Cour SC Alger

Physique des Semi-conducteurs : 2013-2014
Physique des Semi-conducteurs
Dr. AH. SOUICI

E-mail : abdelhafid.souici@univ-bejaia.dz
Groupe de Cristallographie et Simulation des Matriaux
Laboratoire de Physico-Chimie des Matriaux et Catalyse
Facult des Sciences Exactes
Universit de Bjaia, Algrie
Matre de confrences au dpartement de Physique

Facult des Sciences Exactes
Universit de Bjaia, Algrie
Table des matires
Chapitre I : Milieux Semi-conducteurs : Gnralits

I.1. Rappel : Cristaux et types de liaisons
I.2. Introduction aux milieux matriels
I.3. Dfinitions des milieux semi-conducteurs intrinsques (simples et composs)
I.4. Proprits structurales des semi-conducteurs intrinsques
I.5. Proprits lectroniques des solides semi-conducteurs (configuration lectroniques)
I.6. Structure de bandes, bande de conduction (BC) et bande de valence (BV), des semi-conducteurs
et concept de la bande interdite (gap).
I.7. Dfinition des semi-conducteurs intrinsques gap direct et gap indirect.
I.8. Porteurs de charges dans les milieux semi-conducteurs, lectrons libres de conduction de la
BC et les trous mobiles de la BV.
Chapitre II : Etude des Semi-conducteurs intrinsques lquilibre

II.1. Introduction aux Semi-conducteurs intrinsques (non dops) lquilibre thermodynamique
II.2. Statistiques de Fermi-Dirac et de Maxwell-Boltzmann (Fonctions de distributions des
lectrons libres et des trous mobiles)
II.3. Dtermination des expressions gnrales des densits des lectrons libres n i(T) et des trous
mobiles pi(T)
II.4. Evolution du niveau de Fermi des Semi-conducteurs intrinsques en fonction de la
temprature
II.5. Comportement lectrique des Semi-conducteurs intrinsques tempratures zro absolu (0K)
et ambiante (300 K)
Chapitre III : Etude des Semi-conducteurs extrinsques

(dops N et P) lquilibre
III.1. Introduction aux Semi-conducteurs dops avec des atomes impurets trivalent et
pentavalent
III.2. Dfinition et localisation des niveaux nergtiques de donneurs (Ed) et accepteurs (Ea),
position du niveau lintrieur de la bande interdite
III.3. Equation de neutralit, loi d'action de masse
III.4. Evolution du niveau de Fermi EFN(T) en fonction de la temprature :
III.5. Evolution des densits dlectrons et de trous en fonction de la temprature, cas dune
ionisation partielle des atomes du dopage N
Chapitre IV : Etude des Semi-conducteurs hors quilibre

IV.1. Dfinition dun semi-conducteur hors quilibre
IV.2. Calcul des densits de courant dans les semi-conducteurs hors quilibre
IV. 3. Phnomne de Gnration-Recombinaison
Chapitre V : Etude des Jonction PN

V.1. Dfinition des jonctions PN (abrupte et graduelle)
V.2. Etude dune jonction PN abrupte non polarise lquilibre
V.3. Etude dune jonction PN polarise (hors quilibre)
V.4. Types de jonctions PN
V.4.1. Diodes Zener
V.4.2. Diodes avalanche
V.4.3. Diodes effet tunnel
V.5. Applications des jonctions PN: Redressement de signaux alternatifs
Chapitre VI : Transistors bipolaires

VI.1. Introduction aux transistors bipolaires (NPN et PNP)
VI.1.1. Dfinition
VI.1.2. Proprits des diffrentes rgions
VI.1.3. Transistors bipolaires non polaris de type (NPN)
VI.2. Effet transistor
VI.3. Equations dEbers Moll (transistor de type PNP)
VI.3.1. Courants de porteurs minoritaires dans l'metteur et le collecteur
VI.3.2. Courant de porteurs minoritaires dans la base
VI.3.3. Courants d'metteur et de collecteur
VI.4. Caractristiques courant tension dun transistor (montage metteur commun)
VI.5. Transistor amplificateur en montage metteur commun
VI.5.1. Caractristiques statiques et point de fonctionnement
VI.5.2. Amplification en tension et fonction de transfert
Chapitre I : Milieux Semi-conducteurs : Gnralits
I.1. Rappel : Cristaux et types de liaisons

Les cristaux sont classs selon la nature des liaisons tablies entre les diffrents atomes ou
molcules. Il existe quatre types de liaisons diffrentes : les liaisons de van der Waals, les liaisons
covalentes, les liaisons ioniques et les liaisons mtalliques.
a. Les liaisons de Van der Waals : Ces liaisons sont responsables de la formation des cristaux
molculaires. Dans ce type de cristaux, les forces dinteraction sont importantes lintrieur de la
molcule mais trs faibles entre elles (force de type Van der Waals). En consquence, ces cristaux
sont peu rsistants et leurs tempratures de fusion et dbullition sont trs basses.
b. Les liaisons covalentes : Ces liaisons stablissent entre les lments de la colonne IV de la
classification priodique (C, Si, Ge, Sn) et forment ainsi des cristaux covalents. Les lments de
la colonne IV possdent quatre lectrons priphriques appels lectrons de valence. Ces lectrons
de valence forment quatre liaisons avec quatre autres atomes voisins. Lnergie de liaison dans le
cas du carbone de forme allotropique diamant (isolant) est trs importante que celle dans l'tain
(conducteur et lnergie de liaison nulle). Dans le cas du silicium et du germanium, lnergie liaison
est intermdiaire, cest le cas des semi-conducteurs.
Les cristaux covalents sont aussi forms par la liaison de mtallodes (lments non mtalliques ;
B, C, N) ou par un metallode et un autre lment peu lectropositifs (BN, AlN, SiC, SiO2.). En
consquence, les cristaux forms ont une grande duret rsultant de fortes liaisons covalentes et
conductibilits lectrique et ionique faibles.
c. Les liaisons ioniques : Elles sont responsables de la formation des cristaux ioniques.
Lassociation de lun des lments alcalins de la colonne I de la classification priodique (lment
fortement lectropositif ; Li, Na, K, Rb, Cs) avec lun des lments halognes de la colonne VII de
la classification priodique (lment fortement lectrongatif ; F, Cl, Br, I) permet la formation par
attraction coulombienne de cristaux ioniques tels que LiF, NaCl et KBr. La proprit physique la
plus importante de ce type de cristaux rsulte de limportante nergie de liaisons entre atomes, elle
forme des cristaux durs.
d. Les liaisons mtalliques : Ces liaisons forment les mtaux, elles sont formes par des lments
lectropositifs ayant un seul lectron priphrique. Dans ce type de mtaux conducteur, llectron
priphrique, lectron libre, est responsable de la conduction lectrique. Parmi les mtaux, le
cuivre (Cu), largent (Ag) et lor (Au) sont des meilleurs conducteurs de courant. En gnrale, les
mtaux sont moins durs et fondent basse temprature.
1
Remarques:
Le graphite est un matriau solide form par des liaisons mixtes, il est compos de feuillets atomes de carbone (C). Dans un
feuillet, les atomes de carbone sont lis par des liaisons covalentes alors quentre feuillets les liaisons de van der Waals sont
responsables des interactions. La forte anisotropie observe dans ses proprits est principalement due liaisons.
I.2. Introduction aux milieux matriels

Selon les proprits lectriques, les matriaux sont classs en trois catgories, conducteurs,
isolants et semi-conducteurs, voir schma.
a. Conducteurs : Les mtaux tels que le fer (fe), le cuivre (Cu), lor (Au), largent (Ag) et
laluminium (Al) sont des conducteurs de courant lectrique. La prsence dlectrons libres dans la
couche priphrique (densit n 1022 1023 /cm3) est lorigine de la conductivit lectrique. A
temprature ambiante la rsistivit des conducteurs est trs faible ( 10-5 .cm).
b. Isolants : Les matriaux qui ont une rsistivit suprieure 108 .cm sont des isolants
(matriaux non conducteurs de courant lectrique). Parmi ces matriaux ; le verre, le mica, la silice
(SiO2) et le carbone (Diamant)La conductivit des isolants est donc trs faible .
c. Semi-conducteurs : Cette classe de matriaux se situe entre les mtaux (conducteurs) et les
isolants (non conducteurs). La rsistivit des semi-conducteurs varie de 10-3 10+4 .cm. les
lectrons libres et les trous mobiles sont les porteurs de charges responsables de la conductivit
lectrique. Un semi-conducteur peut tre soit intrinsque (pur) ou extrinsque (dop) par des
impurets.
- Semi-conducteur intrinsque : la rsistivit du silicium pur est de lordre de 103 .cm.
- Semi-conducteur extrinsque : la rsistivit du silicium dop par le Bore ou le phosphore est
de lordre de 10-2 .cm.
Schma : Structure en bandes dnergie des matriaux ;

Isolants, Semi-conducteurs et Mtaux
Remarques :
- Le mica est un mlange de silicate daluminium et de potassium.
- La temprature a un effet important sur la rsistivit des matriaux.
- Le dopage du silicium permet datteindre le taux d1 atome de Bore (B) ou de phosphore (P) pour 105 atomes de silicium.
2
I.3. Dfinitions des milieux semi-conducteurs intrinsques (simples et composs)

a. Semi-conducteurs intrinsques simples :
Un semi-conducteur intrinsque simple est constitu dun seul lment tels que les semi-
conducteurs de la colonne IV de la classification priodique par exemple ; le silicium (Si) et de
Germanium (Ge).
b. Semi-conducteurs intrinsques composs :

Dans cette catgorie, le semi-conducteur est constitu dau moins deux types datomes diffrents.
Les semi-conducteurs binaires de la classe (II-VI) sont constitus dun lment de la colonne II et
dun autre lment de la colonne VI de la classification priodique. Les semi-conducteurs de la
classe (III-V) sont composs dun lment de la colonne III et dun autre lment de la colonne V
de la classification priodique. De mme avec les semi-conducteurs de la classe (IV-VI), voir
exemples :
Exemples :
- Semi-conducteurs binaires de la classe (II-VI) : Sulfure de zinc (ZnS), Slniure de zinc (ZnSe), Tellurure
de zinc (ZnTe), Sulfure de cadmium (CdS), Slniure de cadmium (CdSe), Tellurure de cadmium (CdTe),
Oxyde de zinc (ZnO)
- Semi-conducteurs binaires de la classe (III-V) : Arsniure de gallium (GaAs), Phosphure de gallium (GaP),
Antimoniure de gallium (GaSb), Phosphure d'indium (InP), Arsniure d'indium (InAs), Antimoniure d'indium
(InSb), Phosphure d'aluminium (AlP), Arsniure d'aluminium (AlAs), Antimoniure d'aluminium (AlSb).
- Semi-conducteurs binaires de la classe (IV-VI) : Sulfure de plomb(II) (PbS), Slniure de plomb (PbSe),
Tellurure de plomb (PbTe), Tellurure d'tain (SnTe), Sulfure de germanium (GeS), Slniure de germanium
(GeSe), Sulfure d'tain(II) (SnS) et Tellurure de germanium (GeTe).
Il existe aussi dautres types de semi-conducteurs composs de trois atomes diffrents (ternaires) et
mme de quatre atomes (quaternaires).
Exemples :
- Semi-conducteurs ternaires : Phosphure de gallium-indium (InGaP), Arsniure d'aluminium-
indium (AlInAs), Antimoniure d'aluminium-indium (AlInSb), Arsniure-nitrure de gallium (GaAsN),
Arsniure-phosphure de gallium (GaAsP), Nitrure de gallium-aluminium (AlGaN), Phosphure de gallium-
aluminium (AlGaP), Nitrure de gallium-indium (InGaN), Arsniure-antimoniure d'indium (InAsSb),
Antimoniure de gallium-indium (InGaSb).
- Semi-conducteurs quaternaires : Phosphure de gallium-indium-aluminium (AlGaInP), Arsniure-

phosphure de gallium-aluminium (AlGaAsP), Arsniure-phosphure de gallium-indium (InGaAsP), Arsniure-
phosphure d'aluminium-indium (AlInAsP), Arsniure-nitrure de gallium-aluminium (AlGaAsN), Arsniure-
nitrure de gallium-indium (InGaAsN), Arsniure-nitrure d'aluminium-indium (InAlAsN), Arsniure-
antimoniure-nitrure de gallium (GaAsSbN).
3
I.4. Proprits structurales des semi-conducteurs intrinsques

En gnrale, les semi-conducteurs se cristallisent dans lune des structures suivantes :
Structure diamant, structure Zinc blende (Cubique), structure Wurtzite (Hexagonale) et la
structure NaCl.
a. Structure diamant :
Dans la structure diamant il y a 14 atomes (en gris) de carbone (C) placs aux nuds du
rseau cfc et 4 autres atomes de carbone (en bleue) placs en (, , ), (, , ), (, ,) et
(,,). Figure I.1.
- Chaque atome de carbone est entour de 4 autres atomes C (les plus proches voisins), la
coordinence des atomes de carbone entre eux est donc : C/C = [4].
- Chaque atome de carbone est au centre dun ttradre rgulier de carbones.
- Le nombre datomes par maille est 8 et le paramtre de maille a = 3.5668 .
- Le rseau cfc a 4 nuds par maille alors pour un nud est associ un motif de 2 atomes
de carbone.
- Le silicium et le germanium ont la structure du diamant, figures I.2a et I.2b.
(,,)
(,,)
)
(,,)
(,,)
z
y C
x
o
Figure I.1 : Structure diamant. 14 atomes (en gris) de carbone (C) placs aux nuds du rseau cfc
et 4 autres atomes (en bleue) placs en (, , ), (, , ), (, ,) et (,,)
4
a) Silicium (Si : groupe despace no 227, )

Motif : Si (0, 0, 0) ; Si (, , )
Si
Si Si
Si
Si
b) Germanium (Ge : groupe despace no 227, )

Motif : Ge (0, 0, 0) ; Ge (, , )
Ge
Ge Ge
Ge
Ge
Figure I.2 : Structure diamant : a) Silicium et b) Germanium.

Latome de Si ou de Ge est au centre dun ttradre rgulier.
b. Structure Zinc blende :

Dans la structure zinc blende (appele aussi sphalrite), les quatre atomes de carbone placs
lintrieur dans la structure diamant sont remplacs par quatre atomes dun autre lment. Dans
le cas de ZnS (semiconducteurs de la classe II-VI) les quatre atomes de soufre S (en jaune)
occupent les sites de coordonnes (, , ), (, , ), (, ,) et (,,). Les atomes du zinc
occupent les nuds du rseau cfc (en gris). Figure I.3.
Zn
S Zn
Zn
Zn
Figure I.3 : Structure zinc blende de ZnS avec le ttradre

(groupe despace no 216, )
5
- La maille contient 4 atomes Zn et 4 atomes S et le rseau cfc a 4 nuds. Il est donc

clair que le motif est constitu dun atome Zn et un atome S.
- Chaque atome de soufre (S) est entour de 4 atomes Zn. Latome S est situ alors au
centre du ttradre rgulier form par les 4 atomes Zn. La situation rciproque est
vraie.
- Dans de nombreux composs de structure blende la liaison covalente peut avoir un
certain caractre mtallique ou ionique.
- Les paramtres de maille de ZnS sont : a = b = c = 5.4145 et = = = 90o
c. Structure Wurtzite (Hexagonale) :

Le ZnS se cristallise aussi sous la forme hexagonale, dite structure Wurtzite (groupe
despace P63mc ; no 186). Les paramtres de maille sont : a = b = 3.8100 et c = 6.2300 avec
(c/a = 1.635) ; = = 90o et = 120o. Voir figure I.4. Dans cette structure, le motif est constitu
de 2 atomes Zn (zinc) et 2 atomes S (soufre). Les deux atomes de Zn occupent les deux positions
(0, 0,0) et (1/3, 2/3, ). Comme dans le cas de la structure blende, chaque atome est entour de 4
atomes de lautre lment formant des ttradres.
Couche B
Site ttradrique Couche A

Site octadrique
b
a
Figure I.4 : Structure Wurtzite de ZnS.

Sites ttradrique et octadrique forms entre les couches A et B.
d. Structure NaCl :
Le Sulfure de plomb(II) (PbS) est un semi-conducteur qui se cristallise dans la structure NaCl.
Figure I.5. Dans cette structure les atomes de plomb occupent les nuds du rseau cfc et les
atomes du soufre S occupent le centre de la maille et les milieux des artes. Le motif est constitu
de lion Pb2+ (0, 0,0) et de lion S2- (1/2, 0,0).
6
- La structure NaCl appartient au groupe despace Fm3m (no225).

- Chaque ion est entour dun octadre rgulier form par 6 ions de signe oppos.
- Les paramtres de maille de PbS sont : a = 5.9235 et = = = 90o.
Figure I.5 : Structure NaCl de PbS (Pb en gris et le S en couleur jaune)

(groupe despace no 225, )
Remarque :
Le groupe despace reprsente la classe de la structure cristallographique dun cristal, il regroupe tous les lments de symtrie.
Cest--dire, cest lensemble des oprations de symtries qui transforment un point quelconque du cristal en un point quivalent.
I.5. Proprits lectroniques des solides semi-conducteurs (configuration lectroniques)

a. Structure lectronique du silicium (Si) :
Latome du silicium (Si) possde 14 lectrons, la configuration lectronique du silicium ( ) est
donne par la forme condense suivante :
Si : (1s2) (2s2) (2p6) (3s2) (3p2) ou Si : [Ne] (3s2) (3p2)
La distribution des lectrons sur les orbitales atomiques obie au principe dexclusion de Pauli et
la rgle de Hund.
Electrons de Valence
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
b. Structure lectronique du Germanium (Ge) :

Dans latome du germanium (Ge) il y a 32 lectrons, la configuration lectronique du
germanium ( ) est donne par la forme condense suivante :
Ge: (1s2) (2s2) (2p6) (3s2) (3p6) (4s2) (3d10) (4p2) ou Ge: [Ar] (4s2) (3d10) (4p2)
La distribution des lectrons obie au principe dexclusion de Pauli et la rgle de Hund.
7
[Ar]
4s2 4p2
3d10
Remarques :
- Principe dexclusion de Pauli :
Dans un atome, il ne peut y avoir deux lectrons ayant le mme nombre quantiques (le spin) dans le mme tat quantique
(orbitale atomique). Autrement dit : Les lectrons dun mme tat quantique ne peuvent avoir leurs quatre nombres
quantiques, n, l, et tous identiques.
n, cest le nombre quantique principal : n = 1, 2, 3, 4....
l, le nombre quantique orbital : 0 l n -1.
, le nombre quantique magntique : -l +l
, le spin : .
- Rgle de Hund :
La rpartition des lectrons dans les niveaux dgnrs (2p, 3d, etc) se fait de faon avoir le maximum de spins parallles.
Les trois nombres quantiques n, l, ne dterminent pas compltement ltat quantique de llectron, ils dterminent
seulement lorbitale.
En plus des trois nombres quantiques (n, l, ), ltat quantique de llectron est dtermin par un quatrime nombre
quantique . Il prcise son moment magntique intrinsque, appel spin : ( , vers le haut = spin up
()) et ( vers le bas = spin down ()).
I.6. Structure de bandes, bande de conduction (BC) et bande de valence (BV), des semi-
conducteurs et concept de la bande interdite (gap).
Dans un tome isol, les lectrons occupent des niveaux discrets d'nergie. Lorsque
la distance entre deux atomes est de l'ordre atomique, distance interatomique (d ), les
niveaux d'nergie sont ddoubls. Dans le cas de plusieurs atomes, cas des cristaux ou des
particules caractre massif, la dgnrescence des niveaux d'nergie forme des bandes
d'nergie. Dans les semi-conducteurs, ces bandes d'nergie sont appeles bandes de valence
(BV) et bande de conduction (BC), elles sont spares par une bande interdite (BI) de
largeur Eg, figure I.6.
La formation des bandes, bande de valence et bande de conduction, s'explique du fait
que la distance interatomique (di) diminue les niveaux d'nergie atomiques, par exemple
l'atome isol de silicium d'lectrons de valence 3s2 3p2, se couplent pour former 4N tats
lectroniques dans la bande de valence et 4N tats lectroniques dans la bande de
conduction (N est le nombre d'atomes). En effet, lorsque la distance diminue les tats s
donnent naissance N tats liants occupes par N lectrons et N tats antiliants occupes par
N lectrons et les tats p donnent naissance 3N tats liants occupes par 2N lectrons et
3N tats antiliants vides. Dans le cas de silicium massif (cristal), la distance ao correspond
au paramtre de maille. A cette distance les deux bandes (BC) et (BV) sont spares par une
bande interdite de largeur Eg.
8
Bande de conduction
Energie d'lectron
(BC)
EC
Sous niveau (p)
4 N tats/0 6N tats/ 6
( T=0K)
Eg
Sous niveau (s)
4 N tats/4N 2N tats/ 2
EV
( T=0K)
Bande de Valence (BV)
a0 Distance interatomique ai
Figure I.6 : Structure de bande dans les semi-conducteurs (cas du silicium: Si), bande de valence,
bande de conduction et bande interdite
A temprature zro absolue (0K), la bande suprieure (bande de conduction) est vide et la
bande infrieure (bande de valence) est compltement plaine. Cette condition est ralise
pour les lments de la colonne IV tel que le silicium et le germanium. Il est bien clair que
le nombre d'lectrons priphriques (4 ) est gal la moiti du nombre d'tats disponibles
(8 tats). Cette condition peut tre ralise aussi pour les semi-conducteurs composs
binaires, ternaires ou mme quaternaires.
I.7. Dfinition des semi-conducteurs intrinsques gap direct et gap indirect.

a. Semi-conducteurs intrinsques gap direct
Dans les semi-conducteurs gap direct le maximum de la bande de valence et le minimum
de la bande de conduction sont au mme point (mme vecteur donde ) dans la zone de
Brillouin (ZB), figure I.7. La transition lectronique entre le haut de la bande de valence
(BV) et le bas de la bande de conduction (BC) conserve le vecteur donde ( )
Dans ce cas ;
9
Bande de Conduction
BC
Energie de llectron
EC
Eg

EV
Bande de Valence
BV
Figure I.7 : Semi-conducteurs gap direct
est le vecteur donde associe llectron.

: La quantit de mouvement.
et sont respectivement les relations de dispersion dans la bande de conduction et la
bande de valence. Ec et Ev sont respectivement lnergie minimum de la bande de conduction et
lnergie maximum de la bande de valence.
Exemples : gap direct au centre de la ZB (GaAs) et gap direct au bord de la ZB (PbTe)
E E
BC BC
Eg Eg
BV BV

Centre de la ZB Bord de la ZB
GaAs PbTe
b. Semi-conducteurs intrinsques gap indirect

Dans le cas des semi-conducteurs gap indirect le minimum de la bande conduction est
situ une distance du maximum de la bande de valence dans la zone de Brillouin
(ZB), figure I.8. La transition lectronique entre le haut de la bande de valence (BV) et le
10
bas de la bande de conduction (BC) est accompagne par le changement de la quantit de

mouvement , c'est--dire le vecteur donde nest pas conserv ( )
Bande de Conduction
BC
Energie

EC
Eg

EV
Bande de Valence
BV
Figure I.8 : Semi-conducteurs gap indirect
Exemples : gap indirect suivant le vecteur donde [ ] de la ZB (Silicium) et gap indirect suivant
le vecteur donde [ ] de la ZB (Germanium).
E Silicium (Si) E Germanium (Ge)
BC BC
BV [ BV [
] ]
I.8. Porteurs de charges dans les milieux semi-conducteurs, lectrons libres de conduction
de la BC et les trous mobiles de la BV.
Les proprits lectroniques des semi-conducteurs sont dtermines par les lectrons
excits vers la bande de conduction et les trous crs dans la bande de valence.
Dans la bande de conduction, les lectrons occupent les niveaux les plus proches des minima et
dans la bande de valence les trous occupent les niveaux les plus proches des maxima, figures I.8 et
I.9. Au voisinage du minimum de la bande de conduction, llectron se comporte comme un
lectron libre de masse me. Afin de simplifier cette tude, nous considrons un espace une
dimension avec la bande de conduction centre en et isotrope au voisinage de .
La relation de dispersion dans lespace de vecteur donde k scrit :
11
: est la masse effective donne par la relation :

Dans le cas dun semi-conducteur gap indirect, la bande de conduction est anisotrope
avec plusieurs minima quivalents. La relation de dispersion est donne par :
Avec :
: la masse effective longitudinale
Et,
: la masse effective transverse
: Composante de k porte sur laxe (Z)

: Composante de k dans le plan (xy) perpendiculaire laxe Z.
Dans la bande de valence, les trous aussi se comportent comme des particules libres de masses
respectives , figure I.9. Les relations de dispersion sont :
Avec :
: masse effective du trou lord (Heavy holes)

: masse effective du trou lger (Light holes)
Et : ; sont les paramtres de la bande de valence.

: est la masse de llectron.
Bande de Conduction
BC
Energie
EC
Eg

EV

Bande de Valence
BV
Figure I.9 : Trous lords et trous lgers dans la bande de valence
12
Chapitre II : Etude des Semi-conducteurs

intrinsques lquilibre
II.1. Introduction aux Semi-conducteurs intrinsques (non dops) lquilibre

thermodynamique
Un semi-conducteur non dop est un matriau pur. En pratique, la prparation de semi-
conducteurs purs est un dfi technologique. Les mthodes de prparation ne permettent pas une
synthse des semi-conducteurs parfaitement purs et la prsence d'impurets en trs faible densit
ne change pas considrablement les proprits lectriques des semi-conducteurs.
II.2. Statistiques de Fermi-Dirac et de Maxwell-Boltzmann (Fonctions de distributions des

lectrons libres et des trous mobiles)
Dans un systme constitu de N particules, par exemple les lectrons dans un solide,
llectron cherchent d'occuper l'tat de plus basse nergie. A temprature zro absolue (0K), le
semi-conducteur se trouve dans un tat d'nergie minimum. Les lectrons occupent tous les
niveaux de basse nergie dans la bande de valence. La distribution des lectrons comme porteurs
de charges est compltement diffrente quand la temprature est non nulle. Il est donc ncessaire
de comprendre leur distribution en fonction de la temprature. Cette tude peut tre ralise
l'aide des mthodes statistiques de Fermi-Dirac et de Maxwell-Boltzmann condition de respecter
les deux points suivants :
- Le nombre total des particules dans le systme est constant :

- l'nergie totale des n particules dans le systme est constante :

II.2.1. Statistiques de Maxwell-Boltzmann

La statistique de Maxwell-Boltzmann est connue aussi sous le nom de la statistique classique. Elle
considre que les particules sont discernables, c'est--dire, chaque particule porte un numro
(principe de Pauli est exclu) et que les interactions entre elles sont ngligeables.
Soit un systme de N particules rparties dans q cellules. Le niveau d'nergie de chaque cellule est
Ei avec 1 i q. Pour chaque niveau Ei il y a ni particules, alors ;
- Le nombre total de particules s'crit :
( )
- L'nergie totale du systme s'crit :

( )
13
La fonction de distribution de Maxwell-Boltzmann est donne par la relation suivante :
Avec, A et des constantes.
Dans un systme de particules idal, l'interaction est seulement par collision et l'nergie de la
particule est une nergie cintique.
( ) ( )
Avec :
( ) et
L'nergie totale du systme de N particules est :
L'nergie thermique de l'lectron est :
La fonction de distribution des particules donne en fonction de la vitesse est :
( *
La figure II.1, reprsente l'volution du nombre N de particules en fonction de la vitesse v.
N(v)
T1< T2< T3
T1
T2
T3
Figure II.1 : Evolution du nombre N de particules en fonction de la vitesse
14
II.2.2. Statistiques de Fermi-Dirac

Contrairement la distribution de Maxwell-Boltzmann, la statistique de Fermi-Dirac tient
compte du principe d'exclusion de Pauli, car il ne peut y voir plus d'un lectron de mme spin dans
le mme tat quantique. En plus, il est impossible de distinguer les lectrons dans les mtaux ou
les semi-conducteurs en raison de leur densit trs leve.
Dans la distribution de Fermi-Dirac le nombre d'lectrons est conserv, alors :

L'nergie totale des lectrons est aussi conserve :
Avec :
: est le nombre d'lectrons dans le niveau d'nergie

: le nombre d'tats quantiques dans le niveau d'nergie
La fonction de distribution est donne par la relation suivante :
Avec :
et
; le niveau de Fermi.
La fonction de distribution s'crit alors, figure II.2 :
f (E)
T=0K
1
T1
1/2
T2
E E
EF
Figure II.2 : la distribution de Fermi-Dirac f (E) en fonction de la temprature et sa drive
15
II.3. Dtermination des expressions gnrales des densits des lectrons libres ni(T) et des
trous mobiles pi(T)
II.3.1. Densit d'tat dans la bande de conduction (BC)

Dans un cristal 3 dimensions, la densit d'tat dans l'espace des vecteurs d'onde ( ) exprime par
unit de volume est donne par l'expression suivante :
le nombre d'tats N contenus dans une sphre de rayon ( ) est donne par la relation suivante :
Avec le volume de la sphre :

alors le nombre d'tats N est :
( *
a. Semi-conducteur gap direct

Dans un matriau cubique, la bande de conduction prsente un minimum unique et isotrope. Dans
l'approximation parabolique, le vecteur d'onde ( ) est donne par la relation :
[ ]
E ; est l'nergie des lectrons et EC du minimum de la bande de conduction.
Par substitution du vecteur d'onde dans la relation de N prcdente, le nombre d'tats est :
[ ]
La drive reprsente la densit d'tat exprime par unit d'nergie.
( *
d'o ;
( ) II.1
b. Semi-conducteur gap indirect

Dans le cas des semi-conducteurs gap indirect, le nombre d'tats d'nergie E est donn par la
relation :
( )
( +
16
O n est le nombre de directions quivalentes, c'est aussi le nombre d'ellipsodes quivalents (c'est
dire, de surface d'nergie constante).
Pour le silicium, il y a 6 directions quivalentes et pour le germanium le nombre de directions
quivalentes est 4.
La densit d'tats dans l'espace des nergies est :
( ) II.2
Avec : ( )
: est la masse effective de densit d'tats dans la bande de conduction.
Quelques valeurs de n et mc.
Silicium (Si) Germanium (Ge) GaP
n 6 4 3
mC/mo 1.06 0.55 0.78
II.3.2. Densit d'tat dans la bande de valence (BV)

Dans le cadre de l'approximation parabolique, l'expression de la densit d'tats dans la bande de
valence d'un matriau isotrope est donne par la relation :
( ) II.3
Avec : ( ) , reprsente la masse effective de densit d'tats dans la bande de

valence. Elle est la somme des densits d'tats de trous lourds et lgers.
Silicium (Si) Germanium (Ge) GaP GaAs InP

mV/mo 0.59 0.36 0.83 0.64 0.87
En gnrale, la densit d'tats au voisinage de l'extrimum d'une bande s'crit sous la forme
suivante :
( ) II.4
: est la masse effective de densit d'tats correspondante.

Eo = Ec ou Ev (energie du bord).
II.3.3. Densits totales d'lectrons et de trous

Les densits totales des lectrons dans la bande de conduction et de trous dans la bande de valence
sont donnes par les relations suivantes :
17

et

Avec :
et
est la fonction de Fermi, elle reprsente la probabilit pour qu'un lectron occupe l'tat
d'nergie E, figure II.3.
kB : est la constante de Boltzmann.
f (E)
T=0K
1
1/2
T0
E
EF
Figure II.3 : Fonction de Fermi T=0K et T0K
Remarques :
- f(EF) = 1/2, quel que soit la temprature T.
- si (E - EF) est de l'ordre de quelques KBT la fonction de fermi devient :
Dans le cas d'un semi-conducteur non dgnr (niveau de Fermi dans la bande interdite) et si le
niveau de Fermi est situ plusieurs K T des extrema des bandes permises, c'est dire
B
ou , les fonctions de distribution des lectrons se ramnent

des fonctions de Boltzmann, figure II.4 :

et

18
Alors, les densits totales deviennent :

et
Densit
d'tat fonction
de Fermi
Densit
Densit
d'lectrons (n)
de trous (p)
E
EV EF EC
Figure II.4 : Densits d'lectrons et de trous
Les deux intgrales prcdentes mnent aux relations de densits suivantes :
Densit d'lectron dans la bande de conduction est :
Et la densit de trous dans la bande de valence est :
Avec :
( ) en (lectrons/cm-3)
( ) en (trous/cm-3)
La densit totale des lectrons dans la bande de conduction est :
( )
et la densit totale des lectrons dans la bande de conduction est :
( )
Dans un semi-conducteur intrinsque (non dgnr) les densits d'lectrons et de trous sont
gales.
19
Le produit donne :
Alors ;
Donc :
: est appele densit de porteurs intrinsques
Dmonstration des densits n(T) et p(T) :
a. Densit dlectrons dans la bande de conduction:

( ) ( )
( )
On pose ; , alors, et
Scrit donc :
( )
( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
( )

On a: , ce qui permet dcrire n(T) sous la forme suivante :
( ) ( )

( ) [ ]
( )
( ) ( )

[ ] * +
( )
Enfin la densit dlectrons dans la bande de conduction scrit :
( )
, avec ( )
b. Densit de trous dans la bande de valence:

Par analogie :
( ) ( )
( )
On pose ; , alors, et
Scrit donc :
( )
( ) ( )
20
( )
( ) ( )
( )
( )

On a: , ce qui permet dcrire p(T) sous la forme suivante :
( ) ( )

( ) [ ]
( )
( ) ( )

[ ] * +
( )
La densit de trous dans la bande de valence scrit :
( )
, avec ; ( )
II.4. Evolution du niveau de Fermi des Semi-conducteurs intrinsques en fonction de la

temprature
Le niveau de Fermi se dduit de l'quation n = p.
( ) ( )
( )
( )
( )
Alors :
( )
ce qui donne ;
( *
et le niveau de Fermi en fonction de la temprature est :
( *
ou :
( *
Cette expression peut tre aussi exprime en fonction des masses effectives :
21
( *
: la masse effective du trous

: la masse effective de l'lectron
si l'origine des nergie est Ev = 0, la relation de EF devient :
( *
( *
O est la largeur de la bande interdite.
II.5. Comportement lectrique des Semi-conducteurs intrinsques temprature zro

absolu (0K) et ambiante (300 K)
T = 0K :
La densit d'lectrons dans la bande de conduction est donne par les relations prcdentes:
( *
Cette relation s'crit aussi :
( )
Le niveau le plus bas de la bande de conduction est suprieur du niveau de Fermi (Ec EF), alors :
le dnominateur tend vers l'infini (+) et la fonction de Fermi tend vers 0 : f(E) = 0.
la densit d'lectrons est donc nulle (n = 0 )
Ceci veut dire qu' temprature zro absolue la concentration des lectrons dans la bande de
conduction est nulle. Le semi-conducteurs est donc se comporte comme un isolant.
La densit de trous dans la bande de valence est donne aussi par les relations prcdentes :
( )
Cette relation s'crit aussi :

22
( )
Le niveau le plus haut de la bande de valence est infrieur du niveau de Fermi (EF EV).
Alors, le dnominateur tend vers l'infini (+) et la fonction de Fermi tend vers 1 : f(E) = 1.
La densit de trous dans la bande de valence est donc nulle (p = 0)

Il est donc claire qu' temprature zro absolue (0K) la densit des trous dans la bande de valence
est gale zro (p=0).
La relation du niveau de Fermi 0K se rduit :
Ou :
Si l'origine des nergies est Ev = 0, la relation de EF devient :
O est la largeur de la bande interdite.

A temprature zro absolue (0K), le niveau de Fermi dans le cas d'un semi-conducteur
intrinsque est situ au milieu de la bande interdite.
T = 300K :
La densit d'lectrons dans la bande de conduction est donne par les relations prcdentes:
( )
La densit de trous dans la bande de valence est donne aussi par les relations prcdentes:
( )
Le niveau de Fermi en fonction de la temprature s'crit :
( )
Exprim en fonction des masses effectives :
( )
23
Ou exprim en fonction de la largeur de la bande interdite Eg.
( )
Exemple :
Les masses effectives dans le cas du GaAs sont respectivement : , . La largeur de la bande
interdite est Eg = 1.43 ev.
1. Calculer le niveau de Fermi 0 K.

2. Dterminer la position du niveau de Fermi 100 K, 300 K et 600 K.
3. Reprsenter par un schma les diffrents niveaux de Fermi puis commenter.
4. A 300 K, calculer les densits de charges n, p et ni ?
5. Dans le cas dun semi-conducteur extrinsque, exprimer en fonction de la densit intrinsque ni et le
niveau de Fermi intrinsque EFi les densits de charges n(T) et p(T).
Solution :
Les masses effectives dans le cas du GaAs sont respectivement : , . La largeur de la bande
interdite est Eg = 1.43 ev.
1. Niveau de Fermi 0 K.
Le niveau de Fermi est donn par la relation suivante: (exercice n o1)
A, T = 0 K :
2. Niveau de Fermi 100, 300, 600 et 900 K.
100 K :
300 K :
600 K :
3. Reprsentation par un schma

Ec
EF (600 K)
EF (300 K)
EF (100 K)
EF (0 K)
Ev
Lorsque la temprature augmente, le niveau de Fermi EF se dplace vers la bande de conduction.
24
4. Densits n et p a 300 K
On a, T = 300 K, kB T = 0.025 eV
Aussi :
( ) et ( )
Alors ;
( )

( )
5. Densits de charges n(T) et p(T) en fonction de la densit intrinsque ni et le niveau de Fermi

intrinsque EFi
( ) ( )
Semi-conducteur intrinsque :
( ) ( )
Semi-conducteur extrinsque :
Alors :
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
25
Chapitre III : Etude des Semi-conducteurs extrinsques

(dops N et P) lquilibre
III.1. Introduction aux Semi-conducteurs dops avec des atomes impurets trivalent et
pentavalent
III.1.1. Semi-conducteurs dops avec des atomes impurets trivalent

Les impurets sont les atomes trivalents de la colonne III dans la classification priodique des
lments. Les lments le plus utilis dans le dopage sont le Bore (B) et le gallium (Ga).
Le Bore possde 3 lectrons dans la couche externe, sa configuration lectronique est la suivante :
1s2 2s2 2p1
Le dopage d'un semi-conducteur, le silicium par exemple (4 lectrons de valence), par des atomes
de Bore permet, temprature ambiante, d'une part la cration d'un trou dans la bande de valence
et d'autre part l'apparition d'une charge ngative excdentaire autour de l'atome de Bore. L'atome
de Bore est considr dans ce cas un lment accepteur d'lectrons, figure III.1. le Semi-
conducteur dop par des atomes trivalents est de type P.
Si Si Trou Si
Si B Si
Si Si Si
Figure III.1: Charge ngative excdentaire autour de l'atome du Bore (dopage de type P)
III.1.2. Semi-conducteurs dops avec des atomes impurets pentavalents
Dans ce cas, les impurets sont les atomes pentavalents de la colonne V dans la classification
priodique des lments. Les lments le plus utilis dans le dopage sont l'arsenic (As) et le
phosphore (P). Ces lments possdent 5 lectrons dans la couche externe, sa configuration
lectronique est la suivante :
26
1s2 2s2 2p3
Le silicium dop par des atomes pentavalents tel que l'arsenic (atome de la colonne V) est de type
N. Dans le rseau cristallin, l'atome d'arsenic est entour de 9 lectrons et 8 lectrons d'entre eux
saturent les orbitales liantes. L'lectron restant occupe une orbital dlocalise dans le champ
positif de l'ion As+, figure III.2.
Si Si Si
Si As+ Si
Si Si Si
Figure III.2: Electron dlocalis dans un semi-conducteur de type N
III.2. Dfinition et localisation des niveaux nergtiques de donneurs (Ed) et accepteurs

(Ea), position du niveau lintrieur de la bande interdite
III.2.1. Niveau donneur

La prsence d'impurets dans le rseau cristallin change d'une manire considrable les
proprits lectrique du semi-conducteur. Par exemple l'arsenic forme quatre liaisons avec ses
quatre voisins du silicium. L'nergie de liaison du 5me lectron est donne par la relation
suivante :
: est l'nergie du niveau donneur de l'impuret.

A temprature ambiante, l'lectron occupe un tat dans la bande de conduction, c'est dire
l'nergie thermique est suffisante pour exciter l'lectron vers la bande de conduction, figure III.3a.
27
III.2.2. Niveau accepteur

L'tome de Bore forme trois liaisons avec ses quatre voisins du silicium. L'nergie de liaison
du trou est donne par la relation suivante :
: est l'nergie du niveau accepteur de l'impuret.

L'nergie de liaison tu trou correspond l'nergie de transfert de l'lectron de la bande de valence
sur l'accepteur, figure III.3b.
Ec Ec
Ed
Ea
Ev Ev
a) b)
Figure III.3: a) Niveau donneur. b) Niveau accepteur
III.3. Equation de neutralit, loi d'action de masse

Considrons un semi-conducteur contenant une densit de donneurs Nd et une densit
d'accepteurs Na, alors :
- Nd+ est le nombre de donneurs ioniss
- Na- est le nombre d'accepteurs ioniss
La charge totale du matriau est nulle (principe de conservation de charges).
n et p sont respectivement les densits d'lectron et de trous.

A temprature ambiante, l'nergie kBT est de mme ordre de grandeur que les nergies de liaison
de l'lectron du donneur et de trous de l'accepteur. Ceci veut dire que tous les donneurs et
accepteurs sont ioniss.
L'quation de neutralit prcdente s'crit donc :
et sont les densits d'accepteurs et de donneurs
28
III.3.1. semi-conducteurs de type n

Dans un semi-conducteur de type n, la densit en donneur (Nd) est suprieure la densit
d'accepteurs (Na). D'aprs l'quation de neutralit la densit d'lectrons (n) et suprieure la
densit de trous (p).
et
Les lectrons dans ce cas sont appels les porteurs majoritaires et les trous sont des porteurs
minoritaires.
Avec :
D'o :
Les solutions de cette quation sont :
[ ]
[ ]
La valeur absolue donne la densit de trous.
En pratique et sont des densits trs leves, elles sont suprieures . Ceci
permet d'crire :
III.3.2. semi-conducteurs de type p

Dans ce type de semi-conducteur la densit en accepteurs (Na) est suprieure la densit de
donneurs (Nd). Dans ce cas, les porteurs majoritaires sont les trous. Les densits de porteurs sont :
et
29
III.3.3. Niveau de Fermi

- La densit de porteurs (lectrons) de charges dans un semi-conducteur de type n est donne par
la relation suivante :
( )
SC (n)
- La densit de porteurs (trous) de charges dans un semi-conducteur de type p est donne par la
relation suivante :
( )
SC (p)
Dans les deux types de semi-conducteurs, il est ncessaire de dfinir la position du niveau de
Fermi par sa distance au niveau de Fermi intrinsque EFi.
Dans un semi-conducteur intrinsque les densits sont gales.
On a :
Et :
( )
SC (n)
( )
SC (p)
Alors:
Ou :
On pose : , la relation s'crit donc :
De manire analogue la densit de trous dans un SC (p) s'crit :
30
Remarques :
- si :
- si :
- se dduit des deux relations prcdentes :
( * ( *
III.4. Evolution du niveau de Fermi EFN(T) en fonction de la temprature :

Considrons un semi-conducteur de type n non dgnr, l'quation de neutralit
lectrique s'crit :
Si on suppose que la densit d'accepteurs ioniss est nulle et la densit de donneurs

ioniss est , l'quation de neutralit s'crit :
Avec :
Et
: est la densit de donneurs ioniss donne par la relation suivante :
O :
: est la densit de donneurs et la densit de donneurs neutres exprime par la relation :
Le facteur (1/2) dans le dnominateur rsulte de l'tat donneur. Le donneur est analogue l'atome
d'hydrogne, son tat fondamental est un tat (1s) deux fois dgnr.
: est le niveau donneur.
L'quation de neutralit devient alors :
Cette quation permet de dduire le niveau de Fermi EF(T) et les densits n(T) et p(T).
31
a. Rgion des basses tempratures (KBT Eg/10)

Dans le cas des basses tempratures la densit de trous est ngligeable. Lorsque la
temprature augmente progressivement, la densit d'lectrons devient de l'ordre de N d et
celle des trous de l'ordre de et comme la densit de trous reste
ngligeable. L'quation de neutralit s'crit :
( )
En multipliant l'quation par :
* +
C'est une quation du second degr de forme :
( )
Avec :
La racine positive est :
[ ( ) ]
Et le niveau de Fermi se dduit :
{ [ ( ) ]}
b. Rgion des trs basses tempratures (KBT Eg/10)
C'est le cas o :
Dans ce cas on nglige 1 sous la racine et (-1) avant la racine. L'quation prcdente devient :
( *
Quand la temprature tend vers zro, le terme dans le nprien ( ) tend vers et le niveau
de Fermi est situ au milieu de Ec et Ed.
32
Lorsque la temprature augmente partir de T=0K, le niveau de Fermi passe par un maximum
pour . La densit varie comme( ).
Lorsque , le niveau de Fermi est exprim par la relation suivante :
( *
Cette relation a t obtenue aprs un dveloppement limit de la racine de la relation de EF. Dans
cette gamme de tempratures, au voisinage de la temprature ambiante, et pour la plus part des
semi-conducteurs Nc est suprieur Nd, ce qui donne ln(Nc/Nd) 0. Dons ce cas, le niveau de
Fermi varie en fonction de la temprature selon une loi pratiquement linaire, figure III.4.
c. Rgion des hautes tempratures (KBT Eg)

Lorsque , l'approximation prcdente n'est plus justifie et on ne peut pas
ngliger la densit des trous . Les donneurs sont ngligeables et les porteurs
intrinsques jouent le rle essentiel, c'est le rgime intrinsque.
Le niveau de Fermi est donn par la relation vue prcdemment :
( *
EF
Ec
Ed
(Ec+Ev)/2 T
0
Figure III.4: Evolution de niveau de Fermi en fonction de la temprature
33
III.5. Evolution des densits dlectrons et de trous en fonction de la temprature :

(Cas dune ionisation partielle des atomes du dopage N)
a. Rgion des trs basses tempratures
Dans cet intervalle de tempratures, le niveau de Fermi est donn par l'expression
prcdente :
( *
La relation s'crit aussi sous forme :
( *
Ou :
( *
La densit d'lectrons n(T) est donne par les relations prcdentes :
* ( ) +
( *
D'aprs la relation, ce rgime est comparable au rgime intrinsque dans lequel ( )
remplace et remplace La densit varie linairement en
fonction de (1/T) avec une pente de ( ), figure III.5.

Lorsque la temprature tend vers zro, tous les donneurs deviennent neutres, c'est le
rgime de gel des lectrons.
b. Rgion des basses tempratures

Le niveau de Fermi est donn par la relation suivante :
( *
L'quation s'crit aussi :
( *
La densit d'lectrons est :
( )
34
La densit d'lectrons basse temprature est gale la densit de donneurs. L'nergie

thermique est suffisante pour ioniser tous les donneurs mais insuffisante pour crer un
nombre consquent de porteurs intrinsque. Ce rgime est appel rgime d'puisement des
donneurs.
c. Rgion des hautes tempratures

A des tempratures leves, le rgime est intrinsque. Les donneurs ne jouent aucun rle
significatif. Le niveau de Fermi est exprim par la relation :
( *
La densit de porteurs est :
Sur une chelle logarithmique, la densit de porteurs varie linairement en fonction de
(1/T), la pente est gale ( ), figure III.5.
Droite ; pente ( )
Rgime intrinsque
104 Droite ; pente ( )
102 Rgime de gel (T 0K)

Rgime d'puisement
1
10-2
10-4
1/kBT
Figure III.5 : Evolution de la densit en fonction de la temprature
35
Chapitre IV : Etude des Semi-conducteurs hors quilibre
IV.1. Dfinition dun semi-conducteur hors quilibre

Dans un matriau semi-conducteur et en absence dun champ lectrique, le courant global
cr par les lectrons libres et les trous mobiles est nul. Lorsque le semi-conducteur est soumis
un champ lectrique extrieur ( ) son comportement et totalement diffrent. En effet, le
dplacement des lectrons et des trous sous leffet du champ lectrique engendre un courant
lectrique.
Alors, sous leffet du champ lectrique :

- Llectron libre subit une force lectrique de forme ;
( : est la masse effective de llectron libre)

- La vitesse de llectron est donne par ;
- est la mobilit lectronique ; est le temps moyen entre deux collisions successives
IV.2. Calcul des densits de courant dans les semi-conducteurs hors quilibre
IV.2.1. Calcul de la densit de courant de conduction (mobilit de porteurs de charges)
La densit de courant cre par les lectrons est donne par la relation :
Avec : n la densit dlectrons

La densit de courant scrit aussi en fonction de la conductivit et le champ
lectrique :

Il rsulte de ces deux relations :
- De manire analogue, la densit de courant cr par les trous mobiles scrit :

Avec :
( : est la masse effective du trou libre)

: est la mobilit des trous
p : la densit de trous
- La conductivit totale ( ) est la somme des deux conductivits, dlectrons ( ) et de
trous ( ):
36
Dans le cas dun semiconducteur intrinsque ( ), la conductivit devient :
( )
IV.2.2. Calcul de la densit de courant de diffusion

En absence du champ lectrique , le courant total cr par le dplacement des
porteurs de charges suivant les deux sens opposs (lectrons et trous) est nul. On suppose que les
densits de porteurs dans un volume dlimit par lintervalle [- x, + x] sont constantes (figure
IV.I). Dans le cas de la diffusion, la densit varie de part et dautre de la surface (S) et sous
agitation thermique les porteurs de charges se dplacent avec des vitesses variables.

surface (S)
Section de
(S)
-x 0 +x
Figure IV.I : Diffusion des porteurs de charges
Pour simplifier ltude de diffusion, nous considrons le cas dune seule dimension, c'est--dire, des
lectrons se dplaant suivant la direction (x) avec la mme vitesse. Alors ;
La densit de courant de diffusion cr par les lectrons en (+x) est donne par la relation
suivante :
Avec :
La densit de courant de diffusion cr par les lectrons en (- x) est donne par la relation
suivante :
Avec :
La densit totale de courant de diffusion cr par les lectrons est la somme des densits et
:
37
[ ]
Les densits dlectrons en (+ x) et en (- x) peuvent tres mises sous les formes

suivantes :
La relation prcdente de scrit alors ;
( +
( * ( *
( *
La vitesse thermique des lectrons sexprime en fonction de (x) et du temps de collision

( ) par :
Alors ;
Avec : , la constante de diffusion des lectrons.
De manire analogue, la densit de courant cr par les trous est donne par la relation suivante :
Avec : , la constante de diffusion des trous.
Les deux relations prcdentes de densits de courant, appel courant de diffusion ( et ),

sexpriment en trois dimensions par les expressions vectorielles suivantes :
38
Enfin, la densit totale ( ) de courant de diffusion est la somme des densits de courant de
diffusion crs par les lectrons et les trous :

En prsence dun champ lectrique ( ), les densits de courant sont :
; Densit de courant cr par les lectrons
; Densit de courant cr par les trous
Exemple : Silicium intrinsque et dop

Le silicium intrinsque comprend 5 1028 atomes.m3. la temprature ambiante, 2 1016 paires
lectron-trou par mtre cube participent la conduction lectrique, n est la densit des lectrons et
p la densit des trous : n = p = ni.
Nous connaissons la mobilit des lectrons n et des trous p :
n = 0,14 m2.V1s1 et p = 0,05 m2.V1s1
1. Calculer la rsistivit du silicium intrinsque la temprature ambiante.

2. Calculer, temprature ambiante, la rsistivit du silicium dop avec des donneurs Nd avec
un taux de dopage de 2 107. Nous admettons le produit : Nd . p = n2i.
3. Calculer dans les deux cas la rsistance dun tronon de semi-conducteur de 2 mm2 de
section et de 1 cm de longueur.
IV. 3. Phnomne de Gnration-Recombinaison

Soient et respectivement le nombre de porteurs de charges crs par unit de volume
et unit de temps ( ) et le nombre de porteurs de charges qui disparaissent par unit de
volume et de temps ( ).
Le nombre de porteurs de charges crs par unit de volume et unit de temps rsulte dune
part de la gnration spontane due lagitation thermique appel taux de gnration
thermique et dautre part de lexcitation par une source extrieure ( ) telles que ; lexcitation
optique, irradiation par particules, champ lectrique etc
Le nombre de porteurs de charges crs par unit de volume et unit de temps scrit :
39
Le nombre de porteurs de charges est fonction des processus rgissant la recombinaison des
porteurs de charges excdentaires, cest un paramtre propre au matriau.
La variation de la densit de porteurs de charges par unit de volume et unit de temps est due aux
processus de gnration recombinaison produits sous leffet de lexcitation extrieure et de
lagitation thermique, alors :
( *
Avec :
- : cest le taux de gnration spcifique lexcitation extrieure
- : paramtres spcifiques au matriau une temprature donne
On pose :
Cette relation reprsente le bilan entre la recombinaison et la gnration thermique. est un

paramtre spcifique au matriau, il reprsente le taux de recombinaison.
La variation de la densit de porteurs de charges par unit de volume et unit de temps devient :
( *
IV. 3.1. Recombinaison directe (lectron trou)

Dans le processus de la recombinaison directe, le nombre dlectrons qui se recombinent est gal
celui de trous, soit ;
Le taux de recombinaison scrit donc :
En absence de toute excitation extrieure ( ), le taux de recombinaison est nul (quilibre

thermodynamique) et les densits (n) dlectrons et (p) de trous sont :
La relation prcdente devient :
Do :
40
Le taux de recombinaison scrit donc :
En rgime hors quilibre les densits (n) dlectrons et (p) de trous peuvent tres crites sous
forme :
Avec : (condition de neutralit lectrique)
Le taux de recombinaison scrit alors :

[ ]
[ ]
Avec :
[ ]
Avec :
[ ] [ ]
Le taux de recombinaison scrit aussi sous la forme suivante :
Avec : [ ]
: est la dure de vie des porteurs dans un semiconducteur excit.

- Dans le cas dun semi-conducteur de type (P) de faible injection, la densit intrinsque
est trs faible devant .
Il en rsulte que :
- Dans le cas dun semiconducteur de type (N) de faible injection, la densit intrinsque
est trs faible devant .
Il en rsulte que :
41
Dans un matriau dop en rgime de faible injection, la densit de porteurs majoritaires est
suppose constante. Le taux de recombinaison des porteurs minoritaires scrit :
- Pour un semi-conducteurs de type p :
- Pour un semi-conducteurs de type n :
Avec : et les dures de vie des porteurs minoritaires.
IV. 3.2. Recombinaison indirecte (centre de recombinaison)

Dans les semi-conducteurs, la dure de vie des porteurs dpond de leur densit. En effet, la
probabilit pour quun lectron et un trou se recombinent est trs faible si les densits sont faibles.
La prsence dimpurets a un effet trs important sur la dure de vie des porteurs de charges, ils
forment des centres de recombinaison. Il y a deux types de centres :
- Centre de recombinaison : capture dun lectron et dun trou (recombinaison).
- Pige lectron : capture dun lectron puis le rmettre vers la bande de conduction.
Le taux de recombinaison scrit :
( )
Avec :
C : est le coefficient de capture,
: Densit de centres de recombinaison
a. Semi-conducteur de type (N)

Dans ce cas dune faible excitation :
et et aussi :
Le taux de recombinaison donn par la relation prcdente scrit :

( )
42
b. Semi-conducteur de type (P)

Dans ce cas dune faible excitation :
et et aussi :
Le taux de recombinaison donn par la relation prcdente scrit :

( )
c. Zone de dpltion (dpeuple)

Dans la zone dpeuple les densits n et p sont ngligeables devant ni, alors :
Le taux de recombinaison donn par la relation prcdente devient :
Le signe (-) indique que le nombre de porteurs crs thermiquement est plus important que
le nombre de porteurs qui se recombinent. Un taux de recombinaison ngatif correspond
une gnration thermique de porteurs ( ).
43
Chapitre V : Etude des Jonction PN
V.1. Dfinition des jonctions PN (abrupte et graduelle)

Une jonction PN est forme par la juxtaposition dun semi-conducteur dop type P (appel
anode) et dun semi-conducteur dop type N (appel cathode), tous les deux dun mme
monocristal semi-conducteurs, figure V.1. Lorsque ces deux types de semi-conducteurs sont mis
en contact, un rgime lectrique transitoire stablit de part et dautre de la jonction, suivi dun
rgime permanent. Une jonction simple forme une diode.
Jonction mtallurgique
Semi-conducteur Semi-conducteur
dop type P dop type N
Figure V.1 : Jonction mtallurgique (PN)
a. Jonction PN abrupte :
Dans une jonction abrupte, la concentration en impurets varie brutalement de la rgion
dope type P la rgion dope type N. C'est--dire, la diffrence Nd Na passe dune
manire brutale x = 0 dune valeur ngative dans la rgion dope type P une valeur
positive dans la rgion dope type N, voir figure V.2a.
b. Jonction graduelle :
Dans une jonction graduelle, la concentration en impurets est une fonction dpendante de
x autour de la rgion de contacte. C'est--dire, la diffrence (Nd Na) dpend de x entre Xp
et Xn, voir figure V.2b, cas dune dpendance linaire.
XP x=0 XN
Nd Na 0
a)
XP XN
Nd Na 0 x=0
b)
XP x=0 XN
Figure V.2 : Evolution de la diffrence (Nd Na). a) abrupte et b) graduelle.

Remarques :
Le contact entre le semi-conducteur de type P et le semi-conducteur de type N doit tre ralis au sens mtallurgique du terme, il
nest pas un simple contacte physique.
44
V.2. Etude dune jonction PN abrupte non polarise lquilibre

a. La charge despace (x) : (xP x xN)
Considrons les deux types de semi-conducteurs avant la formation de la jonction,
figure V.3 :
Avant le contact
Semi-conducteur dop type Semi-conducteur dop type
P N
Formation de la jonction PN
Figure V.3 : Formation de la jonction (PN) et diffusion des porteurs de charges

(lectrons et trous)
Aprs la formation de la jonction entre les deux types de semi-conducteurs, un potentiel

interne de la jonction apparait entre les deux niveaux de Fermi intrinsques E Fi. Lorigine
physique de ce potentiel interne est la diffusion des porteurs de charges. En effet, la mise en
contact des semi-conducteurs favorise la diffusion des lectrons ( ) de la rgion dope N vers la
rgion dope P (pauvre en lectrons) et laissent derrire eux des charges positives. De mme, les
charges positives (trous : ) de la rgion dope P diffusent vers la rgion dope N (pauvre en
trous) et laissent aussi derrire eux des charges ngatives. A la fin de ce processus de diffusion des
porteurs de charges, un quilibre permanent est tabli et une zone pauvre en porteurs libres est
forme. Cette zone est appele zone de charge despace ou aussi zone de dpltion .
Afin dtudier le potentiel lectrostatique dans la jonction (zone de charge despace), la rsolution de
lquation de Poisson est ncessaire. Lquation de Poisson scrit ;
[ ]
45
Remarques :
En anglais : to deplete = vider (en franais)
Avec :
; la densit de charge.
; la permittivit du semi-conducteur.
( ) ( )
( ) ( )
Cette quation peut tre crite sous la forme unidimensionnelle suivante :
Pour rsoudre cette quation, nous supposons que la charge prsente dans le semi-conducteur est
seulement due une distribution homogne dimpurets. La concentration en porteurs de charges
libres est donc ngligeable devant Nd et Na. En plus, la densit de charge est suppose constante
dans les deux rgions de la zone de dpltion (cas d'une jonction abrupte), figure V.4.
(x)
(x) = q Nd
(x) = 0 x=0 (x) = 0

XP XN
(x) = - q Na
Figure V.4 : Evolution de la densit de charge (x)
Alors, la distribution de charges est donne par la relation suivante :
Avec : q = e, la charge de llectron
b. Calcul des champs lectriques : EP(x) et EN(x).

Pour dterminer le champ lectrique cr dans chaque rgion il faut intgrer lquation de
Poisson correspondante. Figure V.5.
, le champ lectrique E est nul .
46

Lquation de Poisson scrit :
Le champ lectrique au point est nul, alors par intgration de lquation de Poisson
le champ lectrique dans la rgion dope P de la jonction scrit:
Lquation de Poisson scrit :
Le champ lectrique au point est nul, alors par intgration de lquation de

Poisson le champ lectrique dans la rgion dope N de la jonction scrit:
Au point , la continuit du champ lectrique impose que :
, le champ lectrique E est nul .
E(x)
E=0 XN x=0 XN E=0
E(x=0)
Figure V.5 : Champ lectrique dans les diffrentes rgions de la jonction
c. Calcul des potentiels lectriques : VP(x) et VN(x)

Le potentiel lectrique cr dans chaque rgion de la jonction est dtermin par
intgration du champ lectrique E.

: le champ lectrique E est nul , le potentiel est donc constant.
47
Alors :
: En
Le champ lectrique E est donn par la relation prcdente :
: En
Le champ lectrique E est donn par la relation prcdente :
Au point , la continuit du potentiel impose que :
Le potentiel de diffusion Vd est la diffrence entre le potentiel VN et VP, il scrit ;
, le champ lectrique E est nul, . Le potentiel est donc constant.

Alors :
48
V(x)
VN
XP x=0 XN
VP
Figure V.6 : Potentiel lectrique dans les diffrentes rgions de la jonction
d. Calcul de la tension de diffusion Vd ; barrire de potentiel.

Dans une jonction abrupte, la concentration en atomes donneurs dans la rgion dope N est Nd
(en cm-3) et la concentration en accepteurs dans la rgion dope P est Na (en cm-3), la diffrence en
nergie entre le niveau de Fermi du semi-conducteur intrinsque (EFi) et le niveau de Fermi du
semi-conducteur extrinsque (EFN) ou (EFP) scrit : figure V.7.
Semi-conducteur dop N :
( ) Avec ;
Semi-conducteur dop P :
( ) Avec ;
Ec Ec
EFN
EFi(P) EFi(N)
EFP
EV EV
Figure V.7 : Diagrammes nergtiques des semi-conducteurs (dop type P et dop type N)
avant la formation de la jonction
Lnergie correspondante au potentiel interne est dduite de la condition dalignement des

deux niveaux de Fermi extrinsques , figure V.8.
49
Semi-conducteur Zone de Semi-conducteur

dop type P Dpltion dop type N
XP x=0 XN
ECP
EFi(P)
ECN
EFP EFN
EVP
EFi(N)
EVN
Figure V.8 : Diagramme nergtique des semi-conducteurs (dop type P et dop type N)
aprs la formation de la jonction
Le potentiel interne scrit :
( ) ( * ( *
( )
( )
Le potentiel de diffusion Vd scrit aussi ;
A temprature ambiante, la tension de diffusion de Vd est de l'ordre de 0,7 V pour une jonction au
silicium est de lordre de 0,35 V pour une jonction germanium.
e. Calcul de la largeur de la zone de charge despace w (zone de dpltion).

Les relations prcdentes du potentiel de diffusion permettent de dduire la largeur de la zone de
dpltion :
La largeur de la rgion dope P est donne par la relation :
La largeur de la rgion dope N est donne par la relation :
La largeur est donne par la relation :
50
Exemple :
Dans une jonction PN, la distribution de charges est donne par la relation suivante :
Avec : Na et Nd sont respectivement la densit daccepteurs et la densit de donneurs.
1. Exprimer, en fonction de x, le champ lectrique E(x) lintrieure de la zone de dpltion [ ].

2. Dduire la relation entre Na, Nd, et puis reprsenter le champ lectrique E(x).
3. Dterminer le potentiel dans chaque rgion de la jonction.
solution:
1. Le champ lectrique E(x) lintrieure de la zone de dpltion [ ].
Pour : , le champ lectrique scrit : ( )

Pour : , le champ lectrique scrit :
2. La relation entre Na, Nd, et :

Reprsentation du champ lectrique E(x).
E(x)
-Ln 0 Ln x
E(x=0)
3. Dtermination du potentiel dans chaque rgion de la jonction.
Pour : : ( )
Pour : :
V.3. Etude dune jonction PN polarise (hors quilibre).

a. Polarisation directe
Dans le cas d'une polarisation directe le sens passant dune diode est dfini par le sens des
courants crs par les porteurs majoritaires dans la jonction. Les lectrons majoritaires de la zone
N se dplacent vers lanode, les trous majoritaires de la zone P se dplacent vers la cathode. Le
sens direct est dfini par un courant dirig de lanode vers la cathode, figure 9.
51
P N
I2 P N
I1
Id i
VD
V
+
V
Figure V.9: Polarisation directe de la jonction PN et symbole de la diode
La diffrence de potentiel est suprieure zro.

V = Vp -Vn 0
Le courant cre par les porteurs minoritaires s'crit :
| |
Et le courant des porteurs majoritaires s'crit :
( )
| | | |
Le courant direct s'crit donc :
| | | | ( * | |
Alors, le courant rsulte du dplacement des porteurs majoritaires.
En polarisation directe, il faut vrifier que lintensit reste infrieure une valeur maximale
imax qui peut varier de 20 mA pour une diode de signal utilisable en hautes frquences plusieurs
ampres pour une diode de redressement utilisable une frquence voisine 50 Hz.
imax
U O V
Caractristique I = f(V) d'une diode
52
b. Polarisation inverse.
Lors de lutilisation en polarisation inverse, la tension doit rester suprieure une valeur minimale
note ( U). Dans le cas de la polarisation inverse la jonction est relie une alimentation dans le
sens bloqu, figure 10.
La diffrence de potentiel s'crit :

V = Vn -Vp 0
Le courant cre par les porteurs minoritaires s'crit :
| |
Et le courant des porteurs majoritaires s'crit :
( )
| | | |
Le courant inverse s'crit donc :
| | | | | | ( *
Alors, le courant rsulte du dplacement des porteurs minoritaires. Lintensit du
courant est trs faible, il est de l'ordre de quelques pA quelques nA.
P N
i2
P(Anode) N (Cathode)
i1
iinv VD
i=0
V
+
V
Figure V.10: Polarisation inverse de la jonction PN
c. Caractristique courant tension I(V)

La caractristique courant - tension i(V) est reprsente par le graphe suivant :
- La rsistance statique est donne par la relation : i P
H
O V
- La rsistance dynamique par la relation : Vseul
Is
Bloqu Passant
Caractristique I = f(V) d'une diode
53
Remarques :
- La rsistance dans le sens passant Rd est de quelques .
- La rsistance dans le sens bloqu est trs leve et tend vers infinie.
- Le courant inverse Is est constant et vaut quelques A.
- La tension seuil Vseuil = VD = 0, 2 V pour Ge et 0,6 V pour Si.
- La zone o le potentiel est infrieure -U (u < U), est appele zone davalanche. C'est une
zone dans laquelle la diode est dtriore.
V.4. Types de jonctions PN

V.4.1. Diodes Zener
Les diodes Zener sont des stabilisateurs de tensions continues. Ce type de diode permet de
conserver la tension constante dans la zone de claquage. La caractristique de la diode Zener est
reprsente par la fonction I = f(V) suivante : i
En polarisation inverse, si la tension dpasse une
tension (- Vz), selon de composant choisi, il apparat
un courant dit de claquage de la jonction. Ce
phnomne est d soit leffet davalanche, soit -Vz (tension de Zener)
ba O V
leffet Zener. La tension de claquage est faible
(quelques volts ou quelques dizaines de volts). Zone
de claquage
Is
- le claquage par effet Zener se produit lorsque
| | .
- le claquage par l'effet avalanche se produit lorsque Caractristique I = f(V) d'une diode Zener
| | .
Symbole diode Zener
V.4.2. Diodes avalanche

Dans les diodes semi-conducteurs et mme les transistors, le mode de claquage le plus
courant se produit par effet avalanche. Ce phnomne rsulte lorsqu'une forte tension inverse est
applique aux bornes de la jonction. En effet, sous l'effet du champ lectrique interne, lnergie
cintique des porteurs minoritaires devient suffisante pour crer des paires lectron-trou dans la
zone de transition. Ces porteurs sont ensuite acclrs par le champ interne et cre leur tour de
nouvelles paires lectron-trou (do le non davalanche du phnomne). Le courant augmente trs
rapidement et provoque ainsi la destruction de la jonction par effet Joule.
54
V.4.3. Diodes effet tunnel

Dans certaines conditions, en polarisation inverse dune jonction PN, les lectrons de la
bande de valence dans la partie P de la jonction peuvent passer directement la bande de
conduction de la partie N de la jonction. Ce processus de nature quantique est appel effet tunnel.
V.5. Applications des jonctions PN : Redressement de signaux alternatifs

Les appareils lectroniques fonctionnent sous tension continue. Pour cela, la diode
jonction est principalement utilise pour transformer un signal sinusodal en signal continu.
Parmi les applications des diodes les plus utiliss sont le redressement mono-alternance et double
alternance.
- Le redressement mono-alternance consiste transformer le signal sinusodal, cest--dire
supprimer les alternances ngatives ou les alternances positives, figure V.10.
- Le redressement double alternance consiste rendre positive les alternances ngatives du signal
sinusodal, figure V.10.
Tension
Signal sinusodal
Tension
Redressement mono-alternance
Tension Redressement double alternance
Figure V.11: Redressement mono-alternance et double alternance d'un signal sinusodal
55
Chapitre VI : Transistors bipolaires
VI.1. Introduction aux transistors bipolaires (NPN et PNP)

Un transistor est constitu par trois rgions appeles ; metteur, base et collecteur. La jonction
entre lmetteur et la base ou entre la base et le collecteur est un contact mtallurgique.
Il existe actuellement deux classes de transistors :
- Les transistors bipolaires : Ils sont constitus de trois zones de semi-conducteurs de
type (NPN) ou de type (PNP).
- les transistors unipolaires : Dans ce type de transistors un seul type de porteurs de
charge est responsable du passage de courant. Ce sont les transistors effet de champ
(TEC), ou transistors FET (Field Effect Transistors).
Ce chapitre est consacr seulement aux transistors bipolaires.
VI.1.1. Dfinition
Un transistor bipolaire (bijonction PNP ou NPN) est constitu de deux jonctions PN ayant des
sens passants opposs. Cest un monocristal de semi-conducteurs, principalement le silicium, dop
pour obtenir les deux jonctions N/P et P/N. il existe deux types de transistors bipolaires : comme
le montre la figure VI.1.
- Les transistors NPN : Dans ce type de transistors, la couche mince dope P est situe
entre les deux zones dopes N. (figure VI.1)
- Les transistors PNP : Dans ce type de transistors, la couche mince dope N est situe
entre les deux zones dopes P.
Base
Emetteur Collecteur
N P N
Figure VI.1 : Les diffrentes reprsentations du transistor NPN
56
- La flche sur le dernier schma montre le sens passant de la jonction (B/E).

- iE : le courant metteur
- iC : le courant collecteur
- iB : le courant base.
Les caractristiques du transistor sont les suivantes :
- Le courant metteur est donn par la relation :
- La rsistante dentre R(B/E) de la jonction passante (B/E) est faible et la rsistante de
sortie R(B/C) de la jonction (B/C) est trs grande. jonction (B/C) est une jonction
bloque.
- Lamplification statique est dfinie par le facteur avec ;
VI.1.2. Proprits des diffrentes rgions

Le transistor peut tre considr comme composant trois bornes (triple) : Emetteur, Base et
Collecteur.
La base :
La base est une couche intermdiaire, elle est trs mince et lgrement dope. La concentration en
porteurs majoritaires est assez faible.
Lmetteur :
Lmetteur est la zone la plus dope du transistor. Le rle de lmetteur consiste injecter des
porteurs dans la base (lectrons dans le cas dun transistor NPN).
Le collecteur :
Le collecteur est de mme type que lmetteur. Le dopage du collecteur est plus faible que celui de
lmetteur et sa gomtrie est diffrente. Le rle principal du collecteur est de recueillir les
porteurs (lectrons dans le cas dun transistor NPN).
Remarque : Le nom transistor (transfert de rsistors) de ce type de diple lectrique rsulte de ses rsistances caractristiques
(rsistance faible entre la jonction (B/E) et leve entre la jonction (B/C)).
VI.1.3. Transistors bipolaires non polaris de type (NPN)

Le transistor bipolaire de type (NPN) est le transistor le plus utilis et le plus facile raliser. Si
les rgions NPN du transistor ne sont plus isoles lune de lautre, les lectrons libres diffusent
travers les deux jonctions ce qui donne deux zones de dpltion (figure VI.2). Ces zones sont
pauvres de porteurs majoritaires et la barrire de potentiel pour chacune delles est denviron 0,6
0,7 volt (cas du silicium Si ).
57
Zones de dpltion
Figure VI.2 : Transistor bipolaire NPN non polaris
Dans les trois rgions dopes, les concentrations en porteurs ne sont pas les mmes. La largeur de
la zone de dpltion ct metteur (fortement dop) est donc beaucoup moins large que celle du
ct base qui est trs peu dope. La largeur de la zone de dpltion du ct collecteur est presque
la mme que celle de la base.
VI.2. Effet transistor

Dans une jonction PN le courant inverse est proportionnel aux densits de porteurs minoritaires.
L'effet transistor consiste moduler le courant inverse de la jonction base-collecteur polarise en
inverse, par une injection de porteurs minoritaires dans la base partir de la jonction metteur-
base polarise dans le sens direct. Les porteurs minoritaires injects (trous) dans la base sont
ensuite soumis un champ intense de la jonction base collecteur polarise en inverse puis drivent
vers le collecteur. Pour que les porteurs minoritaires atteignent la jonction base-collecteur
l'paisseur de la base doit tre infrieure leur longueur de diffusion. Cette condition est
fondamentale pour viter la recombinaison des porteurs minoritaires lors de la traverse de la
base.
Les quations permettant une meilleure description de fonctionnement du transistor se dduisent
partir de l'quation caractristique de la jonction PN. Le principe de superposions de deux tats
dquilibre (sans polarisation), collecteur-base puis metteur-base en court-circuit conduit aux
quations de fonctionnement dites de dEbers Moll, figure VI.3.
Collecteur-base en court-circuit (VEB 0 et VCB =0)

- Le courant de lmetteur IE est cr par les porteur de charge dans de la jonction PN. Il
est dfini par la relation suivante :

Le courant , est le courant de saturation de la jonction metteur-base.
- Le courant du collecteur est une fraction du courant metteur, dfini par la relation
suivante :

Avec, le gain courant du transistor tension collecteur-base nulle.
58
Base
Emetteur Collecteur
P
Base
Emetteur Collecteur
P
(1)Court circuit
Collecteur base
Base
Emetteur Collecteur
P Court circuit
Emetteur base
Figure VI.3 : Principe de superposition appliqu au bipolaire. Montages en court-circuit

collecteur-base et metteur-base
Emetteur-base en court-circuit (VEB =0 et VCB 0)

- Le courant du collecteur IC est cr par les porteur de charge dans de la jonction
collecteur-base polarise par une tension VCB. Il est dfini par la relation suivante :

Le courant , est le courant de saturation de la jonction collecteur-base.

- Le courant metteur scrit en fonction du courant collecteur par la relation :

Avec, i reprsente le gain courant inverse du transistor tension metteur-base nulle

et ( > i).
Par superposions des deux tats dquilibre, les expressions prcdentes permettent de
dduire les quations dEbers Moll :

( )

( )
59
VI.3. Equations dEbers Moll (transistor de type PNP)

Ltude du transistor repose sur les hypothses suivantes :
- La concentration des porteurs minoritaires injects dans l'une des rgions reste faible
devant celle des majoritaires, (hypothse de faible injection).
- Dans les zones de charge d'espace, les phnomnes de gnration-recombinaison sont
trs faibles et considrs ngligeables.
- La rgion de base est trs troite et trs peu dope.
- La rgion de base, la dure de vie des porteurs minoritaires est importante et leur
temps de transit est rduit. Cest--dire la longueur de diffusion de ces porteurs est
beaucoup plus grande que la largeur de la base.
VI.3.1. Courants de porteurs minoritaires dans l'metteur et le collecteur

Dans les diffrentes rgions, metteur et collecteur, les porteurs minoritaires sont injects vers la
zone de charge d'espace par leffet de la polarisation puis diffusent vers le contact ohmique situ
l'extrmit de la rgion, figure VI.4. Les densits de courants des porteurs minoritaires de
lmetteur et le collecteur (lectrons) crs par diffusion sont donnes par les relations suivantes :

( ), avec :

( )

( ) , avec :
( )

Avec :
- Lne et Lnc sont les longueurs de diffusion des lectrons dans l'metteur et le collecteur
respectivement.
- Les longueurs des rgions neutres d'metteur et de collecteur sont :
- Les ordres de grandeur des paramtres We, Lne, We et Lnc permettent de simplifier les
bornes des deux intgrales prcdentes comme suit :
( )
( )
60
Figure VI.4 : Transistor PNP polaris
VI.3.2. Courant de porteurs minoritaires dans la base

La distribution des porteurs minoritaires dans la base (trous) est donne par lexpression suivante :
( *
Avec : K une constante dintgration dtermine par les conditions aux limites.
; est la constante de diffusion des trous dans la base.
; La distribution de donneurs dans la base et xe, xc sont les limites de la rgion neutre.
; reprsente le courant cr par les trous dans la base exprim par la relation :
Avec aussi ;
- , les densits de trous et de donneurs en x = xe.
- , les densits de trous et de donneurs en x = xc.
En raison des faibles recombinaisons dans la base, considres ngligeables, le courant dans la
base est indpendant de x.
Les densits de porteurs minoritaires (trous) aux limites de la zone de charge despace sont
donnes par les relations suivantes :
et
61
Lexpression du courant de porteurs minoritaires dans la base, en fonction des tensions metteur-
base et collecteur-base scrit donc :
( )

*( * ( )+

Cette relation montre bien que le courant est compos des deux contributions tudies
prcdemment : Collecteur-base en court-circuit (VEB 0 et VCB =0) et Emetteur-base en court-
circuit (VEB =0 et VCB 0).
VI.3.3. Courants d'metteur et de collecteur

Dans les zones de charge despace, les courants sont les mmes (phnomnes de gnration-
recombinaison sont ngligeables). Alors,
Les courants de lmetteur et du collecteur scrivent alors ;
Par substitution des diffrents courants, les courants de lmetteur et du collecteur scrivent aussi
sous la forme suivante :

( )

( )
Avec :
( ,

( )
( ,
( )

62
Et

( )

( )
Ces relations vrifient facilement lgalit suivante :
Si on pose :

( )

( )
Les quations dEbers Moll scrivent sous forme :
Si le potentiel VCB = 0, les courants de lmetteur et de collecteur sont :

( )

( )
Lorsque VCB 0, avec VCB < 0 et -VCB >> kBT/e, se rduit .
Daprs ces quations, Il est possible dtablir un schma quivalent du transistor. Ce schma est
appel schma dEbers Moll, figure VI.5.
Figure VI.5 : Schma quivalent du transistor (schma dEbers Moll)
63
VI.4. Caractristiques courant tension dun transistor (montage metteur commun)

En pratique le transistor est utilis comme un composant quatre bornes, cest--dire un
quadriple. Dans ce cas, lune des trois bornes, metteur, base et collecteur est commune entre
lentre et la sortie. Parmi les montages possibles, le plus utilis est celui de lmetteur comme
borne commune, figure VI.6.
Dans un montage dmetteur commun, la partie entre du circuit est le ct base, la diffrence de
potentiel est Veb. La partie sortie du circuit est du ct collecteur, la diffrence de potentiel est Vec.
Les courants dentre et de sortie sont respectivement le courant de base Ib et le courant du
collecteur Ic.
Ic
C
Vbc
Ib B
Vec
Veb
Ie E
Figure VI.6: Transistor en metteur commun
Les quations correspondantes au montage metteur commun sont les relations de conservation
du courant et de potentiel suivantes :

( )

( )
Avec :
et
En rgime de fonctionnement normal, cest--dire le montage est en sens direct (ple (+) du
gnrateur est du ct base) condition que (-Vcb >> kBT/e) et (Veb >> kBT/e), les quations de
courants se simplifient aux quations :

( )

( )
Ceci permet de dduire le courant de base Ib.

( ) et Avec :
64
Comme le montre ces relations, lorsque Vce est constante le courant dentre Ib dpend de la
tension Vbe. Elles montrent aussi que le courant Ib est trs infrieur au courant Ie ( 1). La
caractristique d'entre est reprsente par la partie (3) dans la figure VI.7.
Ic Ib3
(1)
(2)
Ib2
Ib1
Ib Vce
Ib1
(3) Ib2
Ib3
Vbe (4)
Figure VI.7 : Caractristiques d'entre et de sortie du montage metteur commun
Les caractristiques de sortie sont exprimes par le courant Ic (Vce) Ib constant. La figure montre
bien que le courant Ic varie linairement avec la tension Vce avec une pente proportionnelle au
courant dentre Ib, partie (1) de la figure.
Remarquons bien que lextrapolation des parties linaires des caractristiques Ic (Vce) convergent
en un mme point de tension (Va = - o/K) quel que soit le courant dentre Ib. Cette tension est
appele tension de dEarly. Le courant de sortie est donn par la relation suivante :
Avec :
En conclusion, le gain en courant augmente linairement avec la tension de polarisation Vce,

partie (2) de la figure VI.7. La caractristique de transfert en courant donne par la relation
est reprsente par la partie (4) de la figure. Elle traduit la variation
de la tension Vbe en fonction de la tension Vce. Les courbes traces montrent la faible sensibilit de
la tension Vbe Vce.
Remarques :
- Le coefficient damplification en courant varie de plusieurs centaines pour les petits transistors quelques
dizaines pour les composants de puissance leve.
- Si les polarits du gnrateur sont inverses (sens indirect) aucun courant ne passe dans le circuit, le transistor est
bloqu.
- Les ordres de grandeur des intensits de courants mises en jeu sont : IB de quelques A et IC de quelques mA.
- Les ordres de grandeur des tensions sont : Vce < 10 V et Vbe < 0.6 V.
65
VI.5. Transistor amplificateur en montage metteur commun

VI.5.1. Caractristiques statiques et point de fonctionnement
Considrons le montage de la figure VI.6. Les caractristiques du transistor sont reprsentes par
les relations suivantes :
et
- La jonction base metteur (B/E) est passante. Ceci signifie que la rsistance dentre
RB/E est considre faible.
- La jonction base collecteur (B/C) est bloque. Ceci signifie que la rsistance de sortie
RB/C est considre trs grande.
- Lamplification statique est exprime par de coefficient , .
- Les caractristiques du transistor, transfert de courant, courant dentre et de sortie
sont reprsentes graphiquement sur la figure VI.8.
Caractristique
Caractristique de
de sortie
transfert de courant
(1) (2)
Caractristique
dentre
Figure VI.8 : Reprsentation graphique des caractristiques du transistor, transfert de courant,

courant dentre et de sortie
Pour que le courant dentre reste constant, la rsistance Rb doit tre importante, de lordre de
10 k (Rb 10 k), figure VI.9. Dans ce cas : Vbe = Vbb Rb Ib.
La rsistance Rc limite le courant Ic, cest--dire la puissance Pmax est de quelques 0.1 mW. La
valeur de Rc est comprise entre 200 et 1 k. Alors : Vce = Vcc Rc Ic.
Lorsque le transistor est polaris en entre et en sortie laide des alimentations VBB et VCC. Le
point de fonctionnement (P) du transistor se situe sur une droite (SB) appele droite de charge
statique (figure VI.10). Cette droite relie les deux points B(Vcc) et S(Vcc/Rc). Deux modes de
fonctionnement du transistor sont distingus, en commutation ou en amplification.
66
Ic Rc
C
Rb Ib B
Vce Vcc
Vbb Vbe
Ie E
Figure VI.9: Montage en metteur commun dun transistor polaris
En commutation :
- le potentiel Vbe < 0.6 V, le courant Ib est trs faible et le courant Ic Ib 0. Au point B,
Vce = Vcc, dans ce cas le transistor est bloqu.
- Lorsque Ib est maximum, les potentiels Vbe 0.6 V, Vce 0 et le courant Ic Vcc/Rc,
dans ce cas le transistor est satur.
En amplification :
- Entre les points B et S, le courant Ic se dduit de la droite de charge statique par la
relation Ic = Ib.
S Droite de
charge statique
Droite de
commande statique
Figure VI.10 : Reprsentation graphique du point de fonctionnement (droite de charge statique)
67
VI.5.2. Amplification en tension et fonction de transfert

Dans les circuits lectroniques lamplification des signaux repose essentiellement sur les
transistors. Ce composant lectronique constitue galement llment de base dans la fabrication
des circuits intgrs. Parmi les trois montages fondamentaux, le montage en metteur commun est
le plus utilis.
Considrons le montage metteur commun de la figure VI.8. Lorsque le circuit est sous une
tension alternative sinusodale, la tension dentre Veb = Ve est amplifie entre le collecteur et
lmetteur.
is =Ic
C
ie =Ib
B
Vec = Vs
Veb = Ve
Ie E
Figure VI.8: Transistor en metteur commun (tension sinusodale)
En notation complexe, la tension dentre est exprime en fonction de limpdance dentre Ze par
la relation suivante :
A la sortie, la tension Vs est exprime aussi en fonction de limpdance Zs par la notation complexe
suivante : (limpdance Ze est faible devant limpdance Zs)
- La fonction de transfert H appele aussi amplification en tension est donne par la
relation :
- Lamplification en courant est donne par la relation :
- Lamplification en puissance est donne par la relation :

- Le gain en puissance est dfini par la relation: | | (en dB)
La figure VI.11, montre lvolution de la tension de sortie en fonction de la tension dentre. La
rgion (1). La courbe de transfert correspond la fonction en amplification et la rgion (2) la
saturation.
Vs
(1) (2)
Ve
Figure VI.11 : Evolution de la tension de sortie Vs en fonction de la tension dentre Ve

68
Rfrences :
1. Physique des semi-conducteurs et des composants lectroniques, cours et exercices

corrigs. Henry Mathieu et Herv Fanet. Dunod, Paris, 2009
ISBN 978-2-10-051643-8
2. Principles of semiconductor devices. Sima Dimitrijev, Griffith University, Second Edition.

NewYork Oxford Oxford University Press 2012.
ISBN 978-0-19-538803-9
3. Physics of Semiconductors. B. Sapoval and C. Hermann. Springer-Verlag 1995.

ISBN 0-387-94024-3
4. Semiconductor Physical Electronics. Sheng S. Li, Second Edition 2006. Springer ISBN 10:
0-387-28893-7.
5. Chimie des solides. Jean.-Francis. Marucco, EDP Sciences 2004.

ISBN : 2-86883-673-9
6. Aide-mmoire, Composants lectroniques, 3me dition. Pierre May. Dunod, Paris, 2005
ISBN 2 10 048885 6
7. Physique tout en un MPSI PCSI PTSI 1re anne. Cours et exercices corrigs. Marie-
Nolle Sanz, Anne-Emmanuelle Badel et Franois Clausset. Dunod, Paris, 2008
ISBN 978-2-10-053977-2
69

Cour SC Alger

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cour SC Alger

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Physique des Semi-conducteurs : 2013-2014

Physique des Semi-conducteurs

Dr. AH. SOUICI

Matre de confrences au dpartement de Physique

Table des matires

Chapitre I : Milieux Semi-conducteurs : Gnralits

Chapitre II : Etude des Semi-conducteurs intrinsques lquilibre

Chapitre III : Etude des Semi-conducteurs extrinsques

Chapitre IV : Etude des Semi-conducteurs hors quilibre

Chapitre V : Etude des Jonction PN

Chapitre VI : Transistors bipolaires

Chapitre I : Milieux Semi-conducteurs : Gnralits

I.1. Rappel : Cristaux et types de liaisons

I.2. Introduction aux milieux matriels

Schma : Structure en bandes dnergie des matriaux ;

I.3. Dfinitions des milieux semi-conducteurs intrinsques (simples et composs)

b. Semi-conducteurs intrinsques composs :

- Semi-conducteurs quaternaires : Phosphure de gallium-indium-aluminium (AlGaInP), Arsniure-

I.4. Proprits structurales des semi-conducteurs intrinsques

a) Silicium (Si : groupe despace no 227, )

b) Germanium (Ge : groupe despace no 227, )

Figure I.2 : Structure diamant : a) Silicium et b) Germanium.

b. Structure Zinc blende :

Figure I.3 : Structure zinc blende de ZnS avec le ttradre

- La maille contient 4 atomes Zn et 4 atomes S et le rseau cfc a 4 nuds. Il est donc

c. Structure Wurtzite (Hexagonale) :

Site ttradrique Couche A

Figure I.4 : Structure Wurtzite de ZnS.

- La structure NaCl appartient au groupe despace Fm3m (no225).

Figure I.5 : Structure NaCl de PbS (Pb en gris et le S en couleur jaune)

I.5. Proprits lectroniques des solides semi-conducteurs (configuration lectroniques)

1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

b. Structure lectronique du Germanium (Ge) :

Bande de Valence (BV)

I.7. Dfinition des semi-conducteurs intrinsques gap direct et gap indirect.

Figure I.7 : Semi-conducteurs gap direct

est le vecteur donde associe llectron.

Exemples : gap direct au centre de la ZB (GaAs) et gap direct au bord de la ZB (PbTe)

b. Semi-conducteurs intrinsques gap indirect

bas de la bande de conduction (BC) est accompagne par le changement de la quantit de

Figure I.8 : Semi-conducteurs gap indirect

E Silicium (Si) E Germanium (Ge)

: est la masse effective donne par la relation :

: Composante de k porte sur laxe (Z)

Et : ; sont les paramtres de la bande de valence.

Figure I.9 : Trous lords et trous lgers dans la bande de valence

Chapitre II : Etude des Semi-conducteurs

II.1. Introduction aux Semi-conducteurs intrinsques (non dops) lquilibre

II.2. Statistiques de Fermi-Dirac et de Maxwell-Boltzmann (Fonctions de distributions des

II.2.1. Statistiques de Maxwell-Boltzmann

- L'nergie totale du systme s'crit :

La fonction de distribution de Maxwell-Boltzmann est donne par la relation suivante :

Avec, A et des constantes.

L'nergie totale du systme de N particules est :

L'nergie thermique de l'lectron est :

La fonction de distribution des particules donne en fonction de la vitesse est :

La figure II.1, reprsente l'volution du nombre N de particules en fonction de la vitesse v.

Figure II.1 : Evolution du nombre N de particules en fonction de la vitesse

II.2.2. Statistiques de Fermi-Dirac

: est le nombre d'lectrons dans le niveau d'nergie

La fonction de distribution est donne par la relation suivante :

La fonction de distribution s'crit alors, figure II.2 :

Figure II.2 : la distribution de Fermi-Dirac f (E) en fonction de la temprature et sa drive

II.3.1. Densit d'tat dans la bande de conduction (BC)