Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
AMPLIFICATOARE AUDIO
DE PUTERE
STUDENT :
GRUPA :
1. Introducere
Termenul de amplificatory este foarte comun. In general, scopul unui amplificator este de
a prelua un semnal de intrare si de a-i creste amplitudinea. Exista multe tipuri diferite de
amplificatoare, fiecare cu un anumit scop, insa in acest proiect ma voi referi la amplificatoarele
audio de putere. Acestea sunt concepute pentru a prelua un semnal de la o sursa si apoi pentru a-l
actiona asupra difuzoarelor. Singurul lucru diferit intre semnalul de intrare si cel de iesire este
puterea semnalului. Toate amplificatoarele de putere au o unitate de masura numita watt. O alat
unitate de masura pentru amplificatoare este impedanta, care se masoara in ohmi ; cele mai des
intalnite impedante sunt de 8 ohmi, 4 ohmi, 2 ohmi. Amplificatoarele moderne folosesc in marea
majoritate tranzistoare in loc de tuburi. Tuburile sunt in general dispozitive tensiune mare
curent mic, iar tranzistoarele sunt tocmai invers tensiune mica curent mare. Amplificatoarele
cu tranzistoare au numeroase avantaje fata de amplificatoarele cu tuburi : sunt mai eficiente, mai
mici, nu au nevoie de transformtor audio pentru iesire, iar tranzistoarele nu necesit inlocuirea
periodica. Amplificatoarele de putere iau energia necesara pentru amplificarea semnalelor de
intrare de la priza de curent la care sunt conectate, insa nici un amplificator nu este eficient 100%,
pentru ca o parte din energie de la priza se pierde. Majoritatea energiei pierdute de un
amplificator se transforma in caldura, de aceea este foarte important sa se asigure o ventilatie
corespunzatoare in jurul echipamentului.
Amplificatoarele de putere folosite de DJ au o putere incepand de la 75 watt pe canal pana la
1000 watt pe canal.Trebuie sa fim constienti ca mai multa putere nu inseamna neaparat o
amplificare superioara sau un sunet de o calitate mai buna. Un amplificator conceput foarte bine
la 200 de watt pe canal poate fi mult mai bun decat un alt amplificatory conceput pentru 500 watt
pe canal.
Dupa cum se poate observa si in schema bloc a amplificatorului audio de putere exista cateva
blocuri functionale :
Tranzistoarele T1, T2 se aleg de tipul BC 178 si se imperecheaza (se sorteaza doua tranzistoare cu
caracteristici cat mai apropiate). Aceste tranzistoare au urmatoarele valori limita absolute:
VCE0=30V
Ptot=300mW
IC=100mA
Tj=175oC
IB=50mA
2. Dimensionarea rezistentei de colector a tranzistorului T1 (R11)
Din motive de zgomot, pentru a avea factorul de zgomot F = 3dB trebuie ca:
iC ,T 1 i C ,T 1 80A
u BE ,T 1 8mV
g m ,T 1 40 I C ,T 1 40 250A / V
4. Determinarea tensiunii stabilizate de D1
Pentru a simula generatorul de curent din emitor trebuie ca tensiunea stabilizata Vz>>V BE,T1.
Deoarece IBT1 e foarte mic, se poate neglija tensiunea intre baza si masa UR6.
IC,T1=250A si VCEEC=30V
1
V1/2R9 I C .T 1 R9 62.6mV VR 8 7.5V
2
EC VZ
R7= 3.96k
IZ IRS
Se alege R7 =3.3 k
RSdif
AVdif
Amplificarea etajului diferential poate fi aproximata astfel : 1 unde RSdif este
R9
2
R11 || Z in.T 1 1.8
rezistenta de sarcina a diferentialului RSdif 1.8k AVdif 7.2 7
2 0.25
b) Etajul pilot
Etajul pilot, conform cu Figura 4-1. este de tip emitor comun EC si lucreaza in clasa A.
Pentru utilizarea completa a sursei de alimentare a circuitului de putere este necesara o
tensiune de excitatie varf la varf mai mare ca tensiunea de alimentare Vex,vv > Ec, conditie greu
de realizat. In Figura 4-2. tg = R sat ai tg = Rrez definite in raport cu I CER. Se observa ca in
cazul real excursia tensiunii Vex,vv este mult mai mica decat E c si asimetrica.
K1 si K2 sunt coeficientii de utilizare ai tensiunii de alimentare pentru tranzistorul T1
respectiv pentru tranzistorul T2.
In schemele cu iesire pe condensator, datorita inegalitatii dintre K 1 si K 2 (in general
K1<K2) apar distorsiuni la nivele mari si apare o componenta continua (u) ce deplaseaza
punctul static de functionare (PSF-ul) in sensul egalizarii factorului de utilizare, Figura 4-2.
In schemele in care iesirea nu se face pe condensator, ca in cazul acestui project, apare
o curbura a caracteristicilor. Solutia poate fi folosirea unei tensiuni de alimentare a etajului pilot
Ep>Ec, fapt ce conduce la complicarea sursei de alimentare sau la solutia de bootstrapare a
rezistentei RC.
IVV = 2*Iex<2*ICQ
Deoarece ICQ > Iex, aceasta solutie este avantajoass pentru usurarea regimului
termic al etajului pilot.
Se obtine astfel
k1k2
Rdin>RC = RB+RG
ICT3=ICQ=8mA> Iexmax=4.6 mA
EC
RC=RB+RG=R13+R12= =3.75 k
ICT 3
Alegem R12=360 si R13=3 k
3. Sarcina dinamica a pilotului
R13h11T 6 R13
Rdin R13 h11T 6 + (1+h21Ef R13 h11T 6 )(RS+R30)
T 6
unde h11T6 = gmT 6 =125
h21Ef = h21T6 h21T8 =1000
Pentru o functionare cat mai buna a bootstrapului se alege un tranzistor cu VCEsat si ICER mici.
Se alege BD 139 cu parametri :
IC I ex kT
BE 0.024V 24mV 26mV
g m 40 I CQ q
8. Amplificarea in tensiune a etajului pilot
Etajul pilot este de tip emitor comun cu sarcina distribuita avand amplificarea in tensiune:
Rdin
Avp -R15 = -187
9. Calculul f recventei de taiere
T = 0 fT3 0.351.25MHz
VCE0=50V
Ptot=300mW
IC=100mA
Tj=175oC
IB=5
I C ,T 4
IC,T4=8mA VCE,T41.4V => IB,T4 = 36 A
h21E ,T 4
Se alege prin divizorul de baza curentul :
Id 0.5mA >> IB,T4 => R14=R1 + R2 = 2.8 k
VBE=VBE5 + VBE7>0
RAN
VCE = VCE7 =VCE5 +VBE7>0
Pentru ICB0=0
Ic F 7 1
F IB = F5(1 + F7 F 7 ) F5(1+F7) F5F7
Consideram T1 si T2 in RAN.
Pentru ICB0 = 0
IC
F=
IB
=(F8+1)F6 F8 F6
F F8 F6 = mare avantaj
Cand T6 se satureaza se pierde controlul lui IC6 prin I B6 iar IC6 se inchide prin
jonctiunea BE a lui T 8 care ramane in RAN. =>
12
Tranzistoarele pnp sunt de tip lateral cu conductie orizontala sau tranzistor de substrat cu
conductie verticala avand F mic.
In practica se folosesc configuratiile darlington cu rezistenta in paralel cu
jonctiunea baza-emitor a tranzistorului bipolar de putere de tip npn (R 2 6 si R27). Rolul
acestor rezistente este urmatorul:
La functionarea in clasa B" in repaus curentul prin T7 este mic iar curentul de baza
va fi si el mic. La curenti mici de colector pentru T5 amplificarea in curent
a tranzistoarelor are o cadere pronuntata => amplificarea este redusa => reactia
negativa va fi ineficienta asupra neliniaritatii curbei de transfer.
La imbinarea caracteristicilor tranzistoarelor complementare apar distorsiuni
de trecere (cross-over) si pentru micsorarea acestora se face o polarizare
initiala in regim static al tranzistoarelor. Rezistenta R 26 mareste curentul de
colector al tranzistornlui T 5 in regim de repaus deoarece la I C7 mic, h 11,T7 e
foarte mare si cea mai mare parte a curentului dat de T5 trece prin R 26 si astfel
T 5 lucreaza la curenti acceptabili cu F5 suficient de mare. La curent de
colector mare pentru T7, h11.T7 scade exponential si R 26 se poate neglija.
Rezistenta R 26 permite evacuarea sarcinii stocate prin circulatia unui curent
invers de baza in perioada corespunzatoare blocarii => R 26 imbunatateste
functionarea la frecvente inalte, dar nu elimina efectele daca frecventa de
lucre e mai mare ca f.
P0=EC*ICM
EC este tensiunea de alimentare pentru un tranzistor final
I CM este curentul de colector maxim al tranzistorilor finali
Pa=2EC Imed
Imed este curentul mediu absorbit de la sursa
13
2
T /2
1 ICM
Imed = k
T I
0
CM sin
T
tdt = k
k este factorul de utilizare a tensiunii de alimentare
ICM 2k
Pa=2ECImed = 2ECk = P0 = 0.636kP0
1 1
PS= RS(kICM)2= RSk2I2CM=0.5k2P0
2 2
RS este rezistenta de sarcina
Pd(T7+T8)=Pa-Pu=(0.636k-0.5k2)P0
2
PS 0.5k P0
Randamentul = = =0.785k
Pa 0.636kP0
Derivand expresia puterii disipate de tranzistorii finali in raport cu k => puterea disipata
maxima pe tranzistorii finali Pd max(T7+T8) la k=0.636.
Pentru k = 0.636
Pdmax(T7+T8)=[0.6362-0.5(0.636)2]P0=0.2P0
PdmaxT7,T8 =0.1P0
14
IS 2RS I V 2 PS 2 50
P S= = S S IS = = =4.08 A
2 2 RS 6
VS=RsIS=6*4.08A=24.48V
R28=R29=0.59<0.1 X 6
toleranta 5%
VR28=VR29=R28IS=2.4 V
I V
PdR28,R29= S R 28 =2.44W (valoare medie, T 7,T8 lucreaza in clasa B). Se aleg R28 si R29
4
de 3W.
R30=0.1
V30=R30IS=0.408V
I V
PdR30= S R 30 =0.83W Se alege R30de 2W.
2
4. Se aleg tranzistorii finali
S-a optat pentru tranzistori finali bipolari de putere de tip BDY 26 (183T2) avand urmatorii
parameti:
Ptot=87.5W VCE0,VCER=180V IC=6A
h21E=20180 (la IC=2A) VBE<1V VCES=0.6V
fTmin<10 MHz
15
6. Determinarea tensiunii reziduale pe darlingtonul npn
Vrez=VCEST5+VBET7max
ICT 7 , T 8 IS
T7,T8=20 IBT7,T8= T 7 , T 8 T 7 , T 8 =0.204mA
In functie de IBT7,T8 se aleg T5 si T6 (BD 139, BD 140) Pentru BD 139, VCEST5 = 0,5V =>
Vrez = 0,5 + 1 = 1,5V
EC VS+VR30+VR28+Vrez=28.788 V=Ec
Se alege EC=30V>EC
E 'C 28.788
k= =0.95
EC 30
Pa = 0.636kP0 = 73.95W
1 2
PS = k P0 = 55.23W
2
Pd = Pa-PS = 18.72W
(Puterea disipata pe T7 si T8 )
Puterea disipata pe un tranzistor final este maxima pentru k=0,636 este
Pd max T7 = Pd max T8 = 0.1*P0 = 12.24 W
In cazul nostru pentru k=0,95 puterea disipata pe un tranzistor final este
PdT7,T8 = 0.5 (0.636k 0.5k2) P0 = 9.36 W
= 0.785 k = 0.75
9. Dimensionarea rezistenfelor R 2 6 ,R 2 7
16
I C M T 5 este curentul de colector maxim al tranzistorului T5
IBMT7 este curentul de baza maxim al tranzistorului T7
V B E M T 7 este tensiunea baza emitor maxima a tranzistorului T7
RST5=[h11T7+T7(RS+R30+R28)] || R26
V BEMT 7
h11T7=
I BT 7
4.9
RST5=(4.9+20*6.69) || 39=30.4
P0=ICMT5EC=0.23*30=6.9W
Pdmax=0.1P0=0.69W
VCE0=80V
VCER=100V
VEB0=5V
h21E=50 200
IC=1A
ICM=1.5A
IB=0.2A
Tj=150oC
Ptot=12.5W
fT=50MHz
Rthj-C 10oC
17
d) Reactie negativa
Se apreciaza un factor de transfer pe bucla de reactie optim la frecvente medii:
1
r R10
R10 R 31
10
IS ( RS R 30)
Vn= =17.4 V
2
Amplificarea cu reactie este
Vn 15.95 R R31 R R
AVr 13.3 10 1 31 31 12.3
Vin.dif 1 .3 R10 R10 R10
Deoarece amplificarea in tensiune in bucla deschisa a amplificatorului de putere
este data de etajul pilot si etajul diferential Av = Avp Avdif = (-7)(-187)=1309
1 R 39
Avr R10 31 3.17k
r 12.3 12.3
R10 3.3k 5%
e) Sursa de alimentare
Dimensionarea redresorului
Dimensionarea transformatorului
Tensiunile in secundar
Pentru etajul final trebuie o tensiune continua de 2x30V adica 2x30x0,707=2x21V ef
valoare eficace.Pentru preamplificatoare trebuie 22,5Vef.
Tensiunea in primar
Tensiunea in primar este V1=220Vef
2.Alegerea miezului
Se alege un miez din tole stantate E+I ,din tabla de otel electrotehnic,de grosime 0,5mm
avand pierderi specifice in fier PFs=2W/Kg
4.Sectiunea miezului
Sectiunea miezului transformatorului se determina cu ajutorul relatiei:
SM=ks [(S1kG)/(fBMJ)] unde:
Bob.dreptunghiulare 4
ns/v=1/1,41fBMSM=2spire/volt
SCI =I1/J=0,66mm
R 12
360
R 13 BD 135 T5
R 7
T7
3 .9 k 3k
D 4
D 1N 4148 R 18
Q 2N 3055
D 6 200
T9 V1
D 1N 4148 R 26
BC 107A R 19 39 30Vdc
100
R 8 C 4 R 16 T11
15k 47u 470 R 24
R 141
1 .3 k BC 177
390
D 1N 4148
R 2 T4 D 8
120k R 3 B Z -0 8 1 BC 107A R 22 R 28
R 9 R 91 C 5 3 .9 k 0 .5 9
40k 250 250 R 142 200u
R 1 R 31 1 .2 k
C 1 3 .9 C 2 R 5 BC 178B 39k 0 R 30
T1 T2
BC 178B
47u 47u 2 .2 k 0 .1
R 10 R 29 R s
VO F F = 0 R 6 3 .3 k R 23 0 .5 9
VAM PL = 1V T13 39k C 6 3 .9 k 6
F R EQ = 1KH z BC 107A C 3 200u
R 4 D 1N 4148 R 25
150 10u D 9 T12 390
0
R 17 R 21
BC 177 T10 100 BC 177
0 470 V2
30Vdc
D 1N 4148
D 5 D 7 R 20
D 1N 4148
T6
T3 100
T8
B D 1 3 5 /P L P
B D 1 3 6 /P L P
R 11 D 1N 4148 D 2
5 .6 k D 3 R 15 R 27 Q 2N 3055
D 1N 4148 27
39
Lista componentelor amplificatorului
Rezistente
Tranzistori Condensatori
D1=PL 8V2
D2-D9=1N4148
EC=30V
Condensatori
C1=6800F/63V
C2=6800F/63V
Circuitul TDA2004 scoate o putere de 2x10W pe o sarcina de 2ohmi. Acest circuit poate
fi folosit si ca amplificator auto, montajul este usor de realizat si puterea lui ajunge pentru
o camera de dimensiuni mici.
Schema montajului si un exemplu de realizare practica sunt prezentate mai jos: