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2. Assinale as alternativas abaixo com a letra V para verdadeiro e F para falso. Para as
alternativas assinalas como falso, justifique a sua escolha.
a. (V) Os transistores e os tiristores podem ser usados como chave eletrnica, abrindo e
fechando de maneira automtica centenas de vezes por segundo.
b.(F) A perda de potncia na chave eletrnica muito elevada quando a mesma se
encontra
fechada, j que a queda de tenso considerada elevada no estado ligado.
A chave eletrnica dissipa potncia ao conduzir.
c. (V) A chave eletrnica deve ficar desligada por perodos maiores e ligada durante a
menor
parte do tempo, quando precisamos de mais potncia na carga.
d.(V) A perda de potncia atribuda chave eletrnica o produto da corrente atravs da
chave pela tenso em seus terminais.
e. (V) Em um transistor funcionando como chave, a queda de tenso entre seus terminais
principais elevada, prxima ao valor da tenso da fonte, quando ele est ligado.
f. (V) Em um transistor funcionando como chave, a corrente nula quando o mesmo est
aberto, assim como o valor da tenso em seus terminais principais.
g.(V) Para uso geral, os transistores tm dois tipos bsicos de aplicao: amplificao e
chaveamento.
h.(V) Em eletrnica de potncia, os transistores so usados para o controle eficaz da
potncia.
i. (V) O TJB um dispositivo controlado por corrente e sua velocidade de chaveamento
mais lenta que a de um MOSFET.
j. (V) Os MOSFETs de potncia so dispositivos controlados por corrente e por tenso.
k.(V) Para obter valores mais altos de ganho de corrente, pode-se usar a conexo
Darlington
de dois TJBs.
l. (V) O MOSFET consegue transies mais rpidas entre os estados ligado e desligado do
que o TJB.
m. (V) O MOSFET tem aplicaes importantes em fontes de alimentao chavedas.
n. (V) No estado de conduo (ligado), o MOSFET tem baixas quedas de tenso, resultando
em perdas de potncia tambm baixas, em relao ao TJB.
o. (F) Assim como acontece com o MOSFET, o transistor IGBT acionado por tenso na
porta, podendo essa tenso ter qualquer valor, para que o dispositivo entre no estado
ligado.
A tenso tem que ser maior que Vt pra ele ligar.
p. (V) Os IGBTs so utilizados em aplicaes de alta tenso, em substituio ao MOSFET,
onde as perdas na conduo devem ser mantidas em valores baixos.
q. (V) Embora as velocidades de chaveamento do IGBT sejam maiores do que as dos TJBs,
so menores do que as dos MOSFETs.
r. (F) Ao contrrio dos MOSFETs, os IGBTs tm uma capacidade de bloqueio para tenses
inversas muito boa.
Sua capacidade de bloqueio para tenses inversas muito ruim.
3. Sejam dois transistores TJB, Q1 e Q2. O transistor Q1 est trabalhando com 20 A, sendo
1 = 20, e Q2 trabalhando com 100 A, sendo 2 = 10. Determine a corrente de base
requerida para passar a conexo Darlington ao estado ligado. Calcule a corrente de base
requerida se Q2 for usado isoladamente. (Resp. Ib = 0,6 A; Ib2 = 10 A.)
IBtotal = (IC1 + IC2) + (1*2) => (20+100)/(20/10) = 0,6A
IB2 = IC/2 => 100/10 =010A
SCR TRIAC
c) O SCR pode ser analisado atravs da analogia de dois transistores complementares
PNP-NPN. Desenhe a representao e explique como acontece o processo de
realimentao positiva.
3. No circuito abaixo, tem-se uma lmpada ligada a uma fonte 127V AC, senoidal, e
acionada por TRIAC. Esboce as formas de onda de tenso na lmpada com a chave CH
nas posies 0, 1 e 2.
0 - Sem onda
1 - Sinal negativo cortado
2 - Sinal arternado normal
4. No circuito abaixo, a corrente de manuteno do SCR TIC116 igual a 15mA. Quando a
chave CH1 fechada, pode-se afirmar que:
Corrente de anodo = 1mA
Tenso de gatilho = 5V
a) O SCR dispara.
b) O SCR no dispara.
c) O SCR queima, pois tem a corrente de manuteno muito alta.
d) O SCR dispara, mas no se mantm ligado por muito tempo.