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Eletrnica Bsica

CAPTULO 1
A ESTRUTURA DO TOMO
1.1 INTRODUO
Matria tudo o que ocupa lugar no espao e pode ser encontrado em
trs estados: slido, lquido e gasoso.
A menor parte de uma Matria a molcula, sendo que as molculas so
constitudas de tomos.
Os tomos so compostos por prtons, nutrons e eltrons, sendo que a
carga do eltron igual a do prton, porm de sinal contrrio.
Os nutrons e prtons ficam agrupados no ncleo e os eltrons giram em
torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num total de at sete
camadas. Quanto mais prximo do ncleo estiver o eltron maior ser a fora
de atrao sobre ele.
Em cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e
geralmente ela que participa das reaes qumicas. na camada de valncia
que encontramos os chamados eltrons livres, pois so eles que se separam
mais facilmente dos tomos.
Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes
tipos de tomos, diferenciados entre si pelo nmero de prtons, eltrons e
nutrons.
Cada material tem uma infinidade de caractersticas, mas uma especial
em eletrnica o comportamento passagem de corrente. Pode-se dividir em
trs tipos principais: Condutores, Semicondutores e Isolantes.

1.2 MATERIAIS CONDUTORES DE ELETRICIDADE


So materiais que no oferecem resistncia a passagem de corrente
eltrica. Quanto menor for a oposio a passagem de corrente, melhor
condutor o material.
O que caracteriza o material bom condutor o fato de os eltrons de
valncia estarem fracamente ligados ao tomo, encontrando grande facilidade
para abandonar seus tomos e se movimentarem livremente no interior dos
materiais. O cobre, por exemplo, com somente um eltron na camada de
valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar estabilidade. O eltron cedido
pode tornar-se um eltron livre.

1.3 MATERIAIS ISOLANTES

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So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a


passagem da corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente
ligados aos seus tomos, sendo que poucos eltrons conseguem desprender-se
de seus tomos para se transformarem em eltrons livres.
Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substncias
compostas (borracha, mica, baquelita, etc.).

1.4 MATERIAL SEMICONDUTOR


Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como
exemplo temos o germnio e o silcio.

1.5 IONIZAO DE TOMOS


Ionizao o processo pelo qual um tomo ganha ou perde eltrons.
O tomo que possui a mesma quantidade de eltrons e prtons
considerado neutro.
Quando um tomo possui maior quantidade de eltrons que de prtons o
mesmo considerado negativo e podemos cham-lo de on Negativo
(nion).
Quando um tomo possui maior quantidade de prtons que de eltrons o
mesmo considerado positivo e podemos cham-lo de on Positivo (Ction).

1.6 ELETRICIDADE ESTTICA


Quando esfregamos dois materiais diferentes como l e vidro, o atrito faz
com que os eltrons livres passem de um material para outro, ao separar os
objetos teremos um com maior quantidade de prtons. A carga que cada
objeto ganhou o que chamamos de eletricidade esttica.
O corpo humano tambm produz esttica, que o acmulo de eltrons, e
se tocarmos em algum material que esteja carregado por prtons ento os
eltrons que encontram-se no corpo passaro para o material tocado, sendo
que no momento em que isso ocorre existe a liberao de energia eltrica. Se
o material que foi tocado (por exemplo alguns componentes eletrnicos) for
sensvel a quantidade de energia eltrica que foi transmitida o mesmo poder
ser danificado.

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Por este motivo que sempre devemos utilizar pulseiras anti-estticas ou


descarregarmos nosso corpo tocando em objetos metlicos aterrados antes de
tocarmos em componentes como memria, processador, hard-disk, etc; pois
estes componentes sero seriamente danificados por uma descarga eltrica
oriunda de esttica.

CAPTULO 2
GRANDEZAS ELTRICAS
2.1 INTRODUO
Para abordarmos a anlise e elaborao de projetos de circuitos eltricos
nesta apostila, ser necessrio conhecermos como resolver com preciso estes
circuitos constitudos por malhas e compostos exclusivamente por geradores
de tenso e elementos passivos, ou seja, resistncias, capacitores e indutores
(bobinas).
A resoluo de um circuito consiste basicamente em calcularmos a
corrente que circula pelos componentes e tambm as quedas de tenso que
ocorrem nos mesmos.
Neste captulo nos dedicaremos a resolver circuitos compostos por
geradores de corrente contnua, e constitudos apenas por elementos
resistivos.
2.2 GRANDEZAS FUNDAMENTAIS DO CIRCUITO ELTRICO
As principais grandezas eltricas utilizadas nos circuitos so: tenso
eltrica, intensidade de corrente, a fora eletromotriz e a resistncia eltrica.
2.2.1 TENSO ELTRICA

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A tenso eltrica a diferena de nvel eltrico existente entre dois


pontos distintos de uma rede ou circuito eltrico, sendo conhecida tambm
por diferena de potencial (ddp), ou queda de tenso quando os pontos
considerados so os terminais de um elemento passivo (resistncia, indutncia
ou capacitncia).
Podemos representar a ddp atravs de expresses como Vab, sendo a e b
os pontos do circuito com diferentes nveis eltricos.
A unidade da tenso eltrica o Volt (V), sendo que podemos medir a
mesma atravs de um instrumento chamado voltmetro.
O voltmetro dever ser colocado em paralelo com os pontos nas quais
desejamos medir a ddp.
Para valores de tenso eltrica muito grandes ou muito pequenas
podemos utilizar os seguintes prefixos:

- M (mega) = 106;

- K (kilo) = 103;

- m (mili) = 10-3;

- (micro) = 10-6;

- n (nano) = 10-9;

- p (pico) = 10-12;
Estes prefixos anteriormente apresentados tambm so empregados em
muitas outras grandezas (eltricas ou no).
2.2.2 INTENSIDADE DE CORRENTE
Quando pontos em um circuito apresentarem diferena de potencial
eltrico, ser observado um movimento de cargas eltricas, mais
especificamente de eltrons livres que se encontram nos materiais que
compem o circuito.
A intensidade de corrente, freqentemente denominada de corrente
eltrica, a quantidade de carga que circula no circuito por unidade de tempo.
A carga total que circula no circuito representada pela letra Q, sendo
medida em coulombs. A intensidade de corrente representada pela letra I
medida em coulombs / segundo, sendo que esta relao recebe o nome de
ampere (A).

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Podemos medir a intensidade de corrente que circula em um circuito


atravs de um aparelho chamado ampermetro, bastando para isso
interromper o circuito no local onde se deseja medir a intensidade de corrente
e inserir o ampermetro naquele local.
2.2.3 FORA ELETROMOTRIZ
Nos circuitos eltricos e/ou eletrnico necessrio existncia de pelo
menos um gerador para que os eltrons se mantenham em movimento, ou
seja, exista corrente eltrica. A fora capaz de manter estes eltrons em
movimento denominada fora eletromotriz (fem) e caracterstica de
diversos tipos de geradores eltricos, baterias, pilhas, etc.
A fem possui a mesma natureza que a tenso eltrica, e, portanto tambm
se mede em Volts (V).
Todo gerador real tem uma resistncia interna; por este motivo a sua fem
coincide com a tenso medida entre seus bornes somente quando funciona em
vazio (quando est desligada do circuito, ou seja, no circula corrente no
circuito). O gerador de tenso ideal possui resistncia interna nula, e este
tipo de gerador que ser considerado para os nossos estudos.
2.2.4 RESISTNCIA ELTRICA
Podemos definir a resistncia eltrica como sendo a menor ou maior
dificuldade que diferentes materiais oferecem a circulao de uma corrente
eltrica.
A resistncia eltrica representada pela letra R e seu valor medido em
Ohms ().
Podemos medir o valor de uma resistncia com o uso de um aparelho
chamado ohmmetro, de maneira anloga ao voltmetro.
Tambm possvel se determinar o valor de uma resistncia por
comparao, utilizando para isso uma rede de resistncias interligadas de
forma peculiar, que recebe o nome de Ponte de Wheatstone.
2.3 CIRCUITO ELTRICO COMPLETO
Na figura abaixo est representado o que chamamos de circuito eltrico
completo:

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S
I a +

+
E R Vab

I
b -

Este circuito constitudo por um gerador de cc (corrente contnua) E,


uma chave (interruptor) S e uma carga R, todos interligados por um condutor
eltrico. Enquanto o interruptor S estiver aberto no haver circulao de
corrente eltrica, visto que a fem da fonte E no ser aplicada a carga R.
Quando S fechada comear a circular no circuito eltrico uma corrente I,
conforme o sentido indicado, ou seja, sai do plo positivo da pilha ou gerador
e retornar ao plo negativo do mesmo. Este sentido indicado anteriormente
para a circulao da corrente chamado de sentido convencional, pois
antigamente se imaginava que as cargas que se deslocavam na corrente eram
positivas e foi convencionado desta forma.
Na verdade em uma corrente eltrica so os eltrons que circulam, e
como a carga dos mesmos negativa o sentido real da corrente que a
mesma sai do plo negativo da pilha ou gerador e retorna ao plo positivo.
Com o interruptor S fechado aparecer nos terminais a e b da carga R
uma ddp (Vab), que neste caso tem o mesmo valor da fem do gerador E (para
isto ocorrer foi considerada nula a resistncia do gerador e dos condutores
eltricos).
A seta da figura indica o ponto de maior potencial (ponto a), que por
onde a corrente que atravessa a carga R entra na mesma.
2.4 RESISTIVIDADE, REISTNCIA E LEI DE OHM
As diferentes substncias que conhecemos no oferecem a mesma
dificuldade passagem da corrente eltrica, e de acordo com o grau desta
dificuldade dividimos estas substncias em condutores, semicondutores e
isolantes. A grandeza que indica se uma substncia maior ou menor
condutora de corrente eltrica denomina-se de resistividade (medida em
.m), representada pela letra grega (ro).
Os bons condutores caracterizam-se por ter uma resistividade muito
pequena, j os isolantes tem uma resistividade muito grande, sendo que ainda
no existem os condutores perfeitos ( = 0) nem os isolantes perfeitos ( =
). Na tabela abaixo so indicados alguns valores de resistividade para um
conjunto de substncias a temperaturas prximas a ambiente.

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(-m) (C-1)
Substncia
2,8 x 10-8 0,0037
Alumnio 3500 x 10-8 -0,0005
49 x 10-8
Carvo 1,7 x 10-8 0,0039
12 x 10-8 0,0047
Constantan 7 x 10-8 0,002
43 x 10-8
Cobre 94 x 10-8 0,00088
100 x 10-8 0,0004
Ferro 1,6 x 10-8 0,0037
22 x 10-8 0,0043
Lato 5,5 x 10-8 0,0045

Condutores Manganina

Mercrio

Nicrmio

Prata

Chumbo

Volfrmio
5 x 1014
mbar 1 x 1015
2 x 10 - 2 x 1014
5

Enxofre 75 x 1016
1 x 1013 - 1 x 1016
Baquelite 1 x 108 - 1 x 1011
1 x 1011 - 1 x 1015
Isolantes Quartzo 1 x 1010 - 1 x 1014

Ebonite

Madeira

Mica

Vidro

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Conforme podemos observar alguns condutores se destacam pela sua


baixa resistividade, como, por exemplo, o cobre e o alumnio, muito
utilizados comercialmente para a fabricao de cabos eltricos devido a seus
custos relativamente baixos. A resistividade tem seu valor constante se a
temperatura no variar.
O ouro e a prata so os melhores condutores, mas devido a seus elevados
preos apenas so utilizados em aplicaes especiais.
A resistncia de uma substncia depende de sua resistividade e de suas
dimenses, ou seja, a resistncia de um condutor diretamente proporcional a
resistividade () e ao seu comprimento (L), e inversamente proporcional
rea de sua seo (A):
R= L
A
Se a resistividade de um condutor for constante, a resistncia tambm o
ser, caso no variarem o comprimento e a seo do mesmo.
A intensidade de corrente I que circula por um condutor de resistncia R
diretamente proporcional diferena de potencial (V ab) aplicada nos
extremos do condutor, ou seja, funo linear de V ab. Esta relao foi
estabelecida pelo fsico alemo George Simon Ohm, sendo por isso conhecida
como Lei de Ohm. A resistncia de qualquer dispositivo eltrico pode ento
ser definida como a razo entre a diferena de potencial existente entre seus
plos e a intensidade da corrente que nele circula:
R = Vab
I
Desta mesma equao podemos afirmar que 1 ohm = 1 volt / 1 ampere, e
que:
Vab = R.I
E tambm que:
I = Vab
R
2.5 RESISTORES
Resistores so componente passivos que possuem a propriedade da
resistncia, ou seja, se opor a passagem da corrente eltrica. representado
pela letra R e sua unidade o Ohm.
2.6 ASSOCIAO DE RESISTNCIAS

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Quando construirmos ou analisarmos circuitos eltricos, iremos observar


que a maioria dos mesmos no constitudos apenas por um gerador e uma
resistncia, mas sim por um certo nmero de geradores, resistncias e outros
elementos ligados entre si por um modo mais complexo.
Nesta seo iremos descrever como obter uma resistncia equivalente de
uma rede constituda por um grupo de resistncias ligadas em srie, paralelo
e/ou mista.
Na figura abaixo descrevemos quatro maneiras diferentes de se interligar
trs resistncias:

a R1 I x R2 I y R3 I b

(a)

R1 I1

I R2 I2 I
a b

R3 I3

(b)

R2 I2
a I1 R1 b c I1
R3 I3

(c)

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I1 R1 R2 I1
I a b I
I2 R3 I2

(d)

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Na figura (a) as resistncias oferecem um nico caminho passagem da


corrente eltrica, ou seja, a intensidade da corrente a mesma em todas as trs
resistncias. Este tipo de ligao chamada de ligao em srie.
Na figura (b) a diferena de potencial (tenso) aplicada nas trs
resistncias a mesma. Este tipo de ligao chamado de ligao em
paralelo.
Nas figuras (c) e (d) so representadas duas redes, onde se misturam as
montagens srie e paralelo, so chamadas de mistas.
2.6.1 MONTAGEM EM SRIE
Como foi observado na figura (a) a corrente a mesma nas trs
resistncias, o que nos levar a seguinte equao:
R = R1 + R2 + R3
A resistncia equivalente de um conjunto de duas ou mais resistncias
em srie igual soma de todas elas.
2.6.2 MONTAGEM EM PARALELO
Nas trs resistncias da figura (b) a diferena de potencial entre seus
terminais a mesma, o que nos levar a seguinte equao:
1 =1+1+1
R R1 R2 R3
Para o caso particular de uma rede com duas resistncias, teremos:
R = R1. R2
(R1 + R2)
E no caso particular de todas as resistncias de um circuito em paralelo
serem iguais:
R = R1
n
Onde n o nmero de resistncias.
2.7 TIPOS DE RESISTORES
So divididos em duas categorias, fixos e variveis:
Resistores fixos: Filme carbono, filme metlico, fio;
Resistores ajustveis: So os potencimetros ou trimpots, devido as diversas
aplicaes existem vrios modelos;

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2.7.1 LDR (LIGHT DEPEND RESISTOR)


um resistor controlado por luz sua resistncia no claro de aprox 200
ohms e no escuro aprox 1Mohms.
2.7.2 RESISTORES CONTROLADOS POR TEMPERATURA
PTC (coeficiente de temperatura positivo): Sua resistncia diretamente
proporcional a temperatura. Sua resistncia a 0 C de 500 ohms e a 50 C
de 1500 ohms.
NTC (coeficiente de temperatura negativo): Sua resistncia
inversamente proporcional a temperatura.
2.7.3 MAGNETORESISTORES
So controlados pelo campo magntico, conforme este aumenta sua
resistncia aumenta.

2.8 ESPECIFICAES TCNICAS


So especificados pelo tipo, potencia, tolerncia e o valor.

TABELA DE RESISTORES COMERCIAIS

1.0ohm 1.1ohm 1.2ohm 1.3ohm


1.5ohm 1.6ohm 1.8ohm 2.0ohm
2.2ohm 2.4ohm 2.7ohm 3.0ohm
3.3ohm 3.6ohm 3.9ohm 4.3ohm
4.7ohm 5.1ohm 5.6ohm 6.2ohm
6.8ohm 7.5ohm 8.2ohm 9.1ohm
Para determinar os outros valores multiplique os valores da tabela por:
10, 100, 1.000 ou 1.000.000.
A potencia dos resistores so identificadas pelo tamanho do mesmo, as
mais comuns so : 1/8 W , W , W , 1W , 3W, 5W.

CDIGO DE CORES

COR 1 ANEL 2 ANEL X 3 ANEL 4 ANEL


PRETO - 0 X1 -
MARROM 1 1 X 10 1%
VERMELHO 2 2 X 100 2%
LARANJA 3 3 X 1.000 3%
AMARELO 4 4 X 10.000 4%
VERDE 5 5 X 100.000 -

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AZUL 6 6 X 1.000.000 -
VIOLETA 7 7 - -
CINZA 8 8 - -
BRANCO 9 9 - -
PRATA - - X 0,01 10%
DOURADO - - X 0,1 5%
No quarto anel onde tiver o a tolerncia 20%.
Cdigo de cores especiais: Existem resistores que possuem mais de 4
anis em seus encapsulamento, estes devem ser lidos da seguinte forma:
Para ler um resistor com 5 faixas :
1 faixa: Algarismo significativo
2 faixa: Algarismo significativo
3 faixa: Algarismo significativo
4 faixa: N de zeros
5 faixa: Tolerncia
Para ler um resistor com 6 faixas :
1 faixa: Algarismo significativo
2 faixa: Algarismo significativo
3 faixa: Algarismo significativo
4 faixa: N de zeros
5 faixa: Tolerncia
6 faixa: Temperatura

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2.9 TESTE DE RESISTORES


Leia o valor do resistor com o cdigo de cores, coloque o ohmimetro em
uma escala superior ao valor lido.
Faa o ajuste de zero curto circuitando as pontas de prova do ohmimetro
(para ohmmetro analgico).
Mea o resistor , se ele apresentar resistncia dentro da tolerncia
especificada porque esta bom.
2.10 LEI DE JOULE E POTNCIA ELTRICA
Podemos entender o movimento dos eltrons em um condutor como uma
srie de movimentos acelerados, cada um dos quais termina numa coliso
com uma partcula fixa.
Em sua trajetria pelo condutor, os eltrons adquirem energia cintica, e
em cada coliso cedem s partculas fixas a mesma quantidade de energia,
sendo toda esta energia convertida em calor.

I Va Vb I
a b

Podemos considerar que em um intervalo de tempo t, na parte de um circuito


(mostrado na figura anterior) entra uma quantidade de carga Q, sendo:
Q=I.t
E sai a mesma quantidade Q no mesmo tempo. Houve ento um transporte de carga
Q desde um potencial Va at um potencial Vb.
possvel demonstrar em eletrosttica que a energia cedida pela carga vale:
w = Vab . Q = Vab . I . t
Mas como Vab = I . R, teremos:
w = Vab . I . t = I2 . R . t = Vab2 . t
R
A unidade de energia o Joule.
Sendo que 1 Joule equivale a aproximadamente 0,239 Calorias, teremos o calor
desenvolvido em calorias por este trabalho, C:
C = 0,239 x I2 x R x t

A equao anteriormente descrita constitui a chamada Lei de Joule.

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A potncia (P), ou seja, a quantidade de energia desenvolvida por unidade de tempo,


em unidades de medida Watt (W), estabelecida por:
P = W = Vab . I = I2 . R = Vab2
t R

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CAPTULO 3
CAPACITNCIA E INDUTNCIA EM CC
3.1 GENERALIDADES
As redes analisadas no captulo anterior eram compostas apenas por
resistncias, entretanto existem outros elementos passivos que tambm so
utilizados na construo de circuitos eletrnicos, so os capacitores e
indutores. Estes componentes comportam-se de maneira diferente das
resistncias quando lhes so aplicados uma corrente contnua (cc).
3.2 CAPACITORES
Os capacitores so muito utilizados nos circuitos eletrnicos, integrados
ou discretos, por mais elementares que sejam. A particularidade dos
capacitores a de armazenar cargas eltricas.
Denomina-se capacitor o conjunto formado por duas superfcies
metlicas condutoras (chamadas de armaduras), que se encontram isoladas
por um meio isolante (chamado de dieltrico).
3.2.1 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DOS CAPACITORES
A figura abaixo representa um capacitor cuja armadura A est ligada ao
plo positivo do gerador de cc E, e cuja armadura B est desligada da pilha
enquanto o interruptor S permanecer aberto. Nestas condies, a armadura A
recebe carga positiva (perde eltrons). Dado que a armadura B se encontra
dentro do campo eltrico criado pelas cargas positivas da armadura A, por
influncia eletrosttica, aquela sofre uma ordenao das suas cargas, de tal
forma que a zona em contato com o dieltrico (face ativa) ocupada por
cargas negativas e a outra face por cargas positivas.
A B
+Q -+ -+ -Q
-+ -+
a -+ -+ b
-+ -+
-+ -+
-+ -+

S
+

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Quando se fecha o interruptor S, iniciado um movimento de cargas


negativas para a armadura B, de maneira que parte desta carga serve para
absolver ou anular as cargas positivas, e o resto para reforar as cargas
negativas l existentes, provocando por influ6encia eletrosttica um aumento
de cargas positivas na face ativa (face interna) da armadura A.
O resultado final que em ambas as armaduras aparece uma carga cujo
valor absoluto o mesmo, mas de polaridade oposta. Esta carga acumula-se
por influncia eletrosttica recproca das duas armaduras. Para efeitos de
clculo, a carga Q de um capacitor apenas a de uma de suas armaduras.
No circuito da figura anterior produz-se uma corrente eltrica de muito
curta durao, pois uma vez carregadas s armaduras, a corrente no circuito
anula-se. Conclumos ento que um capacitor no permite a passagem de
corrente contnua. No obstante, a ddp entre os terminais do capacitor a
mesma do gerador. Portanto o capacitor ao acumular carga armazena tenso
entre as suas armaduras.
A ddp de um capacitor carregado no se perde mesmo que se desligue a
fonte que originou a carga.
Nos circuitos eletrnicos o capacitor utilizado, basicamente, para
eliminar a componente contnua de um sinal eltrico ou para armazenar
tenso durante um certo tempo e cede-la posteriormente.
3.2.2 CAPACITNCIA DE UM CAPACITOR
Da mesma maneira que um elemento resistivo se distingue pelo valor da
sua resistncia R expressa em Ohms, um capacitor caracteriza-se pela sua
capacitncia C expressa em Farads.
Denomina-se capacitncia de um capacitor a aptido que o mesmo tem
para acumular carga eltrica.
A Capacitncia a relao entre a carga Q acumulada numa de suas
armaduras e a diferena de potencial Vab aplicada entre elas:
C = Q/Vab
Como citamos anteriormente a unidade de capacitncia o farad (F): 1
farad = 1coulomb / 1 Volt.
3.2.3 VALOR DA CAPACITNCIA
O valor da capacitncia de um capacitor no depende da carga
acumulada nem da ddp entre as suas armaduras, mas apenas da superfcie
destas, da espessura e natureza do material dieltrico:
C = 8,84x10-12xK.(A/d)

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A capacitncia diretamente proporcional constante dieltrica K e


rea A das armaduras e inversamente proporcional distncia d entre elas.
O nmero 8,84x10-12 uma constante de ajuste das unidades para que a
capacitncia se obtenha em F quando A se expressa em m2 e d em m.
Na tabela abaixo temos o valor de K para algumas substncias
dieltricas.

Material K Material K

Ar 1,0 Porcelana 4,5 6,5

Mica 4,5 5,5 Vidro 5,0 12

Papel 2,0 4,8 Baquelite 5,6 8,5

Madeira 2,5 4,8 Parafina 2,0 2,3

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3.2.4 GRANDEZAS CARACTERSTICAS DOS CAPACITORES


Alm da capacitncia, para a escolha de um capacitor como componente
de um determinado circuito, necessrio levar em conta outras grandezas,
como tenso de trabalho e a tenso mxima suportvel entre as suas
armaduras.
A tenso mxima depende do tipo de dieltrico e da sua espessura.
Acima do valor-limite, o dieltrico perfurado por um arco eltrico e o
capacitor fica inutilizado.
A tenso nominal (de trabalho) aquela que se pode aplicar a um
capacitor durante largos perodos de tempo sem que este sofra deteriorao.
Esta caracterstica est condicionada pela temperatura de funcionamento.
Quanto maior for esta menor tenso poder suportar.
A tolerncia sobre o valor nominal de capacitncia tambm uma
caracterstica dos capacitores.
Resumindo, quando for necessrio o emprego de um capacitor para uma
aplicao prtica, no mnimo ser preciso definir:

Valor da capacitncia;

Tolerncia;

Tenso de trabalho.
Todos os capacitores podem trabalhar tanto em cc como em ca, exceto os
eletrolticos que s admitem aproximadamente 10 % de sua tenso de trabalho
em polarizao inversa.
3.2.5 ASSOCIAO DE CAPACITORES
possvel encontrar redes formadas por vrios capacitores, que da
mesma forma que as resistncias, podem ser ligados em srie e paralelo.
3.2.5.1 MONTAGEM EM SRIE
Quando os capacitores esto ligados conforme a figura abaixo, diz-se que
esto em srie:

C1 C2 C3

a b c d

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Calcularemos agora qual o valor da capacitncia equivalente.


Em srie, a carga armazenada por cada capacitor a mesma pelo fato da
corrente ser a mesma, o que nos levar a seguinte equao:
1/C = 1/C1 + 1/C2 + 1/C3
Para o caso particular de dois capacitores ligados em srie:
C = C1 . C2
C1 + C2
No caso de todos os capacitores de uma rede serem iguais:
C = C1/n
Onde n o nmero de capacitores.
3.2.5.2 MONTAGEM EM PARALELO
A figura abaixo representa uma rede de capacitores montados em
paralelo.

Q1 C1

a Q2 C2 b

Q3 C3

A grandeza constante neste caso a ddp aplicada em todos eles Vab, , o


que nos levar a seguinte equao:
C = C1 + C2 + C3
3.2.6 TIPOS DE CAPACITOR
Existem vrios tipos de capacitores, os principais so: eletrolticos, tntalo,
stryroflex, polister, policarboneto, cermicos, semifixos, supressor, plate, multicamada,
starcap e variveis, cada tipo utilizado em uma aplicao especifica.
3.2.7 TESTE DE CAPACITORES
Para medirmos capacitncia utilizamos um instrumento chamado capacitimetro.

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3.2.8 VALORES DE CAPACITORES


Os fatores que influenciam no valor do capacitor so: material do dieltrico
(isolante), tipo de armadura e encapsulamento.
TABELA DE CAPACITORES COMERCIAIS
1.0F 1.1F 1.2F 1.3F
1.5F 1.6F 1.8F 2.0F
2.2F 2.4F 2.7F 3.0F
3.3F 3.6F 5.6F 6.2F
6.8F 7.5F 8.2F 9.1F
Para achar os outros valores multiplique pelos seus submultiplos: mili, micro, nano e
pico.
CDIGO DE CAPACITORES
Geralmente usado em capacitores cermicos e de polister. Os dois primeiros
nmeros so significativos, o 3 representa o numero de zeros, por exemplo um capacitor
marcado 104 10 com mais 4 zeros ou 100.000pF que representa um capacitor de 0,1mF.
Caso alm dos trs nmeros ainda aparece uma letra , esta representar a tolerncia. Desta
forma 103J um capacitor de 10,00pF com 5% de tolerncia.
3 Digito N de zeros LETRA TOLERNCIA
0 1 D 0,5 pF
1 10 F 1%
2 100 G 2%
3 1.000 H 3%
4 10.000 J 5%
5 100.000 K 10%
6 - M 20%
7 - P 100%, .0%
8 0,01 Z 80%, -20%
9 0,1 - -

CDIGO DE CORES DE CAPACITORES


Normalmente usado no de polister metalizado.
COR 1 ALG. 2 ALG. FATOR X TOLER. TENSO
PRETA - 0 - 20% -
MARROM 1 1 10 pF - -
VERMELH 2 2 100 pF - 250 V
O
LARANJA 3 3 1.000 pF - -
AMARELO 4 4 10.000 pF - 400 V
VERDE 5 5 100.000 pF - 100 V
AZUL 6 6 - - 630 V
VIOLETA 7 7 - - -
CINZA 8 8 0,01 pF - -
BRANCA 9 9 0,1 pF 10% -

SENAI FATESG 25
Eletrnica Bsica

3.3 INDUTORES
Os indutores so elementos passivos constitudos por um enrolamento de fio
condutor bobinado sobre um ncleo de material ferromagntico (ou de ar), conforme
mostrado na figura abaixo.

Sua simbologia mostrada na figura abaixo, onde as linhas paralelas superiores


indicam que o ncleo de material ferromagntico (caso o ncleo da bobina seja de ar, a
simbologia no possui as linhas paralelas superiores).

A ferrite e a chapa magntica so bons exemplos dos materiais mais utilizados.


Os indutores ou indutncias tambm so conhecidos como bobinas de induo.
Um indutor um dispositivo eltrico que produz um fluxo magntico quando
percorrido por uma corrente eltrica.
De maneira anloga aos capacitores que armazenam energia em forma de carga ou
tenso eltrica, os indutores armazenam energia na forma de corrente.
A corrente que circula por uma bobina pode ser contnua ou varivel, gerando na
mesma um fluxo magntico. Se a corrente for varivel, o fluxo magntico criado tambm
varivel.
Um fluxo magntico varivel capaz de induzir uma fora eletromotriz em outra
bobina que se encontre prxima do campo magntico produzido pela primeira. A variao
do fluxo magntico tambm produz uma fora eletromotriz de auto-induo na prpria
bobina que gera o fluxo.
Neste captulo estudaremos apenas o comportamento dos indutores quando sujeitos a
tenses contnuas; este fluxo magntico ser, portanto, constante no existindo neste caso
foras eletromotrizes de induo.
3.3.1 INDUTNCIA
A grandeza que caracteriza um indutor a sua indutncia L ou tambm conhecida por
coeficiente de auto-induo, cujo valor dado pela expresso:

SENAI FATESG 26
Eletrnica Bsica

L = (N . )/I
A indutncia diretamente proporcional ao nmero de espiras N do enrolamento e ao
fluxo magntico que atravessa o ncleo, e inversamente proporcional corrente I que
circula pelo fio da bobina.
A fora eletromotriz de auto-induo gerada no indutor quando o fluxo varivel
diretamente proporcional ao valor de L.
A unidade da indutncia o Henry (H): 1 weber-espira / 1 ampere = 1 henry.
3.3.2 VALOR DA INDUTNCIA
O valor da indutncia de uma bobina depende das dimenses e dos
materiais de que constituda:
L = (N2 . . A)/l
Onde N o nmero de espiras, A a rea da seo transversal do ncleo, l
o comprimento da bobina e a permeabilidade magntica da substncia que
constitui o ncleo.
A aplicao da frmula anterior tem muitas limitaes; s tem validade
quando o circuito magntico fechado e homogneo e quando o ncleo for de
um material ferromagntico no atingir a saturao, ou seja, a permeabilidade
magntica possui o mesmo valor mesmo que varie a corrente eltrica no
enrolamento.
As dificuldades deste clculo nos obrigam, na maioria dos casos, a
encontrar o valor de L experimentalmente, mediante medidas.
3.3.3 TIPOS DE INDUTOR
Existem dois tipos de indutores, fixos ou variveis. Os fixos so
constitudos de um fio enrolado a redor de um nucleo que pode ser ar, ferro ou
ferrite. Os ajustveis possuem ncleo mvel podendo ser ajustado
externamente.
3.4 COMPORTAMENTO DE CAPACITORES E INDUTORES EM CC
Quando um circuito contm capacitores e/ou indutores (bobinas) e o mesmo for
alimentado com tenso contnua, necessrio diferenciar o regime transitrio (ao ligarmos
ou desligarmos a alimentao) do regime permanente (quando a corrente no circuito se
estabilizar).
Se ligssemos um capacitor ideal diretamente a uma fonte cc, o mesmo se
comportaria como um interruptor em aberto, pois uma vez carregado (fenmeno que
ocorreria em um tempo muito curto) a corrente no circuito seria anulada.
Se um indutor ideal fosse ligado a um gerador cc, a corrente no circuito seria infinita,
ou seja, o indutor se comportaria como um curto-circuito.
Infelizmente no existem capacitores nem indutores puros (ideais). Um capacitor real
equivalente a um capacitor ideal em srie com uma resistncia e este conjunto por sua

SENAI FATESG 27
Eletrnica Bsica

vez, em paralelo com outra resistncia. Tambm contm uma pequena componente
indutiva (sobretudo se for enrolado).
Um indutor real equivalente a um indutor ideal em srie com uma resistncia do
condutor com que foi construdo. Devido ao empilhamento de suas espiras e camadas,
tambm oferece uma pequena componente capacitiva.
3.4.1 CARGA E DESCARGA DE UM CAPACITOR ATRAVS DE
UMA RESISTNCIA EM CC
A figura a seguir mostra um circuito denominado de RC, por ser formado por uma
resistncia e um capacitor.
No instante em que fechamos o interruptor S, a ddp entre os terminais do capacitor
zero, portanto toda a tenso do gerador aplicada a resistncia. A partir deste momento, o
capacitor comea a carregar-se e durante certo tempo tenso reparte-se entre os dois
componentes.
S

+
E R

Quando o capacitor estiver completamente carregado a corrente no circuito se anula e


a ddp no capacitor fica com o mesmo valor da fem (E) do gerador e a queda de tenso na
resistncia reduz-se a zero.
A durao do tempo de carga depende do valor da resistncia e da capacitncia do
capacitor.
A tenso de carga de um capacitor ajusta-se a equao:
v = E(1 e-t/(R.C))
Onde E a fem do gerador cc (em volts), t o valor do tempo decorrido (em
segundos), R o valor da resistncia (em ohms), C o valor do capacitor (em farad) e o
nmero e representa a base dos logaritmos naturais ou neperianos, cujo valor e = 2,71828.
A figura abaixo representa o grfico correspondente a esta equao.

SENAI FATESG 28
Eletrnica Bsica

v(V)

t(s)

Ao contrrio das grandezas estudadas anteriormente, cujos valores permaneciam


constantes (representados por letras maisculas E, R, I, etc), na expresso anterior a ddp v
no capacitor escreve-se com letra minscula, pois se trata de uma grandeza varivel.
Como podemos observar na equao anterior, se t = 0, o valor de v = 0. Se t for
infinito, o valor de v = E.
Se o capacitor j se encontra carregado com uma tenso E0 antes de ligarmos o
interruptor, conforme mostrado na figura a seguir, teramos a seguinte equao:
v = E (E E0) . e-t/(R.C)

+
E R
E0
- +
C

Se um capacitor carregado com uma tenso E for ligado a uma resistncia R atravs
de um interruptor, ir ocorrer um processo de descarga de caractersticas anlogas s da
carga. O tempo de descarga depende das mesmas variveis que o tempo de carga, ou seja,
dos valores de R e C. O valor da tenso no capacitor durante o processo de descarga
obtm-se por aplicao da seguinte expresso:
v = E . e-t/(R.C)

SENAI FATESG 29
Eletrnica Bsica

Graficamente teremos:

v(V)

t(s)

3.4.1.1 CONSTANTE DE TEMPO


O produto RC, constante nas trs equaes anteriores, denominada de constante de
tempo e representa o tempo durante o qual o capacitor adquire aproximadamente 63 % da
carga total durante este processo, ou perde 63 % da carga inicial durante a descarga.
Conforme as equaes anteriores, a carga e descarga totais nunca so obtidas (t = ), mas
decorrido um tempo igual a cinco vezes a constante de tempo (RC) o valor da tenso
aproxima-se tanto do valor final (E ou 0), que se considera carregado ou descarregado,
conforme o processo em que se encontre (carregando ou descarregando).
3.4.2 CORRENTE NUM CIRCUITO COM INDUTOR E
RESISTNCIA EM CC
A figura abaixo representa uma rede formada por uma bobina (indutor) cuja
indutncia vale L e uma resistncia de valor R, alimentada por um gerador de cc.

i
+
E R

Quando se fecha o interruptor S, o indutor comporta-se como um gerador cuja fem se


ope passagem da corrente que circula no circuito. Como conseqncia desta fora
contra-eletromotriz, a intensidade da corrente numa rede como a da figura anterior que
contm um indutor, ser zero no instante do fechamento do interruptor, e decorrido certo
tempo, atingir um valor permanente. Este tempo depende, de maneira anloga, ao que

SENAI FATESG 30
Eletrnica Bsica

acontece com a tenso no circuito capacitivo da seo anterior, ou seja, dos valores da
indutncia L da bobina e do valor da resistncia R.
A expresso que relaciona o valor da corrente com as grandezas assinaladas
anteriormente a seguinte:
i = E . (1 - e-t/(L/R))
R
Quando t = 0, a corrente i = 0; quando t = , i = E/R.
Na figura abaixo est representada graficamente a corrente num circuito RL em
funo do tempo.

i(A)
E
R

t(s)

Se fosse possvel curto-circuitar o gerador de uma rede indutiva pela qual circula uma
corrente de valor E/R, esta no desapareceria instantaneamente, mas permaneceria
circulando certo tempo, que depende tambm neste caso de R e L. Ento a expresso da
corrente seria:
i = E . e-t/(L/R)
R
Na figura abaixo est representada graficamente a equao anterior:

i(A)
E
R

t(s)

SENAI FATESG 31
Eletrnica Bsica

3.4.2.1 CONSTANTE DE TEMPO


A constante de tempo em um circuito indutivo determinada pela relao L/R.
Depois de decorridos um tempo L/R, a corrente aumenta ou diminui em 63 %
aproximadamente. Ao cabo de um tempo equivalente a cinco constantes de tempo (t = 5 .
L/R), a corrente praticamente ter alcanado o seu valor final.

CAPTULO 4
CORRENTE ALTERNADA
4.1 GRANDEZAS E VALORES CARACTERSTICOS
A energia eltrica produzida pelas centrais eltricas constituda por sinais de tenso
e de corrente alternadas, cujos valores esto variando continuamente, passando de valores
positivos a negativos em cada determinado tempo, como mostrado na figura abaixo:

SENAI FATESG 32
Eletrnica Bsica

A forma destes sinais devida arquitetura das mquinas que os produzem,


denominadas de alternadores formados por uma parte fixa chamada estator e uma parte
mvel conhecida por rotor. Ambas as partes so constitudas por bobinas de fio condutor
(cobre por exemplo) enrolado em ncleos magntico. Normalmente o rotor gira dentro do
campo magntico produzido pelo estator, e o valor da tenso que se induz na bobina do
rotor em cada instante, depende da posio da bobina em relao ao plano horizontal, ou
seja, a fem induzida funo do seno do ngulo, como mostrado na figura abaixo:

O defasamento angular da bobina em relao ao eixo horizontal (alfa).


A velocidade angular a bobina, tambm denominada de pulsao, representada pela
letra grega (omega).
O tempo que a bobina demora a descrever um ngulo a uma velocidade t.
A relao entre estas trs grandezas a seguinte:
= /t ; = . t
O perodo T o tempo compreendido por cada onda completa do sinal alternado da
onda senoidal. Se a mquina que a produz como a representada na figura anterior, ou
seja, exclusivamente constituda por um par de plos magnticos, o perodo corresponde ao
tempo que demora para a bobina do rotor dar uma volta completa. Expressando o ngulo
descrito numa volta completa em radianos o perodo ser:

SENAI FATESG 33
Eletrnica Bsica

T = 2. /
O perodo medido em segundos e podemos reescrever a equao da seguinte forma:
= 2 . /T
E portanto deduzimos que se mede em radianos/segundo.
A freqncia f o nmero de ciclos que se produzem por segundo. a grandeza
inversa do perodo:
f = 1/T
A sua unidade o ciclo/segundo (cps ou c/s), denominado tambm de Hertz (Hz).
A relao entre a freqncia e a pulsao a seguinte:
=2..f
Quando se representa um sinal alternado num sistema de eixos ortogonais, possvel
expressar o valor da tenso ou da corrente em funo do tempo ou do ngulo, portanto, no
eixo das abscissas, poderemos t ou .
4.1.1 VALORES DE UM SINAL ALTERNADO
Um sinal alternado pode ser expresso de vrias maneiras. Os valores tpicos so: o
instantneo, o mximo, o mdio e o eficaz.
O valor instantneo, e ou i o que representa a tenso ou a corrente alternada para
cada valor de t ou . Na figura a seguir temos representado um perodo completo dos
sinais alternados com todos os possveis valores instantneos que podem tomar. Como se
pode observar, o perodo divide-se em duas metades, uma positiva e outra negativa,
denominadas de alternncias ou semiperodos.
As expresses dos valores instantneos de tenso (e) e corrente (i) so as seguintes:
e = Emax . Sen ( .t) = Emax . Sen
i = Imax . Sen ( .t) = Imax . Sen
Como podemos observar nas equaes acima, existem outros valores caractersticos
da tenso e da corrente, que so o Emax e o Imax. Estes valores representam o pico (valor
mximo) e o vale (valor mnimo) situados em t = T/4 ou = /2 e em t = 3.T/4 ou =
3./2.

SENAI FATESG 34
Eletrnica Bsica

e(V) i(A)
E mx

I mx

T/4 T/2 3T/4 T t(s)


/2 3 /2 2

O valor mdio de um sinal alternado a mdia aritmtica de todos os valores


instantneos compreendidos num determinado intervalo, portanto, o valor mdio de um
perodo completo zero, j que o sinal na alternncia positiva simtrico ao sinal
negativo. No entanto se todo o sinal fosse positivo, como mostrado na figura a seguir, o
valor mdio seria dado pela linha que determina a igualdade entre as reas sombreadas
com diferentes tonalidades.

e(V) i(A)
E mx

E md
I mx
I md

2 2

Mediante clculos matemticos, obtm-se os seguintes valores mdios de tenso e


corrente para sinais como o da figura anterior.
Emed = 2 . Emax/
Imed = 2 . Imax/

SENAI FATESG 35
Eletrnica Bsica

Mas se o sinal alternado for como o da figura abaixo, ou seja, uma onda senoidal na
qual foram eliminadas as alternncias negativas, os valores mdios so metade dos
indicados anteriormente:

Emed = Emax/ Imed = Imax/

e(V) i(A)
E mx

I mx
E md
I md

2 2

O valor eficaz de um sinal alternado senoidal definido como o equivalente ao de


um sinal (de corrente ou tenso) constante, que, quando aplicados a uma mesma resistncia
(em momentos distintos), durante igual perodo de tempo, iro gerar a mesma quantidade
de calor.
possvel deduzir o valor da tenso ou da corrente eficazes, que sero:
Eef = Emax/(2)1/2
Ief = Imax/(2)1/2
4.2 CIRCUITOS DE CORRENTE ALTERNADA (CA) COM
ELEMENTOS PASSIVOS
Nesta seo iremos analisar circuitos alimentados com geradores ca, que possuem
resistncias, bobinas e capacitores. Tambm se definiro conceitos como reatncia
indutiva, reatncia capacitiva e impedncia.
4.2.1 CIRCUITOS COM RESISTNCIA
A figura abaixo representa um circuito formado por um gerador ca, cuja fem est
simbolizada pelo seu valor eficaz E que alimenta uma resistncia R.

SENAI FATESG 36
Eletrnica Bsica

i
+
E R

A corrente que circula pelo circuito da figura anterior tem a mesma forma que a
tenso do gerador; os valores mximos e os zeros de cada onda acontecem
simultaneamente, ou seja, as ondas da corrente e da tenso esto em fase, conforme
mostrado no grfico da figura a seguir.
A Lei de Ohm aplicvel aos valores instantneos, aos valores mximos e tambm
aos eficazes. Sendo que para este ltimo valor temos a seguinte relao:
E = R.I
A partir desta seo representaremos os valores eficazes por letras maisculas sem o
ndice ef.
e(V) i(A)
E mx

I mx

t(s)

4.2.2 CIRCUITOS COM INDUTOR


O circuito da figura abaixo constitudo por um indutor e um gerador ca. A corrente
no circuito, como no caso anterior, tem a mesma forma (senoidal) que a fem do gerador,
entretanto existe agora um defasamento entre as ondas (tenso e corrente). Neste circuito
indutivo a tenso est adiantada 90 em relao corrente.

SENAI FATESG 37
Eletrnica Bsica

i
+
E L

A figura a seguir mostra a forma das ondas de corrente e tenso do circuito na figura
anterior.

e(V) i(A)
E mx

I mx

t(s)

A relao entre a tenso e a corrente determinada pela seguinte equao:


E = .L.I
O produto .L denominado de reatncia indutiva XL e mede-se em ohms.
A tenso e a corrente so consideradas grandezas vetoriais e para se indicar o
defasamento existente entre as mesmas, utiliza-se notao complexa:
E = j. .L.I
4.2.3 CIRCUITOS COM CAPACITOR
No circuito da figura abaixo podemos observar que o mesmo composto por um
capacitor ligado a um gerador ca. A tenso no gerador, que a mesma que a ddp nos
terminais do capacitor, encontra-se atrasada 90 em relao a corrente.

SENAI FATESG 38
Eletrnica Bsica

i
+ C
E

A figura abaixo mostra a forma das ondas de corrente e tenso do circuito na figura
anterior.

e(V) i(A)
E mx

I mx

t(s)

SENAI FATESG 39
Eletrnica Bsica

A relao entre a tenso e a corrente neste caso :


E= 1 .I
.C
A expresso 1/(.C) denomina-se reatncia capacitiva XC e tambm de
mede em ohms.
A tenso e a corrente novamente so consideradas grandezas vetoriais e
para se indicar o defasamento existente entre as mesmas, utiliza-se notao
complexa:
E = - j. 1 . I
.C
4.2.4 CIRCUITOS COM INDUTOR E RESISTNCIA.
O circuito da figura abaixo formado por uma resistncia em srie com
um indutor. O valor da reatncia indutiva XL = .L.

i
+
E R

O conjunto resistncia e indutor constituem a impedncia (Z) do


circuito, que pode ser representado utilizando notao complexa da seguinte
forma:
Z = R + j. .L

SENAI FATESG 40
Eletrnica Bsica

Portanto o mdulo da impedncia ser: Z = [R2 + ( .L)2] 1/2.


O ngulo de defasamento da impedncia neste caso em relao ao eixo
real (horizontal) ser: = arc tg ( .L/R).
Os valores eficazes da corrente no circuito e as ddp na resistncia e no
indutor valero:
I = E/Z VR = R.I VL = j. .L.I
4.2.5 CIRCUITOS COM CAPACITOR E RESISTNCIA.
O circuito da figura abaixo formado por uma resistncia em srie com
um capacitor. Neste caso o valor da reatncia capacitiva XC = 1/( .C).

i
+
E R

Ento a impedncia ser:


Z = R - j. 1 _
.C

SENAI FATESG 41
Eletrnica Bsica

Portanto o mdulo da impedncia ser: Z = {R2 + [1/( .C)] 2} 1/2.


O ngulo de defasamento ser: = arc tg {[-1/( .C)]/R}.
Os valores eficazes da corrente no circuito e as ddp na resistncia e no
indutor valero:
I = E/Z VR = R.I VC = - j . 1 .I
.C
4.2.6 CIRCUITOS COM R, L E C.
O circuito da figura abaixo contm os trs elementos passivos: resistor,
indutor e capacitor. O valor da reatncia, neste caso, ser a diferena entre a
reatnca indutiva (XL) e a indutncia capacitiva (XC):
XT = XL XC
L C

i
+
E R

O valor da impedncia ser:


Z = R + j.XT = R + j.[ .L 1/( .C)]
O mdulo da impedncia ser: Z = {R2 + [ .L - 1/( .C)] 2} 1/2.
O ngulo de defasamento ser: = arc tg {[ .L - 1/( .C)]/R}.
Os valores eficazes da corrente no circuito e as ddp na resistncia e no
indutor valero:
I = E/Z VR = R.I VL = j. .L.I VC = - j . 1 .I
.C
4.2.7 DIAGRAMA VETORIAL
Todos os valores das impedncias, intensidades e tenses de um circuito
eltrico constitudo por geradores de ca e elementos passivos podem ser
representados como vetores num mesmo plano. O diagrama vetorial oferece
uma grande ajuda, j que nele ficam considerados todos os valores dos
mdulos e dos defasamentos existentes entre as diversas grandezas. Na figura
abaixo, mostra-se o diagrama vetorial das grandezas do circuito apresentado
na seo 3.2.7 (circuito R, L e C).

SENAI FATESG 42
Eletrnica Bsica

j
XL VL

XT Z

real
R E

VR
VC
XC I

-j

SENAI FATESG 43
Eletrnica Bsica

Tomando como sentido de rotao o sentido anti-horrio, pode-se


comprovar que a ddp no indutor est adiantada 90 em relao a corrente,
corrente que a mesma em todos os componentes (circuito em srie). A ddp
no capacitor est atrasada 90, portanto as tenses nestes elementos fazem
entre si um ngulo de 180, ou seja, esto em oposio de fase. A corrente no
circuito est em fase com a ddp na resistncia.
Tambm possvel comprovar, atravs de soma vetorial, que a soma das
trs quedas de tenso (no resistor, no indutor e no capacitor) igual a fem do
gerador.
O diagrama vetorial pode ser desenhado no s para casos to simples
como o exposto, mas tambm para qualquer tipo de circuito de ca formado
por geradores e elementos passivos ligados de todas as formas possveis.
4.3 POTNCIA EM CORRENTE ALTERNADA (CA)
Suponhamos um circuito de ca em que a corrente e a tenso aplicada se
encontram defasadas, como mostrado na figura baixo. A potncia ser o
produto da tenso pela corrente, porm, devido ao comportamento dos
diferentes elementos passivos, aparecem neste caso, trs valores de potncia
distintos: a potncia ativa, a reatva e a aparente.

e(V) i(A)
P

i P
Pr
t(s)
Pa

A potncia ativa (Pa) est representada pelo valor mdio (Pm), e aquela
capaz de ser convertida em outro tipo de energia (trmica, mecnica, etc).
A potncia reativa (Pr), tambm chamada de fictcia, a necessria para
criar os campos magnticos (em um indutor) ou eltricos (em um capacitor) e
posteriormente devolvida ao circuito quandos os ditos campos so anulados.
A potncia aparente (P) a soma vetorial da potncia ativa com a
reativa.
SENAI FATESG 44
Eletrnica Bsica

Os valores dos trs tipos de potncia so:


Potncia ativa: Pa = E.I.Cos .
Potncia reativa: Pr = E.I.Sen .
Potncia aparente: P = E.I.
Em todas estas expresses E e I so os valores eficazes da tenso e da
corrente e o ngulo de defasamento entre estas grandezas.
A potncia aparente medida em volt-amperes (VA), a potncia ativa em
Watts (W) e a potncia reativa em volts-amperes reativos (VAr).
A relao entre a potncia ativa e a potncia aparente conhecida como
fator de potncia e representa-se por cos , sendo cos = Pa/P.

SENAI FATESG 45
Eletrnica Bsica

CAPTULO 5
TRANSFORMADORES MONOFSICOS
5.1 INTRODUO
Neste captulo descreveremos as caractersticas de um componente muito importante
nos circuitos eltricos / eletrnicos, os transormadores monofsicos.
5.2 DEFINIO
So dispositivos que transformam tenso alternada (Vca) baixa em alta, ou vice versa.
As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores que 30
VCC, enquanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma ser de 127 V RMS ou 220 VRMS.
Logo preciso um componente para abaixar o valor desta tenso alternada. O componente
utilizado o transformador.
5.3 CONSTITUIO
O transformador a grosso modo constitudo por duas bobinas (chamadas de
enrolamentos, usadas para transferir energia de um circuito a outro) e ncleo. A energia
passa de uma bobina para outra atravs do fluxo magntico no ncleo.
Abaixo o diagrama eltrico de um transformador monofsico.

T1

EP NP NS ES

A tenso de entrada EP est conectada ao que se chama de enrolamento primrio e a


tenso de sada ES ao enrolamento secundrio.
No transformador ideal: Ep/Es = Np/Ns
Onde:
Ep tenso no primrio
Es tenso no secundrio
Np nmero de espiras no enrolamento primrio
Ns nmero de espiras no enrolamento secundrio
As potncias eltricas de entrada e de sada num transformador ideal so iguais.
5.4 PERDAS NOS TRANSFORMADORES
Ocorrem principalmente nos enrolamentos (perdas no cobre) e no ncleo (reverso
magntica, histerese, correntes de Foucault).
SENAI FATESG 46
Eletrnica Bsica

5.5 ENROLAMENTOS
Podem ser de trs tipos: simples, mltiplos ou com derivaes (center type).
5.6 RELAO DE ESPIRAS
Np > Ns - Transformador abaixador;
Np < Ns - Transformador elevador;
Np = Ns - Transformador de 1 para 1 (isolador).
5.7 TIPOS DE TRANSFORMADORES
Existem vrios entre eles os: de alimentao, de udio freqncia (AF), de
distribuio, de potencial, de corrente,de radio freqncia (RF), de pulso, de freqncia
intermediria (FI), de sada, de ignio, flyback, trifsicos, de fora, isolao,
autotransformador, transformadores diferenciais de variao linear, etc.
5.8 BANCO DE TRANSFORMADORES
a associao de transformadores monofsicos de forma a formar transformadores
trifsicos.
5.9 RELAO DE FASE
representado por um ponto em seu diagrama.
Em fase: O sinal de entrada possui as mesmas caractersticas do sinal de sada.
Defasado: quando o sinal de entrada esta crescendo e o sinal de sada decrescendo.
5.10 CDIGO DE CORES
Infelizmente no existe um cdigo de cores padro para transformadores.
5.11 SUBSTITUIO DE TRANSFORMADORES
Para um substituir um transformador por outro equivalente deve se observar o
seguinte: Capacidade de corrente, tenso, tipo, tamanho.
5.12 DEFEITOS EM TRANSFORMADORES
DEFEITO SINTOMA
Enrolamento aberto No a tenso no secundrio
Curto entre espiras Aquece muito
5.13 FALHA DE ISOLAMENTO
Para detectar este defeito faa o seguinte: desligue todos os fios do transformador, e
com um ohmmetro (na escala mais alta), teste a isolao de cada fio com a carcaa.
5.14 ASSOCIAO DE TRANSFORMADORES
Srie: Soma-se as tenses e a corrente a do transformador de menor capacidade de
corrente.
Paralelo: Soma-se as correntes (ateno s associasse transformadores em paralelo de
tenses iguais).

SENAI FATESG 47
Eletrnica Bsica

5.15 FRMULAS
Ep/Es = Np/Ns N% = (Ps / Pp) * 100
Ip/Is = Ns/Np Ps = Pp
Onde:
N... nmero de espiras P....primrio S......secundrio E..tenso
I.... corrente P... potncia N%..eficincia
5.16 TRANSFORMADORES COMERCIAIS
Geralmente possuem primrio com enrolamento center type (tenses 110V / 220V) e
secundrio com enrolamento duplo (tenses de 6V, 7V, 9V, 10V, 12V, 15V, 16V, 18V,
24V,36V, entre outros).

SENAI FATESG 48
Eletrnica Bsica

CAPTULO 6
DISPOSITIVOS DE PROTEO
6.1 INTRODUO
Neste captulo descreveremos as caractersticas dos componentes que proporcionam a
proteo contra sobrecorrentes nos circuitos eltricos / eletrnicos.
6.2 FUSVEIS
So componentes destinados a proteo de circuitos contra correntes excessivas.
6.2.1 CONSTITUIO
So constitudos de fios especiais que se partem, quando por eles passa uma corrente
superior a especifica em seu corpo.
6.2.2 VERIFICAO DO FUSVEL
Pode ser verificado visualmente ou atravs de um ohmmetro.
LEITURA CONDIO DO FUSVEL
Fio partido Aberto
Alta resistncia Aberto
Baixa resistncia Bom
6.2.3 TEMPO DE AO
Existem trs tipos bsicos, de ao rpida, normal e retardada.
6.2.4 FUSVEIS COMERCIAIS
Alguns fusveis comercias:
0,1A 0,315A 1,25A 3,15A 6A 20A
0,125A 0,35A 1,5A 3,5A 7A 25A
0,15A 0,4A 1,6A 3,15A 8A 30A
0,2A 0,5A 2A 3,5A 9A 40A
0,25A 0,8A 2,5A 4A 10A 50A
0,3A 1A 3A 5A 15A
6.3 DISJUNTORES
Realizam as mesmas funes que um fusvel, a diferena que no se destroem
podendo ser reconectados, servindo como interruptores.

SENAI FATESG 49
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CAPTULO 7
DIODO SEMICONDUTOR
7.1 ESTUDO DOS SEMICONDUTORES
Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou excesso
de lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores:
7.2 SEMICONDUTOR TIPO N
O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo n,
onde n est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as
lacunas num semicondutor tipo n, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as
lacunas, portadores minoritrios.
7.3 SEMICONDUTOR TIPO P
O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo p,
onde p est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons
livres num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os
eltrons livres, portadores minoritrios.
7.4 DIODO
A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que um
dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.

JUNO

P N

LACUNA ELTRON

Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas direes,


alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna
desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente (um on negativo).
CAMADA DE DEPLEO

P N

- +
- +
- +

ONS

Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ions esto
fixo na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ions

SENAI FATESG 50
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aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e lacunas. Chamamos esta
regio de camada de depleo.
Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a
continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta
com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. A diferena de
potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. A 25, esta
barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.
O smbolo mais usual para o diodo mostrado a seguir:

Anodo Catodo
Material Tipo P Material Tipo N

7.5 POLARIZAO DO DIODO


Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades.
Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o
plo positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo
em contato com o material tipo n.

7.5.1 POLARIZAO DIRETA


No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e empurrado para
a juno. No material tipo p as lacunas tambm so repelidas pelo terminal e tendem a
penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo livre de eltrons
a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleo.

7.5.2 POLARIZAO REVERSA


Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo
positivo no material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica polarizada
inversamente.
No material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da
juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos dizer que a
bateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente impossvel o deslocamento
de eltrons de uma camada para outra.

7.6 CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO


A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso
aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.

SENAI FATESG 51
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7.6.1 POLARIZAO DIRETA

Nota-se pela curva que o diodo ao contrrio de, por exemplo, um resistor, no um
componente linear. A tenso no diodo uma funo do tipo:
U = RFI + kT Ln (I /IS + 1)
q
8.6.1.1 TENSO DE JOELHO
8.6.1.2
Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se
ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do potencial da
barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes
quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de
tenso de joelho. ( No Si aprox. 0,7V).
7.6.2 POLARIZAO REVERSA DO DIODO

O diodo polarizado reversamente, passa uma corrente eltrica extremamente


pequena, (chamada de corrente de fuga).

SENAI FATESG 52
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Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um momento em


que atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo para diodo) a partir da qual a corrente
aumenta sensivelmente.
* Salvo o diodo feito para tal, os diodos no podem trabalhar na regio de
ruptura.
7.7 GRFICO COMPLETO.

7.8 ESPECIFICAES DE POTNCIA DE UM DIODO


Em qualquer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada multiplicada pela
corrente que o atravessa e isto vale para o diodo: P = U * I.
No se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fabricante, pois haver
um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potncia mxima ou
corrente mxima suportada por um diodo.
Ex.: 1N914 - PMAX = 250mW
1N4001 - IMAX = 1A
Usualmente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para pequenos
sinais (potncia especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores ( PMAX > 0,5W).

7.9 RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE


Num diodo polarizado diretamente, uma pequena tenso aplicada pode
gerar uma alta intensidade de corrente. Em geral um resistor usado em srie
com o diodo para limitar a corrente eltrica que passa atravs deles.
RS chamado de resistor limitador de corrente. Quanto maior o R S,
menor a corrente que atravessa o diodo e o RS .

SENAI FATESG 53
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7.10 DIODO EMISSOR DE LUZ


O diodo emissor de luz (LED) um diodo que quando polarizado diretamente emite
luz visvel (amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha. Ao contrrio
dos diodos comuns no feito de silcio, que um material opaco, e sim, de elementos
como glio, arsnico e fsforo. amplamente usada em equipamentos devido a sua longa
vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento.
A polarizao do LED similar ao um diodo comum, ou seja, acoplado em srie
com um resistor limitador de corrente, como mostrado na figura ao lado.
O LED esquematizado como um diodo comum com seta apontando para fora
como smbolo de luz irradiada. A corrente que circula no LED :
ID = (VS VD)/R
Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica de 1,5
a 2,5 V para correntes entre 10 e 50 mA.
7.11 FOTODIODO
um diodo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado que
sensvel a luz. Nele, o aumento da intensidade luminosa, aumenta sua a corrente reversa.
Num diodo polarizado reversamente, circula somente os portadores minoritrios.
Esses portadores existem porque a energia trmica entrega energia suficiente para alguns
eltrons de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando eltrons livres e lacunas,
contribuindo, assim, para a corrente reversa. Quando uma energia luminosa incide numa
juno pn, ela injeta mais energia ao eltrons de valncia e com isto gera mais eltrons
livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser corrente reversa num diodo.
7.12 DIODO ZENER
O diodo zener um diodo construdo especialmente para trabalhar na tenso de
ruptura.
Abaixo mostrado a curva caracterstica do diodo zener e sua simbologia.

SENAI FATESG 54
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O diodo zener se comporta como um diodo comum quando polarizado diretamente.


Mas ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta tenses reversas prximas a
tenso de ruptura.
A sua principal aplicao a de conseguir uma tenso estvel (tenso de ruptura).
Normalmente ele est polarizado reversamente e em srie com um resistor limitador
de corrente. Graficamente possvel obter a corrente eltrica sob o zener com o uso de
reta de carga.
7.13 TESTE DE DIODOS
1) coloque o multiteste na escala de resistncias (na menor);
2) Se o multiteste for analgico faa o ajuste de zero;
3) importante lembrar que na maioria dos multmetros analgicos ao se colocar a
chave na posio para medio de resistncia as pontas ficam invertidas, ou seja, a
vermelha que a positiva, passa a ser a negativa. E a preta que a negativa passa a ser a
positiva;
4) Encoste a ponta vermelha no nodo e a preta no ctodo, a resistncia deve ser
baixa;
5) Encoste a ponta preta no nodo e a vermelha no ctodo, a resistncia deve ser alta;
6) Se por acaso a resistncia medida for alta dos dois lados porque o diodo esta
aberto e se for baixa em ambos os lados porque esta em curto.
7) Este teste no vale para fotodiodos.
7.14 DIODOS COMERCIAIS
ALGUNS VALORES COMERCIAIS
1N4001 - 50V - 1A 1N4002 - 100V - 1A
1N4003 - 200V - 1A 1N4004 - 400V - 1A
1N4005 - 600V - 1A 1N4006 - 800V - 1A
1N4007 - 1000V - 1A 1N4008 - 12V - 0.1A
1N4009 - 35V - 0.1A 1N4011 - 1000V - 0.5

7.15 TIRISTORES
So dispositivos similares a diodos que funcionam como interruptores, que uma vez
fechados por um sinal de controle s pode ser aberto atravs de uma chave.

7.15.1SCR (SILLICON CONTROLED RECTIFICIER)


A sigla significa retificador controlado de silcio (Sillicon Controlled Rectificier). Ele
um diodo controlado por pulso, aplicado no gatilho (gate).

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7.15.2SCS (SILLICON CONTROLED SWITCH)

A Sigla significa chave controlada de silcio. semelhante ao SCR, mas com dois
terminais de disparo, podendo ser utilizado um dos dois, onde um disparo por pulsos
negativos e ou outro por pulsos positivos.

7.15.3GTO (GATE TURN OFF)


Todos os tiristores s se desligam quando a corrente cai abaixo da corrente de
manuteno, o que exige circuitos especiais de desligamento em certos casos. O GTO
permite o desligamento pelo gatilho, por pulso negativo de alta corrente, da o nome (Gate
Turn Off, desligamento pelo gatilho).
7.15.4DIAC (DIODO BIDIRECIONAL)
Pode ser entendido como uma chave que se fecha quando a sua tenso de ruptura
ultrapassada.
7.15.5TRIAC (TRIODO PARA CORRENTE ALTERNADA)
o equivalente ao SCR, s que conduz para ambos os lados quando aplicado
corrente no seu gate.

SENAI FATESG 56
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CAPTULO 8
TRANSISTORES E CIRCUITOS INTEGRADOS

8.1 TRANSISTOR BIPOLAR


Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrnica que so muitos fracos,
como por exemplo, as correntes eltricas que circulam no corpo humano, o sinal de sada
de uma cabea de gravao, etc., e para transforma-los em sinais teis torna-se necessrio
amplifica-los. Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento principal nesta tarefa. Em
1951, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no
diodo de juno, como uma alternativa em relao s vlvulas, para realizar as funes de
amplificao, deteco, oscilao, comutao, etc. A partir da o desenvolvimento da
eletrnica foi imenso.
Os transistores tambm so utilizados como chaves em circuitos digitais.
Dentre todos os transistores, o bipolar muito comum, com semelhanas ao diodo
estudado anteriormente, com a diferena de o transistor ser formado por duas junes pn,
enquanto o diodo por apenas uma juno.

8.2 FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES


O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutor dopado. Dois
cristais tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O primeiro chamado de
transistor npn e o segundo de pnp. Na figura abaixo so mostrados de maneira esquemtica
os dois tipos:

Cada um dos trs cristais que compe o transistor bipolar recebe o nome relativo a
sua funo. O cristal do centro recebe o nome de base, pois comum aos outros dois
cristais, levemente dopado e muito fino. Um cristal da extremidade recebe o nome de
emissor por emitir portadores de carga, fortemente dopado e finalmente o ltimo cristal
tem o nome de coletor por receber os portadores de carga, tem uma dopagem mdia.
Apesar da figura anterior no distinguir os cristais coletor e emissor, eles diferem
entre si no tamanho e dopagem. O transistor tem duas junes, uma entre o emissor a base,
e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha a dois diodos.
O diodo da esquerda comumente designado diodo emissor - base (ou s emissor) e o da
direita de coletor - base (ou s coletor).
Ser analisado o funcionamento do transistor npn. A anlise do transistor pnp
similar ao do npn, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so
lacunas em vez dos eltrons livres. Na prtica isto significa tenses e correntes invertidas
se comparadas com o npn.

SENAI FATESG 57
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8.3 TRANSISTOR NO POLARIZADO

A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de depleo.
Cada camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V (silcio) em 25C.
Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as camadas de depleo tem
larguras diferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra pouco na
regio do emissor, bastante na base e mdio na regio do coletor. A figura acima mostra as
camadas de depleo nas junes do transistor npn.
8.4 POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN
As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente.
8.4.1 JUNES COM POLARIZAO DIRETA
Na figura abaixo a bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor, e a bateria B2
polariza diretamente o diodo coletor. Os eltrons livres entram no emissor e no coletor,
juntam-se na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente eltrica alto nas duas
junes.

8.4.2 JUNES COM POLARIZAO REVERSA


Na figura abaixo os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizado. A
corrente eltrica circulando pequena (corrente de fuga).

8.4.3 JUNES COM POLARIZAO DIRETA - REVERSA


Na figura a seguir o diodo coletor est reversamente polarizado e diodo emissor
diretamente polarizado. A princpio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma
alta corrente no diodo emissor. No entanto isto no acontece, nos dois diodos as correntes
so altas.

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No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo emissor, os eltrons do


emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre base e emissor (V BE) for
maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor penetram na regio da base. Estes eltrons na
base podem retornar ao plo negativo da bateria B1, ou atravessar a juno do coletor
passando a regio do coletor. Os eltrons que a partir da base retornam a bateria B1 so
chamados de corrente de recombinao. Ela pequena porque a base pouco dopada.
Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base passam a juno base-
coletor.
Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portadores
majoritrios do cristal de base (lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livres.
Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo penetram na regio de
coletor.
L os eltrons livres so atrados para o plo positivo da bateria B2.
Em suma, com a polarizao direta do diodo emissor, injetado uma alta corrente em
direo a base. Na base uma pequena parcela da corrente, por recombinao, retorna ao
plo negativo da bateria B1 e o restante da corrente flui para o coletor e da para o plo
positivo da bateria B2. Ver figura a seguir.
Obs. Considerar a tenso coletor - base (VCB) bem maior que a tenso emissor base
(VBE).

8.5 TRANSISTOR PNP


No transistor pnp as regies dopadas so contrrias as do transistor npn. Isso significa
que as lacunas so portadores majoritrios no emissor em vez dos eltrons livres.
O funcionamento como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte
dessas lacunas circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor quase igual a do
emissor. A corrente de base muito menor que essas duas correntes.
Qualquer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor pnp.
Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os diodos e
capacitores polarizados. E o funcionamento ser idntico ao modelo npn.

SENAI FATESG 59
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Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados so sempre os


com transistores npn.
8.6 AS CORRENTES NO TRANSISTOR

A figura acima mostra o smbolo esquemtico para um transistor pnp e npn. A


diferenciao a nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A direo
da seta mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura mostrado tambm o sentido
das correntes convencionais IB , IC e IE .
A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes num n igual a
soma das que saem. Ento:
IE = IC + IB
A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base
chamada de ganho de corrente CC :
CC = IC / IB
Em geral mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de
emissor praticamente igual a corrente de coletor. O parmetro CC de um transistor indica
a relao entre a corrente de emissor e coletor:
CC = IC / IE
Quanto mais fina e levemente dopada a base, mais alto o CC.

8.7 MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR


Na figura abaixo, o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao emissor.
Neste caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum. Alm da montagem
em emissor comum, existem a montagem em coletor comum e base comum. O circuito
constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que contm a tenso V BE e malha da
direita com a tenso VCE.
VS = RSIB + VBE
VCC = ICRC + VCE

SENAI FATESG 60
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8.8RELAO IB VERSUS VBE


Existe uma relao entre IB e VBE, ou seja, para cada IB existe uma tenso VBE
correspondente (Figura abaixo). Naturalmente, esta curva semelhante a curva do diodo.

8.9RELAO IC VERSUS VCE


A partir de VCC e VS possvel obter diversos valores de IC e VCE. A figura abaixo
mostra esta relao supondo um IB fixo.

A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a


origem e o joelho. A parte plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do
VCE no influencia no valor de IC. IC mantm-se constante e igual a IB cc. A parte final a
regio de ruptura e deve ser evitada.

SENAI FATESG 61
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Na regio de saturao o diodo coletor est polarizado diretamente. Por isso, perde-se
o funcionamento convencional do transistor, passa a simular uma pequena resistncia
hmica entre o coletor e emissor. Na saturao no possvel manter a relao IC= IB cc.
Para sair da regio de saturao e entrar na regio ativa, necessrio uma polarizao
reversa do diodo coletor. Como VBE na regio ativa em torno de 0,7V, isto requer um V CE
maior que 1V.
A regio de corte um caso especial na curva I C x VCE. quando IB =0 (eqivale ao
terminal da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base aberto designada por
ICEO (corrente de coletor para emissor com base aberta). Esta corrente muito pequena,
quase zero. Em geral se considera: Se IB=0 IC =0.
O grfico da figura anterior, mostra a curva I C x VCE para um dado IB. Habitualmente
o grfico fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos IBs. Um exemplo est
na figura abaixo.

Notar no grfico que para um dado valor de V CE existem diversas possibilidades de


valores para IC. Isto ocorre, porque necessrio ter o valor fixo de IB. Ento para cada IB h
uma curva relacionando IC e VCE.
Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplificadores.
Sendo a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada), designa-se os
circuitos com transistores na regio ativa de circuitos lineares. As regies de corte e
saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente de base, so amplamente
usados em circuitos digitais.
8.10 FOTOTRANSISTOR
Os fototransistores so constitudos basicamente de duas junes, havendo uma
janela que permite a incidncia de a luz sobre a juno base-emissor, aumentando a
condutividade deste diodo emissor, com o conseqente aumento da corrente de coletor. Na
figura abaixo um exemplo de curva IC x VCE.

SENAI FATESG 62
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Sempre que houver luz incidindo sobre a base, haver uma corrente de base e,
portanto, o transistor deixa ser aberto. Ao lado a representao de um fototransistor.
Um fotodiodo uma alternativa ao fototransistor. A diferena que a luz incidindo
no fotodiodo gera a corrente que atravessa o diodo, enquanto no fototransistor, esta mesma
luz produz uma corrente de base e por sua vez uma corrente de coletor que vezes
maior que no fotodiodo. A maior sensibilidade do fototransistor traz como desvantagem
uma reduo na velocidade de chaveamento.
8.11 ACOPLADOR PTICO
A figura abaixo mostra um acoplador ptico. Consiste de um LED prximo a um
fototransistor, ambos encapsulados em um mesmo invlucro. Ele muito mais sensvel
que um LED e fotodiodo devido ao ganho . O funcionamento simples, qualquer
variao em VS produz uma variao na corrente do LED, que faz variar a emisso de
luz e, portanto, a corrente no fototransistor. Isso por sua vez, produz uma variao na
tenso dos terminais coletor-emissor. Em suma, um sinal de tenso acoplado do
circuito de entrada para o circuito de sada.

A grande vantagem de um acoplador ptico o isolamento eltrico entre os circuitos


de entrada e de sada. No existe nenhuma relao entre os terras de entrada e sada.
8.12 CARACTERSTICAS DAS LIGAES TPICAS DOS
TRANSISTORES
Existem 3 (BC, CC e EC) cada uma com suas vantagens e desvantagens.
8.12.1BASE COMUM (BC)
Baixa impedncia(Z) de saida;
Alta impedncia(Z) de entrada;
No a defasagem entre o sinal de saida e ode entrada;
Amplificao de corrente igual a um.
8.12.2COLETOR COMUM (CC)
Alta impedncia(Z) de saida;
Baixa impedncia(Z) de entrada;
No a defasagem entre o sinal de saida e ode entrada;
Amplificao de tenso igual a um.

SENAI FATESG 63
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8.12.3EMISSOR COMUM (EC)


Alta impedncia(Z) de saida;
Baixa impedncia(Z) de entrada;
Defasagem entre o sinal de saida e o de entrada de 180;
Amplificao de corrente de 10 a 100 vezes.

8.13 TIPOS DE TRANSISTORES
Vejamos os mais importantes: FET (transistor de efeito de campo),
MOSFET(transistor de efeito de campo com metal oxido semicondutor), UJT (transistor de
unijuno), IGBT(transistor bipolar de porta isolada).

8.14 CLASSIFICAO DE TRANSISTORES


So classificados como transistores de baixa, mdia e alta potncia.

8.15 INVLUCRO DOS TRANSISTORES


Devido ao calor produzido os transistores e outros componentes so produzidos em
diversos formatos (chamados invlucros ou encapsulamento), para sua instalao em
dissipadores de calor. OS transistores usam os: SOT 37, SOT 3, TO 39, SOT 9, TO 3, SOT
18, SOT 32, SOT 82, SOT 93, entre outros.

8.16 INFORMAES CONTIDAS EM TABELAS DE


TRANSISTORES
Apresentam as seguinte especificaes:
Tipo: o nome do transistor
Pol: polarizao; N quer dizer NPN e P significa PNP.
VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta.
VCER: tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor.
IC: corrente mxima do emissor.
PTOT: a mxima potncia que o transistor pode dissipar
Hfe: ganho ().
Ft: frequncia mxima.
Encapsulamento: A maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos
fornece a identificao dos terminais.

SENAI FATESG 64
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TRANSISTORES COMERCIAIS
PTOT Hfe a
TIPO POL VCEO IC(mA) VCE(SAT) APLICAES
(mW) Ic(mA)
BC107 NPN 45 100 300 110-450 2 200 AF/Uso geral
BC108 NPN 20 100 300 110-800 2 200 AF/Uso geral
200-800
BC109 NPN 20 100 300 200 AF/Baixo rudo
100
100-600
BC327 PNP 45 500 800 700 AF/ At 1W
100
100-600
BC328 PNP 25 500 800 700 AF/ At 1W
100
100-600 AF/Complementar
BC337 NPN 45 500 800 700
100 BC327
100-600 AF/Complementar
BC338 NPN 25 500 800 700
100 BC328
BC368 NPN 20 1000 800 85-375 500 500 AF/ At 3W
AF/Complementar
BC369 PNP 20 1000 800 85-365 500 500
BC368
BC546 NPN 65 100 500 110-450 2 600 AF/Uso geral
BC547 NPN 45 100 500 110-800 2 600 AF/Uso geral
BC548 NPN 30 100 500 110-800 2 600 AF/Uso geral
BC549 NPN 30 100 500 200-800 2 600 AF/Baixo rudo
BC557 PNP 45 100 500 75-475 2 650 AF/Uso geral
BC558 PNP 300 100 500 75-475 2 650 AF/Uso geral
AF = usado na faixa de freqncia de udio.

8.17 CIRCUITOS INTEGRADOS


Dentre os avanos tecnolgicos ocorridos com a criao dos diodos e transistores, um
dos mais importantes foi a possibilidade de agruparmos vrios circuitos eletrnicos (devido
ao micro tamanho das pastilhas semicondutoras) em pequenas pastilhas, chamadas de
Chips, dando origem aos Circuitos Integrados (CIs).
Os Circuitos Intergrados alavancaram a indstria eletrnica, pois circuitos complexos
que anteriormente ocupavam grandes caixotes de madeira passaram a ser integrados dentro
de uma nica pastilha e passaram a ocupar pequenas caixas plsticas ou metlicas.
Um Circuito Integrado (CI) pode conter um circuito eletrnico dedicado a
determinadas funes, como por exemplo um CI destinado a recepo de rdio ou a
controle remoto; ou pode conter circuitos com determinadas funes que sero utilizados
na construo de outros circuitos eletrnicos; como por exemplo portas AND, OR, NOR,
etc.
Um microprocessador nada mais que um circuito altamente complexo, contendo
milhes de transistores, capacitores, resistores,diodos, etc; integrados em uma nica
pastilha.

SENAI FATESG 65
Eletrnica Bsica

CAPTULO 9
SIMBOLOGIA DE COMPONENTES ELETRNICOS
A figura abaixo ilustra a simbologia utilizada normalmente para a representao de
componentes eletrnicos.

SENAI FATESG 66
Eletrnica Bsica

CAPTULO 10
PRINCPIOS DE ATERRAMENTO

10.1 INTRODUO
Todo equipamento eltrico/eletrnico pode induzir correntes eltricas em suas
carcaas metlicas, estas correntes, dependendo de sua intensidade, podero causar srios
danos ao equipamento, a outros equipamentos e ao usurio dos mesmos.
Os aterramentos tm por finalidade escoar a terra estas correntes indesejveis, bem
como tambm outros tipos de correntes oriundas de surtos eltricos e eletricidade esttica.
As caractersticas e a eficcia dos aterramentos devem satisfazer s prescries de
segurana das pessoas e funcionais da instalao.
O valor da resistncia de aterramento deve satisfazer s condies de proteo e de
funcionamento da instalao eltrica.
10.2 LIGAES A TERRA
10.2.1ATERRAMENTO

Qualquer que seja sua finalidade (proteo ou funcional) o aterramento deve ser
nico em cada local da instalao.
NOTA: Para casos especficos de acordo com as prescries da instalao, podem
ser usados separadamente, desde que sejam tomadas as devidas precaues.
A seleo e instalao dos componentes dos aterramentos devem ser tais que:
a) O valor da resistncia de aterramento (10 )obtida no se modifique
consideravelmente ao longo do tempo;
b) Resistam s solicitaes trmicas, termomecnicas e eletromecnicas;
c) Sejam adequadamente robustos ou possuam proteo mecnica apropriada
para fazer face s condies de influncias externas.
Devem ser tomadas precaues para impedir danos aos eletrodos e a outras partes
metlicas por efeitos de eletrlise.

10.2.2ELETRODOS DE ATERRAMENTO
O eletrodo de aterramento preferencial numa edificao o constitudo pelas
armaduras de ao embutidas no concreto das fundaes das edificaes.

NOTAS:
a) A experincia tem demonstrado que as armaduras de ao das estacas, dos
blocos de fundao e das vigas baldrames, interligadas nas condies

SENAI FATESG 67
Eletrnica Bsica

correntes de execuo, constituem um eletrodo de aterramento de excelentes


caractersticas eltricas.
b) As armaduras de ao das fundaes, juntamente com as demais armaduras do
concreto da edificao, podem constituir, nas condies prescritas pela NBR
5419, o sistema de proteo contra descargas atmosfricas (aterramento e
gaiola de Faraday, completado por um sistema captor).
c) Em geral os elementos em concreto protendido no devem integrar o sistema
de proteo contra descargas atmosfricas.

No caso de fundaes em alvenaria, o eletrodo de aterramento pode ser constitudo


por uma fita de ao ou barra de ao de construo, imersa no concreto das fundaes,
formando um anel em todo o permetro da estrutura. A fita deve ter, no mnimo, 100 mm 2
de seo e 3 mm de espessura e deve ser disposta na posio vertical. A barra deve ter o
mnimo 95 mm2 de seo. A barra ou a fita deve ser envolvida por uma camada de concreto
com espessura mnima de 5 cm.
Quando o aterramento pelas fundaes no for praticvel, podem ser utilizados os
eletrodos de aterramento convencionais, indicados na tabela 1, observando-se que:

d) O tipo e a profundidade de instalao dos eletrodos de aterramento devem ser


tais que as mudanas nas condies do solo (por exemplo, secagem) no
aumentem a resistncia do aterramento dos eletrodos acima do valor exigido;
e) O projeto do aterramento deve considerar o possvel aumento da resistncia
de aterramento dos eletrodos devido corroso.

NOTAS:
I. Preferencialmente o eletrodo de aterramento deve constituir um anel
circundando o permetro da edificao.
II. A eficincia de qualquer eletrodo de aterramento depende das condies
locais do solo; devem ser selecionados um ou mais eletrodos adequados
s condies do solo e ao valor da resistncia de aterramento exigida
pelo esquema de aterramento adotado. O valor da resistncia de
aterramento do eletrodo de aterramento pode ser calculado ou medido.

SENAI FATESG 68
Eletrnica Bsica

TABELA 1 - ELETRODOS DE ATERRAMENTO CONVENCIONAIS


TIPO DE
DIMENSES MNIMAS OBSERVAES
ELETRODO
2,40 m de comprimento e
Tubo de ao zincado Enterramento totalmente vertical
dimetro nominal de 25 mm
Cantoneira de
Perfil de ao zincado (20mmx20mmx3mm) com 2,40 m Enterramento totalmente vertical
de comprimento
Dimetro de 15 mm com 2,00 ou
Haste de ao zincado Enterramento totalmente vertical
2,40 m de comprimento
Haste de ao revestida Dimetro de 15 mm com 2,00 ou
Enterramento totalmente vertical
de cobre 2,40 m de comprimento
Dimetro de 15 mm com 2,00 ou
Haste de cobre Enterramento totalmente vertical
2,40 m de comprimento
25 mm de seo, 2 mm de Profundidade mnima de 0,60 m.
Fita de cobre
espessura e 10 m de comprimento Largura na posio vertical
100 mm de seo, 3 mm de Profundidade mnima de 0,60 m.
Fita de ao galvanizado
espessura e 10 m de comprimento Largura na posio vertical
25 mm de seo e 10 m de Profundidade mnima de 0,60 m.
Cabo de cobre
comprimento Posio horizontal
95 mm de seo e 10 m de Profundidade mnima de 0,60 m.
Cabo de ao zincado
comprimento Posio horizontal
50 mm de seo e 10 m de Profundidade mnima de 0,60 m.
Cabo de ao cobreado
comprimento Posio horizontal
No devem ser usados como eletrodo de aterramento canalizaes metlicas de
fornecimento de gua e outros servios, o que no exclui a ligao equipotencial de que
trata.
10.2.3CONDUTORES DE ATERRAMENTO
Os condutores de aterramento devem atender s prescries gerais.
Quando o condutor de aterramento estiver enterrado no solo, sua seo mnima deve
estar de acordo com a tabela 2.
TABELA 2 - SEES MNIMAS CONVENCIONAIS DE CONDUTORES DE
ATERRAMENTO
PROTEGIDO NO PROTEGIDO
MECANICAMENTE MECANICAMENTE
Cobre: 16 mm
Protegido contra corroso De acordo com normas
Ao: 16 mm
Cobre: 16 mm (solos cidos)
No protegido contra corroso 25 mm (solos alcalinos)
Ao: 50 mm

SENAI FATESG 69
Eletrnica Bsica

Quando o eletrodo de aterramento estiver embutido nas fundaes a ligao ao


eletrodo deve ser realizada diretamente, por solda eltrica, armadura do concreto mais
prxima, com seo no inferior a 50 mm 2, preferencialmente com dimetro no inferior a
12 mm, ou ao ponto mais prximo do anel (fitas ou barra) embutido nas fundaes. Em
ambos os casos, deve ser utilizado um condutor de ao com dimetro mnimo de 12 mm,
ou uma fita de ao de 25 mm x 4 mm. Com o condutor de ao citado, acessvel fora do
concreto, a ligao barra ou condutor de cobre para utilizao, deve ser feita por solda
exotrmica ou por processo equivalente do ponto de vista eltrico e da corroso.
Em alternativa podem usar-se acessrios especficos de aperto mecnico para derivar
o condutor de tomada de terra diretamente da armadura do concreto, ou da barra de ao
embutida nas fundaes, ou ainda do condutor de ao derivado para o exterior do concreto.
NOTA: O condutor de ao derivando para o exterior do concreto deve ser
adequadamente protegido contra corroso.
Na execuo da ligao de um condutor de aterramento a um eletrodo de aterramento
deve-se garantir a continuidade eltrica e a integridade do conjunto.
10.3 TERMINAL DE ATERRAMENTO PRINCIPAL
Em qualquer instalao deve ser previsto um terminal ou barra de aterramento
principal e os seguintes condutores devem ser a ele ligados:
a) Condutor de aterramento;
b) Condutores de proteo principais;
c) Condutores de equipotencialidade principais;
d) Condutor neutro, se disponvel;
e) Barramento de equipotencialidade funcional, se necessrio;
f) Condutores de equipotencialidade ligados a eletrodos de aterramento de
outros sistemas (por exemplo, SPDA).
NOTAS:
1) O terminal de aterramento principal realiza a ligao equipotencial principal .
2) Nas instalaes alimentadas diretamente por rede de distribuio pblica em baixa
tenso, que utilizem o esquema TN, o condutor neutro deve ser ligado ao terminal
ou barra de aterramento principal, diretamente ou atravs de terminal ou
barramento de aterramento local;
3) Nas instalaes alimentadas diretamente por rede de distribuio pblica em baixa
tenso, que utilizem o esquema TT, devem ser previstos dois terminais ou barras de
aterramento separados, ligados a eletrodos de aterramento eletricamente
independentes, quando possvel, um para o aterramento do condutor neutro e o
outro constituindo o terminal de aterramento principal propriamente dito.
4) Os condutores de equipotencialidade destinados ligao de eletrodos de
aterramento de SPDA devem ser dimensionados segundo a NBR 5419.
Quando forem utilizados eletrodos de aterramento convencionais, deve ser previsto,
em local acessvel, um dispositivo para desligar o condutor de aterramento. Tal dispositivo
deve ser combinado ao terminal ou barra de aterramento principal, de modo a permitir a
medio da resistncia de aterramento do eletrodo, ser somente desmontvel com o auxlio
de ferramenta, ser mecanicamente resistente e garantir a continuidade eltrica.

SENAI FATESG 70
Eletrnica Bsica

10.4 CONDUTORES DE PROTEO


10.4.1SEES MNIMAS
A seo no deve ser inferior ao valor determinado pela expresso seguinte (aplicvel
apenas para tempos de atuao dos dispositivos de proteo que no excedam 5 s):

S
I .t
k

Onde:
S a seo do condutor, em milmetros quadrados;
I o valor (eficaz) da corrente de falta que pode circular pelo dispositivo de proteo,
para uma falta direta, em ampres;
t o tempo de atuao do dispositivo de proteo, em segundos;
NOTA: Deve ser levado em conta o efeito de limitao de corrente das impedncias
do circuito, bem como a capacidade limitadora (integral de Joule) do dispositivo de
proteo.
k o fator que depende do material do condutor de proteo, de sua isolao e outras
partes e das temperaturas inicial e final.
As tabelas 3, 4, 5 e 6 do os valores de k para condutores de proteo em diferentes
condies de uso ou servio. Se, ao ser aplicada a expresso, forem obtidos valores no
padronizados, devem ser utilizados condutores com a seo normalizada imediatamente
superior.
NOTAS:
1) necessrio que a seo calculada seja compatvel com as condies impostas pela
impedncia do percurso da corrente de falta.
2) Para limitaes de temperatura em atmosferas explosivas, ver IEC-79-0.
3) Devem ser levadas em conta as temperaturas mximas admissveis para as ligaes.

TABELA 3 - VALORES DE K PARA CONDUTORES DE PROTEO PROVIDOS


DE ISOLAO NO INCORPORADOS EM CABOS MULTIPOLARES OU
CONDUTORES DE PROTEO NUS EM CONTATO COM A COBERTURA
DE CABOS
ISOLAO OU COBERTURA
PROTETORA
MATERIAL DO CONDUTOR PVC EPR OU XLPC
Cobre 143 176
Alumnio 95 116
Ao 52 64
NOTAS:
1) A temperatura inicial considerada de 30 C.

SENAI FATESG 71
Eletrnica Bsica

2) A temperatura final do condutor considerada igual a 160 C para o PVC e a 250


C para o EPR e o XLPE.
TABELA 4 - VALORES DE K PARA CONDUTORES DE PROTEO QUE
SEJAM VEIA DE CABOS MULTIPOLARES
ISOLAO OU COBERTURA
PROTETORA
MATERIAL DO CONDUTOR PVC EPR OU XLPC
Cobre 115 143
Alumnio 76 94
NOTAS:
1) A temperatura inicial do condutor considerada igual a 70 C para o PVC e a 90 C
para o EPR e o XLPE.
2) A temperatura final do condutor considerada igual a 160 C para o PVC e a 250
C para o EPR e o XLPE.
TABELA 5 - VALORES DE K PARA CONDUTORES DE PROTEO QUE
SEJAM CAPA OU ARMAO DE CABO
ISOLAO OU COBERTURA
PROTETORA
MATERIAL DO CONDUTOR PVC EPR OU XLPC
Ao
Ao/Cobre
(Ainda no normalizados)
Alumnio
Chumbo
TABELA 6 - VALORES DE K PARA CONDUTORES DE PROTEO NUS ONDE
NO HAJA RISCO DE DANO EM QUALQUER MATERIAL VIZINHO
PELAS TEMPERATURAS INDICADAS
CONDIES
VISVEL E EM
MATERIAL DO CONDIES RISCO DE
REAS
CONDUTOR NORMAIS INCNDIO
RESTRITAS
Temperatura mxima 500 C 200 C 150 C
Cobre
k 228 159 138
Temperatura mxima 300 C 200 C 150 C
Alumnio
k 125 105 91
Temperatura mxima 500 C 200 C 150 C
Ao
k 82 58 50
As temperaturas indicadas so vlidas apenas quando no puderem prejudicar a
qualidade das ligaes.
NOTA: A temperatura inicial considerada de 30 C.
A seo do condutor de proteo pode, opcionalmente ao mtodo de clculo, ser
determinada atravs da tabela 7. Se a aplicao da tabela conduzir a valores no

SENAI FATESG 72
Eletrnica Bsica

padronizados, devem ser usados condutores com a seo normalizada mais prxima. Os
valores da tabela 7 so validos apenas se o condutor de proteo for constitudo do mesmo
metal que os condutores fase. Caso no seja, sua seo deve ser determinada de modo que
sua condutncia seja equivalente da seo obtida pela tabela.
TABELA 7 - SEO MNIMA DO CONDUTOR DE PROTEO
SEO DOS CONDUTORES FASE DA SEO MNIMA DO CONDUTOR DE
INSTALAO PROTEO
S (MM) CORRESPONDENTE SP (MM)
S
S 16
16
16 < S 35
S > 35
S
2
A seo de qualquer condutor de proteo que no faa parte do mesmo cabo ou do
mesmo invlucro que os condutores vivos deve ser, em qualquer caso, no inferior a:
a) 2,5 mm se possuir proteo mecnica;
b) 4 mm se no possuir proteo mecnica.
10.4.2TIPOS DE CONDUTORES DE PROTEO
Podem ser usados como condutores de proteo:
a) Veias de cabos multipolares;
b) Condutores isolados, cabos unipolares ou condutores nus num conduto
comum aos condutores vivos;
c) Condutores isolados, cabos unipolares ou condutores nus independentes;
d) Protees metlicas ou blindagens de cabos;
e) Eletrodutos metlicos e outros condutos metlicos;
f) Certos elementos condutores estranhos instalao.
Quando a instalao contiver linhas pr-fabricadas (barramentos blindados) com
invlucros metlicos, tais invlucros podem ser usados como condutores de proteo se
satisfazerem simultaneamente s trs prescries seguintes:
a) Sua continuidade eltrica deve estar assegurada e de forma a estar protegida
contra deterioraes mecnicas, qumicas ou eletroqumicas;
b) Sua condutncia seja, pelo menos, igual resultante da aplicao.
c) Devem permitir a ligao de outros condutores de proteo em todos os
pontos de derivao predeterminados.
As protees metlicas ou blindagens de cabos, bem como os eletrodutos e outros
condutos metlicos, podem ser usados como condutores de proteo dos respectivos
circuitos se satisfizerem s prescries a) e b).
Elementos condutores estranhos instalao podem ser usados como condutores de
proteo se satisfizerem a todas as prescries seguintes:
a) Sua continuidade eltrica deve estar assegurada, por construo ou por
ligaes adequadas, e de forma a estar protegida contra deterioraes
mecnicas, qumicas e eletroqumicas;
b) Seu traado seja o mesmo dos circuitos correspondentes;
c) S devem poder ser desmontados se forem previstas medidas compensadoras;
SENAI FATESG 73
Eletrnica Bsica

d) Sua aplicao a esse uso seja analisada e, se necessrio, sejam feitas


adaptaes adequadas.
NOTA: As canalizaes metlicas de gua e gs no devem ser usadas como
condutores de proteo.
Elementos condutores estranhos instalao no devem ser usados como condutores
PEN.

10.4.3PRESERVAO DA CONTINUIDADE ELTRICA DOS


CONDUTORES DE PROTEO

Os condutores de proteo devem estar convenientemente protegidos contra as


deterioraes mecnicas, qumicas e eletroqumicas e foras eletrodinmicas.
As ligaes devem estar acessveis para verificaes e ensaios, com exceo das
executados dentro de caixas moldadas ou juntas encapsuladas.
Nenhum dispositivo de comando ou proteo deve ser inserido no condutor de
proteo, porm podem ser utilizadas ligaes desmontveis por meio de ferramentas, para
fins de ensaio.
Quando for utilizado um dispositivo de monitorao de continuidade de aterramento,
as bobinas de operao no devem ser inseridas no condutor de proteo.
As partes condutoras expostas de equipamentos no devem ser utilizadas como partes
de condutores de proteo de outros equipamentos, exceto em condies citadas
anteriormente.

SENAI FATESG 74
Eletrnica Bsica

10.5 ATERRAMENTO POR RAZES DE PROTEO

10.5.1CONDUTORES DE PROTEO USADOS COM


DISPOSITIVOS DE PROTEO A SOBRECORRENTES
Quando forem utilizados dispositivos de proteo a sobrecorrentes para a proteo
contra contatos indiretos, o condutor de proteo deve estar contido na mesma linha
eltrica dos condutores vivos ou em sua proximidade imediata.
10.5.2ATERRAMENTO DE MASTRO DE ANTENAS E DO SISTEMA
DE PROTEO CONTRA DESCARGAS ATMOSFRICAS
(SPDA) DA EDIFICAO
Mastros de antenas devem ser incorporados ao SPDA, devendo ser atendidas as
prescries da NBR 5419.
10.6 ATERRAMENTO E EQUIPOTENCIALIZAO DE
EQUIPAMENTOS DE TECNOLOGIA DA INFORMAO
10.6.1GENERALIDADES
As prescries aqui contidas tratam do aterramento e das ligaes equipotenciais
dos equipamentos de tecnologia da informao e de equipamentos similares que
necessitam de interligaes para intercmbio de dados. Podem tambm ser utilizadas para
outros equipamentos eletrnicos suscetveis a interferncias.
NOTAS:
1) O termo equipamento de tecnologia da informao usado pela IEC para
designar todos os tipos de equipamentos eltricos e eletrnicos de escritrio e
equipamentos de telecomunicao.
2) So exemplos de equipamentos aos quais prescries podem ser aplicveis:
Equipamentos de telecomunicao e de transmisso de dados, equipamentos
de processamentos de dados ou instalaes que utilizam transmisso de
sinais com retorno a terra, interna ou externamente ligada a uma edificao;
Fontes de corrente contnua que alimentam equipamentos de tecnologia da
informao no interior de uma edificao;
Equipamentos e instalaes de CPCT- Central Privada de Comutao
Telefnica (PABX);
Redes locais;
Sistemas de alarme contra incndio e contra roubo;
Sistemas de automao predial;
Sistemas CAM (Computer Aided Manufacturing) e outros que utilizam
computadores.
3) As prescries aqui contidas no consideram a possvel influncia de descargas
atmosfricas.
4) No so consideradas as ligaes de equipamentos com correntes de fuga elevadas.
As prescries aqui contidas tratam:
a) Da proteo contra corroso eletroltica;

SENAI FATESG 75
Eletrnica Bsica

b) Da proteo contra correntes contnuas de retorno elevadas nos condutores de


aterramento funcional, nos condutores de proteo e nos condutores de
proteo e aterramento funcional;
c) Da compatibilidade eletromagntica.
O aterramento dos equipamentos de tecnologia da informao objetivando a
proteo contra choques eltricos. No entanto, prescries adicionais podem ser
necessrias para garantir o funcionamento confivel e seguro dos equipamentos e da
instalao.
10.6.2USO DO TERMINAL DE ATERRAMENTO PRINCIPAL
NOTA: O terminal de aterramento principal da edificao pode ser geralmente
utilizado para fins de aterramento funcional. Nesse caso, ele considerado, sob o ponto de
vista da tecnologia da informao, como o ponto de ligao ao sistema de aterramento da
edificao.
10.6.3COMPATIBILIDADE COM CONDUTORES PEN DA
EDIFICAO
Em edificaes que abriguem ou estejam previstas para abrigar instalaes de
tecnologia da informao de porte significativo, deve-se considerar o uso de condutor de
proteo (PE) e condutor neutro (N) separados, desde o ponto de entrada da alimentao.
NOTA: Esta prescrio tem por objetivo reduzir ao mnimo a possibilidade de
ocorrncia de problemas de compatibilidade eletromagntica e, em casos extremos de
sobrecorrente, devidos passagem de correntes de neutro nos cabos de transmisso de
sinais.
Se a instalao eltrica de uma edificao possuir um transformador, grupo gerador,
No-Breaks ou fonte anloga responsvel pela alimentao de equipamentos de tecnologia
da informao e se essa fonte for, ela prpria, alimentada em esquema TN-C, deve adotar o
esquema TN-S em sua sada.
10.6.4PROTEO CONTRA CORROSO ELETROLTICA
Quando os condutores de aterramento funcional, ou os condutores de proteo e
aterramento funcional forem percorridos por corrente contnua, devem ser tomadas
precaues para impedir danos aos condutores e a partes metlicas prximas por efeitos de
eletrlise.
10.6.5BARRAMENTO DE EQUIPOTENCIALIDADE FUNCIONAL
O terminal de aterramento principal de uma edificao pode, quando necessrio, ser
prolongado emendando-lhe um barramento de equipotencialidade funcional, de forma que
os equipamentos de tecnologia da informao possam ser ligados e/ou aterrados pelo
caminho mais curto possvel, de qualquer ponto da edificao.
Ao barramento de equipotencialidade funcional podem ser ligados:
a) Quaisquer dos elementos normalmente ligados ao terminal de aterramento
principal da edificao;
b) Blindagens e protees metlicas dos cabos e equipamentos de sinais;
c) Condutores de equipotencialidade dos sistemas de trilho;
d) Condutores de aterramento dos dispositivos de proteo contra sobretenses;
e) Condutores de aterramento de antenas de radiocomunicao;

SENAI FATESG 76
Eletrnica Bsica

f) Condutor de aterramento do plo terra de alimentaes em corrente


contnua para equipamentos de tecnologia da informao;
g) Condutores de aterramento funcional;
h) Condutores de sistemas de proteo contra descargas atmosfricas;
i) Condutores de ligaes equipotenciais suplementares.

O barramento de equipotencialidade funcional, de preferncia em cobre, pode ser nu


ou isolado e deve ser acessvel em toda sua extenso, por exemplo, sobre a superfcie das
paredes ou em eletrocalha. Condutores nus devem ser isolados nos suportes e na travessia
de paredes, para evitar corroso.
Quando for necessrio instalar um barramento de equipotencialidade funcional numa
edificao com presena extensiva de equipamentos de tecnologia da informao, este
deve constituir um anel fechado.
O barramento de equipotencialidade funcional deve ser dimensionado como em
condutor de equipotencialidade principal.
NOTA: A confiabilidade da ligao equipotencial entre dois pontos do barramento de
equipotencialidade funcional depende da impedncia do condutor utilizado, determinada
pela seo e pelo percurso. Para freqncias de 50 Hz ou de 60 Hz, caso mais comum, um
condutor de cobre de 50 mm2 de seo nominal constitui um bom compromisso entre custo
e impedncia.
10.6.6LIGAO EQUIPOTENCIAL
NOTAS:
1) A ligao equipotencial pode incluir condutores, capas metlicas de cabos e partes
metlicas da edificao, tais como tubulaes de gua e eletrodutos ou uma malha
instalada em cada pavimento ou em parte de um pavimento. conveniente incluir
as armaduras do concreto da edificao na ligao equipotencial.
2) As caractersticas das ligaes equipotenciais por razes funcionais (por exemplo,
seo, forma e posio dos condutores) dependem da gama de freqncia dos
sistemas de tecnologia da informao das condies presumidas para o ambiente
eletromagntico e das caractersticas de imunidade/freqncia dos equipamentos.
A seo de um condutor de equipotencialidade entre dois equipamentos ou duas
partes de um equipamento.
NOTA: No caso de curtos-circuitos envolvendo partes condutoras aterradas, pode
surgir uma sobrecorrente nas ligaes de sinal entre os equipamentos.
Os condutores de equipotencialidade funcional que satisfazem s prescries de
proteo contra choques eltricos devem ser identificados como condutores de proteo.
Se for utilizada uma malha de equipotencialidade para o aterramento funcional de
equipamentos de tecnologia da informao.
10.6.7CONDUTORES DE ATERRAMENTO FUNCIONAL
A determinao da seo dos condutores de aterramento funcional deve considerar as
possveis correntes de falta que possam circular e, quando o condutor de aterramento
funcional for tambm usado como condutor de retorno, a corrente de funcionamento

SENAI FATESG 77
Eletrnica Bsica

normal e a queda de tenso. Quando os dados necessrios no forem disponveis, deve ser
consultado o fabricante do equipamento.
Os condutores de aterramento funcional que ligam os dispositivos de proteo contra
surtos ao barramento de equipotencialidade funcional devem seguir o percurso mais reto e
mais curto possvel, a fim de reduzir ao mnimo a impedncia.
10.7 MONTAGEM DE SISTEMAS DE TERRA
O sistema de terra estabelece o contato entre a descida do terminal de aterramento
principal e a terra. Para a construo do sistema de terra, pode ser usado um dos mtodos a
seguir, obedecendo sempre s normas anteriormente descritas.
1) Em solos midos, de preferncia junto ao lenol fretico, devero ser
cravados, por percusso, no mnimo trs eletrodos de cobre (copperweld), nas
medidas 5/8 x 3 m, distantes de 6 a 7 vezes o comprimento dos eletrodos
entre si e interligados por condutores de aterramento (bitolas obedecendo a
Tabela 2).
2) Em solos pedregosos sero usadas fitas de cobre de 25 mm x 2 mm x 10.000
mm em nmero de trs e dispostas radialmente, formando ngulo mnimo de
60 entre si fixadas ao cabo de aterramento por conector apropriado.
3) Em solo seco, arenoso, calcrio ou rochoso, havendo dificuldades de se
conseguir o mnimo de resistncia hmica estabelecida pela PNB-165, ser
necessria uma compensao por meio de maior distribuio dos eletrodos ou
fitas em disposio radial, ou ainda, pela construo de poo de sal e carvo,
tendo no fundo uma placa de cobre 2 mm x 0,25 m 2 ligado ao cabo de
aterramento por conector apropriado.

ELETRODOS EM TRINGULO

ELETRODOS EM LINHA
T
T T T

ELETRODOS RADIAS

T T T
T

Em todas as montagens anteriores o primeiro eletrodo dever estar distante no


mnimo a 50 cm da fundao da edificao e protegida por uma caixa de inspeo, para
facilitar a inspeo e medio da resistncia. A figura a seguir mostra como esta caixa
dever ser construda.
A quantidade de eletrodos de aterramento, disposio entre eles e os modelos
dependero de vrios fatores como visto anteriormente, mas seja qual for o projeto
escolhido, o mesmo dever proporcionar o seguinte:

SENAI FATESG 78
Eletrnica Bsica

Qualquer dos mtodos utilizados dever ter suas interligaes enterradas


(cabos, eletrodos e fitas) a uma profundidade mnima de 60 cm da superfcie,
para evitar possveis danos externos.
Para o bom funcionamento do sistema de aterramento, dever ser feita uma
medio da resistncia ao menos uma vez por ano.
Em qualquer poca do ano, a resistncia de terra no deve ser superior a 10
Ohms (para edificaes em geral) ou 1 Ohm (para depsitos de explosivos ou
inflamveis) e medida por aparelhos e mtodos adequados.
DETALHE CAIXA DE INSPEO
250
250
220
15 10 200 1015 15 10 200 1015
10 15

25
7.935
(5/16")

A A
250
220

250
200

225
150
FURO 25mm
15 10

PLANTA 25 200 25
250

CORTE AA
1 - Desde que mantida as dimenses internas,
poder ser construda em alvenaria;
2 - Medidas em mm.

10.8 MELHORIA DA RESISTNCIA DO ELETRODO DE TERRA


Se durante a instalao, ou em qualquer ocasio notar-se que a resistncia do eletrodo
de terra ultrapassou os limites permitidos, somos obrigados a experimentar alguns recursos
para tentar melhorar. Os mais simples so:
Aumentar o nmero de eletrodos enterrados e interlig-los por condutores;
Aumentar a profundidade dos eletrodos j enterrados;
Instalar novos eletrodos de comprimento maior, utilizando eletrodos
rosqueados para emend-los com luvas apropriadas;
Aumentar a espessura dos eletrodos;
Submeter o solo a tratamento qumico com cloreto de sdio (Sal de cozinha)
ou sulfato de magnsio ou de cobre.
A figura abaixo mostra os tipos de eletrodos interligados em anel (esquerda) e malha
(direita).

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CAPTULO 11
SOLDAGEM E DESSOLDAGEM DE COMPONENTES
ELETRNICOS
11.1 INTRODUO
Neste captulo estudaremos as tcnicas necessrias para a soldagem e dessoldagem de
componentes eletrnicos, pois para quem precisar trabalhar com eletrnica ou mesmo para
quem gosta de eletrnica por hobbie, uma boa soldagem o primeiro passo para o perfeito
funcionamento de qualquer circuito eletrnico. Atualmente os ferros de solda mais
utilizados so os de 30 e os de 40 W. Abaixo vemos estes dois tipos, assim como a
estrutura interna desta importante ferramenta:

11.2 FERRO DE SOLDA


O ferro de solda ou soldador formado por um tubo de ferro galvanizado contendo
uma resistncia de nquel-cromo e uma ponta metlica em seu interior. Ao passar corrente
eltrica pela resistncia, esta aquece a ponta at chegar numa temperatura apropriada para
derreter a solda.
11.3 A SOLDA
Existem diversas marcas de solda para eletrnica. Uma marca de solda considerada
de boa qualidade quando, ao se fazer uma soldagem com um ferro de solda limpo e
estanhado, esta soldagem ficar brilhante. Se ficar opaca (cinza) a solda no de boa
qualidade. As soldas de boa qualidade so "Best", "Cobix", "Cast", etc. Abaixo vemos um
tubinho e uma cartela de solda. Ela tambm vendida em rolo de 500 g e 250 g como visto
a seguir.
As soldas usadas em eletrnica possuem 30 % de chumbo e 70 % de estanho, alm de
uma resina para a solda aderir ao circuito. Esta resina era substituda antigamente pela
"pasta de solda" (breu).

SENAI FATESG 81
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11.4 APLICAO DE SOLDA NOS CIRCUITOS ELETRNICOS


Para efetuarmos uma boa soldagem devemos seguir os procedimentos abaixo:
1. Escolha o ferro de solda ideal para o servio a ser executado. Ferros de Solda
de potncia pequena so indicados para a soldagem de componentes
eletrnicos e Ferros de Solda de potncias mais elevadas so indicados para a
soldagem de cabos e fios eltricos de grandes dimetros;
2. Coloque o Ferro de Solda em seu suporte, ligue-o na tomada e aguarde alguns
minutos para seu aquecimento;
3. Segure o ferro de solda da mesma forma que o lpis para escrever e com
bastante firmeza;
4. Limpe e estanhe a ponta do ferro de solda utilizando uma esponja vegetal
umedecida com gua (normalmente o suporte para o ferro de solda possui esta
esponja);
5. Encoste a ponta ao mesmo tempo na trilha e no terminal do componente,
mantenha o ferro imvel durante esta operao;
6. Aplique solda na trilha at ela cobrir toda a ilha e o terminal do componente,
tomando cuidado para no se queimar;
7. Retire o ferro rapidamente. A operao da soldagem deve ser feita
rapidamente para no danificar as trilhas da placa e nem os componentes
eletrnicos;
8. No deixe excesso de solda, pois alm de disperdiar solda, o excesso
dificultar a dessoldagem do componente caso haja necessidade.
A figura a seguir ilustra o procedimento:

SENAI FATESG 82
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11.5 LIMPEZA DO FERRO D SOLDA


Existem muitas marcas de ferros de solda. Algumas muito boas como "Hikary",
"Weller", "Fame", etc e outras no to boas. Porm qualquer que seja a marca do soldador,
devemos tomar alguns cuidados para ele durar o mximo tempo possvel.
11.6 LIMPEZA E ESTANHAGEM DA PONTA
Segure o ferro pelo cabo e medida que ele vai esquentando, derreta a solda na ponta
para esta ficar brilhante e da cor do estanho. Abaixo observamos como deve ficar:

Quando a ponta j est quente, vai acumulando uma crosta de sujeira. Para limp-la
basta passar numa esponja de ao ou numa esponja vegetal mida, daquelas que vm no
suporte do ferro. Tambm possvel comprar esta esponja separada.
NO SE DEVE NUNCA LIXAR OU LIMAR A PONTA. ISTO ACABA
RAPIDAMENTE COM A MESMA.
11.7 MANUTENO DO FERRO DE SOLDA
11.7.1 TROCA DA RESISTNCIA
Os ferros mais caros podem ter a resistncia trocada com certa facilidade e
compensa. Desparafuse e retire a ponta. Tire os parafusos do cabo e empurre o fio da

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resistncia para dentro. Retire o "espaguete" da emenda da resistncia. No perca estes


"espaguetes" j que alm de isolantes eltricos, so isolantes trmicos. Coloque a nova
resistncia dentro do tubo metlico. Refaa a emenda do cabo de fora e recoloque os
"espaguetes". Posicione a resistncia at ela encostar bem perto da ponta. Recoloque os
parafusos do cabo e a ponta. Abaixo vemos o procedimento:

11.7.2 TROCA DA PONTA


Basta retirar o parafuso que prende a mesma e retir-la do tubo da resistncia. Na
colocao da ponta nova, no deixe-a muito para fora seno ela esquentar pouco. Abaixo
vemos como deve ficar:

11.8 SUGADORES DE SOLDA


Esta ferramenta usada para retirar a solda do circuito. formada por um tubo de
metal ou plstico com um embolo impulsionado atravs de uma mola. Abaixo vemos
diversos modelos de sugadores de solda:

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Para o sugador durar o mximo de tempo possvel, de vez em quando temos que
desmont-lo para fazer uma limpeza interna e colocar grafite em p para melhorar o
deslizamento do embolo. Tambm podemos usar uma "camisinha" para proteger o bico. A
"camisinha" um bico de borracha de silicone resistente ao calor e adquirido nas lojas de
ferramentas ou componentes eletrnicos.
11.9 USO CORRETO DO SUGADOR DE SOLDA
Abaixo vemos a sequncia para aplicar o sugador de solda e retirar um componente
de uma placa de circuito impresso:

1. Encoste a ponta do ferro na solda que vai ser retirada. O recomendvel aqui
colocar um pouco mais de solda no terminal do componente, isto facilita a
dessoldagem;
2. Derreta bem a solda no terminal do componente;
3. Empurre o embolo (pisto) do sugador e coloque-o bem em cima da solda na
posio vertical, sem retirar o ferro;
4. Aperte o boto, o pisto volta para a posio inicial e o bico aspira a solda
para dentro do sugador;
5. Retire o ferro e sugador ao mesmo tempo. Agora o componente est com o
terminal solto. Se ficar ainda um pouco de solda segurando o terminal,
coloque mais e repita a operao.

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11.10 ACESSRIOS PARA SOLDAGEM


Estes acessrios so basicamente uma esponja vegetal que deve ser umedecida para
limpar a ponta do ferro, suportes para colocar o ferro aquecido e a pasta de solda (breu)
usada quando vamos soldar numa superfcie onde difcil a aderncia da solda. Abaixo
vemos os elementos citados:

11.11 PISTOLA DE SOLDA


um tipo de ferro de solda que aquece a ponteira quase instantaneamente quando
apertamos um boto que ele tem em forma de gatilho. Tambm tem uma pequena lmpada
para iluminar o local onde est sendo feita a soldagem. Este ferro indicado para soldas
mais pesadas, ou seja, componentes grandes com terminais mais grossos. Abaixo vemos
um tipo de pistola:

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CAPTULO 12
DIAGRAMA ESQUEMTICO DE FONTE ATX
A figura abaixo ilustra um exemplo de diagrama esquemtico de uma fonte ATX.

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CAPTULO 13
DIAGRAMA ESQUEMTICO DE FONTE AT
A figura abaixo ilustra um exemplo de diagrama esquemtico de uma fonte AT.

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CAPTULO 14
DIAGRAMA EM BLOCOS E ESQUEMTICO
14.1 DIAGRAMA EM BLOCOS
O Diagrama em Blocos de um circuito eletrnicos nada mais que sua representao
atravs de blocos que demonstrem a funcionalidade de cada parte do circuito, como
ilustrado na figura abaixo. Atravs do diagrama de blocos temos uma idia geral do
circuito e podemos assim montar o Diagrama Esquemtico.

14.2 DIAGRAMA ESQUEMTICO


O Diagrama Esquemtico de um circuito eletrnico ilustra todos os componentes que
compem o circuito e suas respectivas ligaes eltricas. atravs dele que montamos a
placa de circuito impresso na qual sero soldados os componentes eletrnicos.
A figura abaixo ilustra um diagrama esquemtico.

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CAPTULO 15
PINAGENS DAS FONTES DE ALIMENTAO AT E ATX
A figura abaixo ilustra a pinagem de uma fonte AT.

(Na Placa Me)

2x CONECTOR MOLEX 15-48-0106 no computador.


2x CONECTOR MOLEX 90331-0001nos cabos da fonte de alimentao.

P8
Pino Nome Cor Descrio
1 PG Laranja Fonte pronta +5 VCC quando as tenses esto estabilizadas.
2 +5V Vermelho +5 VCC (ou n/c)
3 +12V Amarelo +12 VCC
4 -12V Azul -12 VCC
5 GND Preto Terra
6 GND Preto Terra
P9

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Pino Nome Cor Descrio


1 GND Preto Terra
2 GND Preto Terra
3 -5V Branco -5 VCC
4 +5V Vermelho +5 VCC
5 +5V Vermelho +5 VCC
6 +5V Vermelho +5 VCC

A figura abaixo ilustra a pinagem de uma fonte ATX.

(na Placa Me)


O conector da fonte ATX na placa me consiste em duas linhas de pinos. Sendo que
este conector s pode ser conectado de uma nica maneira.

Pino Nome Cor Descrio


1 +3,3V Laranja +3,3 VCC
2 +3,3V Laranja +3,3 VCC
3 GND Preto Terra
4 +5V Vermelho +5 VCC
5 GND Preto Terra
6 +5V Vermelho +5 VCC
7 GND Preto Terra
8 PWROK Cinza Fonte pronta +5 VCC quando as tenses esto estabiliz.
9 5VSB Roxo +5V Standby
10 +12V Amarelo +12 VCC
11 +3,3V Laranja +3,3 VCC
12 -12V Azul -12 VCC
13 GND Preto Terra
14 PS-ON Verde Controle remoto LIGA/DESLIGA
15 GND Preto Terra
16 GND Preto Terra
17 GND Preto Terra
18 -5V Branco -5 VCC
19 +5V Vermelho +5 VCC

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20 +5V Vermelho +5 VCC

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CAPTULO 16
USANDO O MULTMETRO
16.1 INTRODUO
Neste captulo estudaremos os procedimentos necessrios para uma correta utilizao
dos multmetros digitais.
Os multmetros so equipamentos destinados a medio das grandezas eltricas e das
caractersticas de alguns componentes eletrnicos.
Estudaremos os procedimentos para a medio de: Resistncias, Teste de Diodos,
Corrente e Tenso.
16.2 MEDIO DE RESISTNCIAS
Para efetuarmos este procedimento necessrio ajustar o multmetro para a maior
escala referente a medio de resistncias (), por exemplo 2000K.
Coloca-se o plugue da ponta de prova preta no conector COM e o plugue da ponta de
prova vermelha no conector VmA.
A resistncia a ser medida dever ser colocada entre as duas pontas de prova, sendo
que a mesma no poder estar soldada no circuito.
Caso o multmetro indique em seu mostrador o valor ilustrado abaixo, significa que a
resistncia medida maior que a suportada pela escala do aparelho ou que as pontas de
prova no esto bem conectadas a resistncia.

Caso o valor medido se apresentar com um valor muito pequeno necessrio regular
o multmetro para uma escala de medida de resistncia menor.
A figura abaixo ilustra este procedimento.

OFF
VAC
VDC
ADC

10A

10ADC
V mA

COM

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16.3 TESTES DE DIODOS


Para efetuarmos este procedimento necessrio ajustar o multmetro para o smbolo
de um pequeno diodo.
Coloca-se o plugue da ponta de prova preta no conector COM e o plugue da ponta de
prova vermelha no conector VmA.
O diodo a ser testado dever ser colocado entre as duas pontas de prova, sendo que o
mesmo no poder estar soldado no circuito.
Colocamos a ponta de prova preta no ctodo e a ponta de prova vermelha no nodo
do diodo.
O multmetro dever indicar em seu mostrador um valor de resistncia prxima a 600
, conforme ilustrado na figura abaixo:

Em seguida colocamos a ponta de prova preta no nodo e a ponta de prova vermelha


no ctodo do diodo.
O multmetro dever indicar em seu mostrador o valor ilustrado na figura abaixo:

Valores muito diferentes dos apresentados anteriormente podem indicar que o diodo
se apresenta em curto ou em aberto.
A figura abaixo ilustra este procedimento.

OFF
VAC
VDC
ADC

10A

10ADC
V mA

COM

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16.4 MEDIO DE TENSES CONTNUAS

Para efetuarmos este procedimento necessrio ajustar o multmetro para a maior


escala referente medio de Tenso Contnua (VDC), por exemplo 1000.
Coloca-se o plugue da ponta de prova preta no conector COM e o plugue da ponta de
prova vermelha no conector VmA.
Coloca-se a ponta de prova vermelha em um dos dois pontos onde se deseja medir a
tenso e a ponta de prova preta no outro ponto (por exemplo o ponto terra do circuito).
Com este procedimento estaremos colocando o multmetro em paralelo com a tenso a ser
medida.
Caso o multmetro indique em seu mostrador o valor ilustrado abaixo, significa que a
tenso contnua medida maior que a suportada pela escala do aparelho.

Caso o valor medido se apresentar com um valor muito pequeno necessrio regular
o multmetro para uma escala de medida de tenso contnua menor.
Se o multmetro indicar uma tenso negativa, como ilustrado na figura abaixo,
significa que o potencial de tenso na ponta de prova vermelha menor que o potencial de
tenso na ponta de prova preta.

A figura abaixo ilustra este procedimento.

OFF
VAC
VDC
ADC

10A

10ADC
V mA

COM

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16.5 MEDIO DE TENSES ALTERNADAS


Para efetuarmos este procedimento necessrio ajustar o multmetro para a maior
escala referente medio de Tenso Alternada (VAC), por exemplo 750.
Coloca-se o plugue da ponta de prova preta no conector COM e o plugue da ponta de
prova vermelha no conector VmA.
Coloca-se a ponta de prova vermelha em um dos dois pontos onde se deseja medir a
tenso e a ponta de prova preta no outro ponto (por exemplo o ponto neutro do circuito).
Com este procedimento estaremos colocando o multmetro em paralelo com a tenso a ser
medida.
Caso o multmetro indique em seu mostrador o valor ilustrado abaixo, significa que a
tenso alternada medida maior que a suportada pela escala do aparelho.

Caso o valor medido se apresentar com um valor muito pequeno necessrio regular
o multmetro para uma escala de medida de tenso alternada menor.
A figura abaixo ilustra este procedimento.

OFF
VAC
VDC
ADC

10A

10ADC
V mA

COM

16.6 MEDIO DE CORRENTE CONTNUA COM VALOR EM mA


Antes de efetuarmos a medida de corrente em mA necessrio medirmos a corrente
na escala de Amperes, pois s depois de verificarmos se a corrente est abaixo da mxima
suportada pela escala de mA (por exemplo 200 mA) que podemos colocar o multmetro
na escala de mA.
Para efetuarmos este procedimento necessrio ajustar o multmetro para a maior
escala referente medio de Corrente Contnua em mA (ADC), por exemplo 200 mA.
Coloca-se o plugue da ponta de prova preta no conector COM e o plugue da ponta de
prova vermelha no conector VmA.

SENAI FATESG 97
Eletrnica Bsica

Inicialmente desligamos o circuito por questes de segurana.


Para a medio de corrente necessrio que a mesma circule pelo multmetro, ou
seja, necessitamos interromper o circuito e colocar o multmetro em srie com o mesmo.
Esta interrupo dever ser feita no trecho onde desejamos medir a corrente.
Coloca-se a ponta de prova vermelha em um dos dois pontos interrompidos do
circuito e a ponta de prova preta no outro ponto da interrupo.
Ligamos novamente o circuito.
Caso a corrente que ir circular no multmetro seja superior a corrente mxima que
ele suporta o seu fusvel interno ir queimar, necessitando sua troca.
Caso o multmetro indique em seu mostrador o valor ilustrado abaixo, significa que a
corrente contnua medida maior que a suportada pela escala do aparelho.

Caso o valor medido se apresentar com um valor muito pequeno necessrio regular
o multmetro para uma escala de medida de tenso contnua menor.
Se o multmetro indicar uma corrente negativa, como ilustrado na figura abaixo,
significa que a corrente do circuito circula da ponta de prova preta at a ponta de prova
vermelha.

Para removermos o multmetro necessrio desligar novamente o circuito.


A figura abaixo ilustra este procedimento.

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OFF
VAC
VDC
ADC

10A

10ADC
V mA

COM

16.7 MEDIO DE CORRENTE CONTNUA COM VALOR EM A


Para efetuarmos este procedimento necessrio ajustar o multmetro para a escala
referente medio de Corrente Contnua (ADC) em A, por exemplo 10A.
Caso seja necessria a medio de correntes maiores que 10A deveremos utilizar
Alicates amperimtricos.
Coloca-se o plugue da ponta de prova preta no conector COM e o plugue da ponta de
prova vermelha no conector 10ADC.
Inicialmente desligamos o circuito por questes de segurana.
Para a medio de corrente necessrio que a mesma circule pelo multmetro, ou
seja, necessitamos interromper o circuito e colocar o multmetro em srie com o mesmo.
Esta interrupo dever ser feita no trecho onde desejamos medir a corrente.
Coloca-se a ponta de prova vermelha em um dos dois pontos interrompidos do
circuito e a ponta de prova preta no outro ponto da interrupo.
Ligamos novamente o circuito.
Se o multmetro indicar uma corrente negativa, como ilustrado na figura abaixo,
significa que a corrente do circuito circula da ponta de prova preta at a ponta de prova
vermelha.

Para removermos o multmetro necessrio desligar novamente o circuito.


A figura a seguir ilustra o procedimento de medio.

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OFF
VAC
VDC
ADC

10A

10ADC
V mA

COM

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