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MOSFET YJFET
Briceo Pablo
e-mail: pabriceno1@espe.edu.ec
Cachumba Santiago
e-mail: sjcachumba@espe.edu.ec
RESUMEN: 2. TRANSISTORES DE
El presente trabajo de investigacin contiene EFECTO DE CAMPO
informacin de importancia que le permite al lector
conocer acerca de los transistores de efecto de 2.1 CARACTERSTICAS GENERALES
campo denominados FET, los cuales se subdividen
en transistores del tipo JFET y MOSFET que son los Los transistores de efecto campo son dispositivos
que ms se destacan. Dentro del tema se abarca las similares a los transistores BJT, con la diferencia de que
caractersticas ms relevantes de estos transistores los transistores de efecto de campo basan su
comparndolos con los transistores BJT. Para cada funcionamiento en el campo elctrico para controlar la
tipo de transistor se explicar las diferentes formas forma y conductividad que tienen sus terminales, al igual
en las que se los puede polarizar, y su que los BJT estn hechos de un material
funcionamiento como amplificadores. semiconductor, posee tres pines, ver Fig.1, los cuales
se denominan de izquierda a derecha, con la cara plana
PALABRAS CLAVE: Transistores, efecto de del dispositivo frente a nosotros, reciben el nombre de
campo, polarizacin de transistores, configuracin de compuerta o puerta, drenaje y fuente.
transistores, JFET, MOSFET.
1. INTRODUCCIN
1
2.2 TRANSITORES JFET
Es un dispositivo de tres terminales que controla la
corriente a travs de uno de sus terminales, ver Fig. 4.
2.2.1 POLARIZACIN DE UN
TRANSISTOR JFET
Para la polarizacin de los transistores existen varias
formas de polarizacin que son:
a) Polarizacin fija
2
Figura 7. Recta de polarizacin de los JFET
tipo N. Tomado de: Glez, J. Polarizacin del
transistor de efecto de campo
+ + = 0 (5)
= + (6)
Anlisis:
= (+) () (1)
Dado que la fuente esta polarizada Figura 8. Recta de carga de los JFET tipo N.
inversamente, entonces significa que no existe Tomado de: Glez, J. Polarizacin del
corriente y por lo tanto = 0, obtenemos de transistor de efecto de campo
Ec.2:
= (3) Ejercicio 1:
Esta ecuacin representa a la recta de Encontrar la variacin del punto de operacin para
polarizacin, ver Fig. 7, en esta se puede el circuito mostrado:
observar la inestabilidad del punto de
operacin para los cambios de parmetros del
FET. [2]
Este tipo de polarizacin es la peor forma de
polarizar a un JFET, ya que el putos de
operacin ( , ) bastante inestable.
3
La Ec. 9. Se la conoce como ecuacin de la recta
= 12 = 20
de polarizacin, esta se la representa mediante la
= 1 = 8 Fig. 12, tiene una pendiente negativa y pasa por el
FET 2N5486
= 470 = 6 origen. [3]
= 1 = 2
Desarrollo:
b) Auto polarizacin
= (10)
Para la auto polarizacin el circuito equivalente es
el que se encuentra en la Fig. 11. Las coordenadas del punto de operacin cuando se
presenta ptima es:
= 0.382 (11)
= 0.382 (12)
+ + = 0 (13)
+ + = 0 (8)
4
= =
12 6 220(5.35)
=
5.35
= 900
= 20
FET = 6
= 0.382 = 5.35
= 1.15
5
Mediante estas dos ecuaciones se construye la
ecuacin de red para la configuracin del
divisor de voltaje en la Figura 15.
Ejercicio 3:
= 0 = ?
= ?
Despejando y reemplazando: = ?
= ?
= (15)
= ?
La Ecuacin 15 sigue siendo la ecuacin de una lnea Para las caractersticas de transferencia, si
recta, pero el origen ya no es un punto para trazar la
lnea, para determinar el otro punto de la recta se debe 8
colocar el valor de = 0 , con esto se asegura que = = = 2, entonces
4 4
la recta toque en algn punto del eje horizontal, para
descubrir el valor de este punto solo es necesario 4
= = = 2. La curva resultante que
reemplazarlo en la Ec. 15 y se obtiene: 2 2
6
2 (270)(16) compuerta-fuente y mayores niveles de corriente
= = = 1.82 de drenaje. [1]
1 + 2 2.1 + 0.27
b) MOSFET tipo enriquecimiento
= = 1.82 (1.5)
La lnea de polarizacion resultante aparece con Como podemos observar en la Fig. 16, para los
valores quiescentes de: MOSFET de tipo enriquecimiento de canal N, la
corriente de drenaje es cero con niveles de voltaje
de la compuerta menores que el nivel de umbral, la
= 2.4 corriente de drenaje se define como:
= 1.8
= ( () )2 (17)
= = 16 (2.4)(2.4)
= 10.24 De igual forma si se necesita definir K se lo puede
hacer despejndola de la Ec.17, se obtiene:
= = (2.4)(1.5) ()
= 3.6 = (18)
(()() )2
= ( + )
= 16 (2.4)(2.4 + 1.5) 2.2 FUNCIONAMIENTO DE LOS JFET Y
= 6.64 MOSFET CON AMPLIFICADOR
= = 10.24 1.82 Los transistores de efecto de campo proporcionan
= 8.42 una mejor ganancia de voltaje y una alta impedancia de
entrada [2], se pueden considerar como configuraciones
de bajo consumo de potencia, se puede utilizar en JFET
2.2.2 POLARIZACIN DE UN y MOSFET de empobrecimiento.
Al contrario que los BJT controla una gran corriente
TRANSISTOR MOSFET de salida por medio de una corriente de entrada
pequea, en cambio los FET controlan una corriente de
Para los transistores tipo MOSFET se puede salida a travs de un voltaje de entrada, es por esto que
analizar dos tipos de configuraciones que son las ms los FET son un ms sencillos de entender, y pueden
importantes, estas son: usarse como amplificadores lineales.
De igual forma se cuenta con configuraciones que se
a) MOSFET tipo empobrecimiento pueden implementar en los amplificadores FET, entre
los cuales tenemos
La semejanza que existe entre los JFET y
MOSFET de tipo empobrecimiento permite a) Polarizacin Fija
analizarlos de la misma manera en corriente
continua, la diferencia ms importante es que los El anlisis de corriente alterna de amplificadores
MOSFET de empobrecimiento permiten una mayor con BJT es muy similar al del JFET y se debe
operatividad con los valores positivos de voltaje de determinar los siguientes parmetros:
7
, , , para cada una de las configuraciones.
= 1 ||2 (19)
Figura 17. Configuracin de polarizacin fija
del JFET. Tomado de: Boylestad, R. 0 Al determinar = 0 , se establecen y a
Nashelsky, L. Teora de circuitos y cero, y
dispositivos electrnicos.
0 = || (20)
8
=
= ( || )
( || )
= =
= = ( || ) (22)
Si 10 ,
= (23)
5. CONCLUSIONES Y
RECOMENDACIONES
Gracias a la presente investigacin se verific
que los transistores tipo FET guardan bastante
similitud con los transistores BJT, con la gran
diferencia que estos los FET son controlados por un
voltaje de entrada y los BJT son controlados por una
corriente de entrada, adems que los FET presentan
ciertas ventajas en consumo de potencia y espacio
en comparacin con los otros.
Existen diferentes tipos de polarizaciones de un
transistor JFET y MOSFET cada una con una
aplicabilidad diferente, es por esto que es importante
conocer este tipo de polarizaciones y realizar el
anlisis respectivo para poder saber que
configuracin es mejor para cada tipo de circuito.
Para poder comprender de mejor manera las
ecuaciones que describen el funcionamiento de los
transistores FET es necesario conocer las
ecuaciones de Shockley y aplicarlas dentro de los
anlisis.
6. REFERENCIAS