

Los micrfonos se pueden dividir segn varias clasificaciones:

Segn su directividad.
Segn el transductor.
Segn su utilidad.
Segn su calidad

Segn la directividad [editar]

Como se mencion en las caractersticas hay 6 tipos de micrfonos:

Micrfono omnidireccional

Micrfono de zona de presin

Micrfono bidireccional

Micrfono de gradiente de presin

 Micrfono unidireccional de interferencia, lnea, rifle, can o semican.

Micrfono parablico

Segn el encierro de diafragma [editar]

Nos encontramos ante 3 grupos:

1. Micrfono de Presin.
2. Micrfono de Gradiente de Presin o Velocidad.
3. Micrfono Combinado de Presin y Gradiente de Presin.

Segn su transduccin mecnico-elctrica [editar]

Los 6 tipos de micrfonos ms importantes son:

1. Micrfono electrosttico: de condensador, electret, etc.

2. Micrfono dinmico: de bobina y de cinta.
3. Micrfono piezoelctrico.
4. Micrfono magnetoestrictivo.
5. Micrfono magntico.
6. Micrfono de carbn.

Electrosttico [editar]

Las ondas sonoras provocan el movimiento oscilatorio del diafragma. A su vez, este
movimiento del diafragma provoca una variacin en la energa almacenada en el
condensador que forma el ncleo de la cpsula microfnica y, esta variacin en la carga
almacenada, (electrones que entran o salen) genera una tensin elctrica que es la seal que
es enviada a la salida del sistema.

La seal elctrica de salida es (o debera ser) anloga en cuanto a forma (amplitud y

frecuencia a la onda sonora que la gener.

Son micros electrostticos:

Micrfono de condensador.
Micrfono electret.
Micrfono de condensador de radiofrecuencia.

Electrodinmico [editar]

La vibracin del diafragma provoca el movimiento de una bobina mvil o cinta corrugada
ancladas a un imn permanente generan un campo magntico, cuyas fluctuaciones son
transformadas en tensin elctrica.

La seal elctrica de salida es (o debera ser) anloga en cuanto a forma (amplitud y

frecuencia) a la onda sonora que la gener.
Son micros electrodinmicos:

Micrfono de bobina mvil o dinmico.

Micrfono de cinta

12.- Valores comerciales de los capasitores y

resistensias
CDIGO DE IDENTIFICACIN PARA CONDENSADORES

ABCDCOLOR1 Cifra2 CifraMultiplicadorC<10pF

pFC10pF
%Negro00-220Marrn1100,11Rojo2200-2Naranja33000-3Amarillo440000--Verde
55000000,55Azul66---Violeta770,001--Gris880,010,25-Blanco990,1110Oro-----Azul
oscuro-----Tolerancia

LetraC<10pF
pFC01Fp
%B0,1 C0,25 D0,50,5F11G22H 2,5J 5K 10M 20P -0
+100R -20
+30S -20
+50Z -20
+80VALORES NORMALIZADOS Y TOLERANCIAS PARA LA FABRICACIN DE
CONDENSADORES
Tolerancias 20% 1 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 10% 1 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7
3,3 3,9 4,7 5,6 6,8 8,2 5% 1 1,1 1,2 1,3 1,5 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,7 3 3,3 3,6 3,9 4,3
4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1
VALORES NORMALIZADOS PARA RESISTENCIAS DE CARBN
40%20%10%5%2%1%40%20%10%5%2%1%E6E12E24E48E96E192E6E12E24E4
8E96E1921.0
1.5

2.2
1.0

1.2
1.5

1.8

2.2
2.7

1.0

1.1

1.2

1.3
1.5

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4
2.7

3.0

1.00

1.05

1.10

1.15

1.21

1.27

1.33

1.40
1.47

1.54

1.62

1.69

1.78

1.87

1.96

2.05

2.15

2.26

2.37

2.49
2.61

2.74

2.87

3.01

1.00

1.02

1.05

1.07

1.10

1.13

1.15

1.18

1.21

1.24

1.27

1.30

1.33

1.37

1.40

1.43

1.47
1.50

1.54

1.58

1.62

1.65

1.69

1.74

1.78

1.82

1.87

1.91

1.96

2.00

2.05

2.10

2.15

2.21

2.26

2.32

2.37

2.43

2.49

2.55

2.61

2.67
2.74

2.80

2.87

2.94

3.01

3.091.00
1.01
1.02
1.04
1.05
1.06
1.07
1.09
1.10
1.11
1.13
1.14
1.15
1.17
1.18
1.20
1.21
1.23
1.24
1.26
1.27
1.29
1.30
1.32
1.33
1.35
1.37
1.38
1.40
1.42
1.43
1.45
1.47
1.49
1.50
1.52
1.54
1.56
1.58
1.60
1.62
1.64
1.65
1.67
1.69
1.72
1.74
1.76
1.78
1.80
1.82
1.84
1.87
1.89
1.91
1.93
1.96
1.98
2.00
2.03
2.05
2.08
2.10
2.13
2.15
2.18
2.21
2.23
2.26
2.29
2.32
2.34
2.37
2.40
2.43
2.46
2.49
2.52
2.55
2.58
2.61
2.64
2.67
2.71
2.74
2.77
2.80
2.84
2.87
2.91
2.94
2.98
3.01
3.05
3.09
3.12

3.3

4.7
6.8
3.3

3.9

4.7
5.6

6.8

8.2
3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1
5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

3.16
3.32

3.48

3.65

3.83

4.02

4.22

4.42

4.64

4.87

5.11

5.36

5.62

5.90
6.19

6.49

6.81

7.15

7.50

7.87

8.25

8.66

9.09

9.53

3.16

3.24

3.32

3.40
3.48

3.57

3.65

3.74

3.83

3.92

4.02

4.12

4.22

4.32

4.42

4.53

4.64

4.75

4.87

4.99

5.11

5.23

5.36

5.49

5.62

5.76

5.90

6.04

6.19
6.34

6.49

6.65

6.81

6.98

7.15

7.32

7.50

7.68

7.87

8.06

8.25

8.45

8.66

8.87

9.09

9.31

9.53

9.763.16
3.20
3.24
3.28
3.32
3.36
3.40
3.44
3.48
3.52
3.57
3.61
3.65
3.70
3.74
3.79
3.83
3.88
3.92
3.97
4.02
4.07
4.12
4.17
4.22
4.27
4.32
4.37
4.42
4.48
4.53
4.59
4.64
4.70
4.75
4.81
4.87
4.93
4.99
5.05
5.11
5.17
5.23
5.30
5.36
5.42
5.49
5.56
5.62
5.69
5.76
5.83
5.90
5.97
6.04
6.12
6.19
6.26
6.34
6.42
6.49
5.67
6.65
6.73
6.81
6.90
6.98
7.06
7.15
7.23
7.32
7.41
7.50
7.59
7.68
7.77
7.87
7.96
8.06
8.16
8.25
8.35
8.45
8.56
8.66
8.76
8.87
8.98
9.09
9.19
9.31
9.42
9.53
9.65
9.76
9.88E6E12E24E48E96E192E6E12E24E48E96E19240%20%10%5%2%1%40%20%1
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Amplitud Modulada
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Amplitud modulada (AM) o modulacin de amplitud es un tipo de modulacin lineal

que consiste en hacer variar la amplitud de la onda portadora de forma que esta cambie de
acuerdo con las variaciones de nivel de la seal moduladora, que es la informacin que se
va a transmitir.

AM es el acrnimo de Amplitude Modulation (Amplitud modulada), la cual consiste en

modificar la amplitud de una seal de alta frecuencia, denominada portadora, en funcin de
una seal de baja frecuencia, denominada moduladora, la cual es al seal que contiene la
informacin que se desea transmitir. Entre los tipos de modulacin AM se encuentra la
modulacin de doble banda lateral con portadora (DSBFC).
Una seal (arriba) puede ser transportada en una onda AM o FM.

Seal analgica
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Ejemplo de seal analgica.

Una seal analgica es un tipo de seal generada por algn tipo de fenmeno
electromagntico y que es representable por una funcin matemtica continua en la que es
variable su amplitud y periodo (representando un dato de informacin) en funcin del
tiempo. Algunas magnitudes fsicas comnmente portadoras de una seal de este tipo son
elctricas como la intensidad, la tensin y la potencia, pero tambin pueden ser hidrulicas
como la presin, trmicas como la temperatura, mecnicas, etc. La magnitud tambin puede
ser cualquier objeto medible como los beneficios o prdidas de un negocio.

En la naturaleza, el conjunto de seales que percibimos son analgicas, as la luz, el sonido,

la energa etc, son seales que tienen una variacin continua. Incluso la descomposicin de
la luz en el arcoiris vemos como se realiza de una forma suave y contina.

Una onda senoidal es una seal analgica de una sola frecuencia. Los voltajes de la voz y
del video son seales analgicas que varan de acuerdo con el sonido o variaciones de la luz
que corresponden a la informacin que se est transmitiendo.

Seal elctrica analgica [editar]

Seal elctrica analgica es aquella en la que los valores de la tensin o voltaje varan
constantemente en forma de corriente alterna, incrementando su valor con signo elctrico
positivo (+) durante medio ciclo y disminuyndolo a continuacin con signo elctrico
negativo () en el medio ciclo siguiente.

El cambio constante de polaridad de positivo a negativo provoca que se cree un trazado en

forma de onda senoidal.

Seal digital
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La seal digital es un tipo de seal generada por algn tipo de fenmeno electromagntico
en que cada signo que codifica el contenido de la misma puede ser analizado en trmino de
algunas magnitudes que representan valores discretos, en lugar de valores dentro de un
cierto rango. Por ejemplo, el interruptor de la luz slo puede tomar dos valores o estados:
abierto o cerrado, o la misma lmpara: encendida o apagada (vase circuito de
conmutacin).

Los sistemas digitales, como por ejemplo el ordenador, usan lgica de dos estados
representados por dos niveles de tensin elctrica, uno alto, H y otro bajo, L (de High y
Low, respectivamente, en ingls). Por abstraccin, dichos estados se sustituyen por ceros y
unos, lo que facilita la aplicacin de la lgica y la aritmtica binaria. Si el nivel alto se
representa por 1 y el bajo por 0, se habla de lgica positiva y en caso contrario de lgica
negativa.

Cabe mencionar que, adems de los niveles, en una seal digital estn las transiciones de
alto a bajo y de bajo a alto, denominadas flanco de subida y de bajada, respectivamente. En
la figura se muestra una seal digital donde se identifican los niveles y los flancos.

Seal digital: 1) Nivel bajo, 2) Nivel alto, 3) Flanco de subida y 4) Flanco de bajada.

Seal digital con ruido

Es conveniente aclarar que, a pesar de que en los ejemplos sealados el trmino digital se
ha relacionado siempre con dispositivos binarios, no significa que digital y binario sean
trminos intercambiables. Por ejemplo, si nos fijamos en el cdigo Morse, veremos que en
l se utilizan, para el envo de mensajes por telgrafo elctrico, cinco estados digitales, que
son:

punto, raya, espacio corto (entre letras), espacio medio (entre palabras) y espacio
largo (entre frases)

Referido a un aparato o instrumento de medida, decimos que es digital cuando el resultado

de la medida se representa en un visualizador mediante nmeros (dgitos) en lugar de
hacerlo mediante la posicin de una aguja, o cualquier otro indicador, en una escala.

Ventajas de las seales digitales

1. Ante la atenuacin, puede ser amplificada y reconstruida al mismo tiempo, gracias a
los sistemas de regeneracin de seales.
2. Cuenta con sistemas de deteccin y correccin de errores, en la recepcin.
3. Facilidad para el procesamiento de la seal. Cualquier operacin es fcilmente
realizable a travs de cualquier software de edicin o procesamiento de seal.
4. Permite la generacin infinita sin prdidas de calidad. Esta ventaja slo es aplicable
a los formatos de disco ptico; la cinta magntica digital, aunque en menor medida
que la analgica (que slo soporta como mucho 4 o 5 generaciones), tambin va
perdiendo informacin con la multigeneracin.
5. Las seales digitales se ven menos afectadas a causa del ruido ambiental en
comparacin con las seales analgicas.
 Inconvenientes de las seales digitales [editar]
1. Necesita una conversin analgica-digital previa y una decodificacin posterior en
el momento de la recepcin.
2. Requiere una sincronizacin precisa entre los tiempos del reloj del transmisor con
respecto a los del receptor.
3. La seal digital requiere mayor ancho de banda que la seal analogica para ser
transmitida.
http://es.wikipedia.org/wiki/Microfono

www.unicrom.com

www.electronred.iespana.es

Electrnica: Teora de circuitos sexta edicin [Boylestad]

Microsoft student 2007